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Capteurs intgrs et MEMS

1. Le Silicium et la technologie microlectronique.


2. Capteur intgrs semiconducteur.
3. Composant MEMS.
4. Technologie MEMS
5. Etude de quelque structure MEMS

Prsent Par M. Mahdi


mmahdi@cdta.dz
mmahdi.usto@gmail.com
1. Le Silicium et la technologie
microlectronique.
Point contact Transistors invented in 1947 by Bardeen,
Brattain, Schockly at Bell Telephone Laboratories .

The Nobel Prize in Physics 1956 was awarded jointly


to William Bradford Shockley, John Bardeen and
Walter Houser Brattain "for their researches on
semiconductors and their discovery of the transistor
effect
. "The Nobel Prize in Physics 1956". Nobelprize.org.
http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates
/1956/
NobelMediaAB2014.Web.30Oct2016.

Schockly Bardeen Brattain


1. Le Silicium et la technologie
microlectronique.
As I noted in my lecture, there were various efforts to solve the
electronic miniaturization problem at the time I invented the
integrated circuit..but I had the fortunate experience of
being the first person with the right idea and the right
resources available at the right time in history.
"Jack S. Kilby - Biographical". Nobelprize.org. Nobel Media
http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/200
0/kilby-bio.html
AB2014.Web.30Oct2016.
1. Le Silicium et la technologie
microlectronique.

Craig Barret, (ex PDG


d'Intel), s'excusant
publiquement de ne
pas respecter la promesse de
cette compagnie de mettre sur
le march un Pentium 4
fonctionnant 4Ghz!
www.News.com 19 octobre
2005 Orlando (Floride USA)
1. Le Silicium et la technologie
microlectronique.

Subthreshold Schottky-barrier thin-film transistors with ultralow power and high intrinsic
gain,
Sungsik Lee and Arokia Nathan, Electrical Engineering Division, Department of
Engineering, University of Cambridge, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge
CB3 0FA, UK. 21 OCTOBER 2016 VOL 354 ISSUE 6310, sciencemag.org
Le Silicium et la technologie
microlectronique
1. Le Silicium et la technologie
microlectronique.

https://microelectronique.univ-
rennes1.fr/fr/index_chap1.htm
2. Capteur intgrs semi-conducteur.
L'tendue de la mesure : c'est la diffrence entre le plus petit
signal dtect et le plus grand perceptible sans risque de
destruction pour le capteur.
La sensibilit : ce paramtre caractrise la capacit du capteur
dtecter la plus petite variation de la grandeur mesurer.
La fidlit : Un capteur est dit fidle si le signal quil dlivre en
sortie ne varie pas dans le temps.
Le temps de rponse : c'est le temps de raction d'un capteur
2. Capteur intgrs semi-conducteur.
Geiger-mode avalanche photodiodes (APDs)

imaging laser radar (ladar).


Photo detector Lincoln Laboratory

LincolnLaboratoryJournalVolume13,Number2,20
02
2. Capteur intgrs semi-conducteur.
2. Capteur intgrs semi-conducteur.
2. Capteur intgrs semi-conducteur.
2. Capteur intgrs semi-conducteur.