You are on page 1of 10

LAPORAN PRAKTIKUM

ELEKTRONIKA I

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)

Disusun Oleh :
Nama :Rahayu Rahmatunisa
Nim : 131331022
Kelas : 1-A2
Kelompok : 3 (tiga)

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
POLITEKNIK NEGERI BANDUNG
2014
Pembagian Tugas :
Percobaan Karakteristik FET
Membuat jurnal : Sofyan Maulani (131331027)

Tujuan  Memahami karakteristik output dan karakteristik dari FET  Menggambarkan kurva karakteristik . Merakit rangkaian : Tri Kurniati (131331029) Mengukur rangkaian : Rahayu Rahmatunisa (131331022) Mempersiapkan alat : Rustam Azis Sopandi (131331026) Percobaan Aplikasi FET sebagai penguat Membuat jurnal : Tri Kurniati (131331029) Merakit rangkaian : Tri Kurniati (131331029) Mengukur rangkaian : Sofyan Maulani (131331027) Mempersiapkan alat : Rahayu Rahmatunisa (131331022) FIELD EFFECT TRANSISTOR I.

Kapasitor 1. namun terdapat beberapa perbedaan yang cukup penting. FET disebut unifolar junction transistor karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas.Jumper .Function Generator . karena arus input adalah nol. 1K (Ω) . Perbedaan utama antara BJT dengan FET adalah bahwa dalam transistor bipolar arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB). FET memiliki tiga buah terminal. sehingga FET cenderung membangkitkan noise (desah) lebih kecil dari pada transistor bipolar. dalam orde puluhan megaohm. adalah suatu komponen semi konduktor yang bekerja berdasarkan pengaturan arus dengan medan listrik. Ketika tegangan diberikan ke terminal gate.Resistor 1K. dan Gate (gerbang).Multimeter Analog .Papan Percobaan . yaitu Source (sumber). FET disambungkan di dalam rangkaian dengan cara yang sama sebagaimana halnya sebuah BJT. 2.Power Supply .Kabel penghubung III. sehingga amat bermanfaat untuk pembuatan keping rangkaian terpadu. . FET bekerja atas aliran pembawa mayoritas saja. Drain (buangan). Ketiga terminal ini dapat disetarakan dengan terminal emitor. kolektor. 1M (Ω) . dan basis pada sebuah BJT.Osiloskop . arus yang disebut arus drain akan mengalir masuk melewati terminal drain dan keluar melalui terminal source. 100 (μF) . FET termasuk jenis komponen aktif. Sedangkan dalam FET arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS). FET lebih stabil terhadap temperatur dan konstruksinya lebih kecil serta pembuatannya lebih mudah dari transistor bipolar.Transistor BF244 . Karakteristik FET Field Effect Transistor atau transistor efek medan atau yang lebih dikenal dengan FET. Pada penggunaan normal.Potensiometer 220. Sehingga resistansi input FET sangat besar. Alat dan komponen Alat: Komponen: . Terminal source adalah terminal yang paling negatif dan terminal drain adalah yang paling positif.  Dapat menghitung factor transconductance (gm)  Memahami aplikasi FET sebagai penguat II. Disamping itu.2K. Landasan Teori.

Aplikasi FET sebagai Penguat Untuk menggunakan transistor FET sebagai penguat. Atur VDS sebesar 15V dengan mengatur potensiometer 220 Ω.Common Drain. Buat rangkaian karakteristik FET seperti pada gambar 1 dengan menggunakan transistor BF244. maka transistor harus berada dalam daerah saturasinya. resistansi input. Persiapkan alat dan komponen yang dibutuhkan. IV. Rangkaian Percobaan 1. 3. Terdapat 3 konfigurasi penguat pada transistor FET. Setelah itu ditentukan Q point‐nya yang akan menentukan ID dan VGS yang harus dihasilkan pada rangkaian. Setelah Q point dicapai. Cek alat dan komponen terlebih dahulu sebelum digunakan. sinyal yang diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40‐50 mVp‐p dengan frekuensi 1‐10 kHz).Common Source 2. 4. Langkah Percobaan Percobaan rangkaian karakteristik FET (output) 1. 2. maka transistor telah dapat digunakan sebagai penguat.Common Gate 3. dan resistansi output. Ketiganya memiliki karakteristik yang berbeda‐beda dari faktor penguatan. Hal ini dapat dicapai dengan memberikan arus ID dan tegangan VDS tertentu. Cara yang biasa digunakan dalam mendesain penguat adalah dengan menggambarkan garis beban pada kurva ID dan VDS.dalam hal ini. Rangkaian Karakteristik FET 2. yaitu 1. Rangkaian Aplikasi FET sebagai Penguat V. .

Atur VGS menjadi 0.0 (V) dengan menggunakan multimeter. Catat hasil pengukuran tersebut pada tabel pengamatan. 5. 6. -0.75.75. 1. 2. -0. 0 (V) 8. Kalibrasi osiloskop pada channel 1 dan channel 2. -0.5. . -2.5. Atur Vi = 0. Persiapkan alat dan komponen yang dibutuhkan. Atur VDS konstan 7V dengan mengatur potensiometer 220 Ω. Buat rangkaian aplikasi FET sebagai penguat seperti pada gambar 2 dengan menggunakan transistor BF244 dengan tidak memasang kapasitor. Hitung nilai (∆VGS/∆ID) berdasarkan hasil pengukuran pada karakteristik transfer. -0. Catat hasil pengukuran tersebut pada tabel pengamatan. -1.0 (V) dengan mengatur potensiometer 1K. -2. 1. Atur RS sebesar 0 Ω dengan mengatur dekade resistor. Buat rangkaian karakteristik FET seperti pada gambar 1 dengan menggunakan transistor BF244. Persiapkan alat dan komponen yang dibutuhkan.5. -0. Percobaan pengukuran factor transconductance (gm) 1.25 (V) dengan menggunakan multimeter.5.5. -0. 2. 4. Cek alat dan komponen terlebih dahulu sebelum digunakan. -1.5. Atur VGS menjadi 0. Percobaan karakteristik transfer ID=f(VGS) 1. -1. 3. Cek alat dan komponen terlebih dahulu sebelum digunakan.25. 4.75. 7.25.5. -0.75. 2. -1. 7. -1. -0. Ulangi langkah 4-6 dengan mengatur VDS pada 10. 2. 5. 3. -0.5. 6. Ukur arus ID pada saat VGS = 0. 6. 0.75. Ukur arus ID pada saat VGS = 0. Percobaan aplikasi FET sebagai penguat 1. -1. 5.25. -1. Catat hasil pengukuran tersebut pada tabel pengamatan. -0.25.25. -0. -1. -1. -1. 3. -0.75.25.5.5 Vpp dan frekuensi 1KHz.25 (V) dengan mengatur potensiometer 1K. -1. -1.

25 5 4.5 3.75 4.7K (Ω). 11.25 ID (mA) ID (mA) ID (mA) ID (mA) ID (mA) ID (mA) 15 9.5 7.25 2.25 0.25 3 2 8 7 6 4.75 VGS=-1 VGS=-1.5 3. 220.5 8. VI.75 3. 2. 1K.25 1.25 6 4. Hitung Av dengan menggunakan rumus 10.75 2 1. 3. 8. Ulangi langkah 6 dan 7 dengan mengatur Rs sebesar 10. Catat hasil pengukuran tersebut pada tabel pengamatan.75 2.25 7 5. Ulangi langkah 4-9 dengan memasang kapasitor pada rangkaian. Hasil Pengamatan/pengukuran 1. 100.25 2.5 4 3.5 1 5.75 3.5 6. 9.75 6 5.5 VGS=-0.25 3. 4. 470.75 2.5 4. Tabel Karakteristik output ID=f(VDS) VDS VGS=0 VGS=-0.5 5.25 2.75 3. 330.25 6 4.5 7.75 8 6.75 0 0 0 0 0 0 0 Kurva Karakteristik Output .25 VGS=-0. 7.5 3 8.75 5 9.3K.25 8.2K. Perhatikan sinyal keluaran pada osiloskop dan hitung nilai Vo.75 10 9.25 4 3.5 8.

75 -1 -1.75 7.75 3.75 -2 ID (mA) 10 8.75 3 2 1.5 -1.2.25 -1.25 Kurva Karakteristik Transfer .5 6. Tabel Karakteristik Transfer ID=f(VGS) VDS 0 -0.5 -0.25 -0.25 4.

8 0.75 -2 ID (mA) 10 8.25 1.75 9.7k .84 0.25 -0.75 - Gm 5 4 5 6 4 3 4 3 - 4.75 3 2 1.72V 0.25 -0. Tabel Aplikasi FET Sebagai Penguat Rs(Ω) 0 10 100 220 330 470 1K 2.75 -1 -1.25 -0.625 2. Tabel Pengukuran Factor Transconductance (gm) VGS 0 -0.35 0.5 6.25 -1.5 -0.5 12.7K Vo 0.24 0.25 -0.38 90m 160m 145m 105m dgn Cs Vpp Vpp pp Vpp Vpp Vpp Vpp Vpp Vpp Vpp Av 21 17 6 3.25 4.55 0.25 -0.51 0.75 7.25 4 3.75 3.15 Tanpa Cs Av 21 20 18 15.5 2.25 0.3K 4.75 -1 -0.25 -0.13 90m 50m 22m 14m 10m 6m Tanpa Cs Vpp Vpp Vpp Vpp Vpp Vpp Vpp Vpp Vpp Vpp Vo 0.5 -1 -0.84 0.2K 3.68 0.25 -1.25 0.25 -0.25 -0.625 dgn Cs Input 40mVpp Skala 50 m Vpp/div Rs(Ω) 0 330 4.5 -1.25 ∆ID -1.25 ∆VGS -0.25 -0. 3.25 -1 -1.62 0.25 2.

Tanpa Skala 5 mVpp /div Cs Skala 20 m Vpp/div Skala 50 m Vpp/div Dengan Cs Skala 20 m Vpp/div Skala 0.5 Vpp/div Skala 50 mVpp/div VII. nilai VGS berbanding lurus dengan nilai ID dan berdasarkan hasil pengukuran pada karakteristik transfer dapat dihitung factor transconductance(gm) dengan rumus ∆VGS/∆ ID.7K. Aplikasi FET Sebagai Penguat Dengan mengatur nilai RS dari 0 sampai 4. Analisa Karakteristik FET Pada karakteristik output semakin besar tegangan VDS maka semakin besar pula arus ID dan semakin kecil nilai VGS maka semakin kecil pula arus ID. Pada karakteristik transfer dengan mengatur nilai VDS konstan 7 volt. dapat dihitung nilai Vo tanpa C S .

VIII. ataupun dengan CS. . Simpulan Pada percobaan Field Effect Transistor. semakin besar nilai Rs maka semakin kecil penguatan tegangannya. Nilai Vo dapat dilihat pada keluaran sinyal osiloskop. Semakin besar nilai RS maka semakin kecil nilai Vo. namun apabila menggunakan Cs penguatan yang diperoleh lebih besar daripada tidak menggunakan Cs .  Factor transconductance didefinisikan sebagai tegangan drain-source dibagi perubahan arus drain.(dengan atau tanpa CS ) Sama halnya dengan penguatan tegangannya. dapat disimpulkan :  Arus output ID dikendalikan oleh tegangan input VGS  FET dapat menguatkan sinyal yang lemah (kecil)  Untuk aplikasi sebagai penguat perbedaan rangkaian dengan menggunakan Cs dan tidak menggunakan Cs tidak jauh berbeda.