Chương 4 TRANSISTOR LƯỠNG CỰC

(BJT)
4.1 Cấu trúc vật lý và các chế độ hoạt
động
Hình 4.1 biểu diễn mạch cấu trúc đơn
giản đối với BJT; gồm ba vùng bán dẫn:
vùng cực phát (kiểu n), vùng cực gốc (loại
p), và vùng cực góp (loại n). Transistr như
vậy được gọi là transistor npn.

Transistor khác, gồm cặp npn như
trong hình 4.2, có cực phát loại p, cực gốc
loại n, và cực góp loại p; được gọi là
transistor pnp. Mỗi vùng có một đầu nối:
emitter (E), base (B), và collector (C).

Transistor bao gồm hai tiếp giáp pn,
tiếp giáp phát-gốc (EBJ) và tiếp giáp góp-
gốc (CBJ).

Tùy thuộc vào điều kiện phân cực (thuận
hoặc nghịch) mỗi tiếp giáp này, các chế
độ hoạt động khác nhau của transistor
được thu nhận, như đã dẫn trong bảng
4.1.
Bảng 4.1 Các chế độ hoạt động của
BJT
Chế độ EBJ CBJ
Ngắt Phân cực nghịch Phân cực
Tích cực Phân cực thuận nghịch

Bão hòa Phân cực thuận Phân cực
nghịch
Phân cực
thuận
Chế độ tích cực là chế độ được sử dụng
khi transistor phải hoạt động như bộ
khuếch đại. Các ứng dụng chuyển mạch
(chẳng hạn, mạch logic) dùng các chế độ
ngắt (cutoff) và bão hòa (saturation).
4.2 Hoạt động của transistor npn ở
chế độ tích cực
Bắt đầu bằng việc xét hoạt động vật lý
của transistor trong chế độ tích cực. Tình
huống này được minh họa trong hình 4.3
cho transistor npn.

Hai nguồn thế ngoài được sử dụng để
thiết lập các điều kiện phân cực mong
muốn đối với chế độ tích cực. Thế VBE là
cực gốc loại p có thế cao hơn cực phát
loại n, tức phân cực thuận cho tiếp giáp
gốc-phát. Thế VCB làm cho cực góp kiểu n
có thế cao hơn cực gốc loại p, tức phân
cực nghịch cho tiếp giáp gốc-góp.
4.2.1 Dòng điện
Trong những mô tả sau đây về dòng, chỉ
có những thành phần dòng khuếch

1. Vì vậy. Các dòng trôi do các hạt mang thiểu số (minority carrier) phát nhiệt thường rất nhỏ và có thể bỏ qua. Các thành phần dòng ngược này sẽ được bàn nhiều hơn ở tầng sau. và các lỗ trống bổ sung B vào E. Phân cực thuận trên tiếp giáp B-E sẽ làm dòng chạy qua tiếp giáp đó. thiết bị được thiết kế . Dòng sẽ gồm hai thành phần: electron bổ sung (injected) từ E vào B.tán mới được xem xét.

Do base thường rất mỏng. Dòng chạy qua tiếp giáp B-E sẽ được xem là dòng iE. có dòng iE bằng tổng của hai thành phần này. nên dòng emitter sẽ được nổi trội bởi thành phần electron. Tuy nhiên. Các electron này sẽ là các hạt mang thiểu số trong vùng base loại p. Như trong . nên ở trạng thái đều độ tập trung các hạt mang (electron) trong base sẽ có dạng đường thẳng (nét liền. như đã dẫn trong hình 4.4). Bây giờ xem các electron bổ sung từ emitter vào base như thế nào. vì thành phần electron lớn hơn rất nhiều thành phần lỗ trống. hình 4.3. là chiều của dòng lỗ trống và ngược với chiều của dòng electron.để có mật độ electron cao trong cực phát và mật độ lỗ trống thấp trong cực gốc. Chiều của dòng iE là ‘ra khỏi’ lớp muội đen mỏng của cực phát. 2. Độ tập trung electron sẽ cao nhất (gán bởi np(0)) ở phía emitter và thấp nhất (zero) ở phía collector.

độ tập trung np(0) sẽ tỷ lệ với evBE /VT . VBE là thế phân cực thuận B-E và VT là thế nhiệt xấp xỉ 25 mV ở nhiệt độ phòng. Việc mô tả độ tập trung hạt mang thiểu số dần trở nên hẹp hơn (hình 4. Lý do đối với độ tập trung zero ở phía collector của cực base là ở chỗ thế collector dương vCB làm cho electron ở điểm cuối đó bị chuyển qua vùng nghèo của tiếp giáp CB (gọi là CBJ).trường hợp tiếp giáp pn phân cực thuận. In. Dòng khuếch tán electron này. .4) làm cho electron bổ sung vào cực base để khuếch tán qua vùng nền (base region). tỷ lệ trực tiếp với độ dốc của đường thẳng độ tập trung. n p  0   n p 0e vBE /VT (4.1) ở đó np0 là giá trị cân bằng nhiệt của hạt mang thiểu số trong vùng base.

q là điện lượng của electron. Quan sát độ dốc âm của độ tập trung hạt mang thiểu số sinh ra trong dòng âm In trên cực base. đó là. và W là độ rộng ảnh hưởng của cực base. Dn là độ khuếch tán của electron trong cực base. In chạy từ phải sang trái (theo chiều âm của x).  W  Với AE là tiết diện của tiếp giáp base- emitter. nên phần trăm của electron ‘mất mát’ thông qua quá trình tái hợp này sẽ rất nhỏ. cực base thường rất mỏng. dnP  x  I n  AE qDn dx (4. Một số electron đang khuếch tán qua vùng base sẽ kết hợp với các lỗ trống-mà các lỗ trống này là các hạt mang đa số (majority carrier) trong cực base. .2)  nP (0)  AE qDn   . Song.

3) ở đó dòng đối chứng IS được cho bởi: I S  AE qDn n p 0 / W . Từ đó. Thực hiện điều này.4. song khi thực hiện chiều của ic.2 Dòng Collector Từ những phân tích ở trên cho thấy rằng hầu hết các electron khuếch tán sẽ đạt tới biên của vùng nghèo collector-base.1) thì dòng ic được biểu diễn: ic  I S evBE /VT (4.2. nên các electron sẽ bị chuyển nhanh từ vùng nghèo CBJ sang collector. Vì collector dương hơn base nhiều lần (bởi các thế vCB). chiều của ic sẽ ngược với chiều của electron chuyển động. Theo truyền thống. Từ đó chúng sẽ được tích góp để hình thành dòng ic. (4. thay np(0) từ Pt. tức ic sẽ chạy tới collector. có thể dấu (-) trong phương trình (4. ic = In.2).

các electron đạt tới phía collector của vùng base sẽ được chuyển tới collector và chốt như dòng collector.Thay thế n p 0  ni2 N A . Điển hình.4) N AW Nhận xét: 1. 2. Đó là. ngay khi cực collector dương so với cực base. I S thuộc dải [10-12 ÷ 10-15] (phụ thuộc vào kích cở của thiết bị). (4. nên nó là hàm phụ thuộc mạnh vào nhiệt độ. xấp . dòng IS được biểu diễn: AE qDn ni2 IS  . Dòng bão hòa IS tỷ lệ nghịch với độ rộng ảnh hưởng W và tỷ lệ trực tiếp với diện tích của EBJ. Vì IS tỷ lệ với ni2 . ở đó ni là mật độ hạt mang nội tại và NA là độ tập trung của cực base. Độ lớn của ic độc lập với vCB.

(4.5) N D LP ở đó Dp là độ khuếch tán của lỗ trống trong cực emitter. . Lp là chiều dài khuếch tán lỗ trống trong emitter. Thành phần dòng này tỷ lệ với evBE /VT . 4. AE qD p ni2 IS  evBE /VT .3 Dòng Base Dòng base iB gồm hai thành phần:  Thành phần thứ nhất là iB1 được bổ sung từ vùng base sang vùng emitter.6): ni2  BT 3e  EG / kT ] 3. Vì IS tỷ lệ trực tiếp với diện tích tiếp giáp (nghĩa là kích thước thiết bị. xỉ gấp đôi cứ mỗi bước tăng 5oC [theo phương trình (3. nên nó được tham chiếu như là hệ số đối chứng dòng (the current scale factor). và NP là độ tập trung của emitter.2.

bằng 1 Qn  AE q x n p  0  W 2 Thay np(0) từ Pt.4). Thành phần thứ hai là dòng base. IB2. thỏa mãn phương trình Qn IB2  (4. Qn. do các lỗ trống bị áp thế bởi mạch ngoài để thay thế các lỗ trống mất mát từ cực base thông qua quá trình tái kết hợp. nhận được . và Qn là điện tích của hạt mang thiểu số (có thể tham chiếu tới hình 4. Đặc biệt. được đặc trưng bởi diện tích tam giác nằm dưới đường thẳng phân bố trong base.6) b với b là thời gian sống của hạt mang thiểu số. (4.1) và thế np0 bởi ni2 N A .

thu được đẳng thức sau đây đối với dòng cực base toàn phần:  D p N A W 1 W 2  v /V iB  I S    e BE T  D N L 2 D   n D p n b (4.7) vào Pt.9) So sánh các Pt.6) để thu nhận: 1 AE qWni2 vBE /VT IB2  e (4.7) 2N A Thay Pt. (4. .8).4). (4.8) và sử dụng Pt. (4.8) 2 b NA Kết hợp các Pt.10)  Nghĩa là.3) và (4. (4.5) và (4. AE qWni2 vBE /VT Qn  e (4. (4. thấy rằng dòng iB có thể biểu diễn được như một phần của iC: iC iB  (4.

(4. và tỷ số (NA/ND).12)  D N L 2 D   n D p n b Nhận xét:  Rõ ràng  là hằng số đối với transistor đặc thù.  [100 ÷ 200]. Để có β cao.  I S vBE /VT iB    e . nhưng cũng có thể cao đến 1000 đối với các thiết bị đặc biệt. . Đối với các transistor loại npn hiện đại. cực base phải mỏng (tức W nhỏ).  Phương trình (4.  Hằng số  được gọi là hệ số khuếch đại dòng collector-emitter.  Dp N A W 1 W 2    1/    . (4.12) chỉ ra rằng giá trị β bị ảnh hưởng nhiều bởi hai hệ số: độ rộng của vùng cực base. W.11)   ở đó.

2.   1 vBE /VT iE  ISe (4.15)  Có thể diễn đạt Pt.4 Dòng Emitter Từ hình 4.16) ở đó hằng số α liên đới β bởi   (4. dòng emitter trong (4.14) theo dạng thức iC   iE (4.15) được viết lại .3 có thể thấy rằng dòng emitter iE bằng tổng của dòng collector i C và dòng base iB. (4. iE  iB  iC (4.13) cho:  1 iE  iC (4.17)  1 Vì vậy.14)  Tức là. (4.13) Sử dụng các Pt.4.10) và (4.

iE   I S   e vBE /VT (4. (4. (4. α được gọi là hệ số khuếch đại dòng base chung. (4. thì α ≈ 0.17) để biểu diễn β theo α.2. (4.5(a). nếu β = 100. 4. Ở đây diode DE có hệ số dòng đối chứng (IS/α) và từ đó cung cấp dòng iE quan hệ .18) Cuối cùng. Pt.19) 1 Nhận xét: Từ Pt. nghĩa là. sử dụng Pt.5 Các mô hình mạch tương đương Mô hình hoạt động bậc nhất của transistor đã mô tả trên được biểu trưng bởi mạch tương đương đã dẫn trong hình 4.17) có thể thấy rằng α là hằng số (đối transistor đặc thù).99. Chẳng hạn. nhỏ hơn nhưng rất gần với 1.   .19) cho thấy một tế quan trọng: những thay đổi nhỏ của α sẽ tương ứng với những thay đổi lớn của β.

5(d).18). có thể sử dụng được để biểu thị sự hoạt động tín hiệu khá lớn của BJT. (4.5(c) và 4. thì hệ số khuếch đại dòng sẽ bằng α.3).5(b) bằng cách biểu diễn dòng của nguồn theo αiE. α được gọi là hệ khuếch đại dòng cực base chung. Hai mô hình mạch tương đương khác. Mô hình ở hình 4. được chỉ ra trong các hình 4. bằng dòng collector. (4. được điều khiển bởi VBE tương ứng với quan hệ hàm mũ như đã chỉ định theo Pt. Mô hình này là phi tuyến do quan hệ hàm mũ của dòng iE thông qua diode DE và thế vBE. Dòng của nguồn được điều khiển.tới vBE tương ứng Pt. Vì thế. nếu transistor được sử dụng như mạng mạch hai cổng có cổng vào giữa E và B và cổng ra giữa B và C. Nó có thể được biến đổi sang mô hình nguồn-dòng được điều khiển bởi dòng đã hiển thị trong hình 4. Từ mô hình này.5(c) là nguồn dòng được .

ở đây diode DE dẫn dòng base và vì thế hệ số dòng đối chứng là IS/β.điểu khiển bởi thế. (4. dẫn đến quan hệ iB-vBE đã cho trong Pt. Bằng cách biểu diễn đơn giản dòng .11). Tuy nhiên.

4. thì hệ số khuếch đại dòng sẽ bằng β. Từ đó.3 Transistor pnp .5(d).collector như βiB. Từ những mô hình cuối. nếu transistor được dùng như mạng mạch hai cổng cóngõ vào giữa B với E và ngõ ra giữa C với B (tức là E chung). β được gọi là hệ số khuếch đại dòng emitter chung. ta nhận được mô hình nguồn –dòng được điều khiển bởi dòng đã dẫn trong hình 4.

Transistor pnp hoạt động trong hình thái tương tự như hoạt động của transistor npn đã mô tả trong phần 4. dòng trong thiết bị pnp được dẫn chủ yếu bởi các lỗ trống bổ sung từ cực emitter sang cực base như là kết quả của thế phân cực thuận VEB. Không giống như transistor loại npn. Tiếp giáp base- collector được phân cực ngược bởi thế V BC. Vì thành phần dòng emitter được đóng góp bởi các electron bổ sung từ cực base tới cực emitter là nhỏ. Hình 4. nên hầu hết dòng emitter sẽ sản sinh do các lỗ trống. Cũng vậy. iB1. tức là phân cực thuận cho tiếp giáp emitter-base.2. Ở đây thế V EB làm cho cực emitter loại p cao hơn thế ở cực base loại n.1. nhiều lỗ trống bổ sung từ vào cực base sẽ tái hợp với các hạt mang đa . giữ cho thế cực b loại n cao hơn thế cực collector loại p. 2.7 chỉ ra transistor pnp được định thiên để hoạt động trong chế độ tích cực.

ngoại trừ vBE được thay thế bởi vEB.8.5. Các electron của của base biến mất sẽ phải được thay thế từ mạch ngoài. hai trong bốn mô hình pnp được diễn đạt trong hình 4. làm tăng thành phần thứ hai của dòng cực base. 3. . Cũng vậy. Mô hình tương đương Từ những mô tả trên. Để minh họa. hoạt động của tín hiệu lớn của transistor pnp có thể được mô hình hóa bởi một trong bốn mạch tương đương trong hình 4. Các lỗ trống này sẽ đạt đến đường biên vùng nghèo của tiếp giáp collector-base sẽ bị hấp dẫn bởi thế âm của collector. iB2. mối quan hệ về thế-dòng của transistor pnp sẽ giống như mối quan hệ về dòng-thế của transistor loại npn.số là electron trong cực base và do vậy sẽ biến mất.

4. khi vC > vB: dẫn bão hòa. Trong kiểu song song.4 Transistor pnp 1. Sau đó chế độ và lưu giữ ngay cả khi vC < vB. 2. . Transistor npn có tiếp giáp EBJ phân cực thuận sẽ hoạt động ở chế độ tích cực ngay khi collector có thế cao hơn cực base. CBJ trở nên phân cực thuận. Ngược lại. transistor pnp sẽ hoạt động ở chế độ tích cực khi vC < vB. transistor chuyển sang chế độ hoạt động khác: chế độ bão hòa. Khi ấy.

thay thế vBE bởi vEB.Tóm tắt mối quan hệ giữa dòng-thế trong chế độ tích cực iC  I S evBE /VT iC  I S vBE /VT iB     e    iC  I S vBE /VT iE     e    Đối với transistor loại pnp. iE iC   iE iB   1    i E   1 iC   iB iE     1 iE     1  1 .

kT Thế nhiệt VT   25mV ở nhiệt độ q phòng. thế vBE = 0.7 V ở dòng iC = 1 mA.11(a) có hệ số β = 100. Anh/chị hãy thiết kế mạch sao cho dòng 2 mA chảy qua cực collector và thế +5V xuất hiện ở cực collector. Thí dụ Transistor trong mạch của hình 4. Giải .

11 Mạch thiết kế cho transistor npn theo yêu cầu bài toán Trước hết tham chiếu hình 4.11(b). Vì IC = 2 mA nên giá trị của RC phải được chọn tương ứng: RC = (Vdc – VC)/ IC = 10 V/ 2 mA = 5 kΩ . . Hình 4. Để thu nhận thế VC = +5V thì thế rơi trên trở RC phải bằng Vdc – VC = 15 – 5 = 10 V.

ta chọn để thực hiện thiết kế .07 k .02 Giá trị này phù hợp với thiết kế.7 V tại dòng ic = 1 mA.Do vBE = 0. Ngoài ra. nên giá trị của vBE tại dòng ic = 2 mA là  2 VBE  0.717 V Đối với β = 100 thì α = 0. IE 2.99.717  15 RE    7. Song. Từ đó dòng emmiter bằng IE = IC/α = 2/0. chẳng hạn là những sai số kỳ vọng của những giá trị thành phần.717 V  1 Vì base là 0 V nên thế emmiter là VE = -0.7  VT ln    0.02 mA Như vậy giá trị đòi hỏi cho R E được xác định từ VE  (15) 0. nên lưu ý rằng các tính toán trên đây được tiến hành với độ chính xác thông thường là không cần thiết hoặc không xác chứng trong thực tế.99 = 2.

4. mạch này được vẽ lại trong hình 4. Mục đích của bài toán đơn giản này là nhắc người đọc nhới lại ứng dụng truyền thống .2 Xét mạch cho trong hình 4.16(a). sự xấp xỉ này có thể được tái ứng dụng qua kỹ thuật tựa kỹ thuật đã dùng cho diode.16(b). Nếu thỏa mãn. Trong các bài toán này ta sẽ sử dụng mô hình VBE.7 V bất chấp giá trị chính xác của dòng. tương tự như mô hình đã thảo luận về tiếp giáp diode. Tuy nhiên. điều nhấn mạnh ở đây chủ yếu là phân tích mạch transistor. Đặc biệt sẽ giả định là VBE = 0.chuẩn nhằm minh họa các bước khác nhau có liên quan mà thôi.5 Bài toán phân tích các mạch transistor ở chế độ DC Xem xét phép phân tích một số mạch đơn giản mà đối với chúng chỉ có các thế dc được áp dụng.hằng số đơn giản. Bài toán 4.

Giả định rằng ß = 100.2: (a) mạch điện đã cho. . Ta mong muốn phân tích mạch này để xác định tất cả thế nút mạng và dòng rẽ nhánh.16 Phân tích mạch đối với bài toán 4. Hình 4.các nối nguồn dc. (b) mạch vẽ lại nhắc cách nối nguồn.

Hình 4. Giải Ta không biết điều kiện ban đầu rằng transistor đang ở chế độ tích cực hoặc không. và tiến hành xử lý với giải pháp đó. Phương thức tiếp cận là giả định rằng thiết bị đang ở chế độ tích cực.16(c) Phân tích các bước theo chữ số đánh dấu. cuối cùng kiểm tra xem thực tế transistor hoạt động ở chế độ tích cực hay không. .

kết luận an toàn rằng tiếp giáp base- emitter sẽ được thiên áp thuận. lưu ý rằng cực base được nối nguồn +4 V. Trái lại.7 V. Giả định rằng VBE xấp xỉ 0. ta nghiên cứu về chế độ hoạt động tích cực và từ đó có thể là giải quyết lý tưởng đối với các mạch điện mà ta tìm thấy rằng không thuộc chế độ tích cực. thì mạch là hoàn hảo. Nhìn mạch ở hình 4. Nếu tìm ra các điều kiện thỏa mãn hoạt động thuộc chế độ tích cực. kéo theo thế emitter sẽ là VE = 4 – VBE ≈ 4 – 0. và cực emitter được nối đất qua trở RE. Vì vậy. . Rõ ràng.7 = 3. thiết bị đang hoạt động ở chế độ khác nữa và như vậy phải giải quyết vấn đề một lần nữa. ta biết các thế ở hai đầu cuối của RE và từ đó có thể xác định được dòng IE chạy qua nó.16(a).3 V Bây giờ ta đang ở vị trí có thời cơ.

99 x 4. VC = 10 – ICRC = 10 – 0. là điều kiện để transistor hoạt động ở chế độ tích cực.99 x 1 = 0. VE  0 3. ta có thể ước đoán dòng collector từ IC = αIE Giá trị α thu được từ  100    0.3 IE    1 mA RE 3.99 mA Bây giờ sử dụng định luật Ohm để xác định thế collector VC.99   1 101 Từ đó iC sẽ được cho bởi IC = 0.3 Vì collector được nối đến +10 V qua trở RC. Giả định rằng đây là trường hợp như vậy. nên có khả năng xảy ra thế collector sẽ cao hơn thế base.7 ≈ +5.3 V Do cực base đang ở +4 V. tiếp giáp collector-base được phân cực nghịch bởi .

3 V. Chỉ trong phương thức này người ta có thể phân tích mạch phức tạp theo khả năng chấp nhận được về điều kiện thời gian. . với các bước phân tích có gán chữ số. và transistor đang ở chế độ tích cực như đã giả định. Lưu ý rằng mạch này đồng nhất với mạch trong hình 4. Xác định dòng cực base là IB như sau: IE 1 IB    0.1.3 Ta mong muốn phân tích mạch của hình 4.16 ngoại trừ thế ở cực base lúc này bằng +6 V.01 mA   1 101 Trước khi chấm dứt bài toán. cần nhấn mạnh rằng giá trị tiến hành trong phân tích dựa trực tiếp trên sơ đồ dòng.17(a) nhằm xác định thế ở tất cả nút mạng và các dòng thông qua các nhánh.16(c) minh họa phép phân tích trên về sơ đồ mạch. Hình 4. Bài toán 4.

3 V VE  0 5.3 IE    1.48 V NX: Vì thế collector được tính toán xuất hiện là nhỏ hơn thế cực base bởi 3.6 x 4.Giải Giả định hoạt động ở chế độ tích cực. transistor đó phải hoạt động ở chế độ bão hòa.3 VC = 10 – ICRC = 10 – 1. Thực tế.6 mA RE 3. ta có VE = 6 – VBE = 6 -0.7 = 5.52 V. . Chi tiết phân tích mạch được cho ở hình 4.17(b).7 ≈ +2. như vậy giả định ban đầu của ta là không chính xác.

3.17 Phân tích mạch cho bài toán 4.4 Phân tích mạch trong hình 4. Bài toán 4. Lưu ý các bước phân tích có đánh dấu theo chữ số.17 ngoại trừ thế ở cực base lúc này bằng 0 V.18(a) để xác định thế ở tất cả nút mạng và các dòng thông qua các nhánh.Hình 4.16 và 4. Giải . Lưu ý rằng mạch này đồng nhất với các mạch trong hình 4.

Thế emitter rõ sẽ bằng zero. trong khi cực base loại p được nối đất. vì thế rơi qua trở RC bằng 0. và transistor đang ở trong chế độ ngưng dẫn (cutoff). Dòng base cũng sẽ phải bằng 0. Cũng vậy. trong khi thế collector se bằng +10 V. tiếp giáp base- collector không thể dẫn vì collector loại n được nối đến nguồn dương qua trở RC.18(c) chỉ ra các chi tiết phân tích mạch. nên tiếp giáp emitter-base không thể dẫn và dòng emitter bằng 0. Hình 4. . Rõ ràng dòng collector bằng 0.Vì cực base ở điện thế zero.

Bài toán 4.Hình 4. (b) phân tích mạch theo các bước đã dẫn.5 Ta mong muốn phân tích mạch trong hình 4.18 (a) mạch. trong khi cực emitter được nối tới nguồn dương (V+ = +10 V) thông qua trở RE.19(a) để xác định thế ở tất cả nút mạng và các thông qua các nhánh. Giải Cực base của transistor loại pnp này được cung cấp. Rõ ràng tiếp giáp base-emitter sẽ được thiên áp thuận bởi .

nên giả định này sẽ không bình luận ngay khi việc xác định giá trị của dòng IC được quan tâm. Từ đó IC = 0.6 mA Thế collector sẽ bằng VC = V+ +ICRC . ta nhận được IC = αIE Do không có giá trị nào cho trước đối với ß. VE = VBE ≈ 0. điều này kéo theo α = 0. Giả định là đang ở trong trường hợp đó. nên ta giả định rằng ß = 100.99.99 x 4.7 IE    4.7 V Từ đó dòng emitter sẽ được tính bởi V   VE 10  0. nên điều có thể xảy ra là transistor đang hoạt động ở chế độ tích cực. Vì các biến thiên lớn trong ß sẽ gây ảnh hưởng các sai khác nhỏ lên α.65 = 4.65 mA RE 2 Vì collector được nối đến nguồn âm (âm hơn nhiều so với thế base) thông qua trở RC.

Tuy nhiên.4 V và rõ transistor đang hoạt động ở chế độ tích cực. và điều này hỗ trợ giả định ban đầu.65 IB    0. = -10 +4. Đây là một trong những thiết kế tốt.6 x 1 = -5. I E 4. Tính dòng base.4 V Như vậy tiếp giáp base-collector được thiên áp nghịch bởi 5. lưu ý rằng mạch này có giá trị β sẽ không ảnh hưởng đến chế độ hoạt động của transistor. .05 mA   1 101 Rõ ràng rằng gia trị ß tác động mạnh đến dòng base.

Hình 4. Tương ứng. FET có thể được sử dụng như bộ khuếch đại và cả chuyển mạch. . gọi là transistor hiệu ứng trường (FET). thế giữa hai đầu nối của FET được điều khiển bở dòng chạy trong đầu nối thứ ba. Như trong trường hợp BJT (chương 4).19 (a) Mạch điện. (b) Phân tích mạch theo bước Chương 5 Transistor hiệu ứng trường (FET) Trong chương này ta sẽ nghiên cứu một loại transistor chính khác.

hay diode). các transistor MOS được chế tạo đủ nhỏ (chiếm diện tích silicon nhỏ trong mạch tích hợp-IC) và chu trình sản xuất tương đối đơn giản. Đặc biệt. công nghệ MOS cũng . Xuất phát điểm của thiết bị tên FET là từ trạng thái hoạt động vật lý. Ngoài ra. Cuối thập niên 70. loại FET điển hình ra đời. Từ đó. cơ chế điều khiển dòng dựa trên trường điện được thiết lập bởi thế áp tới đầu điều khiển. có tên gọi khác cho FET là transistor đơn cực. Dòng được dẫn bởi chỉ một loại hạt mang (electron hoặc lỗ trống) phụ thuộc vào loại FET (kênh n hay kênh p). và transistor hiệu ứng trường chất bán dẫn oxide kim loại (MOSFET) đã rất phổ biến. So với BJTs. Được biết đến từ những năm 1930. Các ví dụ gồm các chip bộ nhớ và vi xử lý (microprocessor). các chức năng bộ nhớ và logic số có thể thực hiện được bằng những mạch chỉ chứa MOSFETs (không cần trở.

hoạt động vật lý của nó.được áp dụng nhiều trong thiết kế các mạch tương tự và các mạch tích hợp kết hợp giữa tương tự và số. mô hình mạch. và các mạch ứng dụng cơ bản cả như một bộ khuếch đại và như bộ đảo logic số. các đặc trưng đầu nối. 5.1 Cấu trúc và hoạt động vật lý của MOSFET loại nâng cao . Đối tượng của chương này là phát triển cấp độ cao hơn và quen thuộc về MOSFET.