FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍA DE SISTEMAS Y

INGENIERÍA TELECOMUNICACIONES
ASIGNATURA ELECTRONICA ANALOGA
TALLER 02 EL TRANSISTOR
DOCENTE: HELVER AUGUSTO GIRALDO DAZA

1. Consultar sobre los transistores de Efecto de Campo FET (JFET y MOSFET)

Los transistores de efecto de campo o FET, se denominan así porque durante su
funcionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el paso de la
corriente a través del dispositivo.
Estos transistores también se denominan unipolares para distinguirlos de los
transistores bipolares de unión y para destacar el hecho de que sólo un tipo de
portadores –electrones o huecos- intervienen en su funcionamiento.
Los transistores de efecto de campo de unión JFET fueron primero porpuestos por
Schockely en 1952 y su funcionamiento se basa en el control de paso de la corriente
por el campo aplicado a la puerta, constituida por una o varias uniones p-n
polarizadas en inverso.
Los transistores de efecto de campo de unión metal-.semiconductor (MESFET),
propuestos en 1966, tienen un funcionamiento muy similiar al JFET, pero en ellos el
control de flujo corriente se realiza por una unión metal-semiconductor de tipo
Schottky. Finalmente existe también otro tipo de transistores denominados
genéricamente MOSFET (metal-óxido-semiconductor), de desarrollo mas reciente, en
los que el control de la corriente a través del semiconductor se realiza mediante un
contacto separado del semiconductor por una capa aislante (normalmente, óxido de
silicio). Este tipo de transistores se utiliza preferentemente en la electrónica digital.

En comparación con los transistores bipolares, los FET presentan una impedancia de
entrada muy elevada y además consumen muy poca potencia, por lo que su uso se
ha extendido sobre todo en los circuitos integrados.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIÓN JFET
La estructura básica de un JFET está formada por un semiconductor, de tipo n por
ejemplo, con dos contactos óhmicos en sus extremos, uno de ellos S, denominado
fuente o surtidor y el otro D conocido por el nombre de drenador o sumidero. El tercer
electrodo G, denominado puerta, está constituido por dos regiones de tipo P
difundidas a ambos lados de la estructura del semiconductor. Se forma así en el
contacto de puerta dos uniones p-n, las cuales están conectadas entre sí y
polarizadas en inverso, de forma que la corriente que pasa a través de ellas es
prácticamente nula. Generalmente la unión de puerta es de tipo p+-n, lo cual siginifica
que la región p de la puerta está mucho más dopada que la región n del
semiconductor.
Los JFET utilizados en circuitos integrados normalmente se fabrican siguiendo la
tecnología planar, según la cual el semiconductor está formado por una capa de

D. la polarización se hace de forma que la corriente de electrones (portadores mayoritarios) fluya desde el contacto de surtidor. Esto quiere decir que la tensión V DS = VD – VS debe ser positiva.carácter n (capa epitaxial) depositada sobre un substrato de silicio u otro semiconductor de tipo p. estando limitado el canal por las paredes que forman las dos regiones de carga espacial adyacentes a las uniones p-n de la puerta. y forma. Un área pequeña de la superficie de esta capa epitaxial esta difundidad con impurezas también de tipo p. . Si el semiconductor es de tipo n. al de drenador. Se dice entonces que el semiconductor funciona como un canal de baja resistencia para los electrones. el contacto de puerta. En las regiones de carga espacial la concentración de carga libre es muy baja y por tanto su resistividad es muy elevada. Los electrodos metálicos de fuente y de sumidero se depositan directamente a ambos lados del contacto superior de puerta. Esquema de un transistor JFET de canal n fabricado según la tecnología planar. Figura 2. Esquema de la estructura de un JFET de canal tipo n. Figura 1. junto con el substrato de silicio. S.

del funcionamiento de los transistores MOSFET. mostrando el aumento abrupto de la corriente en la región de avalancha.Figura 3. Estos estudios son necesarios para el entendimiento. La estructura básica de un transistor MOS de silicio de tipo p. e incluso la previsión. lo cual permite estudiar la estructura de bandas y la distribución de carga en el interior del semiconductor cuando se aplica una tensión en los extremos de la estructura. TRANSISTORES METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR DE EFECTO DE CAMPO (MOSFET) Se ha considerado la estructura MOS como un dispositivo de dos terminales. desarrollado también según la tecnología planar. Los transistores MOS encuentran en la actualidad amplia aplicación en las puertas lógicas utilizadas en electrónica digital y en las memorias semiconductoras. G. Básicamente consiste en una estructura MOS en la cual el electrodo metálico superior. Curvas características ID – VD de un JFET típico de canal n. o abreviadamente MOS. Símbolo de circuitos de un JFET de canal n. Figura 4. depositado sobre la capa aislante actúa como terminal .

Estructura típica de un MOSFET de canal n. es decir de tipo n+. Figura 1. situadas a cada lado de la puerta. Sobre cada una de estas regiones o islas de tipo n+ se deposita asi mismo un electrodo metálico. S. sobre la superficie inferior del dispositivo se deposita una capa metálica que se mantiene conectada a tierra. Finalmente. al igual que en una estructura MOS simple. del transistor. Símbolo del MOSEFT del canal n utilizado en circuitos.de puerta del transistor. Existen además dos regiones pequeñas de la superficie dopadas fuertemente con impurezas donadoras. D. formando el contacto de fuente o surtidor. . y el de sumidero o drenador. Figura 2.

Curvas ID – VD típicas de un MOSFET de canal n.Figura 3. .

2. Hay Tensión pero poca corriente.  En este modo la corriente de colector es determinada por la siguiente ecuación: IE =IC +IB =IC /  La corriente de base es una fracción de la corriente de colector. 3 Regiones de Operación Activa Amplificador Corte Apagado. y en dispositivos especiales hasta de 1000.  La corriente del emisor es la suma de las corrientes. La base es común a la entrada (emisor-base) y a la salida (colector-base).  El valor de  es típico de 100 a 200. Baja tensión y corriente alta. Consultar la configuración en base común de un transistor BJT NPN y dibujar el circuito correspondiente. . Saturación Encendido.

.

.

Consultar la configuración en colector común de un transistor BJT NPN y dibujar el circuito correspondiente.3. . Figura 1. El conjunto de características de entrada para el amplificador de colector común. se requiere de dos conjuntos de características. uno para la entrada y otro para la salida. Para describir el comportamiento de un dispositivo de tresterminales. La entrada esta en la base y la salida en elemisor. relacionara la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBC) para varios niveles de voltaje de salida (VCE). La terminología colector común se deriva del hecho de que el colector es común tanto a la entrada como a la salida de laconfiguración. El colector es común tanto a la entrada (base-colector) como a la salida (emisor- colector).

relacionara la corriente de salida (IE) con el voltaje de salida (VCE) para varios niveles de corriente de entrada (IB). Se muestra el conjunto de características de salida para el amplificador de colector común. Figura 2. .

. Realice una simulación en Multisim. Dibujar la corriente del colector en función del voltaje Colector-Emisor y ubicar el punto de trabajo.4. Que concluye con relación al punto de trabajo cuando aumenta beta. Hallar los valores de para un transistor con las curvas características de la siguiente figura: 6. Cierto transistor de silicio npn tiene un β=80 y una corriente de base de 100 µA. Encontrar los parámetros desconocidos incluyendo el valor de la corriente de saturación y el voltaje de corte. Rb=10K-Ohm. Vbb=20 v. la resistencia del colector es 15K-Ohm y Vcc =200V. Demuestre las siguientes relaciones: 5. Repetir el problema para un β=30 y un β=120 En cada caso asuma un voltaje Vbb=15 V. cuando disminuye beta? 7. coloque Vcc=20 v. mostrando todos los parámetros para un transistor npn 2n2222a. Rc=30K-Ohm.

es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20Transistores %20de%20Efecto%20Campo.csic. d) Diga para que rango de voltajes y corriente. b) Con la herramienta LabView Instruments.pdf . una corriente mínima y una máxima. Bibliografia http://www. Para esto grafique en una hoja cuadriculada la corriente de colector Vs voltaje Colector-Emisor 5 corrientes de base.a) Con los elementos de medición como multímetros mida la corriente de base y la corriente de colector y con estos valores encuentre β . c) Encuentre el punto de trabajo. e) Diga para que rango de voltajes y corriente el transistor trabajara en saturación y corte. el transistor trabajara en la región activa.icmm. BJT analyzer. encuentre las curvas características para este transistor.