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FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERA DE SISTEMAS Y

INGENIERA TELECOMUNICACIONES
ASIGNATURA ELECTRONICA ANALOGA
TALLER 02 EL TRANSISTOR
DOCENTE: HELVER AUGUSTO GIRALDO DAZA

1. Consultar sobre los transistores de Efecto de Campo FET (JFET y MOSFET)

Los transistores de efecto de campo o FET, se denominan as porque durante su


funcionamiento la seal de entrada crea un campo elctrico que controla el paso de la
corriente a travs del dispositivo.
Estos transistores tambin se denominan unipolares para distinguirlos de los
transistores bipolares de unin y para destacar el hecho de que slo un tipo de
portadores electrones o huecos- intervienen en su funcionamiento.
Los transistores de efecto de campo de unin JFET fueron primero porpuestos por
Schockely en 1952 y su funcionamiento se basa en el control de paso de la corriente
por el campo aplicado a la puerta, constituida por una o varias uniones p-n
polarizadas en inverso.
Los transistores de efecto de campo de unin metal-.semiconductor (MESFET),
propuestos en 1966, tienen un funcionamiento muy similiar al JFET, pero en ellos el
control de flujo corriente se realiza por una unin metal-semiconductor de tipo
Schottky. Finalmente existe tambin otro tipo de transistores denominados
genricamente MOSFET (metal-xido-semiconductor), de desarrollo mas reciente, en
los que el control de la corriente a travs del semiconductor se realiza mediante un
contacto separado del semiconductor por una capa aislante (normalmente, xido de
silicio). Este tipo de transistores se utiliza preferentemente en la electrnica digital.

En comparacin con los transistores bipolares, los FET presentan una impedancia de
entrada muy elevada y adems consumen muy poca potencia, por lo que su uso se
ha extendido sobre todo en los circuitos integrados.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIN JFET


La estructura bsica de un JFET est formada por un semiconductor, de tipo n por
ejemplo, con dos contactos hmicos en sus extremos, uno de ellos S, denominado
fuente o surtidor y el otro D conocido por el nombre de drenador o sumidero. El tercer
electrodo G, denominado puerta, est constituido por dos regiones de tipo P
difundidas a ambos lados de la estructura del semiconductor. Se forma as en el
contacto de puerta dos uniones p-n, las cuales estn conectadas entre s y
polarizadas en inverso, de forma que la corriente que pasa a travs de ellas es
prcticamente nula. Generalmente la unin de puerta es de tipo p+-n, lo cual siginifica
que la regin p de la puerta est mucho ms dopada que la regin n del
semiconductor.
Los JFET utilizados en circuitos integrados normalmente se fabrican siguiendo la
tecnologa planar, segn la cual el semiconductor est formado por una capa de
carcter n (capa epitaxial) depositada sobre un substrato de silicio u otro
semiconductor de tipo p. Un rea pequea de la superficie de esta capa epitaxial esta
difundidad con impurezas tambin de tipo p, y forma, junto con el substrato de silicio,
el contacto de puerta. Los electrodos metlicos de fuente y de sumidero se depositan
directamente a ambos lados del contacto superior de puerta.

Si el semiconductor es de tipo n, la polarizacin se hace de forma que la corriente de


electrones (portadores mayoritarios) fluya desde el contacto de surtidor, S, al de
drenador, D. Esto quiere decir que la tensin V DS = VD VS debe ser positiva. Se dice
entonces que el semiconductor funciona como un canal de baja resistencia para los
electrones, estando limitado el canal por las paredes que forman las dos regiones de
carga espacial adyacentes a las uniones p-n de la puerta. En las regiones de carga
espacial la concentracin de carga libre es muy baja y por tanto su resistividad es
muy elevada.

Figura 1. Esquema de la estructura de un JFET de canal tipo n.

Figura 2. Esquema de un transistor JFET de canal n fabricado segn la tecnologa


planar.
Figura 3. Smbolo de circuitos de un JFET de canal n.

Figura 4. Curvas caractersticas ID VD de un JFET tpico de canal n, mostrando el


aumento abrupto de la corriente en la regin de avalancha.

TRANSISTORES METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR DE EFECTO DE CAMPO


(MOSFET)

Se ha considerado la estructura MOS como un dispositivo de dos terminales, lo cual


permite estudiar la estructura de bandas y la distribucin de carga en el interior del
semiconductor cuando se aplica una tensin en los extremos de la estructura.
Estos estudios son necesarios para el entendimiento, e incluso la previsin, del
funcionamiento de los transistores MOSFET, o abreviadamente MOS. Los transistores
MOS encuentran en la actualidad amplia aplicacin en las puertas lgicas utilizadas
en electrnica digital y en las memorias semiconductoras.

La estructura bsica de un transistor MOS de silicio de tipo p, desarrollado tambin


segn la tecnologa planar. Bsicamente consiste en una estructura MOS en la cual el
electrodo metlico superior, G, depositado sobre la capa aislante acta como terminal
de puerta del transistor. Existen adems dos regiones pequeas de la superficie
dopadas fuertemente con impurezas donadoras, es decir de tipo n+, situadas a cada
lado de la puerta. Sobre cada una de estas regiones o islas de tipo n+ se deposita asi
mismo un electrodo metlico, formando el contacto de fuente o surtidor, S, y el de
sumidero o drenador, D, del transistor. Finalmente, al igual que en una estructura
MOS simple, sobre la superficie inferior del dispositivo se deposita una capa metlica
que se mantiene conectada a tierra.

Figura 1. Estructura tpica de un MOSFET de canal n.

Figura 2. Smbolo del MOSEFT del canal n utilizado en circuitos.


Figura 3. Curvas ID VD tpicas de un MOSFET de canal n.
2. Consultar la configuracin en base comn de un transistor BJT NPN y dibujar el
circuito correspondiente.

La base es comn a la entrada (emisor-base) y a la salida (colector-base).

En este modo la corriente de colector es determinada por la siguiente ecuacin:

IE =IC +IB =IC /

La corriente de base es una fraccin de la corriente de colector.


El valor de es tpico de 100 a 200, y en dispositivos especiales hasta de 1000.
La corriente del emisor es la suma de las corrientes.

3 Regiones de Operacin
Activa
Amplificador
Corte
Apagado. Hay Tensin pero poca corriente.
Saturacin
Encendido. Baja tensin y corriente alta.
3. Consultar la configuracin en colector comn de un transistor BJT NPN y dibujar el
circuito correspondiente.

El colector es comn tanto a la entrada (base-colector) como a la salida (emisor-


colector). La entrada esta en la base y la salida en elemisor.

Figura 1.

La terminologa colector comn se deriva del hecho de que el colector es comn tanto
a la entrada como a la salida de laconfiguracin.

Para describir el comportamiento de un dispositivo de tresterminales, se requiere de


dos conjuntos de caractersticas, uno para la entrada y otro para la salida.

El conjunto de caractersticas de entrada para el amplificador de colector comn,


relacionara la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBC) para varios
niveles de voltaje de salida (VCE).
Figura 2. Se muestra el conjunto de caractersticas de salida
para el amplificador de colector comn, relacionara la corriente de
salida (IE) con el voltaje de salida (VCE) para varios niveles de
corriente de entrada (IB).
4. Demuestre las siguientes relaciones:

5. Hallar los valores de para un transistor con las curvas caractersticas de la


siguiente figura:

6. Cierto transistor de silicio npn tiene un =80 y una corriente de base de 100
A. Encontrar los parmetros desconocidos incluyendo el valor de la corriente de
saturacin y el voltaje de corte. Dibujar la corriente del colector en funcin del voltaje
Colector-Emisor y ubicar el punto de trabajo. Repetir el problema para un =30 y
un =120 En cada caso asuma un voltaje Vbb=15 V, la resistencia del colector es
15K-Ohm y Vcc =200V.
Que concluye con relacin al punto de trabajo cuando aumenta beta, cuando
disminuye beta?

7. Realice una simulacin en Multisim, mostrando todos los parmetros para un


transistor npn 2n2222a, coloque Vcc=20 v, Vbb=20 v; Rb=10K-Ohm, Rc=30K-Ohm.
a) Con los elementos de medicin como multmetros mida la corriente de base y la
corriente de colector y con estos valores encuentre .
b) Con la herramienta LabView Instruments, BJT analyzer, encuentre las curvas
caractersticas para este transistor.
c) Encuentre el punto de trabajo. Para esto grafique en una hoja cuadriculada la
corriente de colector Vs voltaje Colector-Emisor 5 corrientes de base, una
corriente mnima y una mxima.
d) Diga para que rango de voltajes y corriente, el transistor trabajara en la regin
activa.
e) Diga para que rango de voltajes y corriente el transistor trabajara en saturacin y
corte.

Bibliografia
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20Transistores
%20de%20Efecto%20Campo.pdf