Revista Colombiana de F´ısica, Vol. 43, No. 2 de 2011.

Propiedades Termoel´ectricas Y De Transporte En Aleaciones De
Bi0.88 Sb0.12
Thermoelectric And Transport Properties In Bi0.88 Sb0.12 Alloys
N. P. Santisteban * a , J. E. Rodr´ıguez a
a
Grupo de Materiales Termoel´ectricos. Departamento de F´ısica, Universidad Nacional de Colombia, Sede Bogot´a

Recibido 19.04.10; Aceptado 08.12.10; Publicado en l´ınea 04.09.11.

Resumen
Se estudia el comportamiento de las propiedades de transporte en aleaciones policristalinas de Bi0.88 Sb0.12 preparadas por
el m´etodo de prensado en caliente. Estas propiedades se estudiaron a partir de mediciones de coeficiente Seebeck S(T ),
resistividad el´ectrica ρ(T ) en funci´on de la temperatura y tiempo de procesamiento en el rango de temperaturas entre 100
K y 290 K. El coeficiente Seebeck es negativo en todo el rango de temperatura estudiado, indicando una conducci´on
el´ectrica mediante electrones; la magnitud de S(T ) muestra valores m´aximos cercanos a −160 µV /K. Con el tiempo de
procesamiento se incrementa tanto el car´acter semiconductor como la magnitud de la resistividad el´ectrica, alcanzando a
temperatura ambiente valores cercanos a 10 mΩcm. A partir del estudio de las propiedades de transporte se determin´o el
factor de potencia termoel´ectrico P F , el cual alcanza valores m´aximos cercanos a 60 µW/K 2 cm en el caso de la muestra
de tratada a 250 0 C durante 5 horas. Adicionalmente, las propiedades morfol´ogicas y estructurales se estudiaron a partir del
an´alisis de Microscop´ıa Electr´onica de Barrido (SEM) y difracci´on de rayos X (DRX), respectivamente.

Palabras Clave: Materiales termoel´ectricos; Propiedades de transporte; Factor de potencia termoel´ectrico.

Abstract
We have studied the behavior of transport properties of Bi0.88 Sb0.12 polycrystalline samples grown by hot pressing method.
These properties were studied from measurements of the Seebeck coefficient S(T ), electrical resistivity ρ(T ) as a function of
temperature and the processing time in the temperature range between 100 and 290 K. The Seebeck coefficient is negative in
the studied temperature range, which suggests an electrical conduction by negative electrical charges; S(T ) shows maximum
values close to −160 µV /K. The processing time increases the semiconducting character of the electrical resistivity, which,
at room temperature reaches values close to 10 mΩcm. From S(T ) and ρ(T ) measurements it was possible to determine
the thermoelectic power factor P F ; this performance parameter reaches values close to 60 µW/K 2 cm, in the case of
the sample treated to 250 0 C during 5 hours. Additionally, the morphological and structural properties were studied from
scanning electron microscopy (SEM) and x-ray diffraction analysis, respectively.

Keywords: Thermoelectric materials; Transport properties; Thermoelectric power factor.
PACS: 72.15.Jf; 72.15.-v.

2011.
c Revista Colombiana de F´ısica. Todos los derechos reservados.

1. Introducci´on ga. En aleaciones de bismuto con antimonio de la forma
Bi1−x Sbx , el antimonio altera las propiedades de transpor-
El bismuto es un semimetal el cual muestra alta mo- te del bismuto a trav´es del control de la anisotrop´ıa de sus
vilidad y peque˜na masa efectiva en sus portadores de car- bandas de energ´ıa [1, 2].

* nurysantisteban@gmail.com

dependiendo de la concentraci´on de Las propiedades estructurales y morfol´ogicas de las mues- antimonio. Este par´ametro se define en forma adimensional de la siguiente manera: S2T ZT = . 43. 10.88 Sb0. Para concentraciones menores al 7 % (x ≤ 0. Los par´ametros de red obtenidos baja conductividad t´ermica y altos valores para su factor de no cambian significativamente con la temperatura de creci- potencia. toras o semimet´alicas. cia de aleaciones de tipo sustitucional en las cuales se puede teriales termoel´ectricos est´a enfocado hacia la b´usqueda de identificar la fase Bi0. en el (DRX) y microscop´ıa electr´onica de barrido (SEM). el cual se define como [7]: S2 PF = . (1) ρκ donde S es el coeficiente Seebeck. (2) Fig. El proceso de n´umero de reflexiones correspondientes al bismuto puro dis- 434 . Vol. En la medici´on palmente a los portadores de carga negativos. como se ve en la tabla 1. Por otra parte. 8]. 11]. cuatro puntas [9. zadores de las cargas positivas del bismuto. El desempe˜no termoel´ectrico de un material se determi- na a trav´es de su figura de m´erito (Z). Los an´alisis de difracci´on de rayos X muestran la presen- El objetivo fundamental de las investigaciones en ma.Rev. Bi − Sb.5µV /K.12 fueron preparadas utilizando el m´etodo de prensado en ca- liente a partir de una mezcla estequiom´etrica de bismuto y Con el incremento del tiempo de procesamiento el antimonio de alta pureza (Merck 99. No. la cual es funci´on directa de sus propiedades de transporte.07) tras fueron estudiadas por an´alisis de difracci´on de rayos X dichas aleaciones se comportan como semimet´alicas.. estudiaron en el rango de temperatura entre 100 K y 290 K. 5]. preparaci´on se llev´o a cabo a una temperatura de 250 o C cional donde los a´ tomos de antimonio act´uan como neutrali. miento.Col. lo cual implica de tipo rombohedral (hexagonal).319(1) 11.35(1) 163. con una seguridad de 0.F´ıs.14(6) Muestras con una composici´on nominal de Bi0. T es la temperatura ab- soluta del sistema.88 Sb0. donde ρ es la resistividad el´ectrica y S es el coeficiente See- beck. En este trabajo se presenta un estudio de las propiedades Tabla No. 1: Patrones de difracci´on de rayos X para las aleaciones de ρ Bi − Sb preparadas por el m´etodo de prensado en caliente. Resultados [3.07(4) 20 Horas 4. tan como semiconductoras y para concentraciones mayores presentan nuevamente propiedades de car´acter semimet´alico 3. a partir del an´alisis de difracci´on de rayos X nos de Bi1−x Sbx preparados mediante la t´ecnica de prensa- do en caliente. tivamente.330(4) 11. ρ la resistividad el´ectrica y κ la conduc- tividad t´ermica [6. 1: Par´ametros de red obtenidos para las aleaciones de termoel´ectricas y de transporte en compuestos policristali.07 ≤ x ≤ 0. Estas propiedades de transporte se Las aleaciones de Bi1−x Sbx pueden ser semiconduc.12 .292(5) 11. 2 de 2011.33(1) 161. las propiedades el´ectricas de un material termoel´ectrico estan determinadas por su factor de potencia. Muestra ˚ a=b (A) ˚ c (A) ˚ 3) Volumen (A 5 Horas 4. 10 y 20 horas.96(2) 2. respec- rango entre el 7 % y el 22 %(0. haciendo que las El coeficiente de Seebeck se midi´o utilizando la t´ecnica propiedades de transporte del material sean debidas princi- diferencial.22) se compor. 4. con una estructura cristalina compuestos con altos valores para ZT .999 %). durante 5. la cual coexiste con bismuto acuerdo con las ecuaciones 1 y 2 que estos deben mostrar residual como impureza. Estos elementos forman aleaciones de car´acter sustitu. 7. mejorando de de la resistividad el´ectrica se utiliz´o el m´etodo est´andar de esta manera las propiedades termoel´ectricas de la aleaci´on.27(2) 160. Experimental 10 Horas 4.

(5) miendo bandas de energ´ıa parab´olicas. Mott. convencional de Mott-Jones sugiere un transporte el´ectri- co mediante electrones. minuye. 3: Coeficiente Seebeck [a] y resistividad el´ectrica [b] en funci´on de la temperatura y el tiempo de procesamiento para las alea- ciones de Bi1−x Sbx . da de conducci´on. (4) El coeficiente Seebeck es negativo en todo el rango 2 de temperatura estudiado. κB EC − ξF S(T ) = +B . 10]: En un semiconductor intr´ınseco no degenerado. lo cual si se asume el modelo donde Eg0 es el gap de energ´ıa a 0K y A es una constante. 2: Micrograf´ıas obtenidas por microscop´ıa electr´onica de barrido para las muestras policristalinas de Bi1−x Sbx . Rodr´ıguez: Propiedades Termoel´ectricas Y De Transporte En Aleaciones De Bi0. Con el tiempo un par´ametro de dispersi´on. Santisteban. con la misma den. denominado pico de la aleaci´on. la carga electr´onica. 1 EC − ξF = (Eg0 − AT ). 435 . J. la constante de Boltzmann y la de procesamiento aumenta la homogeneidad de las muestras temperatura absoluta. N. respectivamente. (3) miento aumenta tambi´en la formaci´on de la aleaci´on semi. la energ´ıa de Fermi.   se incrementa lo cual sugiere que con el tiempo de procesa. el cual predice una dependencia lineal del coeficiente ras. 3eξF sidad de estados y que los portadores son dispersados prin- cipalmente por los fonones ac´usticos. El t´ermino (EC − y el tama˜no granular disminuye lo cual tiene efectos sobre ξF ) puede ser escrito como [3]: las propiedades el´ectricas y t´ermicas de las muestras. el coeficiente Seebeck donde κB es la constante de Boltzmann. π 2 κ2B S(T ) = − T. Las l´ıneas s´olidas en [a] son el mejor ajuste de los datos experimentales del coeficiente Seebeck al modelo S(T ) = AT + B/T + C. ξF . B. De la misma manera es importante observar que la se puede escribir como [11]: magnitud del pico (101). Con el tiempo de procesamiento la Para un material de car´acter met´alico la dependencia de magnitud de S(T ) se incrementa hasta valores cercanos a S con la temperatura es descrita por el modelo propuesto por −160µV /K. Fig.88 Sb0. e κB T conductora.12 Fig. P. κB y T son: el borde superior de la ban- La figura 2 muestra el comportamiento de las propieda. E. Seebeck con la temperatura [7. e. donde EC . en el caso de la muestra tratada durante 20 ho. des morfol´ogicas de las muestras estudiadas. e la carga del electr´on y ξF la energ´ıa de Fermi. asu.

H. A partir de los datos experimentales de la resistividad el´ectrica y el coeficiente Seebeck fue posible calcular el fac. B9. 18 (1998). Agradecimientos Por otra parte. 13]. Rev. Phys. miento (ver figura 3b). Cho. Kitagawaa. A.W. DIB. B. Sol. Referencias El comportamiento observado tanto en ρ(T ) como en S(T ) concuerda con lo observado en el an´alisis de las pro. Phys. Solids 65. [4] P. 57. Ketterson and J. G. Itoh and Y. H. Selme. No. M. 43.K75-K78 (1978). (1974). comparables a los propios de los materiales termoel´ectricos En la tabla 2 se puede ver que mientras la contribuci´on convencionales. Kao. los cuales son dispersi´on. Sin embargo. el segundo la difusi´on semiconductora y C involucra los factores de dispersi´on presentes en el sistema. los efectos de la sustituci´on de los a´ tomos de Bi por a´ tomos Noda. Wong. 2 de 2011. 4: Factor de potencia calculado a partir de las mediciones de resistividad el´ectrica y coeficiente Seebeck. R. lo que permite proyectar su posible utiliza- de difusi´on (par´ametro A) decrece la componente semicon. 2: Par´ametros A y B correspondientes al ajuste de los datos experimentales de S(T) al modelo S(T ) = AT + B/T + C. la componente de difusi´on met´alica y el par´ametro de alcanza valores pr´oximos a 60µW/K 2 − cm. Rev. Oelgart. Lenoir. ci´on en aplicaciones termoel´ectricas a baja temperatura. respectivamente. de Sb sobre la superficie de Fermi y la densidad de estados [12. 436 . 4. [1] B. Phys. Rev. Teniendo en cuenta que en las muestras estudiadas est´an presentes tanto fases met´alicas de Bi puro como semicon- ductoras correspondientes a las aleaciones de Bi-Sb. Phys. Lo cual hace evidentes [2] H. el cual se incrementa con el tiempo de procesa. J. en los cuales se evidencia el incre. Sede Bogot´a. 10 Horas 0. H. Meyer. tro de rendimiento alcanza valores m´aximos cercanos a 60µW/K 2 − cm en el caso de las muestras procesadas a [5] G.Kraar and R. [3] S. Kiyabu. la resistividad el´ectrica en funci´on de la temperatura muestra un comportamiento de car´acter semi. mento de la fase correspondiente a la aleaci´on semiconduc- tora con el tiempo de preparaci´on. Chem. (2004). su magnitud a tempe. M.Col. V. HHerrmann. Estos coeficien- tes de transporte alcanzan valores m´aximos cercanos a −160µV /K y 9mΩ − cm. A. ci´on de la Universidad Nacional de Colombia. K. el coe- ficiente Seebeck puede ser descrito por una expresi´on de la forma: B S(T ) = AT + + C.F´ıs. Chao. Stat. O.Rev. Vol. ductora ( par´ametro B) se incrementa a medida que el tiem- po de preparaci´on aumenta. (6) T donde el primer t´ermino de la derecha representa la com- ponente de difusi´on met´alica dada por el modelo de Mott (Ecuaci´on 5). G. Tabla No. 16 (1999). T.4030 tor de potencia termoel´ectrico (Ecuaci´on 2). Ravich. Ivanov and Yu I. este par´ame. Las propieda- Al ajustar los datos experimentales a la ecuaci´on 6 des termoel´ectricas de los compuestos se estudiaron a partir (l´ıneas s´olidas en la figura 3a) es posible obtener el par´ame- del c´alculo de su factor de potencia termoel´ectrico el cual tro B. Yu piedades estructurales. Conclusiones Muestra A (µV /K 2 ) B (µV ) Fue posible utilizar el m´etodo de prensado en caliente 5 Horas 0. ratura ambiente alcanza valores menores a 10mΩ − cm en todos los casos. 5. J.H.Phys. (b)74. Noguchi. 2500 C durante 5 horas. Chu and Y. Demouge.. B 59. W.T.Schneider. Fig.1121(8) 6757(250) cuya resistividad el´ectrica y coeficiente Seebeck se incre- 20 Horas 0. Scherrer.0532(2) 7881(260) mentan con el tiempo de procesamiento.254(7) 6008(240) en la preparaci´on de muestras policristalinas de Bi1−x Sbx . DiVenere. Este trabajo fue apoyado por La Divisi´on de Investiga- conductor.

12 [6] G. Sharp and H. Bush and H. Press. J. Wong and J. J. NewYork. [9] J. 1976. Solids. Rowe. Ziman.42 [12] G. Rodr´ıguez: Propiedades Termoel´ectricas Y De Transporte En Aleaciones De Bi0. Sales and Sharp. Rev. DiVenere.59. London. Phys. ments. pp290-239. J. MacDonald.B. Wiley. 2001. Cho. Pion Limited. basic principles and new materials develop. Oxford Univer- lectrics. 1995. Pergamon. (1997). S. CRC Handbook of thermoelectrics. 1962.Lectures on solid state physics. Mahan. Electrons and phonons. 1960. G. 1975. [11] D.10691(1999). Nolas.88 Sb0.Thermoelectricity:an introduction [7] D. Parrot. A. B. Thermoe. New York. E. N.K. Oxford. Santisteban. Goldsmid. K. Schade. Boca Raton Fl. [8] G.C. Berlin. M. Physics Today 50. P. Thermal Conductivity of [13] S. M. B. Springer-Verlag.E. 437 . sity Press. [10] J.CRC to the principles. Ketterson. and A. Stuckes.