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Instituto Politécnico Nacional

Escuela superior de ingeniería mecánica y
eléctrica
Unidad Culhuacán
ESIME

Asignatura: Laboratorio de mecánica cuántica
Cuarto Semestre

Profesor: LUISILLO RAMIREZ GUILLERMO
PRÁCTICA 3

Efecto hall

Grupo: 4EX23

Alumno:
De Los Santos Chavarría José francisco

y ligado a él aparece la tensión Hall. y estando este mismo material en el seno de un campo magnético. se puede deducir si los portadores de carga de la barra de material desconocido son las cargas positivas o las negativas. En la figura se ve como el material tiene dos zonas: la de la izquierda y la de la derecha. que tendrá que agruparlos a un lado de la barra. Campo magnético y del campo eléctrico originado por la batería. circula una corriente eléctrica. esto es. así también el voltaje de Hall y la resistencia de Hall DESARROLLO TEORICO EFECTO HALL Aparecerá entonces una fuerza magnética sobre los portadores de carga. el físico estadounidense Edwin Herbert Hall. Este campo eléctrico es el denominado campo Hall (EH). Dependiendo de si la lectura del voltímetro es positiva o negativa. que se puede medir mediante el voltímetro de la figura. los portadores de carga se desvían y agrupan a un lado del material conductor o semiconductor. MATERIAL Y EQUIPO multímetro cables banana-banana fuente de poder riostato (potenciómetro) imán placa . Cuando por un material conductor o semiconductor. y conociendo la dirección del Se conoce como efecto Hall a la aparición en el interior de un conductor —por el que circula una corriente en presencia de un campo magnético perpendicular al movimiento de las cargas— de un campo eléctrico por separación de cargas que también es perpendicular al movimiento de las cargas y al campo magnético aplicado y que se denomina campo Hall. Verificar la existencia de huecos (carga positiva) en los materiales. apareciendo así un campo eléctrico perpendicular al campo magnético y al propio campo eléctrico generado por la batería (Fm). los portadores son huecos y en la otra son electrones. En el caso de la figura. Una vez hecho esto. se comprueba que aparece una fuerza magnética en los portadores de carga que los reagrupa dentro del material. apareciendo de este modo una tensión Hall y un campo eléctrico Hall entre ambos lados de la barra. se tiene una barra de un material desconocido y se quiere saber cuáles son sus portadores de carga. Para ello. se introduce la barra en el seno de un campo magnético uniforme y perpendicular a la tableta. mediante una batería se hace circular por la barra una corriente eléctrica.OBJETIVO. En una zona. Lleva el nombre de su primer modelador.

Este campo eléctrico que genera a su vez una fuerza eléctrica sobre los . cada uno de los electrones que forman la corriente estará sometidos a la fuerza de Lorenz Fm = -e. Donde -e corresponde a la carga de un electrón. no debería considerarse el signo negativo de la carga). v el vector velocidad del electrón y B el vector campo magnético aplicado. la tensión de Hall VH.5 nm A= Área de la placa de silicio (a*b=A. Una corriente I que atraviesa un material consiste en cargas (electrones) que se desplazan (en dirección contraria a la corriente) con una velocidad que se denomina v.014m) a=Ancho de la placa de silicio=. Dimensiones de la placa de silicio L=1. 2. La dirección de la fuerza será perpendicular al plano formado por v y B (ya que es resultado del producto vectorial de ambos) y provocará un desplazamiento de electrones en esa dirección.DESARROLLO EXPERIMENTAL 1. Datos. Se obtienen los datos principales para la realización del problema (longitud. grosor) 3. y un campo eléctrico EH.4 cm b= Grosor de la placa de silicio=2. Esta distribución de cargas genera una diferencia de potencial entre ambos lados.7210-8 EXPERIMENTO 2 Se sabe que un campo magnético actúa sobre las cargas en movimiento (fuerza de Lorentz).014m A= Área de la placa (silicio) =5.6*10-6 m Formula R= I= Solución R= R= R= 1. Como consecuencia se tendrá una concentración de cargas negativas sobre uno de los lados del material y un déficit de cargas negativas en el lado opuesto. A=) Con estos datos se obtiene la corriente de Hall PROCEDIMIENTO.v^B (como en el dibujo se cambió la dirección de v. E=9V δ= Resistividad 250mΩ L= Longitud dela placa = .4 cm (. Calcular la corriente que emite la fuente de poder. Para esto se medirá con un calibrador vernier las dimensiones de la placa de silicio y se basara en su marco teórico para saber cuál es la resistividad del silicio (δ=250mΩ). Si se sumerge esa corriente de electrones en un campo magnético B. área. ya que se está considerando un electrón.

electrones dada por la ley de Coulomb. El equilibrio se alcanzará cuando la suma de las dos.6*10-6 Formula R=58139.53488 Solución R= 1. grosor) 2. Datos. VOLTAJE DE HALL Se medirá el voltaje que hace desviar los electrones de la placa de silicio aplicando una fuerza electromagnética. Se obtienen los datos principales para la realización del problema (longitud. DIMENSIONES DE LA PLACA DE SILICIO L= 1.5mm A= Área de la placa de silicio (a*b=A. que actúa en dirección contraria que la fuerza de Lorentz. Para esto se medirá con un calibrador vernier las dimensiones de la placa de silicio y se basara en su marco teórico para saber cuál es la resistividad del silicio (δ=250mΩ). A=) PROCEDIMIENTO.4cm A= Área de la placa =5. de lo cual se deduce que en el equilibrio el valor del campo Hall es: EH = -v^B. EH.4 cm a=Ancho de la placa de silicio= . E= 9v L= Longitud de la placa = 1.6625600003408076800327175372828e-9 CORRIENTE DE HALL .72*10-8 RESISTENCIA DE HALL I= 2.4cm b= Grosor de la placa de silicio= 2.3mV Para obtener la resistencia de Hall se tendrán que seguir dos pasos del experimento pasado. Fe = -e . área. Voltaje de Hall=. 1.