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BRECHA DE ENERGA DE UN SEMICONDUCTOR.

Didier Ojeda Guilln


Laboratorio de Fsica Avanzada II, Escuela Superior de Fsica y Matemticas, Instituto Politcnico Nacional, Unidad
Profesional Zacatenco, C. P. 07730, Mxico, D. F., Mxico.

En la primera parte del experimento se determin de la ecuacin de Shockley la corriente inversa de saturacin
Io y la constante caracterstica para un semiconductor midiendo de un circuito formado por una resistencia, un
diodo (semiconductor) y una fuente alterna, la corriente necesaria I para que en el diodo se mida un voltaje
Vd[0.25,0.7]V, obteniendo que Io= 1.5453E-9 A y = 1.69. En la segunda parte del experimento se determin
Eg(brecha de energa) del semiconductor al medir la variacin del voltaje Vd con respecto a la temperatura, con
T[293, 365] K, manteniendo la corriente I fija, obteniendo que Eg=1.3286 eV. As, se pudo determinar despus
de consultar en tablas el material del cual estaba hecho el diodo, obteniendo Silicio (si).

I. INTRODUCCIN. Cuando se somete al diodo a una diferencia de


tensin externa, se dice que el diodo est polarizado,
Un diodo es un dispositivo elctrico que permite el pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
paso de la corriente en una sola direccin. Los
diodos tienen la capacidad de convertir corriente En este caso, la batera disminuye la barrera de
alterna en corriente continua, por lo cual se suelen potencial de la zona de carga espacial, permitiendo
llamar comnmente rectificadores. el paso de la corriente de electrones a travs de la
unin; es decir, el diodo polarizado directamente
Los diodos pueden ser intrnsecos y extrnsecos. Los conduce la electricidad.
intrnsecos son aquellos formados por un solo
material, como el Ge (germanio), Si (silicio), entre En este caso, el polo negativo de la batera se
otros. Los extrnsecos son aquellos formados por conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo
dos o ms elementos, como el . que hace aumentar la zona de carga espacial, y la
tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor
Los diodos pn son uniones de dos materiales de la tensin de la batera. En esta situacin, el
semiconductores extrnsecos tipos p y n, por lo que diodo no debera conducir la corriente; sin embargo,
tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay debido al efecto de la temperatura se formarn pares
que destacar que ninguno de los dos cristales electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados
por separado tiene carga elctrica, ya que en de la unin produciendo una pequea corriente (del
cada cristal, el nmero de electrones y protones orden de 1 A) denominada corriente inversa de
es el mismo, de lo que podemos decir que los saturacin.
dos cristales, tanto el p como el n, son neutros.

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin C


de electrones del cristal n al p (Je). A
K
(p)
(n
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas
en una zona a ambos lados de la unin, zona que
recibe diferentes denominaciones como zona de Figura 1. Representacin simblica del diodo pn.
carga espacial, de agotamiento, de deplexin, de
vaciado, etc.
Eg
kT
I 0 = BT 3e (3)

donde B es una constante y Eg es el ancho de la


brecha de energa. El valor de Eg depende
ligeramente de la temperatura; a la cantidad definida
como
Figura 2. Curva caracterstica de un diodo.
dEg
= (4)
dT
La curva caracterstica de un diodo se presenta en la
figura 2, en la cual, VY es la tensin umbral, la cual se le llama coeficiente de temperatura de la brecha.
coincide en valor con la tensin de la zona de carga
espacial del diodo no polarizado; Imax es la corriente Despejando V de la ecuacin (2) y sustituyendo (4)
mxima que puede conducir el diodo sin fundirse; Is en ella, se obtiene lo siguiente:
es la corriente inversa de saturacin; Vr es la tensin
inversa mxima que el diodo puede soportar antes
de darse el efecto avalancha. El efecto avalancha V =
Eg Tk I
q
+
q
ln
B
( )
3kT
q
ln T (5)
ocurre cuando los diodos son poco dopados y el
efecto Zener ocurre cuando son muy dopados.
Esta ltima ecuacin, nos permite determinar el
valor de Eg, si se mide la dependencia de V con la
temperatura, manteniendo fija la corriente. Para
II. TEORA.
determinar en funcin de cantidades conocidas,
derivamos la ecuacin (5) con respecto a la
La ecuacin que describe a la unin pn es la
temperatura y
ecuacin de Shockley:
dV V
qVkT a = Eg + 3k
I = I 0 e 1 (1) dT T T

en la cual, I0 es la corriente inversa de saturacin, V


el voltaje a travs de la unin, q la magnitud de la III. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL.
carga electrnica, T la temperatura absoluta, k la
constante de Boltzmann y un constante cuyo valor En la primera parte del experimento, como el
vara entre 1 y 2 dependiendo del amterial. objetivo es determinar Io y , se arm el circuito
elctrico mostrado en la figura 3, en la cual, la
Para voltajes directos (a favor) donde V> kT/q, la fuente de voltaje fue una HP modelo 6235 A, la
ecuacin de Shockley se puede escribir como: resistencia era de 100, y los multmetros utilizados
para medir la corriente I y el voltaje en el diodo Vd
fueron un HP modelo 3466 serie 2549-24923 y un
qV
qVkT Escora modelo 97 serie 01100214 respectivamente.
ln I = ln I 0 (e 1) = ln I 0 + ln e 1
kT

Una vez armado el circuito, se midieron los valores
qV
kT de la corriente I, para los cuales, el Vd[0.25,0.7]V,
Como V> kT/q, entonces e >>1. As, la
aumentando el Vd por intervalos de 0.02 V
ecuacin de Shockley nos queda:
aproximadamente.

ln I = ln I 0 + q V (2) Como para la segunda parte del experimento, el


kT objetivo es determinar Vd en funcin de la
temperatura, se utiliz el mismo circuito utilizado
Adems:
23.356x
2.500E-02 y = 2E-09e

2.000E-02

I (Amperes)
1.500E-02

1.000E-02

Figura 3. Esquema del circuito elctrico utilizado en la primera 5.000E-03


y segunda parte del experimento.
0.000E+00
0 0.2 0.4 0.6 0.8
en la primer parte; sin embargo, el diodo se
Vd (Volts)
sumergi dentro de un tubo de ensayo en aceite
monogrado para motor marca Brio, y ste (tubo de Figura 4. Grfica de I vs. Vd.
ensayo) se sumergi a su vez dentro de un vaso de
precipitados de 1 litro de capacidad en agua.
En la figura 4 se grafica la corriente I contra el Vd
Hecho esto, se fij la corriente tal que Vd=0.7V a del diodo de la figura 3. Como se puede apreciar, la
temperatura ambiente T=293.15 K y se calent el grfica obtenida es una exponencial, de acuerdo a lo
vaso de precipitados para medir los valores de Vd esperado tericamente.
cada 4 K hasta llegar aproximadamente a la
temperatura de ebullicin del agua T=365 K.
En la Tabla II se muestra la variacin de Vd con
Cabe aclarar que el propsito de sumergir el diodo respecto al logaritmo natural de la corriente. Esto se
en aceite en un tubo de ensayo, y a su vez ste en hace con el propsito de obtener en la grfica de
agua en un vaso de precipitados es el de controlar al dicha tabla una recta, la cual nos permitir
mximo posible la temperatura del diodo. determinar el valor de Io y .

IV. TRATAMIENTO DE DATOS Y La grfica de la Tabla II se muestra en la figura 5.


RESULTADOS. La ecuacin que representa a dicha recta se muestra
en la esquina superior derecha de la figura y es
De la primera parte del experimento en la que se y=23.356x-20.288.
midi la corriente para determinados valores de Vd,
se obtuvo la Tabla I.
Tabla II.
Vd (V) Ln(I) (A)
Tabla I.
0.251 -14.7318013
Vd (V) I (A)
0.27 -14.3263362
0.251 4.000E-07
0.291 -13.7202004
0.27 6.000E-07
0.31 -13.2277239
0.291 1.100E-06
0.333 -12.6523597
0.31 1.800E-06
0.35 -12.1478037
0.333 3.200E-06
0.376 -11.4267478
0.35 5.300E-06
0.399 -10.7902195
0.376 1.090E-05
0.414 -10.3879959
0.399 2.060E-05
0.433 -9.89551938
0.414 3.080E-05
0.454 -9.36582527
0.433 5.040E-05
0.47 -9.01148951
0.454 8.560E-05
0.496 -8.40163485
0.47 1.220E-04
0.515 -8.00917149
0.496 2.245E-04
0.53 -7.69521314
0.515 3.324E-04
0.556 -7.17302376
0.53 4.550E-04
0.571 -6.88403875
0.556 7.670E-04
0.593 -6.42101745
0.571 1.024E-03
0.611 -6.06791372
0.593 1.627E-03
0.632 -5.65385011
0.611 2.316E-03
0.659 -5.09456053
0.632 3.504E-03
0.67 -4.85363155
0.659 6.130E-03
0.691 -4.4128983
0.67 7.800E-03
0.701 -4.20438267
0.691 1.212E-02
0.701 1.493E-02
y = 23.356x - 20.288 y = -0.0021x + 1.3286
0 0.75
0 0.2 0.4 0.6 0.8
-2
0.7
-4

-6 0.65

Vd (V)
Ln (I) (A)

-8
0.6
-10

-12 0.55

-14
0.5
-16 280 300 320 340 360 380
Vd (V) Temperatura (K)

Figura 5. Se muestra la grfica de los valores de la tabla II. Figura 6. Se muestra la grfica de los valores de la tabla III.

De sta ecuacin y de la frmula (2), podemos ver


que Ln(Io)= -20.288, y adems, que CONCLUSIONES.
= q (23.356)kT . Con lo cual, obtenemos que:
La corriente I en el diodo vara exponencialmente
respecto al Vd en el mismo, tal como lo predice la
Io=1.5453E-9 A y =1.69 teora.

Para la segunda parte del experimento en que se El valor de la constante oscila entre 1 y 2, como
mantuvo I=constante y se midi la variacin Vd con en la teora.
respecto a la temperatura se obtuvo la Tabla III.
El voltaje Vd disminuye linealmente al aumentar la
Como ya se dijo en la teora, para obtener la Eg temperatura del diodo.
(brecha de energa) del semiconductor se utiliza la
ecuacin (5), de la cual, despreciamos el tercer Al comparar los resultados de las constantes
trmino ya que es muy pequeo comparado con los obtenidas experimentalmente con las ya
otros dos. De la ecuacin presentada en la figura 6, establecidas en tablas, podemos decir que el
obtenemos que Eg/q=1.3286, con lo cual: material del que est hecho el diodo con que se
trabaj es Silicio (Si).
Eg=1.3286 eV.

Tabla III. Se detallan los valores obtenidos cuando se vara el BIBLIOGRAFIA.


Vd con respecto a la temperatura.
T (K) Vd (V)
293.15 0.702 C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 5th.
297.15 0.693 Ed. John Wiley, New Cork (1976).
301.15 0.683
305.15 0.675
309.15 0.666
313.15 0.659 J.P. McKelvey, Fsica del Estado Slido y de
317.15 0.65 Semiconductores, Ed. Limusa, Mxico (1976).
321.15 0.642
325.15 0.632
329.15 0.623 P. M. Chirlian, Electronic Circuits, McGraw-Hill,
333.15 0.615
337.15 0.607 New Cork (1971).
341.15 0.599
345.15 0.589
349.15 0.581 H.M. Rosenberg, The Solid State, Clarendon Press,
353.15 0.573
357.15 0.564 Oxford (1978).
361.15 0.556
365.15 0.547