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FISICA DE SEMICONDUCTORES

EVENTUALMENTE TRABAJA EN TRES


Semiconductor deREGIONES
tres capas que consiste de
dos capas de material tipo n y unaRANGO
capaDEtipo
TRABAJO 0.4
p, o bien, de dos capas de material tipo p y
o -0.4V
DISPOSI
un tipo n. al primero se le llama transistor FET
NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.

R
BAJO CONSUMO DE
C ENERGIA

AUT -CASI NO PRESENTA RUIDO


B
O -ES SENSIBLE
CARACTERISTIC -TIENE UNA RESISTENCIA ALTA
U
-CARACTERISTICAS: La tensin de control de puerta es de 15V
AS -POTENCIA DE CONTROL LUNA
IDmax est limitada por el efecto Latch-up. S VENTAJAS -NIVEL DE RUIDO MENOR QUE LOS
-RASGOS DE TRABAJO: 1200 V y 400 A BJT
-MAS ESTABLES EN LA
-VENTAJAS: se pueden elegir bien por su rapidez TEMPERATURA
-SE COMPORTAN COMO
Permite optimizar la utilizacin de stos dispositivos en funcin de las distintas RESISTENCIAS
aplicaciones DESVENTAJAS -SE PUEDE DAAR GRACIAS A LA
-DESVENTAJAS: tienen una relativamente baja velocidad de respuesta (20Khz) IGBT :
ELECTRICIDA ESTATICA
en comparacin con el MOSFET.
APLICACIN -EN EQUIPOS DE MEDIDA
-APLICACIN: controles de motores elctricos tanto de corriente directa como SINTONIZADORES DE FRECUENCIA
de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 REAL MODULADA, AMPLIADORES DE
RADIO FRECUENCIA
kW.