CONTENIDO

Objetivo de la prctica....2

Teora bsica...2

...3

...4

...5
.......6

Material y equipo.6

...7

...8

...9

.....10

Observaciones..11

Conclusiones.11

Recomendaciones....12

Bibliografa.12

PRCTICA 3: MEMORIAR RAM 6116

OBJETIVO DE LA PRCTICA

El objetivo de la prctica es observar y probar el funcionamiento de la memoria HM6116A120

con una prctica simulada. Se trata de guardar valores en distintas direcciones y leer cada
una de ellas.

TEORIA BASICA

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La memoria de acceso aleatorio (Random Access Memory, RAM) se utiliza como memoria
de trabajo de computadoras para el sistema operativo, los programas y la mayor parte
del software.

En la RAM se cargan todas las instrucciones que ejecuta la unidad central de

procesamiento (procesador) y otras unidades del computador.

Se denominan de acceso aleatorio porque se puede leer o escribir en una posicin de

memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no siendo necesario seguir
un orden para acceder (acceso secuencial) a la informacin de la manera ms rpida
posible.

Durante el encendido de la computadora, la rutina POST verifica que los mdulos de RAM
estn conectados de manera correcta. En el caso que no existan o no se detecten los
mdulos, la mayora de tarjetas madres emiten una serie de sonidos que indican la ausencia
de memoria principal. Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede realizar un test
bsico sobre la memoria RAM indicando fallos mayores en la misma.

La expresin memoria RAM se utiliza frecuentemente para describir a los mdulos de

memoria utilizados en las computadoras personales y servidores.

La RAM es solo una variedad de la memoria de acceso aleatorio: las ROM, memorias Flash,
cach (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento tambin
poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posicin.

Los mdulos de RAM son la presentacin comercial de este tipo de memoria, que se
compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso independiente, en otros
dispositivos como las consolas de videojuegos, la RAM va soldada directamente sobre la
placa principal.

Los mdulos de RAM son tarjetas o placas de circuito impreso que tienen soldados chips de
memoria DRAM, por una o ambas caras.

La implementacin DRAM se basa en una topologa de circuito elctrico que permite

alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de
cientos o miles de megabits. Adems de DRAM, los mdulos poseen un integrado que
permiten la identificacin de los mismos ante la computadora por medio del protocolo de
comunicacin Serial Presence Detect (SPD).

La conexin con los dems componentes se realiza por medio de un rea de pines en uno
de los filos del circuito impreso, que permiten que el mdulo al ser instalado en un zcalo o

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ranura apropiada de la placa base, tenga buen contacto elctrico con los controladores de
memoria y las fuentes de alimentacin.

La necesidad de hacer intercambiable los mdulos, y de utilizar integrados de distintos

fabricantes, condujo al establecimiento de estndares de la industria como los Joint Electron
Device Engineering Council (JEDEC).

1. Paquete DIP (Dual In-line Package, paquete de pines en-lnea doble).

2. Paquete SIPP (Single In-line Pin Package, paquete de pines en-lnea simple): fueron
los primeros mdulos comerciales de memoria, de formato propietario, es decir, no
haba un estndar entre distintas marcas.
3. Mdulos RIMM (Rambus In-line Memory Module, mdulo de memoria en-lnea
rambus): Fueron otros mdulos propietarios bastante conocidos, ideados por la
empresa RAMBUS.
4. Mdulos SIMM (Single In-line Memory Module, mdulo de memoria en-lnea simple):
formato usado en computadoras antiguas. Tenan un bus de datos de 16 32 bits.
5. Mdulos DIMM (Dual In-line Memory Module, mdulo de memoria en-lnea dual):
usado en computadoras de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de
64 bits.
6. Mdulos SO-DIMM (Small Outline DIMM): usado en computadoras porttiles.
Formato miniaturizado de DIMM.
7. Mdulos FB-DIMM (Fully-Buffered Dual Inline Memory Module): usado en
servidores.

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Dentro de la jerarqua de memoria, la RAM se encuentra en un nivel despus de los registros
del procesador y de las cachs en cuanto a velocidad.

Los mdulos de RAM se conectan elctricamente a un controlador de memoria que gestiona

las seales entrantes y salientes de los integrados DRAM. Las seales son de tres tipos:
direccionamiento, datos y seales de control. En el mdulo de memoria esas seales estn
divididas en dos buses y un conjunto miscelneo de lneas de control y alimentacin. Entre
todas forman el bus de memoria que conecta la RAM con su controlador:

Bus de datos: son las lneas que llevan informacin entre los integrados y el controlador.
Por lo general, estn agrupados en octetos siendo de 8, 16, 32 y 64 bits, cantidad que
debe igualar el ancho del bus de datos del procesador. En el pasado, algunos formatos
de mdulo, no tenan un ancho de bus igual al del procesador. En ese caso haba que
montar mdulos en pares o en situaciones extremas, de a 4 mdulos, para completar lo
que se denominaba banco de memoria, de otro modo el sistema no funciona. Esa fue
la principal razn para aumentar el nmero de pines en los mdulos, igualando al ancho
de bus de procesadores como el Pentium a 64 bits, a principios de los aos 1990.
Bus de direcciones: es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria a las
que se requiere acceder. No es igual al bus de direcciones del resto del sistema, ya que
est multiplexado de manera que la direccin se enva en dos etapas. Para ello, el
controlador realiza temporizaciones y usa las lneas de control. En cada estndar
de mdulo se establece un tamao mximo en bits de este bus, estableciendo un lmite
terico de la capacidad mxima por mdulo.
Seales miscelneas: entre las que estn las de la alimentacin (Vdd, Vss) que se
encargan de entregar potencia a los integrados. Estn las lneas de comunicacin para
el integrado de presencia (Serial Presence Detect) que sirve para identificar cada
mdulo. Estn las lneas de control entre las que se encuentran las llamadas RAS (Row
Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que controlan el bus de direcciones,
por ltimo estn las seales de reloj en las memorias sincrnicas SDRAM.

Algunos controladores de memoria en sistemas como PC y servidores se encuentran

embebidos en el llamado puente norte (North Bridge) de la placa base. Otros sistemas
incluyen el controlador dentro del mismo procesador (en el caso de los procesadores
desde AMD Athlon 64 e Intel Core i7 y posteriores). En la mayora de los casos el tipo de
memoria que puede manejar el sistema est limitado por los sockets para RAM instalados
en la placa base, a pesar que los controladores de memoria en muchos casos son capaces
de conectarse con tecnologas de memoria distintas.

Una caracterstica especial de algunos controladores de memoria, es el manejo de la

tecnologa canal doble o doble canal (Dual Channel), donde el controlador maneja bancos

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de memoria de 128 bits, siendo capaz de entregar los datos de manera intercalada, optando
por uno u otro canal, reduciendo las latencias vistas por el procesador. La mejora en el
desempeo es variable y depende de la configuracin y uso del equipo. Esta caracterstica
ha promovido la modificacin de los controladores de memoria, resultando en la aparicin
de nuevos chipsets (la serie 865 y 875 de Intel) o de nuevos zcalos de procesador en los
AMD (el 939 con canal doble , reemplazo el 754 de canal sencillo). Los equipos de gamas
media y alta por lo general se fabrican basados en chipsets o zcalos que soportan doble
canal o superior, como en el caso del zcalo (socket) 1366 de Intel, que usaba un triple canal
de memoria, o su nuevo LGA 2011 que usa cudruple canal.

MATERIAL Y EQUIPO

Nombre del software: multisim 14.0

El programa consta de los siguientes elementos:
4 Interruptores para direcciones.
3 Interruptores de operaciones (WE, OS, CS).
3 Interruptores para entrada de datos.
1 Interruptor de bloqueo.
2 tierras.
1 HM6116A120.
1 74LS244DW.

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1 Display.

Descripcin:
Sirva para almacenar informacin se le asigna el nombre de memoria, en una memoria debe
existir la posibilidad de poder extraer la informacin que fue previamente almacenada.
En un sistema la informacin se almacena en forma de datos y de instrucciones, de tal
manera que la memoria debe estar en condiciones de recibir palabras que son datos y
palabras que son instrucciones, en cualquier momento, o poder ceder dicha informacin
cuando as se requiera, para realizar esta funcin se necesita un sistema de control para la
transferencia de informacin, que se encuentra dentro de la memoria.
La memoria est constituida por localidades con casilleros individuales para cada bit de
informacin.
Es una memoria de acceso aleatorio, Random Acces Memory (RAM), cuenta con una
capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una memoria esttica de alta velocidad,
est fabricada con la tecnologa CMOS, opera con una fuente de alimentacin de +5.0 Volts
y est dispuesta en una pastilla de 24 terminales.

CARACTERSTICAS DE LA MEMORIA 6116

Organizacin de la memoria: 2048 X 8.

Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg.
Baja potencia en estado inactivo: 10 uW.
Baja potencia en estado activo: 160 Mw.
RAM completamente esttica: No requiere reloj para su funcionamiento.
Temperatura de operacin: 0.75 grados centgrados.
Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centgrados.
Potencia de disipacin: 1 Watts.
Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnologa TTL.
Es directamente compatible con las memorias de 16K estndar, tipo RAM 6132.
OPERACIN DE LECTURA
Un dato ser ledo del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la aplicacin de
un nivel alto en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la terminal
(OE)', con estas conexiones se dispone que se pueda leer la memoria RAM 6116, si se
coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o (CS)' las lneas de E/S y/o la pastilla 6116 se
ponen en estado de alta impedancia, respectivamente.
(CS)' posee la funcin de controlar la activacin de la pastilla, la cual puede ser usada por
un sistema con microprocesadores para la seleccin del dispositivo.
La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, la cual puede
ser habilitada cada vez que el microprocesador requiera leer la memoria.
OPERACIN DE ESCRITURA

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Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116 mediante la aplicacin de un nivel bajo en la
terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel alto o bajo en la terminal (OE)'.
La terminal (WE)' al ser activa provoca que las terminales E/S de la memoria RAM 6116 se
habiliten para aceptar la informacin, en estas condiciones la terminal (OE)' posee la opcin
de ser colocada en estado de alto bajo, para realizar as la operacin de escritura.

IDENTIFICACIN DE LAS TERMINALES

Paso 1:
Enfocndose en la imagen en la seccin izquierda con las variables D1-D4 del integrado
6116, son las direcciones. En la seccin derecha se sealan las variables de las etiquetas
DATO1-DATO4 del integrado 74ls244.
Paso 2:
Se tiene que poner un 1 en el interruptor G desactivando la entrada de datos para que
esto no empiece a tomar por consecuencia el traspaso de datos
Paso 3:
Se debe de mantener desactivado con un 1 WE (escritura), OS (lectura), CS (LIMPIAR)
se mantiene en 0.
Paso 4:
Se empieza a ingresar cualquier direccin en el bus de direcciones.
Paso 5:
Activa el interruptor G para el traspaso de datos. Al insertar cualquier dato, se muestra el
display el dato ingresado.
Paso 6:
Se activa WE para escribir el dato y se vuelve a desactivar con un 1.
Paso 7:
Se desactiva interruptor G con un 1 y se activa el interruptor OS con un 0 para que
muestre en cual direccin se almacen el dato y eso lo mostrar en el display.

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DIAGRAMA DE LA MEMORIA RAM 6116

Direcciones Datos

0 8

1 7

2 6

3 5

El tiempo de acceso es el tiempo que se necesita para localizar y leer una informacin
almacenada; el tiempo de acceso es una caracterstica importante para determinar la
velocidad de resolucin de un sistema, conociendo el tiempo de acceso se puede predecir
el tiempo necesario para procesar un trabajo, si algunas localidades de la memoria se
alcanzan ms rpidamente que otras se suele tomar el valor promedio de todas ellas, se
habla entonces del tiempo de acceso promedio.
En las siguientes imgenes se mostrar la escritura y escritura.

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OPERACIN DE ESCRIBIR (WE)

OPERACIN DE LECTURA(OS)

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PRACTICA REAL

Lamentablemente la prctica real no la pudimos realizar en el tiempo y forma, ya que no

conseguimos el chip HM6116A120, nuestros compaeros se ofrecieron a prestarla pero las
clases en el laboratorio de electrnica se terminaron y nos fue imposible obtener un permiso
para entrar y terminarla.

Lo nico que hicimos fue cablear en un protoboard externo como a continuacin se muestra:

OBSERVACIONES

Es imposible armar este circuito sin tener las hojas de datos del chip. Es muy importante
saber tener una comprensin amplia sobre esto ya que es la base para el funcionamiento.
Sinceramente es una prctica muy interesante duramos 2 semanas para adivinar su
funcionamiento, a base de investigaciones exhaustivas que nos llevaron al mtodo correcto
para su armado y funcionamiento. Fue una lstima que no tuviramos el tiempo suficiente
para hacer la simulacin real.

CONCLUSIONES

El desarrollo de estas prcticas de laboratorio ha sido de gran utilidad, pues los

conocimientos tericos se han comprobado mediante el desarrollo de cada uno de los
circuitos en el Multisim. Se concluye destacando los puntos principales aprendidos mediante
esta prctica de laboratorio:

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 Se ha conocido y practicado el manejo del Multisim, que es indispensable para probar el
funcionamiento de la MEMORIA HM6116A120
Se han analizado e interpretado correctamente los datos resultantes, dando lugar a
importantes aplicaciones prcticas sobre el uso de cada uno de los circuitos mostrados.

RECOMENDACIONES

El chip tiene que ser retirado con pinzas ya que se puede daar algn pin y queda
inservible.

Tener a la mano las hojas de datos de los circuitos integrados ya que son
indispensables al momento de montar los cables en el protoboard.
Tener en cuenta que la corriente la vamos a conectar a 5 volts.
Es importante insertar los cables bien en las rendijas del protoboard, si no es as,
vamos a batallar para que funcione.

BIBLIOGRAFIA

https://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio

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