Centro de Enseanza Tcnica Industrial plantel colomos

Control Automtico e Instrumentacin

Practica #1: Familia de curvas del transistor BJT
Reyes Garca Brandon 16100278
Ramrez Fras Milca Yatzari 16100272
Mendoza Hernndez Miguel Angel 16100204
Padilla Snchez Vernica Anglica
Martes, 28 de febrero de 2017
PRACTICA 1
FAMILIA DE CURVAS DEL TRANSISTOR BJT
Objetivo
Comprobar la polarizacin con doble fuente y la curva caracterstica de la salida.
Resumen de la practica
Funcionamiento
El transistor BJT puede ser usado en conexiones como en conmutacin o en amplificacin,
para lo cual se emplean circuitos de corriente continua con el transistor. Para esta prctica
se us el transistor en conexin de amplificacin, la cual se logra por medio de dos fuentes
de alimentacin.
Bsicamente, el funcionamiento del transistor depende mucho de la corriente o tensin
en la base de este; si hablamos de conmutacin, no se podr hacer circular una corriente a
travs de las terminales del colector y emisor sin que la base reciba antes un voltaje
adecuado; Con dos fuentes, la corriente de salida en el emisor depende directamente de
la corriente de entrada de la base del transistor por la frmula: Ic = Ib
Curvas caractersticas del transistor a entrada y salida
La curva de entrada (Vbe --- Ib) es muy similar a la misma de un diodo cuando este se
polariza directamente.
Curva de salida (Vce --- Ic). Esta curva representa los valores de la tensin de terminales
colector y emisor y la corriente de colector. Idealmente la corriente del colector depende
totalmente de la corriente de la base, dado la misma ecuacin Ic = Ib. Realmente la
corriente colector no es completamente independiente del voltaje en Vbe ya que se
puede apreciar un leve aumento en la corriente, conforme el voltaje.
 Representacin ideal de la corriente Ic

Representacin real de la corriente Ic

Frmulas
Para el calculo de transistores en doble fuente se usan algunas formulas como:

El factor de ganancia de corriente =

Teniendo en cuenta que la corriente de emisor es la suma de corriente de base y la

corriente de colector, entonces = +
Las formulas para obtener MVS son:

() =
2

() =
2
las siguientes formulas se utilizaron para obtener la Resistencia de colector y la Resistencia
de Base:

Ic max =

Rb =

Desarrollo terico
1.- Disear un circuito con las siguientes caractersticas:

2.- Con Icmax = 10mA y Vcc = 12v

12
= = =
10
3.- Calcular el punto Q para MVS
10
= = = 5
2 2
12
= = = 6
2 2
4.- Calcular la corriente Ib del transistor con su valor de factor de ganancia de corriente
(396 en nuestra medicin)
5
= = =
396
5.- Calcular Rb con Vbb = 1.4v
1.4 0.7
= = = 55,46
12.62
Lista de materiales

2 fuentes de corriente

Transistor 2N3904

Resistor 1.2K

Trimpot (resistencia a calcular)

3 multmetros

Desarrollo Practico
1.- Una vez obtenidos los materiales se arma el circuito en el proto y se conectan los 3
multmetros a sus respectivas posiciones.

2.- se realizan las mediciones en todos los puntos de Vce y se grafican en una tabla.

Vce .2 .4 .6 .8 1 2 4 6 8 10 12
Ic(mA) 4.3 4.8 4.9 5 5 5.2 5.3 4.1 4.2 4.2 4.3

Ib 13 13.8 13.3 13.6 13.6 13.7 13.8 15.1 15.7 15.9 16.1
()