‫فصل ‪ :5‬فرآیند های مبتنی بر فناوری میکرو‬

‫(‪1)MEMS‬‬

‫در این فصل به توضیحات مختصری در مورد سیلیکون و سپس به‬
‫صورت مفصل در مورد فرآیند های مورد استفاده در فناوری ‪MEMS‬‬
‫پرداخته شده است‪.‬‬
‫(سر فصل های مورد مطالعه قرار گرفته به صورت زیر است که‬
‫اطالعات کامل در مورد آنها تا آخر ماه آتی تکمیل خواهد شد‪).‬‬
‫‪ :5-1‬سیلیکون تک کریستالی‬
‫‪ :5-1-1‬رشد ویفر سیلیکون‬
‫‪ -‬قسمت عمده ای از مدار های مجتمع‪ 2‬بر روی ویفرهای سیلیکون‬
‫تک کریستالی ساخته می شوند (شکل ‪ 1-5‬و ‪.)2-5‬‬
‫‪ -‬ویفر ها در قالب شمش ها بزرگ به صورت بلوری رشد می کنند‬
‫و سپس به صورت ورقه ورقه در می آورند و آن ها را پولیش‬
‫می کنند‪.‬‬
‫در جدول (‪ )5-1‬مشخصات (قطر و ضخامت) ویفر هایی که تولید‬
‫می شوند آورده شده است‪.‬‬

‫شکل ‪ :1-5‬مراحل رشد سیلیکون از چپ به راست‪ -1 :‬ذوب کردن پلی سیلیکون‬
‫‪ -2‬قرار دادن دانه کریستالی ‪ -3‬رشد کریستال ‪ -4‬بیرون کشیدن کریستال‬
‫‪ -5‬شمش سیلیکون‬

‫‪1‬‬
‫‪Microelectromechanical systems‬‬
‫‪2‬‬
‫)‪Integrated Circuits (ICs‬‬

‫‪1‬‬

‫شکل ‪ :2-5‬باال سمت راست‪ :‬شمش کریستال رشد کرده؛ باال سمت چپ‪ :‬ویفر های‬
‫ورقه ورقه شده ؛ پایین‪ :‬برخی عیوب ایجاد شده در ویفر های سیلیکون‬

‫جدول ‪ :1-5‬مشخصات ویفر های تولید شده‬

‫‪ :5-1-2‬کریستال سیلیکون‬

‫‪2‬‬

‫سیلیکون یک ماده از گروه ‪ 4‬ام اصلی‪ 1‬جدول تناوبی است که‬
‫دارای ساختار کریستالی چهاروجهی می باشد (شکل ‪.)3-5‬‬

‫شکل ‪ :3-5‬محل سیلیکون در جدول تناوبی عنصر ها و ساختار کریستالی‬
‫چهار وجهی سیلیکون‬

‫‪ :5-1-3‬ویفر های سیلیکونی‬

‫‪1‬‬
‫‪Group IV‬‬

‫‪3‬‬

‫‪ -‬بر روی ویفر ها تا میزان معینی پیش دوپینگ‪( 1‬در قسمت‬
‫دوم از فصل ‪ 5‬توضیح داده خواهد شد) از نوع ‪ n‬یا نوع ‪p‬‬
‫انجام خواهد شد‪.‬‬
‫‪ -‬ویفر ها در راستای ها مختلف صفحات کریستالوگرافی (شکل‬
‫‪ )5-4‬بریده می شوند‪ .‬از ویفر های با صفحات کریستالوگرافی‬
‫در جهات (‪ )110( ،)100‬و (‪ )111‬استفاده می شود‪.‬‬

‫شکل ‪ :4-5‬صفحات کریستالوگرافی با اندیس های میلر‬

‫‪2‬‬
‫‪ :5-1-4‬سیلیکون خالص‬
‫قبل از انجام عملیات دوپینگ‪ ،‬سیلیکون تقریبا خالص است (تنها‬
‫پیوند بین اتم ها سیلیکون وجود دارد) (شکل ‪)5-5‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Doping‬‬
‫‪2‬‬
‫‪Intrinsic silicon‬‬

‫‪4‬‬

‫شکل ‪ :5-5‬سیلیکون خالص (نمایش ساختار سیلیکون در اینجا به صورت صفحه‬
‫ای است‪).‬‬
‫‪1‬‬
‫‪ :5-1-5‬تولید و باز ترکیب جفت حفره‪-‬الکترون‬
‫‪ -‬انرژی گرمایی معموال می تواند به یک الکترون پیوند (شکل‬
‫‪ )5-6‬اجازه دهد تا آزاد شود‪.‬‬
‫‪ -‬الکترون آزاد شده یک حامل بار الکتریکی متحرک است‪.‬‬
‫‪ -‬نقطه ای از پیوند که الکترون از آن جدا شده مانند یک‬
‫بار مثبت متحرک عمل می کند (می تواند بین پیوند های‬
‫مختلف جا به جا شود) که به آن حفره‪ 2‬گفته می شود‪.‬‬
‫‪ -‬هنگامی که الکترون متحرک به یک حفره متحرک می رسد می‬
‫توانند دوباره باهم ترکیب شوند‪.‬‬

‫‪1‬‬
‫‪Electron-hole pair generation/recombination‬‬
‫‪2‬‬
‫‪Hole‬‬

‫‪5‬‬

‬‬ ‫‪ni = pi = 1.‬‬ ‫‪6‬‬ . ‫شکل ‪ :6-5‬نمایش الکترون های پیوند‬ ‫‪ :5-1-6‬جفت های الکترون‪-‬حفره‬ ‫در دمای اتاق‪ ،‬غلظت تعادلی حامل های بار الکتریکی به صورت‬ ‫زیر است‪.5*1010 cm-3‬‬ ‫غلظت الکترون های متحرک = ‪ni‬‬ ‫غلظت حفره های متحرک = ‪pi‬‬ ‫توجه داشته باشید که چگالی اتم های سیلیکون در کریستال ‪5*1022‬‬ ‫اتم بر سانتی متر مکعب است‪.

‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪ :5-2-1‬دو نوع دوپانت (جذب شونده)‬ ‫دو نوع دوپانت "پذیرنده" از گروه ‪ 3‬اصلی جدول تناوبی و‬ ‫"گیرنده" از گروه ‪ 5‬اصلی جدول تناوبی داریم (شکل ‪ )7-5‬که در‬ ‫ادامه به توضیح آنها پرداخته شده است‪. ‫کردن)‪1‬‬ ‫‪ :5-2‬دوپیکنگ (جذب‬ ‫اضافه کردن ناخالصی ها به صورت ارادی به ساختار کریستال به‬ ‫منظور تغییر دادن غلظت الکترون های متحرک‪ ،n ،‬و غلظت حفره‬ ‫های متحرک‪ ،p ،‬تا مقدار متفاوتی از حالت خالص (‪ )ni‬داشته‬ ‫باشد‪ ،‬دوپینگ نامیده می شود و به ماده حاصل "بیرونی‪( "2‬در‬ ‫مقابل "درونی‪ "3‬یا خالص) گفته می شود‪.‬‬ ‫شکل ‪ :7-5‬مکان دوپانت ها در جدول تناوبی‬ ‫‪5‬‬ ‫‪ :5-2-2‬ناخالصی دهنده (گروه ‪)5‬‬ ‫‪ -‬ناخالصی ها دهنده دارای ‪ 5‬الکترون در الیه بیرونی خود‬ ‫هستند‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Doping‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Extrinsic‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Intrinsic‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪Dopant‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪Donor (Group V) impurity‬‬ ‫‪7‬‬ .

‬‬ ‫شکل ‪ :8-5‬دوپانت دهنده آرسنیک‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ :5-2-3‬ناخالصی پذیرنده (گروه ‪)3‬‬ ‫‪ -‬پذیرنده ها دارای ‪ 3‬الکترون در الیه بیرونی خود هستند‪.-‬این الکترون به آسانی می تواند در دمای اتاق از جاذبه‬ ‫هسته خارج شود که حاصل آن یک اتم دوپانت یونیزه شده به‬ ‫عالوه یک الکترون آزاد است‪.‫‪ -‬هنگامی که ناخالصی فعال می شود (در شبکه کریستالی شرکت‬ ‫می کند)‪ ،‬دارای یک الکترون اضافی است که در پیوند شرکت‬ ‫نمی کند (شکل ‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Acceptor (Group III) impurity‬‬ ‫‪8‬‬ .)8-5‬‬ ‫‪ .‬‬ ‫‪ -‬هنگامی که ناخالصی فعال می شود (در شبکه کریستال شرکت‬ ‫می کند) به یک یا تعداد بیشتری الکترون نیاز دارد که‬ ‫پیوند هایش را تکمیل کند‪.‬‬ ‫‪ -‬این الکترون به آسانی توسط یک پیوند دیگر در دمای اتاق‬ ‫مهیا می شود که نتیجه آن یک دوپانت یونیزه شده به عالوه‬ ‫یک حفره متحرک است‪.

≈ NA .+ n :‬‬ ‫معادله عمل جرم‪np = ni2 :‬‬ ‫غلظت گیرنده ها = ‪NA‬‬ ‫غلظت دهنده ها = ‪ND‬‬ ‫غلظت گیرنده های یونیزه شده = ‪NA-‬‬ ‫غلظت دهنده های یونیزه شده = ‪ND+‬‬ ‫غلظت الکترون های متحرک = ‪n‬‬ ‫غلظت حفره های متحرک = ‪p‬‬ ‫در دمای اتاق‪NA. ND+ ≈ ND :‬‬ ‫راه اول‪:‬‬ ‫‪9‬‬ . ‫شکل ‪ :9-5‬دوپانت گیرنده بور‬ ‫‪ :5-2-4‬ریاضیات مربوط به دوپینگ (به همراه مثال)‬ ‫معادله تعادل بار‪ND+ + p = NA.

‬‬ ‫‪ ND+ + p = NA.+ n‬که در آن ‪ p‬عدد کوچکی است بنا بر این‪n ≈ ND – :‬‬ ‫‪NA = 9.‬‬ ‫‪ :5-2-5‬مقاومت عایق‪/‬فلزی‬ ‫رسانایی (‪ )σ‬و مقاومت (‪ )1/σ‬جزو خواص ماده هستند‪.5*1010 cm-3‬است‬ ‫مقدار ‪ p‬نیز محاسبه می شود‪. ND+ ≈ ND‬‬ ‫با حل همزمان معادالت زیر مقادیر ‪ p‬و ‪ n‬به دست می آیند‪:‬‬ ‫‪np = ni2‬‬ ‫‪ND+ + p = NA.≈ NA.‬‬ ‫حال دوپانت نوع ‪ n‬با ‪ ND = 1*1018 cm-3‬به آن اضافه شده است‪.+ n‬‬ ‫راه دوم‪:‬‬ ‫ساده سازی‪ :‬از آنجایی که ‪ ،ND >> NA‬تعداد زیادی الکترون متحرک‬ ‫(حاملین عمده) و تعداد نه چندان زیادی حفره (حاملین جزئی)‬ ‫موجود است‪.8*1017 cm-3‬‬ ‫از حل معادله ‪ np = ni2‬و با دانستن اینکه ‪ ni = 1.‬‬ ‫مقادیر ‪ n‬و ‪ p‬در دمای اتاق چقدر است؟‬ ‫با فرض یونیزه شدن کامل دوپانت ها در دمای اتاق داریم‪:‬‬ ‫‪NA.‬‬ ‫مقاومت یک میله از رابطه زیر محاسبه می شود (شکل ‪:)10-5‬‬ ‫?‬ ‫‪?=ρ‬‬ ‫‪A‬‬ ‫شکل ‪ :10-5‬محاسبه مقاومت یک میله‬ ‫‪10‬‬ .‫یک ویفر را در نظر بگیرید که دوپ شده از نوع ‪ p‬با ‪NA = 2*1016‬‬ ‫‪ cm-3‬را در نظر بگیرید‪.

000‬‬ ‫‪?=ρ‬‬ ‫=‬ ‫?? ‪= 2.44 (Ωcm)-1‬‬ ‫‪σresistor = q (nμn + pμp) ≈ qNDμn = 240 (Ωcm)-1‬‬ ‫و با فرض اینکه ‪ L‬برای ‪ 2‬میکرومتر و ‪ w‬برای ‪ 0.6*10-19 C‬بار الکترون = ‪q‬‬ ‫برای سیلیکون در دمای ‪ 300‬کلوین ‪ = 1500 cm2/Vs‬تحرک‪ 2‬الکترون = ‪μn‬‬ ‫‪ = 450 cm2/Vs‬تحرک حفره = ‪μp‬‬ ‫برای سیلیکون در دمای ‪ 300‬کلوین‬ ‫برای مثال‪:‬‬ ‫یک ویفر به صورت نوع ‪ p‬دوپ شده است و ‪.25μm)(0.NA = 2*1016 cm-3‬‬ ‫یک دوپانت نوع ‪ n‬با ‪ ND = 1*1018 cm-3‬در ناحیه مورد نظر برای‬ ‫ساختن مقاومت اضافه می شود‪ .12μm) 1cm‬‬ ‫شکل ‪ :11-5‬ابعاد میله‬ ‫‪ :5-3‬جفت های ‪P-N3‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Semiconductor resistor‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Mobility‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪P-N Junctions‬‬ ‫‪11‬‬ .25‬میکرومتر و‬ ‫‪ t=0.‬‬ ‫)‪σ = q (nμn + pμp‬‬ ‫‪ = 1.8‬‬ ‫‪A‬‬ ‫‪240 (0. ‫‪1‬‬ ‫‪ :5-2-6‬مقاومت نیمه هادی‬ ‫مقاومت یک نیمه هادی می تواند با میزان دوپینگ تغییر کند‪.‬داریم‪:‬‬ ‫‪σwafer = q (nμn + pμp) ≈ qNAμp = 1.12‬میکرومتر باشد (شکل ‪ )11-5‬داریم‪:‬‬ ‫?‬ ‫???‪1‬‬ ‫??‪2‬‬ ‫??‪10.

‬نمودار های شکل های (‪ )5-12‬و (‪ )5-13‬به ترتیب غلظت‬ ‫دوپانت های نوع ‪ p‬و ‪ n‬قبل از تشکیل پیوند ‪ ،p-n‬بعد از‬ ‫تشکیل پیوند ‪ p-n‬را نمایش می دهند‪.‬‬ ‫شکل ‪ :12-5‬غلظت دوپانت های ‪ n‬و ‪ p‬قبل از تشکیل پیوند‬ ‫‪12‬‬ .‬‬ ‫‪ -‬دوپانت از نوع ‪ N‬از باال به آن ویفر وارد می شود و به‬ ‫داخل نفوذ می کند و یک با توجه به عمق نفوذ درون ویفر‬ ‫یک پروفایل گاوسی را ایجاد می کند (بیشترین غلظت در‬ ‫باال)‪ . ‫‪ :5-3-1‬شکل گیری جفت ‪P-N‬‬ ‫یک ویفر را در نظر بگیرید که به صورت یکنواخت از نوع‬ ‫‪-‬‬ ‫‪ p‬دوپ شده است‪.

‫شکل ‪ :13-5‬غلظت دوپانت های ‪ n‬و ‪ p‬بعد از تشکیل پیوند‬ ‫‪ :5-3-2‬جفت ‪ P-N‬ایده آل‬ ‫شکل (‪ )5-14‬حالت ایده آل غلظت های ‪ p‬و ‪ n‬را بعد از تشکیل‬ ‫پیوند ‪ p-n‬نمایش می دهد‪.‬‬ ‫شکل ‪ :14-5‬غلظت دوپانت ها در حالت ایده آل‬ ‫‪ :5-3-3‬رفتار جفت ‪P-N‬‬ ‫‪13‬‬ .

‬‬ ‫شکل ‪ :15-5‬ناحیه های مواد نوع ‪ n‬و نوع ‪p‬‬ ‫‪ -1‬نفوذ حفره ها از ماده نوع ‪ p‬به ماده نوع ‪ n‬که با باز‬ ‫ترکیب نیز همراه است‪ .‬شکل (‪ 5-16‬و ‪)17-5‬‬ ‫شکل ‪ :16-5‬قرار گرفتن ناحیه های نوع ‪ n‬و ‪p‬‬ ‫‪ -2‬نفوذ الکترون ها از ماده نوع ‪ n‬به ماده نوع ‪ p‬که با باز‬ ‫ترکیب نیز همراه است‪.‬‬ ‫‪ -3‬شکل گرفتن "ناحیه تخلیه" در محل پیوند‬ ‫شکل ‪ :17-5‬ناحیه های نوع ‪ n‬و ‪ p‬بعد از نفوذ به داخل یکدیگر و تشکیل‬ ‫ناحیه تخلیه‬ ‫‪14‬‬ .‫شکل ‪ 15-5‬ناحیه های نوع ‪ n‬و ‪ p‬به صورت جدا از هم نشان می‬ ‫دهد‪.

‬شکل ‪)18-5‬‬ ‫شکل ‪ :18-5‬جهت جریان نفوذ و رانش تا زمان برابر شدن این دو جریان‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Depletion Region‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Steady State‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Drift current‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪Diffusion current‬‬ ‫‪15‬‬ .‬شکل‬ ‫‪)5-17‬‬ ‫‪ -2‬دوپانت ها که باز ترکیب برای آنها اتفاق افتاده‪ ،‬به‬ ‫صورت ثابت می مانند اما به دلیل وجود میدان الکتریکی‬ ‫یونیزه می شوند‪ ،‬بنابر این به ناحیه تخلیه ناحیه باردار‬ ‫فضا نیز گفته می شود‪.‬‬ ‫‪ -2‬عرض ناحیه تخلیه و ولتاژ داخلی تا زمانی که یک حالت‬ ‫پایا به وجود آید (جریان نفوذ‪ 4‬و رانش برابر شوند) ادامه‬ ‫می یابد‪( .‬‬ ‫‪ -3‬یک ولتاژ درونی در پیوند جفت ‪ p-n‬به وجود می آید‪.‬‬ ‫‪ :5-3-5‬حالت پایا‪ :2‬نفوذ = دفع‬ ‫‪ -1‬ولتاژ داخلی جریان دفع کننده‪ 3‬را به وجود می آورد‪ :‬میدان‬ ‫الکتریکی الکترون ها‪/‬حفره ها را در جهت عکس نفوذ حل می‬ ‫دهد‪. ‫‪1‬‬ ‫‪ :5-3-4‬ناحیه تخلیه‬ ‫‪ -1‬ناحیه تخلیه عمال حامل متحرک بار الکتریکی ندارد‪( .

‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪ :5-4-1‬جفت ‪ P-N‬بایاس شده‬ ‫چناچه دیود "بایاس" شود‪ ،‬یک ولتاژ ‪ V‬از طرف ‪ p‬به طرف ‪n‬‬ ‫اعمال شود (شکل ‪ ،)19-5‬تقریبا تمام آن ولتاژ بر روی ولتاژ‬ ‫داخلی ناحیه تخلیه اثر می گذارد‪.‬‬ ‫‪ -‬در یک جهت بایاس‪ ،‬ناحیه تخلیه بزرگتر می شود و هیچ‬ ‫جریانی برقرار نمی شود‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Ohm’s law‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Fick’s law‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Diode‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪Biased P-N Junction‬‬ ‫‪16‬‬ . ‫‪ :5-3-5‬ریاضیات جفت ‪P-N‬‬ ‫‪ -‬می توان معادالت جریان دافعه (قانون اهم‪ )1‬و جریان نفوذ‬ ‫(معادله فیک‪ )2‬را نوشت‪.‬‬ ‫‪ -‬در حالت پایا‪ ،‬می توان این معادال را برای ولتاژ درونی‬ ‫‪ V0‬و عرض ناحیه تخلیه ‪ W‬حل کرد‪.8542*10-12 C/Vm‬‬ ‫‪ :5-4‬دیود جفت ‪P-N‬‬ ‫‪ -‬بایاس کردن جفت ‪( p-n‬اعمال کرد ولتاژ بین طرف ‪ p‬و طرف‬ ‫‪ )n‬عرض ناحیه تخلیه را تغییر می دهد‪.‬‬ ‫??‬ ‫‪= 25 mV‬‬ ‫در دمای ‪ T=300 k‬داریم‪:‬‬ ‫?‬ ‫??‬ ‫?? ??‬ ‫‪2εsi ?0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫= ‪?0‬‬ ‫(‪ln‬‬ ‫)‬ ‫√=?‬ ‫(‬ ‫‪+‬‬ ‫)‬ ‫?‬ ‫‪??2‬‬ ‫‪q‬‬ ‫‪NA‬‬ ‫‪ND‬‬ ‫‪εsi =11.7 ε0 ε0 = 8.‬‬ ‫‪ -‬وسیله ای که به جریان اجازه برقرار شدن تنها در یک جهت‬ ‫را بدهد‪ ،‬دیود‪ 3‬گفته می شود‪.‬‬ ‫‪ -‬در جهت دیگر‪ ،‬ناحیه تخلیه کوچکتر می شود و جریان به‬ ‫آسانی برقرار می شود‪.

‬‬ ‫)‪Idiode = I0 (eqV/kT -1‬‬ ‫‪17‬‬ .‬بنابر‬ ‫این رابطه ضخامت ناحیه تخلیه به صورت زیر در می آید‪:‬‬ ‫‪2εsi (? − ?0 ) 1‬‬ ‫‪1‬‬ ‫√=?‬ ‫) ‪( +‬‬ ‫‪q‬‬ ‫‪NA ND‬‬ ‫‪ -‬بایاس معکوس‪ :‬یک ولتاژ منفی عرض ناحیه تخلیه را زیادتر‬ ‫می کند و باعث نشت مقادیر کوچکی جریان می شود (جریان‬ ‫نفوذ باید بیشتر شدن مقدار میدان الکتریکی اعمال شده‬ ‫بر ناحیه تخلیه به عقب بر می گردد)‪.‬‬ ‫‪ :5-4-2‬معادله دیود‬ ‫معادله جریان دیود به صورت زیر است و نمودار آن بر حسب‬ ‫ولتاژ در شکل (‪ )5-20‬آمده است‪.‬‬ ‫‪ -‬بایاس معکوس‪ :‬یک ولتاژ مثبت عرض ناحیه تخلیه را بیشتر‬ ‫می کند و جریان می تواند بر قرار شود (جریان نفوذ به‬ ‫دلیل کمتر شدن مانع پتانسیل‪/‬میدان الکتریکی افزایش می‬ ‫یابد)‪. ‫شکل ‪ :19-5‬اعمال ولتاژ به دو سر ناحیه ‪ p‬و ‪n‬‬ ‫ولتاژ اعمال شده از ولتاژ داخلی کم شده و یا به آن اضافه‬ ‫می شود و یک پیوند با ولتاژ ‪ V0-V‬را به وجود می آورد‪ .

‬‬ ‫‪ -‬ظرفیت خازنی جفت ‪ p-n‬به آسانی محاسبه می شود‪.‬‬ ‫برای دو صفحه رسانا با سطح مقطع ‪ A‬و فاصله جدایش ‪W‬‬ ‫ظرفیت خازی برابر است با‪:‬‬ ‫??‬ ‫=?‬ ‫‪W‬‬ ‫‪qεsi‬‬ ‫?? ‪ND‬‬ ‫√‪??−? ???????? = A‬‬ ‫(‬ ‫)‬ ‫‪2(? − ?0 ) ND + NA‬‬ ‫ها‪1‬‬ ‫‪ :5-5‬ترانزیستور‬ ‫‪2‬‬ ‫‪ :5-5-1‬ترانزیستور های دو قطبی‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Transistors‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Bipolar Transistors‬‬ ‫‪18‬‬ . ‫شکل ‪ :20-5‬نمودار جریان بر حسب ولتاژ دیود‬ ‫‪ :5-4-3‬ظرفیت خازنی جفت ‪P-N‬‬ ‫‪ -‬جدایی بار ها باعث به وجود آمدن خاصیت خازنی می شود‪.

‬‬ ‫‪ o‬در حقیقت چنانچه تحریک بیس با جریان حکم سوییچ‬ ‫برای برقراری جریان در امیتر را دارد چنان که زمانی‬ ‫که جریان بیس قطع شود‪ ،‬دیگر اجازه خروج جریان از‬ ‫امیتر داده نخواهد شد‪.‬‬ ‫‪ -‬در نسخه های قدیمی از منطق (منطق کوپل شده با امیتر‪)5‬‬ ‫از ترانزیستور های دو قطبی استفاده می شده است‪.‬‬ ‫‪ o‬جریان امیتر در حقیقت جریان تقویت شده ای است که‬ ‫به بیس اعمال شده است‪.‬‬ ‫‪ -‬در حال حاضر در مدار های با فرکانس باال (رادیو‪ ،‬بی سیم)‬ ‫به عنوان تقویت کننده استفاده می شود‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Amplifier‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Base‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Collector‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪Emitter‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪Emitter coupled logic‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪Field Effect Transistor‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪Gate‬‬ ‫‪9‬‬ ‫‪Source‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪Drain‬‬ ‫‪19‬‬ .‬‬ ‫‪ -‬با تغذیه جریان به پایانه بیس (‪ 2)B‬اجازه برقراری جریان‬ ‫از پایانه کلکتور (‪ 3)C‬به پایانه امیتر (‪ 4)E‬داده می‬ ‫شود‪.‬‬ ‫‪ -‬در گوشی های تلفن همراه به همراه ترانزیستور های ‪CMOS‬‬ ‫استفاده می شود (‪)BiCMOS‬‬ ‫‪MOSFET6 :5-5-2‬‬ ‫‪ -‬ترانزیستور ‪ FET7‬می تواند به عنوان یک تقویت کننده‬ ‫آنالوگ یا به عنوان یک سوییچ کنترل ولتاژ عمل کند‪.‬‬ ‫‪ -‬ولتاژی که روی درگاه (‪ 8)G‬اعمال می شود جریان عبوری از‬ ‫سورس (‪ 9)S‬به سمت درین (‪ 10)D‬را کنترل می کند‪.‫‪ -‬ترانزیستور دو قطبی یک قطعه با سه پایانه است که می‬ ‫تواند به عنوان یک تقویت کننده‪ 1‬آنالوگ و یا یک کلید‬ ‫کنترل سوییچ دیجیتال عمل کند‪.

‫‪ MOS1 -‬یا نیمه هادی اکسید‪-‬فلز رایج ترین نوع ‪ FET‬می باشد‬ ‫شکل ‪ :21-5‬ترانزیستور ‪MOSFET‬‬ ‫‪ -‬اعمال کردن هر گونه ولتاژ از سورس به درین باعث می شود‬ ‫تا یکی از پیوند های ‪ p-n‬در بایاس معکوس شود (شکل ‪-5‬‬ ‫‪.)21‬‬ ‫‪-‬‬ ‫‪ :5-5-3‬عملکرد ‪MOSFET‬‬ ‫برای اینکه بتوان دو ترانزیستور با بایاس مستقیم درست‬ ‫کرد‪ ،‬در یک پایه از نوع ‪ )n( p‬که دو ناحیه سورس و درین‬ ‫دوپ شده از نوع ‪ )p( n‬وجود دارد‪ ،‬یک اکسید و روی آن یک‬ ‫فلز در بین سورس و درین قرار داده می شود که حکم درگاه‬ ‫(گیت) را دارد و با اعمال ولتاژ مثبت (منفی) به گیت باعث‬ ‫جمع شدن بار های مثبت (منفی) در پشت الیه اکسید شده و از‬ ‫آن عبور نمی کند که این عمل باعث می شود بار های مثبت‬ ‫(منفی) در قسمت زیر اکسید دفع شوند و بنابر این در زیر‬ ‫اکسید حاملین اکثریت‪ ،‬بارهای منفی (مثبت) می شوند که به‬ ‫آن الیه وارونگی‪ 2‬گفته می شود‪ .‬حال با توجه به اینکه در‬ ‫سورس و درین حاملین حداکثر هم عالمت با بار القا شده در‬ ‫زیر اکسید می باشند حکم یک کلید بسته را داشته و اعمال‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Metal Oxide Semiconductor‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Inversion layer‬‬ ‫‪20‬‬ .

‬‬ ‫‪ -‬نماد های ‪ MOSEFT‬های ‪ n-channel‬و ‪ p-channel‬در شکل (‪)23-5‬‬ ‫نمایش داده شده اند‪.‬‬ ‫‪ -‬ولتاژ آستانه تابعی از ضخامت اکسید و میزان دوپینگ‬ ‫ناحیه کانال می باشد‪.‬‬ ‫‪ MOSFET -‬نوع ‪ )p-channel( n-channel‬یا ‪ )pMOS( nMOS‬به ولتاژ‬ ‫آستانه مثبت (منفی) نیاز دارد‪.)22-5‬‬ ‫شکل ‪ :22-5‬ترانزیستور ‪ MOSFET‬از نوع ‪n-channel‬‬ ‫‪ -‬ولتاژ آستانه (‪ :1)Vth‬حداقل ولتاژ مورد نیاز برای ایجاد‬ ‫یک الیه وارونگی و بنابراین به راه انداختن ترانزیستور‬ ‫می باشد‪.‬‬ ‫شکل ‪ :23-5‬باال‪ :‬ترانزیستور ‪ n-channel‬؛ پایین‪ :‬ترانزیستور ‪p-channel‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Threshold Voltage‬‬ ‫‪21‬‬ .‫یک ولتاژ از درین (سورس) به سورس (درین) باعث عبور جریان‬ ‫از آنها می گردد (شکل ‪.

‫‪CMOS :5-5-4‬‬ ‫‪ CMOS‬به معنی ‪ MOS‬مکمل می باشد‪ 1‬که از یک ‪ pMOS‬و یک ‪nMOS‬‬ ‫که به هم وصل شده اند تشکیل شده است‪ .‬‬ ‫‪ :5-5-5‬درگاه‪ NAND 2‬ایجاد شده با ‪CMOS‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Complimentary MOS‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Gate‬‬ ‫‪22‬‬ .‬برای مثال مدار شکل‬ ‫(‪ )5-24‬یک مدار وارونه کننده است که در اثر اعمال ولتاژ‬ ‫مثبت (منفی) به سر ‪ A‬ترانزیستور ‪ )p-channel( n-channel‬به عنوان‬ ‫کلید بسته عمل می کند و باعث می شود ولتاژ اعمالی به سر ‪Q‬‬ ‫ولتاژ پایین ‪( Vss‬باال ‪ )Vdd‬شود‪ ،‬بنابراین به ازای ورودی صفر‬ ‫خروجی ‪ 1‬و به ازای ورودی ‪ 1‬خروجی صفر می دهد (گیت ‪.)NOT‬‬ ‫شکل ‪ :24-5‬گیت منطقی ‪NOT‬‬ ‫جریان تنها زمانی بر قرار می شود که پایانه ‪ A‬به یک ولتاژ‬ ‫باال و یا یک ولتاژ پایین متصل شده باشد بنابراین ‪ CMOS‬یک‬ ‫قطعه با توان مصرفی پایین و دلیل محبوبیت آن نیز همین است‪.

‫شکل ‪ :24-5‬گیت ‪NAND‬‬ ‫‪ :5-6‬مراحل فرآیند ساخت ‪CMOS‬‬ ‫‪ :5-6-1‬فرآیند پایه ای ساخت ‪CMOS‬‬ ‫‪ -0‬آماده کردن ویفر‪ :‬تمیز کردن و عالمت گذاری راستاها‬ ‫‪ -1‬انجام دادن نفوذ برای ایجاد ‪ N-Well‬یا ‪P-Well‬‬ ‫‪ -2‬مشخص کردن ناحیه فعال‪( 1‬قرار دادن عایق روی بقیه قسمت‬ ‫ها غیر از قسمت خود ترانزیستور)‬ ‫‪ -3‬قرار دادن گیت پلی سیلیکونی‬ ‫اندک‪2‬‬ ‫‪ -4‬ایجاد درین با دوپ‬ ‫‪ -5‬نفوذ‪/‬کاشت سورس و درین‬ ‫سالیسید‪3‬‬ ‫‪ -6‬ساختن تماس ها با‬ ‫‪ -7‬قرار دادن پالگ های تنگستن ‪ +‬قرار دادن اولین الیه فلزی‬ ‫‪ -8‬قرار الیه های فلزی بعدی جهت وصل کردن قسمت های مختلف‬ ‫به یکدیگر‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Active Area‬‬ ‫‪2‬‬ ‫)‪Lightly Doped Drain (LDD‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Silicide‬‬ ‫‪23‬‬ .

)25-5‬‬ ‫شکل ‪ :25-5‬نفوذ ناحیه ‪n-well‬‬ ‫‪ :5-6-3‬ناحیه فعال‬ ‫به وجود آوردن ناحیه فعال به این معنی است که در نواحی که‬ ‫نیاز به ترانزیستور نداریم با یک عایق (اکسید) یک الیه ایجاد‬ ‫کنیم تا از تماس الکتریکی ترانزیستور ها با هم جلوگیری شود‪. ‫‪ -9‬قرار دادن الیه عایق و پد های تماس‬ ‫‪ :5-6-2‬نفوذ ‪N-well‬‬ ‫برای ساختن یک ناحیه ‪ N-Well‬درون یک پایه از نوع ‪ ،p‬ابتدا‬ ‫در نواحی که نیاز نداریم ماده نوع ‪ n‬در آن نفوذ کند‪ ،‬الیه‬ ‫اکسید قرار می دهیم و سپس نفوذ ماده نوع ‪ n‬را انجام می دهیم‬ ‫(شکل ‪.‬‬ ‫به نواحی که قصد انجام نفوذ در آن داریم ناحیه فعال گفته‬ ‫می شود شکل (‪.)5-26‬‬ ‫‪24‬‬ .

‬‬ ‫شکل ‪ :27-5‬قرار دادن گیت پلی سیلیکونی‬ ‫‪ :5-6-5‬نفوذ ‪n+ Source-Drain‬‬ ‫مرحله بعدی ایجاد قسمت سورس و درین در ترانزیستور است که‬ ‫ابتدا نفوذ ناحیه ‪ n‬برای ترانزیستور ‪ nMOS‬و در قسمت بعد‬ ‫نفوذ ناحیه ‪ p‬برای ترانزیستور ‪ pMOS‬نشان داده شده است‪ . ‫شکل ‪ :26-5‬به وجود آوردن ناحیه فعال‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ :5-6-4‬درگاه چندگانه‬ ‫در شکل (‪ )5-27‬قرار دادن گیت ها به منظور ایجاد دو‬ ‫ترانزیستور ‪ pMOS‬در ناحیه ‪ n-well‬و ‪ nMOS‬در ناحیه ‪p-substrate‬‬ ‫نمایش داده شده است‪.‬در‬ ‫هر مرحله به منظور اینکه نفوذ فقط در ناحیه مد نظر صورت‬ ‫گیرد‪ ،‬بر روی قسمت های دیگر محافظ قرار داده شده (خود گیت‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Poly Gate‬‬ ‫‪25‬‬ .

‫ها نیز برای نواحی زیر خود حکم محافظ را دارند) تا نفوذ در‬ ‫آن نواحی صورت نگیرد که آن محافظ ها بعد از نفوذ برداشته‬ ‫خواهند شد شکل های (‪ 5-28‬و ‪.‬شکل ‪)30-5‬‬ ‫‪26‬‬ .)29-5‬‬ ‫شکل ‪ :28-5‬نفوذ سورس و درین در ترانزیستور ‪n-channel‬‬ ‫‪ :5-6-6‬نفوذ ‪p+ Source-Drain‬‬ ‫شکل ‪ :29-5‬نفوذ سورس و درین در ترانزیستور ‪p-channel‬‬ ‫‪ :5-6-7‬حفره های تماس‬ ‫در مرحله بعد برای به وجود آوردن نقاط تماس (برای ارتباط‬ ‫ترانزیستورها به خارج) ابتدا حفره هایی را درون اکسید ایجاد‬ ‫می کنند‪( .

‫شکل ‪ :30-5‬به وجود آوردن حفره ها جهت قرار دادن نقاط تماس‬ ‫‪ :5-6-8‬فلزگذاری مرحله اول‬ ‫بعد از ایجاد حفره ها برای باز کردن نواحی رسانا‪ ،‬نقاط تماس‬ ‫با استفاده از الیه های فلز به یکدیگر به یکدیگر متصل می‬ ‫شوند که در شکل (‪ )5-31‬استفاده از آلومنیوم‪ ،‬که قبال برای‬ ‫اتصال از آن استفاده می شده است را در الیه اول فلز گذاری‬ ‫نشان داده شده است‪ .‬‬ ‫‪27‬‬ .‬‬ ‫شکل ‪ :31-5‬قرار دادن الیه اول فلز‬ ‫‪ :5-6-9‬سطح مقطع (دید از باال)‬ ‫در شکل (‪ )5-32‬سطح مقطع قطعه ایجاد شده از باال نمایش داده‬ ‫است‪.‬در حال حاظر برای اتصاالت از پالگ های‬ ‫تنگستن و سپس وصل کردن آنها با استفاده از مس‪ ،‬استفاده می‬ ‫شود‪.

)33-5‬‬ ‫‪28‬‬ . ‫شکل ‪ :32-5‬نمای دید از باال ‪ CMOS‬ایجاد شده‬ ‫‪ :5-6-10‬مراحل دیگر فرآیند‬ ‫‪ -‬بیشتری قطعات نیازمند الیه های بیشتری از فلز می باشد‬ ‫تا همه قسمت ها با یکدیگر متصل شوند (شکل ‪.

‫‪ o‬قرار دادن دیپازیت کردن الیه میانی دی الکتریک‪ 1‬بین‬ ‫فلز ها‬ ‫‪ o‬ایجاد شیار ها و متصل کننده ها‬ ‫‪ o‬پر کردن با مس‬ ‫ترانزیستور چند الیه‬ ‫شکل ‪ :33-5‬نمایی از یک‬ ‫اول)‪2‬‬ ‫‪ :5-7‬اکسایش گرمایی (قسمت‬ ‫‪ :5-7-1‬سیلیکون دی اکسید‬ ‫دو هدف اصلی سیلیکون دی اکسید‪:‬‬ ‫‪ -‬عایق الکتریکی‬ ‫‪ -‬مانع برای نفوذ دوپانت‬ ‫سیلیکون دی اکسید در موارد زیر استفاده می شود‪:‬‬ ‫‪1‬‬ ‫)‪Interlayer dielectric (ILD‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Thermal Oxidation‬‬ ‫‪29‬‬ .

‬‬ ‫‪ :5-7-3‬کوره اکسایش‬ ‫در (شکل ‪ )34-5‬شماتیکی از کوره ای که به وسیله آن عمل اکسایش‬ ‫گرمایی انجام می شود نشان داده شده است‪.‬‬ ‫‪ -‬قسمت اکسید گیت ترانزیستور‬ ‫‪ -‬به عنوان جدا کننده در گیت های چندگانه (برای ‪)LDD‬‬ ‫‪ -‬دی الکتریک بین الیه ای‪ 1‬برای الیه های فلز‬ ‫‪ -‬اکسید فدا شونده‪( 2‬که در آخر از قطعه جدا می شود)‬ ‫روش های دیپازیت کردن سیلیکون دی اکسید عبارتند از‪:‬‬ ‫‪ -‬رشد گرمایی‬ ‫شیمیایی‪3‬‬ ‫‪ -‬دیپازیت با بخار‬ ‫‪ :5-7-2‬اکسایش گرمایی‬ ‫اکسید با تغذیه توسط یک منبع اکسیژن که با ویفر سیلیکون در‬ ‫دما های باال واکنش می دهد تا سیلیکون دی اکسید را در سطح‬ ‫ویفر پدید آورد "رشد" می کند‪.‫‪ -‬عایق بندی قطعه (با روش های ‪ LOCOS‬یا ‪ STI‬که بعدا توضیح‬ ‫داده خواهند شد‪).‬‬ ‫اکسید های گرمایی به دالیل ذیل ارزشمند هستند‪:‬‬ ‫‪ -‬پایدار هستند‪ ،‬ذاتا عایق های خوبی هستند‬ ‫‪ -‬بسیار تمیز و خالص به صورت گرمایی رشد می کنند‪.‬‬ ‫‪ -‬به عنوان اینترفیس (رابط) بین سیلیکون‪/‬سیلیکون دی اکسید‬ ‫بسیار خوب هستند زیرا نقص های الکتریکی بسیار کمی دارند‬ ‫(برای اکسید گیت مناسب هستند)‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫)‪Interlayer dielectric (ILD‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Sacrificial oxide‬‬ ‫‪3‬‬ ‫)‪Chemical Vapor Deposition (CVD‬‬ ‫‪30‬‬ .

)35-5‬‬ ‫‪31‬‬ . ‫شکل ‪ :34-5‬کوره اکسایش گرمایی‬ ‫‪ :5-7-4‬کنترل دما‬ ‫برای انجام اکسایش گرمایی ویفر های سیلیکون را درون یک ظرف‬ ‫از جنس سیلیکون کارباید قرار می دهند‪ ،‬ویفرهایی که در دو‬ ‫سمت قرار دارند‪ ،‬شرایط یکنواختی دمایی کمتری نسبت به ویفر‬ ‫های وسطی دارند پس ویفر های دو سمت را مورد استفاده قرار‬ ‫نمی دهند و صرفا برای اینکه دمای الیه های وسطی یکنواخت باشد‬ ‫قرار داده می شوند (شکل ‪.

‬‬ ‫‪32‬‬ . ‫شکل ‪ :35-5‬نحوه یکنواخت کردن دمای ویفر ها ونمودار دمای اعمال شده‬ ‫بر حسب مکان ویفر های سیلیکونی‬ ‫‪ :5-7-5‬سیکل دمایی‬ ‫برای اکسایش گرمایی دما تقریبا به صورت خطی با یک شیب به‬ ‫مقدار معینی باال می برند و در آن دما ثابت نگه می دارند و‬ ‫بعد از مدت زمانی معین دوباره دما را تقریبا به صورت خطی‬ ‫کاهش می دهند‪.

‬‬ ‫تر‪3‬‬ ‫‪ -‬اکسایش‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Dry Oxidation‬‬ ‫‪2‬‬ ‫)‪Hydrogen Chloride (HCL‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Wet Oxidation‬‬ ‫‪33‬‬ . ‫شکل ‪ :36-5‬نمودار سیکل دمایی‬ ‫سیکل اکسایش گرمایی شامل مراحل زیر است‪:‬‬ ‫‪ -‬داخل بردن‬ ‫‪ o‬دمای پایین به منظور آماده کردن ویفر (کاهش تنش‬ ‫های دمایی)‬ ‫‪ o‬در این مرحله حضور گاز ‪ O2‬مانع از تشکیل نیترید ها‬ ‫می شود‬ ‫خشک‪1‬‬ ‫‪ -‬اکسایش‬ ‫‪ o‬برای اکسایش در این حالت از گاز ‪ O2‬به عالوه هیدروژن‬ ‫کلرید‪ 2‬استفاده می شود‪.‬‬ ‫‪ o‬آهسته است و برای اکسید های نازک یا جاهایی که‬ ‫کیفیت باالیی مورد نیاز است مورد استفاده قرار می‬ ‫گیرد‪.

)5-37‬‬ ‫شکل ‪ :37-5‬شماتیکی از عیوب الکتریکی‬ ‫‪ :5-7-7‬کنترل کیفیت‬ ‫‪ -‬جهت جلوگیری از یون های متحرک که از طریق آلودگی به‬ ‫وجود می آیند موارد زیر باید در نظر گرفته شود‪:‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Electrical defects‬‬ ‫‪34‬‬ .‬‬ ‫‪ o‬سریع است و برای اکسید های ضخیم به کار می رود‪.‬‬ ‫‪ -‬آنیل کردن با ‪N2‬‬ ‫‪ o‬با این کار عیوب سطحی کاهش می یابد‬ ‫‪ -‬دما را با شیب معینی پایین می آورند و ویفر ها را بیرون‬ ‫می کشند‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ :5-7-6‬عیوب الکتریکی‬ ‫عیوب الکتریکی شامل حاملین بار الکتریکی ثابت (سیلیکون هایی‬ ‫که به صورت ناقص اکسید شده اند)‪ ،‬بار های الکتریکی گیر‬ ‫افتاده در فصل مشترک سیلیکون و سیلیکون دی اکسید (پیوند های‬ ‫سیلیکون معلق)‪ ،‬بار های الکتریکی اکسید گیر افتاده (پیوند‬ ‫های شکسته شده سیلیکون‪-‬اکسیژن) و از همه مهم تر بار های‬ ‫الکتریکی متحرک مانند یون های پتاسیم و سدیم که ممکن حتی‬ ‫باعث به وجود آمدن جریان های ناخواسته شوند‪ ،‬می باشد (شکل‬ ‫‪.‫‪ o‬برای اکسایش در این حالت از گاز ‪ O2‬به عالوه بخار‬ ‫آب استفاده می شود‪.

‬‬ ‫‪ -‬کنترل ضخامت‬ ‫‪ o‬کوره های عمودی یکنواختی دمایی بهتری دارند‪.‬‬ ‫‪ -‬در مورد عیوب سطحی یعنی بارهای الکتریکی ثابت و بارهای‬ ‫الکتریکی گیر افتاده در سطح باید موارد زیر را در نظر‬ ‫گرفت‪:‬‬ ‫‪ o‬تنش ها را باید از بین برد‪ ،‬زیرا تنش ها باعث به‬ ‫وجود آمدن مشکل در هنگام روی هم گذاشتن الیه ها می‬ ‫شود‪.‬‬ ‫‪ :5-8‬اکسایش گرمایی (قسمت دوم)‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ :5-8-1‬مدل دیل‪-‬گروو‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Deal-Grove Model‬‬ ‫‪35‬‬ .‬‬ ‫‪ o‬از گاز نیتروژن یا آرگون به هنگام بیرون کشیدن‬ ‫استفاده کرد‪. ‫‪ o‬تمیز کردن اولیه مناسب‬ ‫‪ o‬دقیق بودن در هنگام حمل ویفر ها‬ ‫‪ o‬قطعات کوره تمیز باشد‪.‬‬ ‫‪ o‬در هنگام اکسایش از هیدروژن کلرید استفاده شود‬ ‫(کلر با یون های متحرک واکنش می دهد ولی باعث به‬ ‫وجود آمدن کلر اضافی در فیلم اکسید می شود اما این‬ ‫مشکل به اندازه یون های متحرک حاد نیست زیرا کلر‬ ‫تحرک زیادی ندارد‪.

‬‬ ‫دیل و گروو یک مدل ساده از مکانیزم‪/‬مدل سینتیکی برای رشد‬ ‫اکسید ارائه کردند‪.‬‬ ‫‪ -‬برای سیلیکون دوپ شده به میزان زیاد‪ ،‬دقیق نیست‪.‬‬ ‫شکل ‪ :38-5‬مدل سه مرحله ای دیل‪-‬گروو‬ ‫‪ :5-8-3‬مرحله اول‪ :‬نفوذ اکسیژن از طریق گاز‬ ‫برای نوشتن معادله این مرحله از معادله تقریب خطی قانون اول‬ ‫فیک استفاده می شود‪:‬‬ ‫‪36‬‬ .20‬میلی متر) دقیق‬ ‫نیست‪.‬‬ ‫‪ -‬اکسیژن با سیلیکون واکنش می دهد و سیلیکون دی اکسید را‬ ‫به وجود می آورد‪.‬‬ ‫‪ -‬برای اکسید های نازک (کوچکتر از ‪ 25.‬‬ ‫‪ :5-8-2‬مکانیزم دیل‪-‬گروو‬ ‫مکانیزم سه مرحله ای (شکل ‪:)38-5‬‬ ‫‪ -‬اکسیژن از طریق گاز به باالی ویفر نفوذ می کند‪.‫سیلیکون دی اکسید در کوره با تغذیه اکسیژن به سطح سیلیکون‬ ‫و واکنش در دمای باال رشد می کند‪.‬‬ ‫‪ -‬اکسیژن از طریق اکسیدی که بر روی ویفر شکل گرفته به‬ ‫سطح تماس سیلیکون نفوذ می کند‪.‬‬ ‫محدودیت های مدل‪:‬‬ ‫‪ -‬مدل یک بعدی است (پایه صفحه ای فرض شده است)‪.

‫?? ??‬ ‫? = ‪?1‬‬ ‫≈‬ ‫) ?? ‪(? − ?? ) = ℎ? (?? −‬‬ ‫??‬ ‫? ?‬ ‫‪ :J1‬شار واکنش دهنده (‪ )O‬به سطح ویفر‬ ‫‪ :Dg‬نفوذپذیری واکنش دهنده درون گاز‬ ‫‪ :Cg‬غلظت واکنش دهنده توده = )‪n/V = Pg/(kT‬‬ ‫‪ :Cs‬غلظت گاز سطح‬ ‫‪ :δ‬ضخامت الیه مرزی‬ ‫‪ :hg = Dg/δ‬ضریب انتقال جرم‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ :5-8-4‬قانون هنری‬ ‫غلظت جذب سطحی شده روی سطح متناسب است با فشار جزئی آن در‬ ‫گاز‪:‬‬ ‫?? ??? = ??? = ??‬ ‫‪ :H‬ثابت قانون گاز هنری‬ ‫‪ :C0‬غلظت واکنش دهنده جذب سطحی شده روی سطح‬ ‫‪ :Cs‬غلظت واکنسش دهنده گاز بر روی سطح‬ ‫بولتزمن‪2‬‬ ‫‪ :k‬ثابت‬ ‫‪ :T‬دمای مطلق‬ ‫‪ :5-5-8‬مرحله دوم‪ :‬نفوذ اکسیژن از طریق سیلیکون دی اکسید‬ ‫برای نوشتن معادله این مرحله نیز از معادله تقریب خطی قانون‬ ‫اول فیک استفاده می شود‪:‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Henry’s Law‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Boltzmann’s Constant‬‬ ‫‪37‬‬ .

‬‬ ‫‪ -‬در جایی که تمام شار ها باهم برابر باشند حالت پایا رخ‬ ‫می دهد‪.‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪ :5-8-7‬حالت پایا‬ ‫‪ -‬برای حل فرض می شود که واکنش در سطح تماس سیلیکون مرحله‬ ‫محدود کننده نرخ واکنش کلی است‪.‬‬ ‫‪J1=J2=J3=Jss‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Interface‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Steady State‬‬ ‫‪38‬‬ . ‫?? ??‬ ‫? = ‪?2‬‬ ‫≈‬ ‫) ?? ‪(? −‬‬ ‫? ??? ??‬ ‫‪ :J2‬شار واکنش دهنده درون اکسید‬ ‫‪ :D‬نفوذ پذیری واکنش دهنده در سیلیکون دی اکسید‬ ‫‪ :C0‬غلظت واکنش دهنده در باالی سیلیکون دی اکسید‬ ‫‪ :Ci‬غلظت واکنش دهنده در سطح تماس سیلیکون‬ ‫‪ :tox‬ضخامت سیلیکون دی اکسید‬ ‫‪ :6-5-8‬مرحله سوم‪ :‬واکنش اکسیژن با سیلیکون‬ ‫در سطح تماس سیلیکون معادله واکنش مرتبه اول فرض می شود‪:‬‬ ‫‪J3 = ksCi‬‬ ‫‪ :J3‬شار واکنش دهنده هنگامی در هنگام واکنش دادن‬ ‫‪ :ks‬ثابت نرخ واکنش‬ ‫‪ :Ci‬غلظت واکنش دهنده در سطح تماس‪ 1‬سیلیکون‬ ‫نکته‪ :‬هنگامی که سیلیکون مصرف می شود‪ ،‬غلظت آن ثابت می‬ ‫ماند زیر سطح تماس سیلیکون‪/‬سیلیکون دی اکسید به پایین می‬ ‫رود‪.

2*1022 cm-3‬تبدیل کنیم‪.‬‬ ‫‪ :5-8-8‬حل در حالت پایا‬ ‫پاسخ حالت پایا به صورت زیر می باشد‪:‬‬ ‫?? ???‬ ‫= ???‬ ‫?‬ ‫? ?‬ ‫?? ? ‪1 + ? +‬‬ ‫‪ℎ‬‬ ‫?‬ ‫که در آن‪:‬‬ ‫?‪ℎ‬‬ ‫=‪ℎ‬‬ ‫???‬ ‫می توان شار اکسیژن را با استفاده از چگالی اتم های اکسیژن‬ ‫در سیلیکون دی اکسید (‪ )N1=2.‫‪ -‬معادالت برای دو غلظت مجهول ‪ C0‬و ‪ Ci‬حل می شود و این دو‬ ‫متغیر از معادله حذف می شوند‪.‬‬ ‫??? ????‬ ‫=‬ ‫??‬ ‫‪?1‬‬ ‫بعد از انتگرال گیری‪:‬‬ ‫نتیجه مدل دیل‪-‬گروو‪:‬‬ ‫‪39‬‬ .

‬‬ ‫‪40‬‬ .‬‬ ‫شکل ‪ :39-5‬منحنی ضخامت اکسید بر حسب زمان اکسایش؛ قرمز‪ :‬اکسایش تر؛‬ ‫آبی‪ :‬اکسایش خشک؛ در این مثال فرض بر این بوده است که ضخامت اولیه‬ ‫اکسید صفر بوده است‪. ‫‪ :5-9‬اکسایش گرمایی (قسمت سوم)‬ ‫‪ :5-9-1‬مثال از مدل دیل‪-‬گروو‬ ‫در شکل (‪ )5-39‬و شکل (‪ )5-40‬مثالی از مدل دیل گروو برای حالت‬ ‫های اکسایش خشک و تر رسم شده است‪.

‬‬ ‫‪ :5-9-2‬رژیم های مدل دیل‪-‬گروو‬ ‫معادله نرخ به صورت زیر است‪:‬‬ ‫????‬ ‫?‬ ‫=‬ ‫??‬ ‫? ‪2??? +‬‬ ‫‪ -‬رژیم خطی‪:‬‬ ‫برای ‪،tox << A/2‬‬ ‫? ????‬ ‫?‬ ‫=‬ ‫)? ‪??? ??? = (? +‬‬ ‫??‬ ‫?‬ ‫?‬ ‫که در آن ‪ B/A‬ثابت نرخ خطی است‪.‬‬ ‫‪ :5-9-3‬مقایسه داده ها با مدل‬ ‫‪41‬‬ .‬‬ ‫‪ -‬رژیم سهموی‪:‬‬ ‫برای ‪،tox >> A/2‬‬ ‫????‬ ‫?‬ ‫‪2‬‬ ‫=‬ ‫??? ???‬ ‫)? ‪= B(? +‬‬ ‫??‬ ‫???‪2‬‬ ‫که در آن ‪ B‬ثابت نرخ سهموی است‪.‫شکل ‪ :40-5‬منحنی ضخامت اکسید بر حسب زمان اکسایش که در این حالت مقدار ‪t0‬‬ ‫برای ضخامت اولیه الیه اکسید در نظر گرفته شده است‪.

‫‪ -‬هنگام مقایسه مدل با داده ها‪ ،‬یک تطابق خیلی خوب برای‬ ‫حالت اکسایش تر دیده می شود‪.‬در این‬ ‫حالت اکسایش خشک برای اینکه مدل دیل‪-‬گروو با داده ها در‬ ‫ضخامت های باال (که در شکل برای ضخامت های باالی ‪ 30‬نانومتر‬ ‫تطابق دارد) تطابق داشته باشد‪ ،‬باید برای معادله مدل دیل‪-‬‬ ‫گروو ضخامت فرضی اولیه ‪ 23‬نانومتر در نظر گرفت که در حقیقت‬ ‫این ضخامت اولیه وجود ندارد و فقط برای این است که معادالت‬ ‫با داده های واقعی تطابق داشته باشد‪ .‬اما در اکسایش تر چنین‬ ‫حالتی به وجود نمی آید و داده ها به خوبی با مدل دیل‪-‬گروو‬ ‫تطابق دارند‪.‬‬ ‫‪ o‬مدل دیل‪-‬گروو برای پیش بینی ضخامت اکسید های کمتر‬ ‫از ‪ 30‬نانومتر مناسب نیست‪.‬‬ ‫‪ -‬برای اکسایش خشک گاز اکسیژن‪ ،‬برای ‪ 30-20‬نانومتر اول‬ ‫نرخ رشد سریع تری در داده ها دیده می شود‪.‬‬ ‫‪ :5-9-4‬نرخ رشد اولیه اکسایش خشک‬ ‫در شکل (‪ )5-41‬نموداری از مدل دیل گروو در مقایسه این مدل‬ ‫با داده ها نشان داده شده است‪ ،‬و همان طور که از شکل پیداست‬ ‫در ضخامت های باالتر این مدل با داده ها تطابق دارد‪ .‬‬ ‫‪42‬‬ .‬‬ ‫‪ o‬برای اکسایش های خشک با ضخامت باالتر‪ ،‬می توان برای‬ ‫در نظر گرفتن نرخ اولیه رشد سریع تر از ‪ τ‬یا ‪t0‬‬ ‫استفاده کرد‪.

‬‬ ‫‪43‬‬ .‫شکل ‪ :41-5‬مقایسه مدل دیل‪-‬گروو و داده ها برای اکسایش خشک با در نظر‬ ‫گرفتن ضخامت اولیه فرضی ‪ 23‬نانومتر‬ ‫‪ :5-9-5‬پارامتر های دیل‪-‬گروو‬ ‫در جدول شکل (‪ )5-42‬برای دماهای متفاوت و دو نوع اکسایش تر‬ ‫(در فشار ‪ )640 torr‬و خشک ضرایب مدل دیل‪-‬گروو آمده است‪.‬‬ ‫شکل ‪ :42-5‬ضرایب معادله مدل دیل‪-‬گروو‬ ‫‪ :5-9-6‬وابستگی دمایی‬ ‫در شکل (‪ )5-43‬می توان وابستگی دمایی برای پارامتر های ‪B/A‬‬ ‫(مدل خطی) و ‪( B‬مدل سهموی) برای دو حالت اکسایش خشک و تر‬ ‫را مشاهده کرد‪.

0.5 < ? < 1‬‬ ‫?‬ ‫‪44‬‬ .‬‬ ‫?‬ ‫‪?1‬‬ ‫مقدار ‪ H‬برای بخار آب بسیار بیشتر از گاز اکسیژن می باشد‪.‬‬ ‫‪ :5-9-8‬وابستگی به فشار‬ ‫در مدل دیل‪-‬گروو ‪ A‬به فشار بستگی ندارد و‬ ‫‪ -‬در اکسایش تر پارامتر ها ‪ B‬و ‪ B/A‬متناسب با فشار جزئی‬ ‫اکسید کننده می باشند‪. ‫شکل ‪ :43-5‬وابستگی دمایی برای ضرایب ‪ B/A‬و ‪ B‬برای اکسایش تر و خشک‬ ‫‪ :5-9-7‬رفتار مورد انتظار پارامترها‬ ‫‪1 1‬‬ ‫) ‪A = 2? ( +‬‬ ‫که معموال ‪h ≫ K s‬‬ ‫?? ‪ℎ‬‬ ‫????‪2‬‬ ‫=?‬ ‫رفتار دمایی به وسیله ? مشخص می شود ‪.‬‬ ‫‪?1‬‬ ‫??? ?? ?‬ ‫≈‬ ‫رفتار دمایی به وسیله ?? مشخص می شود ‪.‬‬ ‫‪ -‬در اکسایش خشک پارامتر ‪ B‬متناسب با فشار جزئی اکسید‬ ‫کننده می باشد اما برای ‪ B/A‬داریم‬ ‫?‬ ‫‪? ??? .

‬‬ ‫اضافه کردن هیدروژن کلرید به گاز‪:‬‬ ‫‪ -‬در صورت اضافه نمودن هیدروژن کلرید (به میزان ‪ 1‬تا ‪3‬‬ ‫درصد) یون های فلزی از بین می روند‪.68‬برابر‬ ‫کوچکتر (یعنی ‪ A‬به میزان ‪ 1.‬‬ ‫‪ -‬همچنین باعث افزایش نرخ اکسایش (احتماال به این دلیل که‬ ‫هیدروژن کلرید با اکسیژن واکنش می دهد و آب به وجود می‬ ‫آورد) می شود‪. ‫‪ :5-9-10‬جهت گیری کریستالی‬ ‫تعداد اتم های سیلیکون در واحد سطح روی سطح ویفر بستگی به‬ ‫جهت گیری کریستالی دارد‪ ،‬اما تعداد پیوند های سیلیکون‪-‬‬ ‫سیلیکون در واحد سطح اهمیت دارد زیرا‪:‬‬ ‫‪ ks -‬را تحت تاثیر قرار می دهد‪.‬‬ ‫‪ :5-9-12‬هندسه رشد اکسید‬ ‫با توجه به اطالعاتی که در زیر آمده است می توان نسبت ضخامت‬ ‫سیلیکون مصرف شده به ضخامت اکسید تولید شده را به دست آورد‬ ‫و بنابراین می توان دریافت که اکسایش به چه میزان ضخامت را‬ ‫زیاد می کند‪.‬‬ ‫‪45‬‬ .‬‬ ‫‪ :5-9-11‬عوامل دیگر‬ ‫میزان دوپینگ پایه‪:‬‬ ‫‪ -‬میزان دوپینگ بیشتر باعث افزایش میزان ‪ B/A‬می شود ولی‬ ‫‪ B‬را تغییر نمی دهد‪.‬‬ ‫‪ -‬جهت کریستالی (‪ )111‬دارای بیشتری چگالی پیوند سطحی است‪.‬‬ ‫نتایج‪:‬‬ ‫‪ B -‬غیر وابسته به ‪ ks‬و در نتیجه جهات کریستالی است‪.‬‬ ‫‪ -‬دلیل آن احتماال به علت افزایش عیوب کریستالی که باعث‬ ‫افزایش سریع تر حجم می شوند‪ ،‬می باشد‪.68‬برابر بیشتر است) از ویفر‬ ‫ها با جهت (‪ )111‬است‪.‬‬ ‫‪ -‬برای ویفر ها با جهت (‪ B/A ،)100‬به میزن ‪ 1.

‬‬ ‫‪ :5-10-2‬نفوذ از دیدگاه وارد کردن دوپانت‬ ‫‪ -‬در کوره انجام می شود (مشابه اکسایش)‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Dopant Introduction‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Dopant Redistribution‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Ion Implantation‬‬ ‫‪46‬‬ .‬‬ ‫‪ o‬نفوذ به مرحله پخش کردن بخش کاشت دوپانت ها اتالق‬ ‫می شود‪. ‫‪ :5-10‬نفوذ (قسمت اول)‬ ‫‪ :5-10-1‬تاریخچه‬ ‫‪ -‬عنوان "نفوذ" در صنعت نیمه رسانا به صورت متفاوت مورد‬ ‫استفاده قرار گرفته است‪:‬‬ ‫دوپانت‪1‬‬ ‫‪ o‬وارد کردن‬ ‫دوپانت‪2‬‬ ‫‪ o‬پخش کردن‬ ‫یون‪3‬‬ ‫‪ -‬امروزه بیشتر فرآیند ها دوپانت ها را از طریق کاشت‬ ‫وارد می کنند‪.

‬‬ ‫‪ -‬کاربرد ها‪:‬‬ ‫‪ o‬نسل قطعات قدیمی تر از ‪ 2‬میکرومتر‬ ‫‪ o‬مراحل با دوپ باالی ترانزیستور های دو قطبی (امیتر)‬ ‫‪ o‬دوپینگ پلی سیلیکون‬ ‫‪ :5-10-3‬نفوذ از دیدگاه پخش کردن دوپانت‬ ‫‪ -‬پخش اولیه دوپانت معموال به وسیله کاشت یون انجام می‬ ‫شود‪.‬‬ ‫‪ o‬منبع مایع‪ BBr3 ،POCl3 :‬و غیره به همراه حباب ساز‬ ‫‪( N2‬که معمول ترین روش است)‬ ‫‪ o‬منبع گاز‬ ‫‪ -‬دوپانت ابتدا در از باالی ویفر وارد می شود و سپس به‬ ‫داخل نفوذ می کند‪.‬‬ ‫‪ o‬کاشت یون ساختار کریستالی را خراب می کند و مناطقی‬ ‫از سیلیکونی که جهت کریستالی معینی ندارد‪ 1‬را به‬ ‫وجود می آورد‪.‬‬ ‫‪ -‬در غلظت های بیشتر حد حاللیت جامد در سیلیکون انجام می‬ ‫شود کنترل بهتری بر روی آن بتوان اعمال کرد‪. ‫‪ -‬دوپانت ها به سه طریق وارد ویفر می شوند‪:‬‬ ‫‪ o‬منبع جامد‪ :‬دیسک های ‪ AlAsO4 ،BN‬و غیره بین ویفر‬ ‫ها در ظرف قرار می گیرند‪.‬‬ ‫‪ o‬دما های باال برای رشد مجدد کریستال و فعال سازی‬ ‫دوپانت مورد نیاز است (آنیل کردن)‬ ‫‪ o‬این دما های باال باعث نفوذ دوپانت ها نیز می شود‬ ‫(در حقیقت موارد ‪ 2‬و ‪ 3‬با هم انجام می شوند)‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Amorphous‬‬ ‫‪47‬‬ .

‫‪ -‬هدف پیدا کردن توزیع نهایی دوپانت می باشد‪.z.‬‬ ‫‪ :5-10-4‬کلیات قوانین نفوذ‬ ‫قانون اول فیک (در یک بعد)‪:‬‬ ‫معادله پیوستگی (توازن جرمی)‪:‬‬ ‫ترکیب قانون اول فیک با معادله پیوستگی قانون دوم فیک را‬ ‫می ده‪.y.‬‬ ‫در یک بعد‪:‬‬ ‫و در سه بعد‪:‬‬ ‫‪ :5-10-5‬حل معادله نفوذ‬ ‫برای حل معادله نفوذ به موارد زیر نیاز داریم‪:‬‬ ‫‪ -‬یک شرط اولیه‬ ‫‪ -‬دو شرط مرزی برای هر بعد‬ ‫‪ -‬دانش در مورد ضریب نفوذپذیری )‪ D(x.t‬یا )‪D(C‬‬ ‫‪48‬‬ .

0) = 0 -‬برای ‪( z > 0‬شرط اولیه)‬ ‫‪C (∞. ‫‪ :5-11‬نفوذ (قسمت دوم)‬ ‫برای حل در این قسمت فرض می کنیم که ‪ D‬ثابت است و در حالت‬ ‫تک بعدی داریم‪:‬‬ ‫‪ :5-11-1‬حالت اول‪ :‬منبع ثابت‬ ‫شرایط اولیه و شرایط مرزی از قرار زیر هستند‪:‬‬ ‫‪( C (0. t) = Cs -‬غلظت در باالی ویفر ثابت است)‬ ‫‪ C (z. t) = 0 -‬‬ ‫حل‪:‬‬ ‫که در آن به ‪ √Dt‬طول نفوذ‪( 1‬میانگین فاصله ای که دوپانت‬ ‫طی می کند) گفته می شود‪.‬‬ ‫تابع ‪ erfc‬به صورت زیر تعریف می شود‪:‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Diffusion Length‬‬ ‫‪49‬‬ .

‫میزان دوز دوپانت‪:1‬‬ ‫دوز کلی یا ‪ QT‬تعداد کل دوپانت ها در واحد سطح می باشد‪:‬‬ ‫برای حالت منبع ثابت داریم‪:‬‬ ‫‪ :5-11-2‬حالت دوم‪ :‬منبع محدود‬ ‫‪2‬‬ ‫‪ :5-11-3‬حالت سوم‪ :‬منبع گوسی‬ ‫‪ :5-11-4‬موارد استفاده از حالت های مختلف‬ ‫‪ :5-12‬نفوذ (قسمت سوم)‬ ‫‪ :5-12-1‬انواع ناخالصی ها‬ ‫‪ :5-12-2‬مکانیزم های نفوذ‬ ‫‪ :5-12-3‬دیگر مکانیزم ها‬ ‫‪3‬‬ ‫‪ :5-12-4‬بهبود از طریق میدان الکتریکی‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Dopant Dose‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Buried Gaussian Source‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Electric Field Enhancement‬‬ ‫‪50‬‬ .

‫‪ :5-12-5‬اثر نفوذ پذیری غیر ثابت‬ ‫‪ :5-12-6‬حل مسائل نفوذ‬ ‫‪ :5-12-7‬مراحل چندگانه نفوذ‬ ‫‪ :5-12-8‬رفتارسنجی دوپانت های نفوذ یافته‬ ‫‪ :5-13‬ایمپلنت (کاشت) یون‪( 1‬قسمت اول)‬ ‫‪ :5-13-1‬کلیات ابزار کاشت یون‬ ‫‪ :5-13-2‬ابزار کاشت یون‬ ‫‪ :5-14‬کاشت یون (قسمت دوم)‬ ‫‪ :5-14-1‬مدل های کاشت یون‬ ‫‪2‬‬ ‫‪ :5-14-2‬اتالف انرژی‪ :‬درگ‬ ‫‪3‬‬ ‫‪ :5-14-3‬پخش شدن‬ ‫‪ :5-14-4‬مدل گوسی‬ ‫‪ :5-14-5‬پخش شدن جانبی‬ ‫‪ :5-14-6‬یافتن پارامتر های مدل‬ ‫‪ :5-15‬کاشت یون (قسمت سوم)‬ ‫‪4‬‬ ‫‪ :5-15-1‬پدیده کانالی شدن (چنلینگ)‬ ‫‪ :5-15-2‬روش کاهش چنلینگ‬ ‫‪5‬‬ ‫‪ :5-15-3‬پدیده سایه افتادن‬ ‫‪6‬‬ ‫‪ :5-15-4‬کاشت ماسک‬ ‫‪ :5-15-5‬آسیب های ناشی از کاشت‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Ion implantation‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Drag‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Scattering‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪Channelling‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪Shadowing‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪Implant masking‬‬ ‫‪51‬‬ .

‫سریع‪1‬‬ ‫‪ :5-16‬فرآیند گرمادهی‬ ‫‪2‬‬ ‫‪ :5-16-1‬چالش جفت های کم عمق‬ ‫‪ :5-16-2‬فرآیند گرمادهی سریع‬ ‫‪ :5-16-3‬مکانیزم های انتقال حرارت‬ ‫‪ :5-16-4‬گرمایش تشعشعی‬ ‫‪ :5-16-5‬مدل های گرمادهی‬ ‫‪ :5-16-6‬استفاده های فرآیند گرمادهی سریع‬ ‫‪ :5-17‬تبخیر‪( 3‬قسمت اول)‬ ‫‪4‬‬ ‫‪ :5-17-1‬روش های دیپازیت کردن‬ ‫‪ :5-17-2‬تبخیر‬ ‫‪ :5-17-3‬روش های ذوب کردن "شارژ‪( " 5‬ماده ای که قرار است‬ ‫دیپازیت شود)‬ ‫‪6‬‬ ‫‪ :5-17-4‬تبخیر با روش پرتو الکترون‬ ‫‪ :5-17-5‬منبع تبخیر پرتو الکترونی‬ ‫‪ :5-17-6‬آلیاژهای دیپازیت‬ ‫‪ :5-17-7‬کنترل دیپازیت‬ ‫‪ :5-17-8‬ابزار تبخیر‬ ‫‪ :5-18‬تبخیر (قسمت دوم)‬ ‫‪ :5-18-1‬خالء‬ ‫‪7‬‬ ‫‪ :5-18-2‬مسیر آزاد میانگین‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Rapid Thermal Processing‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Shallow junction‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Evaporation‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪Deposition‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪Charge‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪E-Beam Evaporation‬‬ ‫‪7‬‬ ‫‪Mean Free Path‬‬ ‫‪52‬‬ .

‫‪ :5-18-3‬هندسه تبخیر‬ ‫‪ :5-18-4‬هندسه ویفر های چندتایی‬ ‫‪ :5-18-5‬پوشش دهی پله‪-‬پدیده سایه افتادن‬ ‫‪ :5-18-6‬بازنگری کلی تبخیر‬ ‫‪ :5-19‬اسپاتر کردن‪( 1‬قسمت اول)‬ ‫‪ :5-19-1‬مکانیزم اسپاتر کردن‬ ‫‪ :5-19-2‬سیستم های اسپاتر کردن‬ ‫‪ :5-19-3‬قشار‬ ‫‪2‬‬ ‫‪ :5-19-4‬راندمان اسپاتر‬ ‫‪3‬‬ ‫‪ :5-19-5‬اسپاتر کردن به روش مگنترون‬ ‫‪ :5-20‬اسپاتر کردن (قسمت دوم)‬ ‫‪ :5-20-1‬پوشش دهی پله‬ ‫‪ :5-20-2‬کاربرد پر کردن سوراخ‬ ‫‪ :5-20-3‬روش های کاهش پوشش دهی پله‬ ‫‪ :5-20-4‬تمیز کردن با استفاده از اسپاتر‬ ‫‪4‬‬ ‫‪ :5-20-5‬اسپاتر کردن با بایاس‬ ‫‪ :5-20-6‬فرآیند نمونه‬ ‫‪ :5-20-7‬تنش‬ ‫‪ :5-20-8‬کیفیت فیلم‬ ‫‪ :5-21‬دیپازیت کردن شیمیایی با بخار‪( 5‬قسمت اول)‬ ‫‪ :5-21-1‬مکانیزم ساده شده ‪CVD‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Sputtering‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Sputter Yield‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Magnetron Sputtering‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪Bias Sputtering‬‬ ‫‪5‬‬ ‫)‪Chemical Vapor Depostion (CVD‬‬ ‫‪53‬‬ .

‫‪ :5-21-2‬مرحله اول مکانیزم ‪CVD‬‬ ‫‪ :5-21-3‬مرحله دوم مکانیزم ‪CVD‬‬ ‫‪ :5-21-4‬حالت پایا‬ ‫‪ :5-21-5‬معادله نرخ دیپازیت ساده شده‬ ‫‪ :5-21-6‬اثر دما‬ ‫اثر دما در نرخ دیپازیت‬ ‫‪:5-21-7‬‬ ‫‪ :5-22‬دیپازیت کردن شیمیایی با بخار (قسمت دوم)‬ ‫‪ :5-22-1‬طراحی اتاقک ‪CVD‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ :5-22-2‬اتاقک ‪ CVD‬کنترل شونده با واکنش‬ ‫‪2‬‬ ‫‪ :5-22-3‬اتاقک ‪ CVD‬کنترل شونده با نفوذ‬ ‫‪ :5-22-4‬تاثیر فشار‬ ‫‪ :5-22-5‬اثر فشار بر نرخ ‪CVD‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪ CVD :5-22-6‬در فشار اتمسفر‬ ‫‪4‬‬ ‫‪ CVD :5-22-7‬در فشار پایین‬ ‫‪5‬‬ ‫‪ CVD :5-22-8‬بهبود یافته پالسما‬ ‫‪ :5-23‬فرآیند های دیپازیت‬ ‫‪ :5-23-1‬تکنیک های دیپازیت‬ ‫‪6‬‬ ‫‪ :5-23-2‬سیلیکون اپی تاکسیال‬ ‫‪ :5-23-3‬پلی سیلیکون‬ ‫‪ :5-23-3‬سیلیکون نیترید (‪)Si3N4‬‬ ‫‪ :5-23-4‬سیلیکون دی اکسید (‪)SiO2‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪Reaction Controlled CVD‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪Diffusion Controlled CVD‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪Atmospheric CVD‬‬ ‫‪4‬‬ ‫)‪Low Pressure CVD (LPCVD‬‬ ‫‪5‬‬ ‫)‪Plasma-Enhanced CVD (PECVD‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪Epitaxial silicon‬‬ ‫‪54‬‬ .

‫‪ :5-23-5‬فلزی کردن با آلومینیوم‬ ‫‪ :5-23-6‬تنگستن‬ ‫‪ :5-23-7‬دیگر فلزات‬ ‫‪ :5-24‬عایق بندی محصوالت‬ ‫‪ :5-24-1‬فرآیند ‪LOCOS‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪ :5-24-2‬فرآیند عایق بندی با چاله کم عمق‬ ‫‪1‬‬ ‫)‪Shallow Trench Isolation (STI‬‬ ‫‪55‬‬ .