LAPORAN PRAKTIKUM

SENSOR DAN TRANSDUSER

Kelas

Nama/NIM Praktikan

Partner

Nama/NIM

No. Percobaan : 25
No/Nama Modul
: The Photoconductive Cell
Percobaan
Tanggal Pelaksanaan : 27 Maret 2017

Tanggal Pelaporan : 1 April 2017

PROGRAM STUDI D3 TEKNIK ELEKTRONIKA
POLITEKNIK NEGERI BANDUNG

I. Tujuan

Elektron melompati celah energi menuju pita pita konduksi. Untuk mendapatkan intensitas dan respon kemiringan dari dari sebuah Cadmium Sulphide Photo-conductive Cell (Mulard Type RPY33) dan untuk menguji penggunaan alat. Pertimbangan pertama akibat pendopingan pada semiconductor. beberapa hal kemungkinan dapat terjadi. Elektron ditingkan sampai pita konduksi dan berperan sebagai antaran sebesar lubang yang tertinggal pada pita valensi. Energinya dapat direpresentasikan pada diagram pita energi. II. semua elektron valensi memiliki bentuk ikatan kovalen bersama dengan tetangganya. seperti pada gambar 25. Hal ini akan terlihat pada pita energi sebagai tingkat energi diatas pita konduksi atau diatas pita valensi. Jika photon dari energi yang disinari seperti contoh. Pasangan elektron/lubang dapat dibangkitkan oleh energi photon yang tinggi seperti yang telah dijelaskan diatas.1 i. Hal ini cocok untuk memperkecil energi yang diperlukan untuk memecahkan ikatan kovalen dan bentuk pasangan lubang/elektron. Sejumlah kecil doping yang tepat dapat diperkenalkan sebagai tambahan lubang (tipe P) atau tambahan elektron (tipe N) karena struktur atomnya. Sebuah elektron pada tingkat donor (untuk tipe N) dapat diexitasi menuju pita konduksi . Hal ini disebut intrinsic excitation ii. Landasan Teoritis Pada kristal semikonduktor murni. Ada suatu celah energi terlarang kira-kira sebesar 1eV antara pita valensi dan pita konduksi.

dan faktor-faktor yang lain. Bagaimanapun. probabilitas bahwa photon akan mengeluarkan elektron. seperti pada gambar dibawah. sisa dari pembawa akan terdapat pada arus komponen yang tergantung pada jumlah dari photon. Hal ini mempengaruhi waktu respon dari komponen. Pembawa yang dibangkitkanoleh photo-excitation akan bergerak jika teganan external dipasang pada komponen. Pada tempertur ruang. Proses yang sebenarnya sangatlah komplek dan tergantung pada beberapa faktor. termasuk waktu hidup pembawa dan mobilitas yang tergantung dari rekombinasi dan hiasannya. Hal ini memungkinkan terjadinya penggabungan dengan lubang atau elektron yang sesuai sebelum mereka mencapai tepi dari bahan. karena konsentrasi dari doping sangat kecil. memotong arus yang ada atau membuat non linier. iii. termasuk berat jenis pada pita energi. Sebuah elektron valensi memungkinkan mengisi lubang di tingkat acceptor (untuk tipe P) Kedua transisi tersebut dikenal sebagai impourity excitations dan memerlukan energi kurang dari inctrinsic excitations. berat jenis pada keadaan di pita konduksi dan valensi secara besar melampaui berat jenis dari keadaan doping. Penimbunan reguler pada gerakan difusi acak akan bertubrukan dengan yang lain. Beberapa tingkat akan menagkap elektron untuk waktu tertentu sebelum dikembalikan menuju pita konduksi untuk perjalanan selanjutnya. Pengaruh panas juga ikut berperan Rekombinasi bekerja secara langsung pada permukaan atau bagian dalam pada isi semikonduktor. kebanyakan atom-atom dari doping diionisasi. . Rekombinasi isi bekerja pada tingkat doping kosong pada celah energi.

Alat dan Bahan  Power Supply : 1 buah  Multimeter Analog : 1 buah  Light Transducer box : 1 buah  Light bulb on base : 1 buah  Mechanical Assembly : 1 buah  Resistance decade box : 1 buah . Diperlukan jumlah energi yang sedikit untuk menaikannya kembali menuju pita konduksi dan secara konsekuen mereka menghabiskan sisa waktunya terperangkap seperti gambar dibawah III. Sebuah bahan dengan konsentrasi doping yang rendah akan menghasilkan komponen dengan sensitivitas yang rendah. Jika lebih banyak doping yang ditembahkan. Pada suhu ruangan. hal ini meningkatkan donor menjadi dibawah pita konduksi. Gambar Rangkaian IV. kebanyakan donor elektron telah meningkat menuju pita konduksi sehingga ada banyak ruang kosong dibawah pita konduksi yang mana elektron jatuh atau terperangkap.

2. Merangkai rangkaian seperti pada gambar rangkaian percobaan.5 2 1.18 M . Menutupi area sekitar transducer dari cahaya luar. 6. Mengatur variable dc control pada posisi minimum dan menyalakan power supply kemudian memastikan lampu menyala.4 1. 5. Multimeter dipasang untuk mengukur arus. Menyiapkan alat dan bahan yang akan digunakan untuk percobaan ini.6 1. 3. Mengukur arus dan hambatan pada rangkaian relative illumination 100% kemudian catat pada tabel percobaan 1.5 1.5 1.37 M 60 75.20 M 80 84 1. 4. 8.28 M 10 32 1. 7.8 1.5 1.71 M 30 48.30 M 70 80.1 2.3 1. Mengulangi langkah percobaan (1-7) kemudian mengatur angle dari transducer sesuai pada tabel percobaan 2.5 1.09 M 90 87.  Kabel penghubung : secukupnya V. dan mengatur variable dc hingga arus yang terukur sekitar 8mA.2 2. Mengatur relative illumination 90-10% kemudian catat pada tabel percobaan 9.5 1.25 1. Memutar bagian tengah agar cahaya dari lampu jatuh tepat ditengah dan tegak lurus pada transducer.5 1. Langkah Percobaan 1. VI.53 M 40 61 1.02 M 20 28 1.25 2.91 M 25 40 1.42 M 50 69. Data Percobaan Tabel Percobaan 1 Relative Scale Setting Device Resistance Current (mA) Illumination (%) Required (Ω) 100 90 2.

3 0.5 0 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 Tabel Percobaan 2 Angle (degrees) Current (mA) -30 0.5 2 1.28 10 0.19 15 0.25 -10 0.26 -5 0.28 0 0.19 -25 0.20 -20 0.18 20 0.16 Percobaan 2 0. 3 2.2 Current (mA) 0.24 -15 0.29 5 0.17 30 0.5 Current (mA) Device Resistance (MΩ) 1 0.1 0.05 0 -30 -25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20 25 30 .25 0.15 0.35 0.17 25 0.

25.1 Pada percobaan 1 grafik berbentuk mendekati linear.VII.  Pada percobaan 2 saat transducer diletakkan 0° tegak lurus terhadap lampu nilai arus yang dihasilkan lebih besar dibandingkan dengan derajat kemiringan transducer yang lainnya. Analisa  Pada percobaan 1 saat lampu diletakan dengan relative illumination 100% nilai resistansi yang dihasilkan lebih kecil dibandingkan dengan relative illumination 10%. Kelebihan dari photoconductive cell adalah resistansi keluarannya dapat diatur dengan pengaturan cahaya sekitar area transducer.9 Penerapan dari transducer ini adalah pada televisi.  Pada percobaan 1 saat lampu diletakan dengan relative illumination 100% nilai arus yang dihasilkan lebih besar dibandingkan dengan relative illumination 10%. namun nilai yang terukur bernilai kecil. sehingga diantara sudut tersebutlah alat tersebut masih dapat berguna.2 Dengan menghitung linearitas dari grafik tersebut.4 Karena untuk mengetahui arus yang dihasilkan dari photoresistor dan membandingkannya dengan nilai resistansi yang dihasilkan transducer.8 Kekurangan dari photoconductive cell adalah arus yang dihasilkan relatif kecil sekitar satuan mili ampere dan resistansinya yang kecil bila digunakan dalam ruangan terbuka (cahaya terang). VIII.7 Hasilnya mungkin lebih optimal dengan grafik yang dihasilkan lebih linear. 25. 25.6 Hal tersebut diakibatkan karena bentuk geometri dari transduser box dan kebutuhan lubang cahaya di bagian depan transduser box.5 Dari data praktikum diatas memperlihatkan bahwa sudut kemiringan antara -30° sampai 30° dari photoconductive cell masih mengalirkan arus meskipun nilainya kecil. 25. 25. . 25.3 Tidak. 25. Pertanyaan dan jawaban 25. 25. ketika area sekitar kecerahannya berubah maka brightness dari televisi yang ditampilkan juga akan berubah.

 Pengaruh dari cahaya luar mempengaruhi nilai resistansi yang dihasilkan photoconductive cell. error tersebut meliputi : 1. . Kondisi transducer photoconductive cell.  Skala yang dihasilkan dari photoconductive cell antara nilai relative illumination (kecerahan). maka semakin besar nilai resistansi yang dihasilkan oleh transducer tersebut. 2. 4. Posisi perpindahan lampu yang jaraknya digeser tidak pas sempurna.  Dalam praktikum ini terdapat sejumlah error pada percobaan yang menyebabkan grafik photoconductive cell dengan nilai relative illumination dan nilai arus serta resistansi yang tidak linear sempurna. Waktu pengambilan data dari tiap relative illumination yang berbeda-beda sehingga kemungkinan transducer belum stabil.  Karakteristik Photoconductive cell adalah semakin kecil nilai intensitas cahaya yang dideteksi oleh transducer. Cahaya dari luar yang mempengaruhi nilai keluaran transducer.  Perbandingan antara nilai arus dan resistansi yang dihasilkan adalah berbanding terbalik. dengan nilai resistansi yang dihasilkan adalah linear.  Photoconductive cell memiliki skala linear untuk perbandingan nilai relative illumination dan nilai resistansi yang dihasilkannya. Kesimpulan  Perbandingan antara nilai intensitas cahaya dan resistansi yang dihasilkan adalah semakin besar relative illumination (intensitas cahaya) nya semakin kecil nilai resistansinya. IX.  Perbandingan antara nilai intensitas cahaya dan arus yang mengalir adalah semakin besar relative illumination (intensitas cahaya) nya semakin besar nilai arusnya. 3.