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Ss"j'MaINSTlTUTO
POLITECNICNOACIONAL
~ '. :.': '{ .' ".~;, ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA
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.....". :~:';.~'i.t~::: -r: "~''''''~
H MECANICA V ELECTRICA

C)'1:'i8:~j:::O
V'f!!',
I
"ESTUDIO DEL KL YSTRON REFLEX"

T E S S
Que para obtener el titulo de:
Ingeniero en Comunicaciones , Electr6nica
p e e n t a
RAUL VALENCIA ALVARADO
MEXICO. O. F. , 9 8 1
1PN
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA y ELECTRICA
TEMA DE TESIS

Que, como trabajo escrito para sustentar el Examen Profesional


y obtener el ttulo de Ingeniero en comunicaciones y Electrni_
ca deber desarrollar el Pasante c. RAUL VALENCIA ALVARADO.

Tema: ESTUDIO DEL KLYSTRON REFLEX.

Objetivos del Tema: DISEAR UN KLYSTRON REFLEX DE BAJA I'OTENCIA.

Puntos a desarrollar:

ANTECEDENTES

1.- INTRODUCCION.

11.- CA90N ELECTRONICO.

II 1 .- TEORIA DE CA 'IIDADES
RESONANTES.

IV.- INTERCAMBIO DE ENERGIA ENTRE UN HAZ DE

ELECTRONES Y UN CAMPO DE R.F.

V.- DISEO.

REFERENCIAS.

Mxico, D.F., a 28 de Enero de 1980.

c. EDUARDO MEZA OLVEW,

HA.

"
IGLESIAS.
A LA MEMORIA DE MI PADRE,

FUENTE DE ETERNA MOTIVACION.


Agradezco al Ing. Mario vizquez Reyna la proposicin,

correccin y crtica del presente trabajo; de igual

manera agradezco ~ M. en C. Eduardo Meza Olvera su

total colaboracin en el desarrollo del mismo.

Por ltimo, deseo expresar mi agradecimiento al

Instituto Nacional de Investigaciones Nucleares por

su ayuda econmica para la impresin de esta tesis.


1 N D 1 C E

Pago

ANTECEDENTES.- Historia. 1
Situacin actual. 3
Objetivo. 7

CAPITULO 1.- INTRODUCCION. 8


1.1.- Funcionamiento del klystron. 8
1.2.- Oscilacin inicial en la ca-
vidad resonante. 15
1.3.- Descripcin fsica. 16
1.4.- Haz electrnico. 16
1.5.- Cavidad resonante. 17
1.6.- Diagrama de Applegate. 18
1.7.- Angulo de trnsito 19

CAPITULO 11.- CAON ELECTRONICO. 21


2.1.- Emisin de electrones. 21
2.2.- Diodos limitados por efectos
de carga-espacial. 26
2.2a.- Electrodos plano-paralelos. 29
2.2b.- Cilndricos concntricos. 31
2.2c.- Esfricos concntricos. 31
2.3.- Caaones electrnicos. 33
2.4.- Enfocamiento del haz. 34

CAPITULO III.- TEORIA DE CAVIDADES RESONANTES. 37


3.1.- Funciones ortogonales en una
cavidad. 37
3.2.- Ecuaciones de Maxwell en la
cavidad. 40
. ; Oscilaciones libres y amorti-
guadas en la cavidad. 42
3.4.- Impedancia de entrada de la
cavidad. 44
3.5.- Corrientes elctricas dentro
de la cavidad. 47
3.6.- Perturbac Ln de fronteras. 49

CAPITULO IV.- INTERCAMBIO DE ENERGIA ENTRE UN HAZ DE


ELECTRONES Y UN CAMPO DE RADIO FRECUENCIA.
51
4.1.- Modulacin de velocidad. 51
4.2.- Ecuaciones generales de co-
rriente. 55
4.3.- Transferencia de energa 62
4.4.- comportamiento de los elec-
trones en el espacio refles
tor del klystron reflex. 64
4.5.- Agrupamiento en el klystron
reflex. 66
4.6.- Admitancia electrnica. 66
4.7.- Potencia del reflex. 70
CAPITULO V.- DISEO 71
5.1.- Corriente del caon electrQ
nico. 71
5.2.- Frecuencia de oscilacin. 72
5.3.- Potencia. 75
5.4.- Eficiencia. 75
5.5.- Figura del klystron. 75

CONCLUSIONES 77

APENDICE I
i
APENDICE II
ii
APENDICE IrI
iii
APENDICE IV
viii
APENDICE V
ix

REFERENCI.P.S BIBLIOGRAFICAS 78
- 1 -

ANTECEDENTES

Historia.- En la cuarta dcada del presente siglo, el proble_

ma principal de las comunicaciones fue la produccin de poten--


cias grandes en longitudes de onda cortas.
(1) ,
Las investigaciones clsicas de Llewellyn relac~onadas con

los efectos del tiempo de trnsito permitieron crear una buena

teoria de la operacin de los triodos en altas frecuencias y de_

mostrar que era necesario disminuir las dimensiones y espacia--

mientos electrdicos y aumentar los potenciales de operacin.

Por supuesto, el triodo no fu la nica posibilidad. En el


(2-3)
rea de los magnetrones se trabaj intensamente. En 1936 Kil
(4)
gore logr obtener una potencia de 100 W en la frecuencia de -
('.5)
600 MHz, Cleeton y williams lograron frecuencias de 46.8 GHz

en bajas potencias.

La publicacin casi simultnea de la informacin del "klys-

tron" de los hermanos varian(6), los tubos de modulacin de ve-

locidad de Hahn y Metcalf(7) , y el amplificador de salida induc_

tiva de Haeff y Nergaard(8)despert6 gran inters. En las dos

primeras fuentes, el principio de operacin llega a ser univer-

salmente conocido como modulacin de velocidad (M.V.) y se lle-

va a cabo en forma total, en cambio en la tercer fuente este

principio slo se cumple parcialmente. En este punto se deber


,
decir que la M.V. fue descr~ta algunos afios antes por He~'1(9)en
- 2 -
Alemania.
(6,10)
Un grupo de personas que trabaj en forma conjunta en

la universidad de Stanford se atribuye el crdito de utilizclr

cavidades resonantes en la aplicacin de este nuevo principio

(M.V.) y obtuvieron como resultado el pr o t o t po de los k Iy


st.ro.. actuales.

El primer ~so del klystron fu como fuente de oscilQciones

de alta potencia y alta frecuencia. A mediados de 1940 ap.:I!.ecen


(11 )
los klystron desmontables con potencias de varios cientos de

watts en los intervalos de 10 y 15 cm de longitud de onda, USdl"'._

do potenciales de aceleracin de 12 KV. A finales de 1940 se

construye el primer klystron reflex en Inglaterra, esta vlvula

la NR89 inmediatamente fuE'reemplazada por tubos ms sofistica-

dos.
(11)
A mediados de 1941 McNally de los laboratorios Bell prod:1_

jo un klystron reflex de bajo potencial (300 V) que supera las

dificultades inherentes de las vlvulas Inglesas que requeran

de 1.2 a 2.0 KV, e inmediatamente se convierte en el protot:.ipo

de una serie de tubos.

Es difcil dar una informacin completa en tan pocas pal---

bras de la rapidez con que se desarrollaron los klystron en e--

SOS das iniciales, y afines ms dificil dar cr~dito a cadH uno

de los que contribuyeron al trabajo; pues no Se tuvo informa---

cin de lo que se hizo en Rusia, Francia y Alemania. Gran canti_


- 3 -

dad del trabajo publicado ~or los paises que cuent~n con la ~cc_

nologia de los klystron ha sido de dudosa confiabilidad. pero

la acumulacin de experiencia es suficiente pdra dar informa--

cin confiable sobre la teora y prctica de los tubos de ~I.V.

Aparte de la importancia t~cnica de los tubos de N.V. I el es

tudio terico de sus procesos aclar an ms la teora de los

triodos que trabajan bajo condiciones de tiempo de trnsito y

tambje~ ~a operacin de los magnetrones. Todo esto es posible

debido a que sus funciones pueden ser separadas de tal manera

que se pueden estudiar los efectos de variacin de un simple pa_

rmetro. La teora de la M.V. es una buena introduccin a un es_

tudio de osciladores ms complicados. Como se ver posteriormen_

te en este trabajo, es natural considerar el intercambio de e--

nerga de los campos de radio frecuencia (R.F.) con el haz de

electrones sin tomar en cuenta cmo se produjeron los campos.

Situacin actual.- La etapa tecnolgica iniciada con el prin_

cipio de M.V., ha continuado ~ lo largo de sus casi cuarenta a-

os y se produjeron los klystron que han satisfecho las necesi-

dades tecnolgicas surgidas en el transcurso de ese intervalo.

En estos antecedentes no se pretende analizar todos los klys_

que se han construido a la fecha; slo se mencionarn algunos

de ellos y algunas de sus funciones.

El proble~a de diseo y construccin del klystron con poten-

cias en el orden de Megawatts fu~ tratado y resuelto en la Uni-


- 4 -

versidad de Stanford(12) , donde se lograron potencias de salida

en la vecindad de 20 MW con potenciales de 100 a 400 KV, en la

frecuencia de 3 GHz. Estos klystron fueron desarrollados para

9
ser utilizados en el proyecto del acelerador lineal de 10 e\'

en la misma universidad. El preYEcto .~ este acelerador surg1

cuando slo se contaba con osciladores con potencias del orden

de KW. Hasta 1947 se tenan aceleradores linedles alimentados

por magnetrones de 0.7 a 0.8 MW. Para llevar a cabo el proyecto

del acelerador lineal eran necesarios unos 400 !>lWde potencia

pulsada en la frecuencia de 3 GHz, si dicha potencia se produje_

ra por ste tipo de magnetrones se necesituran de ~OO a 600 de

ellos y la sintonizacin en fase seria muy dificil. En los aos

de 1948 a 1950 se trabaj satisfactoriamente en el proyecto de

ste acelerador con este tipo de klystron.

(13)
Se ha construido un nmero considerable de k1.ystron con

potencias de 10 a 20 KW en onda continua (o.c.) con frecuencias

de unos pocos cientos a varios miles de MHz, muy usaos en ra_

diodifusi6n de seales de televisin en U.H.F.


(14)
Hay otro tipo de klystron , electrostticamente enfocado,

muy til en radares y en sistemas de comunicacin; ste puede

ser montadQdirectamente en el punto focal de la antena. El L-39_

10 es un tubo ligero y opera en la banda-S (2.3 GHz) con una po_

tencia de 20 W. y un ancho de banda de 5.S MHz. El L-3912, ope-

ra en la banda-C (4.4 - 5.0 GHz), con una potencia de 1.3 KW en


- 5 -

o.c. y un ancho de banda de 6 ~iHz con una longitud de 28 cm y

7.7 Kg de peso. muy usados en radiocomunicacin troposfrica.

En 1962 se inicia un proyecto(15) propuesto por la Fuerza A-

rea de los Estados Unidos para construir un klystron que diera

1 MW de potencia en O.C. con la frecuencia de 8 rHz. el tubo pr~

puesto fue designado como el X-3030 y se construy hasta 1966.

En ese tiempo, los t~os de microondas de sUpP.r potencia es-

tuvieron representados por el VA-849 con 50 KW en O.C. en 9 GHz

que fu el ms poderoso que exista en ese tiempo. El uso de s-

te dispositivo se hizo en radioastronomia.

Los amplificadores de alta potencia en O.C. con frecuencia

por arriba de la banda-x(16) se usan en las comunicac~ones via

satlite, radar y radioastronomia.

El diseo de los klystron en O.C. en la banda-Ku (16 GHz)

con 25 KW Y en la banda-Ka (35 GHz) con 1 KW se desarroll para

aplicaciones especficas en radares especiales en los laborato-

rios Lincoln del Instituto Tecnolgico de Massachusetts.

En 1971 ms de 700 klystron(17) estuvieron en servicio como

amplificadores de alta potencia en U.H.F. para realizar la

transmisin de seal de televisin en 12s redes de comunicacin

europeas.

En Rusia(18), de donde se tiene poca informacin sobre este


- 6 -

tipo de dispositivos~ se usa el amplificador klystron KIV-12 en

aceleradores lineales, con una buena estabilidad de frecuencia.


(19)
El t~bo experimental X-3074 opera en 800 MHz con una po--

tencia de 75 KW en O.C. usado en un acelerador de part!culas en

U.S.A., tiene una ~ficiencia del 70% en un potencial de 33 KV

con una micropcrveancia de 0.5 .


(19)
El klystron VKC-7790 , transportable, de alta eficiencia,

10 KW de potencia, transmisor en la banda-C, con un ancho de

banda electrnico de 16 MHz, sintonizable en 4.4 a 5.0 GHz. Es-

te klystron es adecuado para usarse en estaciones terr.?stres en

sistemas de comunicacin va satlite, el ancho de banda del tu

bo se adapta al ancho de banda de operacin del sistema.


(19)
El klystron VKX-7799 de ancho de banda sintonizable, se

dise~ para cubrir la banda de comunicacin va satlite de 7.9

a 8.4 GHz con una potencia de 10 KW.

La demanda de klystron de peso ligero para los sistemas de

radiodifusin y para sistemas de comunicacin porttil ha ido

en aumento constante.
(19)
El klystron VKX-7752A opera en la banda-X con una poten--

cia pico de 120 KW o en potencia promedio de 500 W y un ancho

de banda de 220 MHz; su peso es de 4 Kg ; el VA-874(19)disefiado

para aplicaciones similares que el 'IllO'.-775t2ie,ne una

potencia menor (100 KW pico) y 250 w promedio con un ancho de


banda de
- 7 -

40 MHz y un peso de 15.8 Kg .

Los klystron Toshiba(20)de alta eficiencia; lAV95, lAV8l, y

lAva3 fueron construidos para transmitir la seftal de televisin

en V.H.F.; y el 2AV30 para la excitacin de microondas en poten_

cas de 10 KW.

Recientemente aparecen los klystron pticos (2l)que operan en

frecuencias mayores a los 3,000 GHz. Con ste nuevo tipo de

fuentes se ampla de una manera definitiva el campo de las comu

nicacones.

El objetivo fundamental del presente trabajo es llevar a ca-

bo el estudio de la teora y desarrollar una tcnica de disefto

de un klystron reflex de baja potencia, para construirlo en el

laboratorio de la Seccin de Graduados de la E.S.I.M.E.-I.P.N.,

se pretende alcanzar una potencia de 15 a 45 mW en frecuencias

de 8 a 10 GHz con potenciales de aceleracin bajos (300-400 v)

y corrientes de 15-25 roA; la sintona del dispositivo ser mec_

nica y tendr sintonizacin fina a travs del potencial del re-


-
flector (150 a 180 V negativos con respecto al resonador).

Fn l' I t r a ha j o s e u s e l S i s t e ma n t e r n a e ion a) d" 1)n ida d e s .


- 8
-

CAPITULA:) l.

INTRODUCCION.

Lo dicho en antecedentes es en forma general una descripcin

del origen y evolucin del klystron asi como algunas de sus a--

plicaciones.

En este capitulo se describen los principios que hacen posi-

ble el funcionamiento del klystron y las partes que lo integran.

, , (6-7,22-29)
1.1.- FunC10na~ento del klystron.- El klystron es

el resultado de una ingeniosa reduccin del tiempo de trnsito

(entre dos electrodos) de los electrones en un campo electromag_

ntico en donde se efectua un intercambio de energa. En el


kl ys t ron de dos caV1Ldad es resonantes (*), F~9. l.1 , un haz de e--

lectrones de corriente directa velocidad constante se


I'.:.D.y)

proyecta a travs de un par de rejillas (primera cavidad reso--

nante que se denomina agrupador) entre las cuales existe un cam_

po elctrico oscilante paralelo al flujo del haz, el campo va--

ra la velocidad de los electrones en cantidades apreciables

con respecto a la velocidad inicial. Al salir de la segunda re-

(*) Se define la cavidad resonante como un circuito Le que ad--

mite un nmero infinito de frecuencias de resonanciu. En .,1

ca- pitulo 111 se dan los principios que la rigen.


- 9 -
Seflal Seal
de de

--fJ
entrada salida

[1''[1-:/
,grUpado]

Ctodo y' J R eceptor

Anodo

Fig. l.) . Klystron de dos cavidades.

jilla, los electrones que adquieren un incremento positivo de -

velocidad se adelantan a los demas, la diferencia de velocida--

des hace posible el agrupamiento de electrones en el espacio si_


(*)
guiente (espacio de agrupamiento ): en cualquier punto mas -

all de la segunda rejilla del agrupador, la corriente del haz

la forma la C.D. inicial mas una corriente peridica C.A. ) -


(26)
no senoidal Fig. 1.2 Al pasar un segundo par de rejillas -

(segunda cavidad r~sonante que se denomina receptor) el haz a--

grupado cede S') energa al campo de R. F. que existe en la cavi-

dad. Este proceso hace posible la generacion de oscilaciones de

alta frecuencia en el receptor. El receptor y su acoplamiento -

de salida actan como un transformador pasa-bajo que transmite

la potencia til a la carga.

(*) Espacio entre ag rup a d o r y receptor, se considera en primera

aproximacin 1 ib r e de campos de C.1l., C.A. Y e f c c t o s de carga


- 10 -

r=o.o
r=o.5

N r=1.0

OLJOOUlJ -
r=1.84

o . Uuu_u_u_uuuU~O
Tiempo t2

Fig. 1.2.- Formas de onda que representan el

haz agrupado en la cavidad receptora en fun-

ci6n del parmetro de agrupamiento defini-

do en el capitulo IV como r }. Las curvas co_

rresponden a cuatro valores diferentes de r;

obtenindose la mxima corriente en r=l.84

de acuerdo al anlisis que se hace en el

ca- ptulo IV.


- 11 -

El tipo de funcionamiento arriba descrito, controla el flujo

electrnico en tres regiones: la regin de aceleracin de C.D.,

el agrupador que modula la velocidad y el espacio de agrupamien_

to en el cual la modulacin de velocidad se transforma en modu_

laci6n de densidad. La ventaja bsica del mtodo radica en el -

hecho de que la modulacin de velocidad se aplica despues de la

aceleracin de C.D.

En discusiones subsecuentes se ver que la operacin del

klystron es satisfactoria si se aplican potenciales pequeos de

radio frecuencia en el agrupador y se permite el trnsito de

electrones en un espacio de agrupamiento relativamente largo;

consideraciones mas precisas muestran que las fuerzas de desa--

grupamiento debidas a las interacciones entre electrones se

tornan perjudiciales si se tiene un espacio de agrupamiento

muy largo. El presente trabajo omite las fuerzas de desagrupa--

miento. Para espacios de agrupamiento muy cortos y potenciales

de R.F. considerablemente grandes en el agrupador se requieren

cavidades resonantes con altas impedancias en paralelo.

Los dispositivos klystron de dos cavidades y los de mas de -

dos cavidades se utilizan principalmente como amplificadores.

El amplificador klystron puede oscilar con tan solo retroali_

mentar parte de la seal de salida a la cavidad de entrada.


(24)
El amplificador klystron que trabaja con un potencial de
- 12 -

aceleracin de 2 KV alcanza potencias de salida de lB W a fre--

cuencias de 3 GHz, con una eficiencia del 10%; otros parmetros

de este tipo de amplificador son: la separacin de las rejillas

en ambas cavidades son de 0.23 cm, corriente del haz electrnL-

co de 93 mA, la prdida de electrones en cada rejilla es del 8%


, " (*) ,
la profundLdad de modu1acLon de 0.20 para un agrupamLento
ptimo.
(31-41)
El klystron de reflexin comnmente conocido como re-

flex Fig. 1.3 , difiere de las otras formas principalmente en

el hecho de que slo utiliza una cavidad resonante la cual

ac- ta simultneamente como agrupador y como receptor .En

lugar de recorrer un espacio de agrupamiento recto el haz es

regresado por un campo retardador producido por un electrodo

reflector

con un potencial negativo con respecto al resonador. En el haz

reflejado se forman los grupos, que resultan de la variacin

del tiempo de trnsito, en un proceso similar al movimiento de

(*) Se define la profundidad de modulacin como el cociente

del potencial de modulacin al potencial de aceleracin, si

el cociente es mucho menor que uno (V!VcIf 1) define un princi-

pio muy importante en este tipo de fuentes conocido como Mo--


l 30
dulacin de Pequefta Senal y fue una de las bases que

permitieron la realizacin de los klystron.


- 13 -

un objeto en un campo g rav i t a c i on a l (31-32) siempre que los c

fc c- tos de c a rg a c s p ac r al se desprecien y que el campo reflector

sea uniforme. El resultado final del proceso de agrupamiento en un


-- campo retardador difiere por un factor de fase de l80con
rcsnec- to al agrupamiento del klystron de dos cavidades. Los
electrones

rpidos (ta) penetran ms en el campo retardador que tb y tc' co-


mo se muestra en la Fig. 1.4; y por consiguiente tardan ms en --

hacer un viaje redondo; los electrones que hacen su primer trnsi

to en el agrupador y que fueron acelerados son alcanzados por ---

aqullos que partieron posteriormente y que fueron retardados.

v.
Fig. l.~ . Klystron reflex

Los k lv s t ron (24) que t rab aj an con p o t on c i a le s de aceleraci6n


de

300 V tienen potencias de salida trpicas de 30 mW en frecuencias

Je 9 (~fI:: y de 1SO mW cuando la f re cucn c ia de t rab a j o es de 3

Cllz , las eficiencias (*) asociadas a estos dispositivos son de

0.5' y

de 2.3\ respectivamente. Es posible sintonizar a la frecuencia

fundamental de la cavidad estos dispositivos klystron.


(*) La eficiencia se define como la relaci6n de la potencia de sa
lida a la potencia de entrada.
- 14 -

con tan solo cambiar el potencial del electrodo reflector. Para

los c~sos arriba mencionados se tienen intervalos de sintona

de 45 MHz y de 30 MHz respectivamente. El primero requiere de

un cambio de pot'2ncial en el reflector de solo 20 V Y de 33 V

en el otro. Esta facilidad de sintonizar a los klystron reflex

los hace deseables en el rea de modulacin de frecuencia en

transmisores de baja potencia y en general corno osciladores

10-
cales en microondas.

posicin
del reflector
respecto 1

1
del res01

nador ..
2 a. re J ~ f-+- ....-4-.1._-_lo.-_~-~
lla

potencial
de
interac-
ci6n
Fig. 1.4. Diagrama de Applegate
del klystron reflex.

Para oscilaciones sostenidas, el grupo de electrones debe

llegar al resonador cuando el campo de R.F. sea un mximo nega-

tivo, con esta condicin se logra que parte de la energa cin-

tica se transforme en energa electromagntica en el espacio de

interaccin de la cavidad resonante.

La mayora de los ~lectrones son colectados por las paredes

metlicas de la cavidad despus de haber dado su energa ~l cam


- 15 -

po del resonador, otros son interceptados por la rejilla y una

cantidad pequea de los mismos que sobrevive a estos procesos

son desacelerados cerca del ctodo y reacelerados con la nueV3

emisin electrnica los que al entrar nuevamente a la regin re_

flectora su comportamiento es diferente a los electrones que ha

cen su primer trnsito. Los electrones que hacen mltiples trn_

sitos pueden producir efectos indeseables en el tubo ( siempre


(41)
y cuando no se trate de klystron de mltiple reflexin l, en

la mayora de los klystron reflex este efeclo es despreciable.

Los ngulos de fase ptimos entre la corriente agrupada y el

campo electromagntico en la regin de interaccin son 8n=2"(n+

3/4).para n=0.1.2.3 ..

1.2.- Oscilacin inicial en la cavidad resonante.- Las osci-

laciones iniciales en la cavidad resonante surgen de fluctuacio_

nes de ruido o del transitorio que resulta en el instante de 0-

perar el tubo. el ruido siempre est presente en la corriente

del haz electrnico y en el potencial de la regin de interac--

cin.

Al inicio de las oscilaciones el parmetro de agrupamiento

es muy pequeo debido a que la amplitud del potencial en la l:e-

gin de interaccin VI es mucho menor que la magnitud del poten_

cial de aceleracin Vo . Al surgir la oscilacin el parmetro

de agrupamiento aumenta hasta alcanzar el estado estacionario.

El transitorio de ms importancia en el klystron reflex es


- 16 -

el levantamiento rpido de la amplitud de oscilacin desde cero

al aplicar los diferentes potenciales necesarios del oscilador.

La duracin de la condicin que permite la oscilacin es del or

den de un microsegundo(37) y la naturaleza del pulso de salida

es funcin del tiempo requerido para la formacin de la oscila-

cin inicial.

1.3.- Descripcin fsica.- La estructura de la mayora de

los klystron son figuras de revolucin con respecto a un eje().

La propagacin del haz de electrones debe coincidir con el eje

de simetra a lo largo y aparte de los efectos de enfocamiento

(en caso que los haya) las trayectorias de los electrones se

consideran esencialmente unidimensionales. Lo arriba senalado

permite una considerable simplificacin en el anlisis terico

de las dos clases de tubos.

1.4.- Haz electrnico.- El proceso de la formacin de un haz

de electrones puede abarcar configuraciones que varan en com-

plejidad, desde un ctodo-~nodo plano (el ms simple de todos)

~asta los del tipo Pierce(45) altamente elaborados. El diseHo

del caHn electrnico va de acuerdo al uso que se le qura dar.

Por ejemplo, en klystron pulsados de muy alta potencia(12) dig~

(*) Hay excepciones en algunos klystron de fabricacin inglesa.


- 17 -

mos 30 MW se requiere que el haz electrnico sea de algunos

cientos de amperes en potenciales de 400 KV; en cambio, en el


. (40)
klystron reflex de muy altas frecuenc~as 120 GHz se necesi-

tan de 15 a 17 roA en potenciales de 1 KV: en ambos casos se re-

quieren tcnicas muy elaboradas en el diseo del can electr-

nico.

1.5.- Cavidad resonante.- Una de las partes integrantes fun-


(10,42)
damentales del klystron es la cavidad resonante. Hansen

determin las caractersticas de varios tipos de cavidad; des--

pues de su comprobacin experimental por los hermanos Varian


(44) .,
sus innovaciones han evolucionado constantemente. Hahn d10

una serie de mtodos para calcular los campos en resonadores

circularmente simtricos pero el que di una teora completa que


(26) (64) ,
hoy se considera clsica es Slater . Kurokawa complementO

en forma elegante la teora de Slater.

En la mayora de los klystron, el resonador es de forma ci--

lndrica reentrante Fig. 1.5. Las perforaciones en la zona reen

trante permiten el paso del haz de electrones. El radio rl de

la regin reentrante debe ser relativamente grande para dejar

pasar la corriente del haz sin causar dificultades al enfoca---

miento, alineacin o a los lmites fundamentales impuestos por

los efectos de carga espacial. En cualquier cavidad de este ti-

po, la dimensin de rl debe ser pequea comparada con un cuarto

de la longitud de onda deseada.


- 18 -

Se requiere que la longitud d del espacio de R.F. sea pequea


(*)
para que d un coef iciente de acopLam.ent;o satisfactorio con
el
potencial deseado.

Regin
indUC;ivar- Regin capacitiva

..._.+
I
-.-/_L_
d
-.-I T h
I
I j_
I
--ti rl .._
r r2~

Fig. 1.5.- Cavidad resonante reentrante.

. (46)
1.6.- D1agrama de Applegate .- Una de las formas ms sim-

pIes de representar el proceso de agrupamiento en el klystron

se ilustra en la Fig. 1.6; ahi se muestra la relaci6n entre dis_

tancia y tiempo para cada uno de una serie de electrones. La

modulacin de velocidad se expresa por un cambio en la inc!ina-

cin de la trayectoria del electrn al pasar por el agrupador;

el agrupamiento corresponde a la convergencia y eventual cruza-

miento de las trayectorias. El espacio de agrupamientos debe

ser el adecuado para obtener la mxima concentracin de e1ectro_


(*) Factor de fase en el espacio de interac~in.
- 19 -

nes.

Agrupamiento
de

Receptor

Fig. 1.6.- Diagrama de Applegate del k1ystron.

1.7.- Angulo de trnsito.- Se acostumbra expresar los efec--

tos del tiempo de trnsito de los electrones en trminos del

ngulo de trnsito.

9=211fT=wT,

donde f es la frecuencia de oscilacin, T es el tiempo de trn-

sito de los electrones y w=2nf es la frecuencia angular. El n-

gulo de trnsito es pequeo si el tiempo de trnsito es mucho

menor que el periodo de oscilacin. Rejillas estrechamente espa_

ciadas (!..)y4donde A es la longitud de onda del oscilador) y po_


tenciales de aceleracin de unos 300-400 v garantizan ngulos
. (24) .
de trnsito pequeos.Por eJemplo un osc1lador reflex de 3 cm

de longitud de onda con espaciamiento de rejillas de l/la cm y


- 20 -

~n potencial de aceleracin de 300 V tiene un ngulo de trnsi-

to de rr radianes.

El ngulo de trnsito se comporta de la siguente manera: si

ste es muy peque~o, cada electrn se mueve en la regin de in-

teraccin en un campo esencialmente esttico y su movimiento se

descr.bocon f ac .L.da,d se puede decir que es Ld nt.Lco al

movi- miento de los dems electrones en esa regin y en ese

momento. En cambio si ste es grande, el campe vara con el

tiempo du---

rante el paso del electrn por la regin de interaccin y su mE


vimiento es muy complicado.
- 21 -

CAPITULO II

CAON ELECTRONICO.

En este capitulo se consideran los procesos relacionados a la

emisin de electrones, el comportamiento de los mismos entre la

superficie emisora (ctodo) y el nodo, y despus de la ace-

leracin por la rejilla. Para la obtencin de un haz fino de e-

lectrones con alta densidad de corriente y con potenciales rela_

tivamente bajos se necesita enfocar el haz al dimetro deseado

por medio de campos electrostticos y magnetostticos. Los pro-

cesos mencionados involucran el movimiento del electrn en cam-

pos electrostticos y magnetostticos asi como el efecto de car

ga espacial.

2.1.- Emisin de electrones.- Los electrones escapan de una

superficie electrdica cuando esta: se calienta, se la rada

con un haz de luz, se bombardea por otras partculas o cuando

se sujeta a fuerzas eternas debidas a campos elctricos muy

intensos Estos mtodos de liberacin de electrones se conocen

como: termoinico, fotoelctrico, emisin secundaria y emisin

por campo rospe c t i v.irnc n t e . Aqu slo se discute el primero de

ellos por ser el ms adecuado al presente trabajo. La ecuacin

que relaciona la emisin electrnica en funcin de la temperatura


. (47)
del ctodo fue inicialmente obtenida por R char daon . La
forma
- 22 -

ms generalmente usada es la que deriv Dushman(4B)y que se

conoce cornoecuacin de Richardson-Dushman.

i=AT2exp.(b/T) (1)

donde i es la densidad de corriente de emisin en A /cm2, T es

la temperatura absoluta (~), A Y b son parrnetros(49); terica_

mente, el valor de A es igual para todos los metales, mientras

que b depende de la funcin trabajo(*),e ver 0 en la tabla 2.1


del material que se este considerando y del intervalo de tempera-
tura,( ver tabla 2.2 )(49). En la
mayora de los casos b es casi
constante y est dado como sigue

b=e~/KB =11,600 ~ K
19
donde e es la carga del electrn (1.60xl0 e ) y KB es la
-23
constante de Boltzmann (1. 38xlO J OK).

La eleccin del ctodo (metal puro, recubierto de xido o

compuesto) depende de la cantidad de corriente que necesite el

klystron elegido. De los metales puros el tungsteno es el ms


o
usado por: tener un punto de fusin alto (3,370 e), buena es--

tabilidad mecnica en altas temperaturas y muy resistente al

bombardeo de iones positivos de alta energa; opera a 2,500 ~;

(*) La funcin trahajo es la ~nvrgra que requiere un electrn

para salir Je la sup~rficlv 4uc lo retiene v S~ ~xpresa en

t rrn i n o s dc I potencial e q u i va l c n t c 0 .
- 23 -

de rnet:~::- ----1
Tabla 2.1
1 ---------;~:~~~~--~~:aj-O algunos
Metal ~ (eV) Metal ~ (e V)

Ag .................... 4.28 Mo .. .............. .. 4.27

Al .................... 3.74 Na .. .................. 2.27

Au .. .............. .. 4.58 Ni .. .. .. .. .. ... 4.84

Ba .................... 2.29 Pd .. .................. 4.82

C ................. .. 4.39 Sr ................... 2.35

Ca .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 2.76 Ta .................... 4.12

Cs .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 1.89 Th .. .............. .. 3.41

Cu .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 4.47 Ti .................... 4.09

Fe .. .. .. .. .. .. .. .. .. .. 4.36 W .................... 4.50

K .. '" ................ 2.15


o
- ._---- ------

2 .
r-------- --------- - - -- - -
T ab la

2
------- ------ --,
t----- - - Den_~id~d ~e _ c~r_r~e_nt~ de e~~~~. _~~cm2 -:---i
T (~) ~=1 eV ~=2 eV ~=3 eV ~=4 eV ~=5 eV I
-3 -8
1,000 360 3.3x10 3.0dO .............. .. ............
-3 -9
1,500 17 7.6x10 3.0x1-6 1.4x10
-2 -5
2,000 .............. 4.4 1.3x10 4.0x10

--
2,500
-- -_. .
..............
.. ---- _. .-. -
230 2.1
------- "'-'-"
-2
2:-=-:~
J
- 24 -

a esta temperatura proporciona una densidad de corriente de 300

a 400 mA/cm2 y radia unos 70 w/cm2

La curva F de la Fig. 2.1 muestra la densidad de la corrien-

te de emisin en funcin de la temperatura para una superficie

de tungsteno. emisora.

En los ctodos recubiertos de xido, la emisin de electro--

nes es abundante. Los xidos de: bario, estroncio y calcio pre-

sentan ~,S entre 1 y 2 volts. En este tipo de ctodos el calen-

tamiento usualmente es indirecto y debido a un calentador de

tungsteno. Esta clase de ctodos son muy empleados en klystron

pulsados de alta potencia debido a que produc~corrientes de e-

misin muy grandes para pulsos cortos. La temperatura de opera-

cin oscila entre 1,0000 a 1,150 K. En 1,050 ~ la radiacin

de este tipo de ctodo es de unos 3 w/cm2 y la densidad de co--

rriente de algunos cientos de mA/cm2, su vida media es de 10 a

30 mil horas (49)en operacin a C.D. y en operaci6n pulsada su

vida media aumenta unas 10 veces en relacin a C.D., siempre

que la duracin del pulso sea de unos pocos microsegundos.

La curva Al de la Fig. 2.1 muestra la densidad de la corrie~_

te de emisin en condiciones pulsadas. La curva A2 muestra la

corriente de emisin en operacin a C.D. Estos ctodos facilmeo

te pueden ser da~ados por gases y vapores y ademas sufren una

desintegracin continua debida al bombardeo de iones posit~vos.


- 25 -
t

----+----1
t:
-o
i
.-1
W
.-1
i --t
r
e
j /,
l
~
~ .E 1-
'ti
~
'o , I
I

~ -_
,
" f
t
~
.-1
, i
~
1 - ,
I
o ,I
1
(,)

o' ,
G.I
'ti 11 6~ -f o
j
..
'ti U
nI"-
:S...: ~- ..+
w
c::
~ c::
Q ~
, .. -..) ).

Temperatura del ctodo en grados Kelvin

Fig. 2.1.- corriente de emisin en funcin de la


temperatura del ctodo para varios ti
pos de emisores termoinicos.

Con respecto al ctodo compuesto el ms usual es el de tungs_

teno toriado, que presenta una funcin trabajo de 2.6 volts. 0-

tro ctodo compuesto, ms eficiente, es el desarrollado por Lem_

mens y sus asociados(SO)llamado ctodo-L: el cual consiste de

una aleacin de carbonato de bario-estroncio (Ba-Sr C03) y se

encuentra debajo de la capa de tungsteno poroso.

La curva E de la Fig. 2.1 muestra la variacin de Id densi--

dad de la corriente de emisin con la temperatura para un fila-

mento de tungsteno-toriado no carbonizado de dcuerdo a las medi


- 26 -

(51'
ciones hechas por Langrnuir '. Entre 2,100 K la emisin dismi

nuye debido al rpido incremento de ~ con la temperatura. La ra

diacin por unidad de rea en 2,000 K es de 28 w/cm2, este ti-

po de filamento es mas ventajoso que el de tungsteno puro con

respecto a la razn de emisin de corriente a la potencia radia

da por unidad de rea.

2.2.- Diodos limitados por efectos de carga-espacial.- La

distribucin de potencial entre ctodo y nodo se ve afectado

por la presencia de electrones en esa regin. En el caso simple

de electrodos paralelos de extenQn infinita Fig. 2.2, el po--

tencial vara linealmente entre cero y el potencial del nodo

en ausencia de electrones (curva 1). Cuando el ctodo se somete

1 2
/
3
/4

~._ ~
.l._
I ._ .

A x
Fig.2.2.- Distribucin de potencial
entre planos paralelos.

a calentamiento, la carga de los electrones que se em1ten hacen

ms negativo el potencial de ctodo (curva 2). A medida que se

aumenta la temperatura del ctodo el potencial disminuye hasta

una distribucin que tiene cero pendiente en el ctodo (curva 3).


- 27 -

Hasta aqu, el nodo capta todos los electrones emitidos por el

ctodo. si la temperatura del electrodo se aumenta mas, la pen-

diente en el ctodo se vuelve negativa (curva 4), no todos los

electrones que se emiten llegan al nodo, solo aquellos que tie_

nen la suficiente energa para vencer la fuerza retardadora pue_

den llegar a l. De lo arriba dicho se ve que la corriente mxi

ma del nodo corresponde a la emitida por el ctodo a la tempe-

ratura correspondiente a la curva 3.

La relacin entre el potencial y la corriente bajo las condi_

ciones dadas por el caso de la curva 3 muestra que para ciertos

casos especiales, la correspondencia es

i~v3/2.

La relacin se deriva para tres configuraciones de electro--

dos: plano-paralelos, cilndrico-concntricos y esfrico-concn_

tricos. En la solucin de cada configuracin se emplea la combi_

nacin de dos ecuaciones. La primera es la ecuacin de la ener-

ga, donde los campos y las velocidades son independientes del

tiempo o varan ligeramente con l y donde los efectos relati--

vsticos no se toman en cuenta.

(2)

donde m, u y e son la masa, la velocidad y la carga del electr~

respectivamente, y V es el potencial que determina la velocidad.

La segunda ecuacin es la de Poisson,


- 28 -

(3)

donde J> es la densidad de carga y to la permi tividad del medio.

El problema consiste en encontrar una solucin que satisfaga

ambas; la ecuacin de movimiento y la ecuacin de Poisson. Tam-

bin se necesita la relacin que define la densidcd de corrien-


te.

i= r- (4)

El anlisis slo se aplica bajo ciertas condiciones: Primera,

el tubo debe operar en un nivel de emisin que corresponda a la

curva 4 de la Fig. 2.2: es decir: el nmero de electrones emiti_

dos excede al nmero que llega al nodo. Los electrones que no

vencen el campo y que por consiguiente regresan al ctodo, for-

man un potencial mnimo a una distancia pequeBa del ctodo. Es-

trictamente hablando, el anlisis solo es entre el nodo y el

potencial mnimo. La localizacin exacta del potencial mnimo y

su valor, dependen de la colocacin del nodo y de su potencial

mas bien que de la temperatura del ctodo y tambien de la razn

de la corriente real a la corriente de saturacin. Una segunda

condicin es que el potencial mnimo este muy cercano al ctodo.

Ademas de las condiciones mencionadas se deben tomar en cuenta

las siguientes:

1.- La velocidad inicial de los electrones es cero. Se cono-

ce que los electrones salen con ciertas velocidades ini-


- 29 -

ciales (con una distribucin maxweliana); pero. la velo-

cidad promedio de emisin en la mayora de los tubos co-

rresponde a un potencial del orden de 0.1 eV en el cto-

do.

2.- El campo elctrico (el gradiente del potencial) es cero

en el ctodo. Realmente, esta suposicin se satisface --

tambin en el potencial mnimo: y puesto que el anlisis

se aplica a tubos en los que el potenc;~l mnimo virtual

mente coincide con el ctodo, la consderacin de cero -

potencial en el ctodo solo introduce un pequeBo error.

3.- Los electrones se emiten en la direccin normal al cto-

do. El efecto de los electrones que abandonan el ctodo

en ngulos diferentes con respecto a la superficie pro--

puesta reduce el dimetro del haz. Este efecto es de co~

siderable importancia en ptica electrnica (especialme~

te en tubos de rayos catdicos) pero en klystron, su in-

fluencia es pequefta.

2.2a.- Electrodos plano-paralelos.- Para este caso, la eco


3 se reduce a
d2V _ .;
. .. (21.. ) -1 / 2v-1!2
dx2 -o ( 5)

donde ~ = e/m es la ra:6n clcctr6nica carga-masa,

p ue s t o que

(dv12 gy_ d (dV) =


d~ = 2
dx (dx)
- 30 -

o sea que multiplicando a (5) por 2dV se obtiene la siguiente


expresin
d(dV)2 _ fi -1/2 -1/2]
(dx)2 -2dV
LZ"P'l) V

rearreglando trminos e inteqrando se tiene


-1/2 +1/2
4i (6 )
c;- (2 ~ ) V + el

solo se consideran las variaciones con respecto a x y se hace u

so de las ecuaciones (2) y (3).

La constante de integracin el se hace cero, al considerar que

el gradiente desaparece en cero potencial. Una segunda inte

gracin da

4 3/4 .~ -1/4
_3 V = 2y]:.C. (2'l) x + e2 (7)

La constante de integracin e2 de nuevo desaparece, debido

a que hay una distancia cero (en el ctodo) correspondiente a

un potencial cero. Una solucin para la corriente por unidad de

rea es
4 1/2 3/2
i = 'g"~.(21)
y_
x2

-6 3/2
i = 2. 331xlO V (8)
x2
La cua 1 se conoce como 1ey de eh1. Id ( 52) . Por eJ.emp 1a den_
1o,

sidad de corriente entre un ctodo plano y el nodo separados

medio centmetro, con un potencial de 300 V, es


- 31 -

i = 0.04845

Es observable que la corriente depende del potencial y de la

distancia que separe los electrodos.

2.2b.- Cilndricos concntricos.- La ecuacin de Poisson pa-

ra este caso se reduce a

-1/2 -1/2
(2r) V (9)

Que corresponde a una ecuacin diferencial de segundo orden, de

mayor complejidad que para el caso plano-paralelo. La solucin

admite un factor (proporcional al potencial en ausencia de caL-

ga-espacial l= In (r/rc) que es el logaritmo de la razn de la

coordenada radial (r) al radio del ctodo (re)' La corriente


(53,28)
por unidad de longitud es
1
i
:=
8~ 9
~

-6
fl'f!.
r,
v32
=-=z-

i == l4.648xlO
1 (10)
donde

~ = ('-(2/5)1'
234
+(11/120)1 -(47/3,300)/ + . (11)

Los valores de p2 fueron calculados por Langrnuiry Blodgett


(54)

2.2c.- Esfricos concntricos.- Para este caso, la ecuacin

de Poisson es

d2V 2 dV' -1/2 -1/2


+ - - =.! (2"') V (12)
dr2 r dr . 1..

la solucin de nuevo contiene a f = 1n(r/rc)' La corriente to--


- 32 -

(al

(b)

~
~- - - .. -. ..:t
(e)

l\j \.
~
ti /

J_
r
-20 +75 +290 +570 V
+45

Fig. 2.3.- Tres canones de electrones usados en tubos


de microondas.
- 33 -

(28)
ta 1 es

i
3/2
-6 V
i 29.297xlO oi! (13)
donde

0....=1'-0.3r2 + 0.075{,3 - 0.0143182/


14
+ '" (14)

Los valores de~ tambien fueron calculados por Langmuir y


(55)
Blodgett . Esta es la configuracin ms comn en tubos de

haz convergente ~n el cual el ctodo presenta la forma esfrica

concntrica corno en los klystron actuales.

2.3.- Caftones electrnicos.- La configuracin ms usada en

tubos de bajas frecuencias, asi corno en magnetrones, es el cto_

do cilndrico rodeado por otros electrodos. Sin embargo, en a--

plicaciones donde se requiere un haz de electrones fino y rela-

tivamente largo, corno en los klystron. tubos de rayos catdicos

y tubos de onda vi~jera, el ctodo ms comn tiene la forma de

disco, Fig. 2.3. Los electrones emitidos por el ctodo pasan a

travs de una sucesin de rejillas o aberturas en donde se le

da la forma deseada al haz.

En haces de electrones de alta densidad, los efectos de car-

ga espacial deben de ser consi1erados. El efecto de carga espa-

cial hace que el haz se disperse debido a la repulsin mutua en

tre los electrones, se debe tomar en cuenta la regin ctodo -

nodo, donde se produce y se forma el haz, y la regin de agrupa_


- 34 -

mientc.,s. Las aberraciones que se producen por redondeo de

electrQ dos y efectos debidos a electrones secundarios se deben

tomar en cuenta.

La Fig. 2.4 muestra una grfica de la corriente del haz e

n funcin del potencial para el cal1n que se muestra en la

Fig.

2.30. En la grfica se tom en cuenta la potencia de 3/2 en la

escala de las abcisas. Cuanno se grafica 1 en funcin de V re--

sulta una l~ea recta, lo que indica que 1 es proporcional a V3/L

La constante que caracteriza las condiciones de carga-espacial

se define como la perveancea

K = I/V3/2

Un caftn electrnico de 2 roA en 100 V tiene una perveancea de

A/V3/2. Es muy difcil obtener haces finos con per--

veanceas de esta magnitud por diseftos puramente empricos. Exi~

te un mtodo para obtener flujos rectilneos entre electrodos de

tamafto finito el cual fue desarrollado por Pierce(56) , de tal ma

nera que la solucin dada en la seccin anterior se puede apli--

car en la formulacin de una teora simple, en el disefto de un -

caftn electrnico. El caftn electrnico que se disefte por este

mtodo se denominar caft6n electrnico tipo Pierce.

2.4.- Enfocamiento del haz.- En r.aces finos y lelativamente

largos, de muy alta densidad, la dispersin que surge de los e-

fectos de carga espacial es grande y tal dispersin puede con-


- 35 -

trarrestarse usando algn mtodo de la ptica electrnica.

Entre los mtodos que se han propuesto para compensar los e-

fectos de carga espacial est el de neutralizacin por iones po_

sitivos(33) que surgen de colisiones entre electrones y molcu-


las de gas.

..-t---
o _._._--.--

~.--
.)

_.
.
.) - ~.

- . --- J
V
.1

G: ,.
'C
)

/'
/
QI
/
V
~ K)
QI
rI
1-<

}/
1-<
o
U

oo >'0 .\Otl ,;Jo 'jo,' ~


Potencial,V, en volts
Fig.2.4.- Corriente del haz de elec-
trones en funcin del po--
tencial para el cann de
la Fig. 2.3b.

El mtodo ms comn pa ra mantener la seccin t rarisversaI del

haz es el de sujetarlo a \ln campo magntico parale:-lo a la

direc_ cien de movimiento. El efecto dr- L campo magntico sobre

las par_ ticulas cargadas en movimiento se resume como sigue: Las

trayec- toras de los electrones permanecen iguales pilra un campo

magn_
- 36 -

tico paralelo a la trayectoria; la trayectoria se vuelve circu-

lar cuando entra a un campo magntico perpendicular a ella; y -

se vuelve helicoidal si el campo magntico y la trayectoria se

interceptan en algn ngulo intermedio.

Hay otros mtodos ms elaborados para enfocar el haz de elec

trones que requieren estudios ms completos y que por limitacio

nes de espacio no se analizan en el presente trabajo. Es reco-

mendable consultar el libro de Pierce(45) y la tesis de Garcia(57)

para complementar este capitulo.


- 37 -

CAPITUI.O !II

TEORIA DE CAVIDADES RESONANTES.

(58-59). . .~
Weyl anac i,oel estudio de las cavidades resonaneee to-

talmente cerradas de paredes perfectamente conductoras en base

a la teora de las ecuaciones integrales lineales y mostr que

un campo electromagntico arbitrario que satisface las condicio_

nes de frontera de circuito corto en la superficie S de una ca-

vidad hueca V se puede expander en trminos de los modos norma-


(60) (61)
les de circuito corto de la cavidad. Condon y Slater con

tinuaron el estudio de las cavidades hasta definir su uso en mi_

croor.das.

El tipo de cavidad resonante que se estudia aqu es un volu-

men limitado por una (o varias) superficie (s) S con conductivi_

dad y Q finitos; su comportamiento es anlogo al circuito reso-

nante LC. Se puede excitar electricamente o por un flujo de co-

rriente que genera las oscilaciones.

3.1.- Funciones ortogonales en una cavidad.- La divisin del


(62)
campo vectorial en solenoidal e irrotacional forma dos con--

juntos de funciones ortogonales propias para expander los cam--

pos elctricos y magnticos.

Las funciones solenoidales cumplen las siguientes igualdades


(63-64)
que son los rotacionales de ciertas funciones vectoriales
- 38 -

(1)

donde Ks es la constante de propagacin en el s-avo modo, Es y


son las funciones solenoidales de E y - H respectivamente

con las siguientes condiciones de frontera

n -- -
x E s= sobre S
O

- - ..
n x Hs = o sobre S' (2 )

-.
donde n es el vector unitario normal a la superficie: S es la

superficie en circuito corto y S' la superficie en circuito a_

bierto.

De las ecs. (1) se obtienen las ecuaciones de onda

K2
s Es O

K~ Hs = O (3)

que admiten un nmero infinito de soluciones.

Las funciones Es y its tienen propiedades de ortogonalidad y

normalizacin definidas por

j Es Ep dv =dsp
v

J v
Hs Hp dv = dsp (4)

donde dsp es la unidad si s=p y cero cuando s~p.


- ]9 -

Las funciones irrotacionales F~ son iguales al gradiente

de una funcin escalar

(5)

I!s y ~s satisfacen la ecuacin de onda y las siguientes condi--


(64)
ciones de frontera

en S Y S'

en S Y S' (6)

asi como las condiciones de ortogonalidad y normalizacin.

Las funciones solenoidales e irrotacionales satisfacen las


(64)
condiciones de ortogonalidad
~F's E~ dv ~ o. (7)

v
Una funcin vectorial se puede expandir en funciones solenoi_

dales e irrotacionales y por las condiciones de ortogonalidad

y normalizacin determinar los coeficientes de expansin: enton_


. , ..... (26)
ces, la expansron del campo E es

E = LesEs
s
+ L
s
fsF; (8)

donde los e~s y f~s son los coeficientes de expansin. El coe_

ficiente es se obtiene de las condiciones de ortogonalidad y

normalizacin despues de haber multiplicado E por una de


las funciones solenoidales e integrado sobre v
- 40 -

es=fE . Er s dv . (9)

v
En forma similar se obtiene fs . De lo anterior, la eco (8)

se escribe de la forma siguiente(62-64)

E "~E. .roEs +~FsJiioF. dv dv o (10)

v v
H tiene una forma anloga.

3.2.- Ecuaciones de Maxwell en la cavidado- La expansin de

los campos elctricos y magnticos dentro de la cavidad,en tr-

minos de las funciones ortogonales por medio de las ecuaciones

de Maxwell, determina las relaciones entre los coeficientes de

expansin. Las ecuaciones de Maxwell de acuerdo a las funciones


(62-64)
solenoidales, irrotacionales y escalares son

-+ ~-+
~-- dv dv ,
E =7 ESj E.Es

dv

J
-, ~ -. f-
=~ Es dv + ~ FsIJoFs dv

-
v

J oEs

(11)

v
Los rotacionales del campo elctrico en trminos de Hs y del

campo magntico en trminos de Es son


- 41 -

Vx E =4= H,. (Ks[t."ES dv + f x El "H. d. l


Vx H=~Esl K{M"H;. dv :fln"X-Hl"ES d. l" (12)

v s'
La divergencia del campo elctrico en trminos de funciones

escalares es

'V:o = - "sKs _roPs dv (13)


.s v
La sustitucin de las expresiones anteriores en las ecuacio-

nes de Maxwell permitan obtener las ecuaciones diferenciales

f~"s
Ks dv +.-'< ~ dv
fEO Ea
f
n x E s

-. ... ) -H da
dt

JI~
Ks H-H s dv- ~ dv x H ) -Es da

fE".s
dv

J-+ - .
=
f" J-Es

v v s
v dt

V-S
-+
= O v v s'

- "s JE"Y. dv , (14)

v
Las ecuaciones de onda bsicas en el anlisis de cavidades

resonantes que se obtienen de las ecso (14) son

f-'-' fE
O

dv + K
A'E:d-
Eo E
dv = -.;- ( JoEs dv -
- s it s
2 2 d [ -+

i
dt2 dt

v v

- JI x H l "-.;. da l - ". I x E l :H" d.


s' s
- 42 -

dv + dv
= K-fEsdv j x Ti) .Es da ) -

vs~
d s~
-E- (n XE)Hs da , (15)
dt

s
Las soluciones para este tipo de ecuaciones son aetne j arrt.se

a las de las ecuaciones de cuerpos con movimiento armnico simple.

3.3.- Oscilaciones libres y amortiguadas en la cavidad.-

Las ecs.(lS) se simplifican cuando Se aplican las condiciones

de

frontera ( x ~ = O en S Y en S' y cuan_

do el dielctrico de la cavidad tiene cero conductividad (J=O)

bajo estas condiciones las oscilaciones libres en la cavidad ad_

miten las siguientes soluciones

S..:, dv = e exp (jw.t) w~ftE = K! (16)

v
donde C es una constante, W
s es la frecuencia angular de los mo_
dos resonantes, la solucin general para las oscilaciones li---

bres es la superposicin de los modos resonantes que oscilan

con amplitud arbitraria en su frecuencia resonante.

Cuando el dielctrico presenta una conductividad ~(3=~E) 0-


ca siona una prdida al Q de la cavidad y la ec. (15) para el

j~
campo elctrico se reduce a

dv Vlr-d- t;
dv + dv o.
.Es
dt
(17)
v
- 43 -

Si f E.Es dv es proporcional a exp(jwt), donde w=Wl+jw2

v
la eco (17) admite la
solucin

Q =-- (18)

que representa el amortiguamiento de la oscilacin.

La componente tangencial de E en la superficie del conductor


(26)
es

ti x E = H(l + j) y 2r W",t(' , (19)

la cual se sustituye en la ec.(lS) para el campo magntico, en-

tonces

dv +.,tC.r-
d
dt
J-
v
H -Hs dv

+-
dt
d - H -H
s
(1 +
(20)

s
La integral de superficie para el s-avo modo

dv es igual a ~ daJ~'HS dv . Si

Ii1~
s v

varia de acuerdo a exp (jwt), donde w es comple-


dv

v
ja, se obtiene el valor de Q que se escribe como

(21 )
- 44 -

donde es la prdida en el dielctrico y

da es la prdida en la pared de la cavidad

es la profundidad de penetracin.

3.4.- Impedancia de entrada de la cavidad.- En la superficie


.... (26,63)
S' la componente transversa de E es
Es = vsn Etn ' (22 )

n
donde vsn son coeficientes independientes del tiempo y Etn
las funciones normalizadas. Las componentes transversas de ~
, . . (26)
son cero y el campo magnet1co tangenc1al es

H = in Zln H~n (23)


n
donde i~s son coeficientes que varan con el tiempo exp(jwt) y

Zln es la impedancia en el n-avo modo. La soluci6n de la inte-

gral en S' para el campo elctrico de acuerdo a (22) y (23) es

J x -H}Es da =i n vsn , (24)

donde (
s'
-----
ZlnHtn= k x E-"tn
. )
n

Se sustituye (24) en (15)~ se recuerda que in y j(~.E~ dv

va rian de acuerdo a exp (jwt), POI" lo que al de spe jar el

coeficien- te se tiene (Apndice 1)


- 45 -

(25)

El campo elctrico transverso en s' es(26}

(26)

(27)

y de acuerdo a las ecs. (10) ,(22) y (26) se tiene (Apndice Ir)

vsmvsn
Znm= ~--~~w~W~SL---w-- (28)
s--
s j(w-s w-}

donde in y Vn pueden ser la corriente y el potencial asociados

con el n-avo modo y Znm los coeficientes de impedanciar para

el modo dominante se tiene


v2
sI

_~ ws. (29)
w Ws
j(- --}
s
Ws w

En frecuencias cercanas a W
s : el trmino en esta frecuencia
es mucho mayor que cualquier otro y vara rpidamente con la

frecuencia; mientras que los otros trminos son pequenos y va--

ran lentamente; la suma de todos estos trminos en Zll' se de-

nota por Zsl ' entonces


- 46 -
v2
sl

Zll + Zsl . (30)

La terminacin de la guia de onda en una impedancia zl causa

prdidas a la cavidad y la eco (30) es


v2
sl
-;;-
Ws
j(~
Ws
--)
W
+ = O. (31)
Zl + Zsl

Se define la admitancia de la guia de onda como

9 + jb (32)
Zl + Zsl

donde Zal es la impedancia caracterstica del acoplamiento en

la frecuencia resonante W
s y en su modo dominante. De la eco

(31) se tiene

w_s_+ ) + g
b o , (33)
w 0ext,sl 0ext,sl

donde
1
(34)
ext,sl

Qext, sl es el externo del s-avo modo de la cavidad

~'primer modo de la guia de onda.

La solucin de (33) para la parte real wl de la frecuencia

y para el Q resultante de la parte imaginaria, da


- 47 -
1 wsb Q
wl - W
s ' AW s= - -2 --_. , ext,sl 9Q . (35)
Qext, s l

La eco (29) en trminos de Qext,sl , es

211
- ' Qgxt
iOA
l
1.s
(36)

201 - E ~ -j-(-_....:W: _ ...... _W_i2s.oL..~-)

Ws W

En este anlisis slo se ha tomado en cuenta la integral en

S I de la ec. (15) r cuando ae toman en cuenta las prdidas en

las paredes y en el dielctrico la ec. (36) se complementa

1
ext,s
-l-~_. 1
(37)
+-
W Op

donde Ws' es la frecuencia resonante modificada por el trmino

de correccin 4ws derivada en la ec. (35).

Se sigue un procedimiento anlogo al de la ec. (34) para de--

terminar la prdida total en s'

1 = _1_ + -::-=9'-- (38)


Oc Odp Oext,sl

donde Qdp son las prdidas en el dielctrico y en las paredes,

usualmente se le conoce como el Q "sin carga", y a l/Qc que in_

cluye las prdidas de la impedancia externa se le llama el Q

"con carga".

3.5.- Corrientes elctricd~ dentro de la cavidad.- La corri-


- 48 -
(26)
ente electrnica en la cavidad es

in= - van (E-Es dv (39)


Zn + =
v
La solucin para el campo elctrico de la eco (15) en trmi--

nos de (24) Y (39) es (Apndice 111)

df2
v2
sn

( j (~ _ ws ) +
w
(1 + j)
2 s
da +~~--:-s_+-Z-s-n- ) .

f -
Ws

---
s

-
f..
E.E s dv + -_1
Ws
Es dv = -
lws

l. .lm vsm (40)

v v

Si J= (f"E+j' , donde J' es la corriente que produce el


movi- miento de electrones en la cavidad. En trminos del O

"con car- galO y de la frecuancia modificada se tiene

de donde (41)

Zm lQext,sm
=--------------------------------------~----- + ~s_m_
zom
j ~ _~.) -tl. -+L(
+_l_JJoEsdV
1 ZOn
.ws
zom
ws' w O nn Oex t, sn Zn +Zsn EoEsdv
v
(42)

que representa la impedancia de entrada para la lnea de salida,

mas otro trmino que v3ra lentamente.

La eco (42) se reduce d la ecuacin fundamental para los osci_


- 49 -

ladores de microondas (26)


1_1j:E'sdV
j(~ _ W5')+.l +~( 1 _~.)" (43)
. Ws !E.~dV ws' w Q ~
n
Qext,sn Zn+Zsn
v
En los osciladores klystron la corriente y el campo

elctri- co se confinan en un rea pequefta de la cavidad

(espacio entre rejillas). Si E=V/d , j'=I/A , c= EA/d e

I/V=g+jb: entonces (43) es

que da las propiedades generales de los osciladores para micro-

ondas.

3.6.- Perturbacin de fronteras.- La seleccin de frecuencia

se logra haciendo una pequefta variacin al volumen de la cavi--


(64)
dad . La frontera perturbada induce una discontinuidad Pon la

componente tangencial de H, y suma a las ecs. (15) una integral


" (26) ( ) -"'d
d e super f - x H a en S. En la superficie
~c~e n
pertur- .Es

bada

(45)

que se reduce a

H= (46)
- 50 -
de acuerdo al teorema de la divergencia se tiene

S.'" x H .Esda : '{I'HsdV i(H~- i:~ dv . (47)

La solucin para el campo magntico de la eco (15) de acuerdo

a (47) es

- K2i(
s
-fl:2 -
s
E2
s
) dv (48)

v
de donde

) dv I (49)

donde w es la frecuencia perturbada que se da en trminos de la

frecuencia resonante W
s y de la integral de volumen "cambiante"
de la cavidad.
- 51 -

CAPITULD IV

INTERCAMBIO DE ENERGIA ENTRE UN HAZ DE ELECTRONES y UN CAMPO


DE RADIO FRECUENCIA.

Los procesos electr6nicos que suceden en el klystron son los

siguientes:

1.- Modulaci6n de velocidad de los electrones por un campo

de radio frecuencia.

2.- Conversin de la modulaci6n de velocidad a modulacin de

densidad por algn mecanismo.

3.- Interacci6n de la corriente de radio frecuencia con un

campo electromagntico para obtener energa.

LoS puntos 1 y 3 involucran la interacci6n (intercambio de

energa entre electrones y campos electromagnticos). y el me-

canismo indicado en el punto 2 puede variar de tubo a tubo.

En las secciones siguientes, se muestran algunos de los prin_

cipios generales que gObiernan el compcz t.am.neco de un haz de

electrones y un campo electromagntico y el intercambio de ener_

ga entre el haz y el campo. Los principios estan limitados a

un espacio de interaccin plano-paralelo. Muchos detalles aun--

que importantes no son factores esenciales en la comprensi6n de

la dinmica de los electrones por lo que se omitieron.

4.1.- Modulaci6n de velocidad (6-7,9) .- Se considera po~ sim-


- 52 -

plicidad que los ejes del haz de electrones y del campo

elctri_ co son coincidentes con el eje del klystron; esto evita

la pr- dida de electrones entre el agrupaor y el receptor por

algn

mal alineamiento.

La notaci6n se au jeca a las siguientes reglas: las V' corres_

ponden a los potenciales; u's a velocidades; i's a corrientes;

S's a distancias y los subindices O, 1 Y 2, al can6n electrni-

co, al agrupador y al receptor, respectivamente, segn 10 indi-

ca la Fig. 4.1.

vIsen (wtl) V2cos (wt2- /l )

~~ M
l ~ ~s~
~~UO+UIS~~
.~ ~2!
,. ~Espacio -!. ::t ,;
1_ agrupamiento~
ct o t- Agrupador D_""",cep1:r
' t

Fig. 4.1.- Diagrama de un klystron de


dos cavidades resonantes.

El haz de electrones acelerado por un poten~ial Vo pasa a

travs del agrupador donde existe un potencial vlsen(wt). Des--

preciando el ngulo de trnsito (wt; t es el tiempo de tr~nsi--

to), lo que equivale a decir que el electrn queda sujeto a un

potencial instantneo, tal que en energa se da como sigue

eV (1)
- 53 -

donde tI es el tiempo en que ocurre la interaccin contado a

partir de que se inicia la oscilacin en la cavidad resonante.

Es claro que en un tubo real el tiempo de trnsito en el es-

pacio de interaccin no es cero. Esto deber tomarse en cuenta

en estudios mas precisos. Ya se ha hecho mencin que la magni--

tud relativa del tiempo de trnsito no se representa en segun--

dos como es usual, sino como fracciones de un ciclo de la fre--

cuencia en consideraci6n, o en trmincs de ngulos de trnsito,

de tal manera que un ngulo de trnsito mucho menor que un ci--

clo puede ser considerado esencialmente igual a cero, mientras

que el ngulo d~ trnsito correspondiente a un cuarto de ciclo

o mayor no puede considerarse despreciable y deber tomarse en

cuenta. El espacio de interaccin y la frecuencia, debern ser

tales que el tiempo de trnsito sea una fracci6n pequena de un

ciclo y pueda asi ser despreciado.

La velocidad del electr6n despues de salir del agrupador ba-

jo esas condiciones, es

1/2
u = uo(l +c><sen(wt1 (2 )

donde o es la velocidad del electrn antes de entrar al agrupa_


U

dor, es decir,

(3)
- 54 -

(4)

considerando despreciable la interacci6n entre electrones y

algn potencial constante en la regin de agrupamientos, la ve-

locidad de los electrones en dicha regi6n se mantendr igual a

la que estos tenan al salir del agrupador.

Expandiendo en una serie de potencias la expresi6n (2), se


tiene;

u (1
oc: sen (wt ) + 02
+- -- 2 (wt ) + ...
sen
U
o (5)
2 l l
)

haciendo queo<: ~l, se pueden despreciar los arrn6nicos de alto

orden, y en base a eso,

(6)

La velocidad de los electrones al salir del agrupador es dis_

tinta (aumentada o disminuida) respecto a su velocidad antes de

entrar al agrupador, esta diferencia de velocidades determina

la concentraci6n de electrones en grupos a una cierta

distancia entre si, en el espacio de agrupamientos: un electr6n

que sale del espacio de interacci6n en el tiempo

correspondiente a

wt 2rrn, n = 0, 1, 2, ... (7)

es precedido por los que fueron desacelerados y seguido por a--


- 55 -

quellos que fueron acelerados, el agrupamiento se efecta alre-

dedor de dicho electrn. Los grupos son peridicos con la fre--

cuencia de modulacin que excita al agrupador.


4 .2 - Ecuac~.ones de corr~.ente (22-28) .- Para ca 1cu-
genera 1es

lar el valor numrico de la corriente en el receptor, es necesa_

rio conocer el tiempo de llegada de los electrones a ese punto.

Se formula una expresin que se apoya en el principio de la con_

servaci6n de la carga es decir, toda carga que sale del agrupa_

dor debe llegar al receptor; pero, la cantidad de carga que pa-

sa por el agrupador durante un intervalo de tiempo dtl puede to_

mar un intervalo de tiempo mayor o menor en el receptor. cuanti_

tativamente se puede decir que durante un intervalo de tiempo

infinitesimal dtl, una carga

(8)

pasa a travs del agrupador, donde lo es la corriente directa

del haz. Se procede a seguir la misma carga hasta el receptor y

en ste, su tiempo de trnsito es t2. Esa carga debe pasar el

receptor durante un intervalo de tiempo dt2, que puede ser ma--

yor o menor que dtl, lo cual depende de que la carga este o no

dentro del grupo. En ambos casos, la corriente instantnea

12(t2) en el intervalo de tiempo dt2 se obtiene de

(9)
- 56 -

Por lo tanto la corriente en el receptor ser

(10)

Es muy importante conocer la relacin exacta entre t2 y tI'

Si un electrn tiene la velocidad u al salir del agrupador y la

mantiene constante, entonces su tiempo de trnsito medido desde

la parte media de la regin capacitiva del agrupador al recep--


tor es S
t2 = tI +- (11 )
u

Usando la eco (2) se tiene

t/
S
2 (12)
Uo (1 + o< sen (wtl)

donde S es la distancia entre el agrupador y el receptor.

Se define el ngulo de trnsito entre agrupador y receptor

de un electrn no modulado como 90 = wS/uo

Recordando queO('~17 la eco (12) se puede expresar de la ma-

nera siguiente,

S Soc::_
t2 = tI +- sen (wtl) (13)

multiplicando por la frecuencia de excitacin y usando las defi_

niciones apropiadas se tiene

(14)

(25,65)
La resulta de (14) haciendo el siguiente a--
Fig..24

rreglo
- 57 -

(15)

donde r=Qo~2 es el parmetro de agrupamiento con valores de

r= O. O, 0.5, 1.O,Y 1.5 . (Segn Spanganberg (25 .

9+ 11

r=1.5
r=l.
O
r=0.5
r=O.O

-TI' -1'f/2 rr

Fig.4.2.- Relacin entre los tiempos


tI y t2 para diferentes va_
lor~s de r.

En la figura se observa que para varios valores de wtl se ob_

tiene uno para wt2, esto significa que los electrones que sal--

gan del agrupador en diferentes tl's llegan al receptor al mis-

mo tiempo. Es decir, contribuyen a I2. Formalmente, esto se pue_

de escribir como sigue

(16)

Lo que realmente importa es el valor de la corriente I2 en


- 58 -

el receptor en funcin del tiempo de llegada t2' medido en la --

part~ media de la regin capacitiva del receptor.

Derivando (13) se tiene


1 - Sw COS(wtl) (17)
2Uo

y sustituyendo en (10)

(18)
1 - r cos
(.,.tI)

Esta ecuacin no es la ms til para determinar la corriente

en el receptor, puesto que da la corriente en el receptor en --

trminos del tiempo de salida tl. Sin embargo si se usa de nu~

vo la eco (14) para eliminar tI y se recuerda que coe 1, se pue

de escribir en forma aproximada

10(1 + r cos(wt2 - Go)) (19)

donde los trminos que Se han despreciado en tI' deberan de ha

ber contribuido a la corriente 12, an en trminos de ~2.

Una figura ms clara de la forma de onda de la corriente 12

en el receptor se logra cuando se hace uso de la teora de tro-

choides.

La eco (15) puede escribirse como sigue

x = Q - r sen Q (20)

donde
- 59 -

y reescribiendo la eco (18) se tiene

(21)

donde

y 1 - r cos Q (22 )

Las ecuaciones paramtricas (20) y (22) son las que dan lu--

gar a las curvas trochoides cuyo crculo giratorio es de radio

unitario y el punto trazador de su radio r (parmetro de agrupa_

miento) va desde 0.0 hasta;1.5 en este caso (Fig. 4.3).

Cuando r 1 la trochoide es una curva senoidal respecto a la


linea horizontal y=l; y la curva de su reciproco es la forma de

onda del haz de electrones, la cual tambien se aproxima a un~

senoide. A medida que el parmetro de agrupamiento aumenta, la

trochoide se aproxima a una cicloide y la forma de onda de la

corriente adquiere una altura infinita cuando r=l, aunque por

supuesto su rea sea finita. cuando r>l, la trochoide corta al

eje x dos veces en cada periodo y la forma de onda de la corri-

ente presenta dos picos infinitos, tal como se muestra en la


(66-67)
Fig. 4.4

Un tratamiento riguroso exige un anlisis de Fourier para de

terminar las componentes de corriente en el receptor.


- 60 -

~~

i lY0:'V1
~I~
~

Distancia7 x

Fig. 4.3.- Trochoides que dan lugar


a la forma de onda de la corriente
en el receptor.

(23)

Entonces, I2 en trminos de una serie de Fourier es


oC

I2= ~Lim exp(jmwt2) (24)

m=O
donde im es la amplitud de la componente m-sima de la corriente

compleja. Del formalismo de Fourier se puede determinar im

~j
siendo ~

im = .",,(-j"""t,) d(wt,) ('51

~Tr'
Se sustituye la eco (10) en trminos de ngulos de trnsito.
- 61 -

rr
~.m~
exp (-']mwt2 ) d( wt1 (26)
TlTo ( )
_j
-fT'

Se sustituye la eco (14) en la (26); entonces


tr
im'~O exP(-j~_;'exP(-jm(wtl - r ,en(wt,llld(wt,l

7r (27)

La sustitucin anterior hace que el integrancto sea una fun--

cin univa1uada de tI' Usando la integral de Bessel

1f
=-
211'
exp(-jm(9- r sen (9) ) d9 (28)

se tiene -tr
(29)

Sustituyendo el valor de im en (24) y reagrupando

trminos en los exponentes, se tiene la siguiente expresin

=
..o
l2 2lo Jm(mr) cos m(wt2 - ~ (30)

m=O

Este clculo es vlido an para aquellos casos donde la den-

sidad e1ectr6nica es infinita en ciertos puntos del haz, En es-

te clculo se desprecian tambien las interacciones entre elec--

trones, es decir, los efectos de carga espacial en el espacio

de agrupamientos.

Tambien se debe hacer hincapi que el uso de la relacin en-

tre lo e l2 es general, y los pasos en el anlisis de Fourier


- 62 -

l/y

==1. 5

~~~~~x
Fig. 4.4.- Fo~ma de onda de la corriente
en el receptor en funci6n del parmetro
de agrupamiento.

tambien son generales. La eco (12) que trata la relaci6n (t2-


tl)

permite un anlisis de Fourier grfico de las curvas resultan--

tes: por ejemplo, si en el klystron existen senales grandes en

el agrupador, tal que no se satisfaceo<l, entonces la eco

(14) no se puede deducir de (l~. La ec. (12) an se puede usar


pa_

ra graficar las curvas de t2 contra tI' y calcular la corriente

graficC\mente.

4.3.- Transferencia de energia.- Una vez calculada la cor.rien_

te de radio frecuencia en el receptor, se debe calcular el efec_

to en el circuitc conectado a la cavidad resonante. Si el poten_

cial en el receptor es V2 cos m(wt2 - Q.. - fJ)' y el trabajo que

cede cualquier carga al campo electromagntico es

dw (31)
- 63 -

donde ~ es el defasamiento de los electrones no modulados.


J

sustituyendo la eco (9) se tiene

dW (32)

La potencia cedida al circuito acoplado a la cavidad se ob--

tiene cuando se sustituye la eco (30) en la (32) y se integra


para un ciclo,

L
<00

P2= V2Io Jm(mr) cosJ3 (33)


m=O
De nuevo se ignora el hecho de que el tiempo de trnsito de

los electrones en el espacio de interaccin es finito, asi que

realmente no se debe hablar de un potencial instantneo visto

por un electr6n o por un grupo de electrones.

La potencia de C.D. del haz electrnico es

Entonces, la eficiencia de conversi6n de C.D. a C.A. es

E2~:2m=O o
'memr) C08ft (35)

La eficiencia es ptima cuando cada factor de la ecuacin an_

terior aumenta a su mximo.

Para este procedimiento, un caso ideal es cuando V2 es igual

a Vo y cosp = 1, entonces
- 64 -

L
00

E2= Jm(mr) (36)

m=O
En la Fig. 4.5 se grafica Jm(rnr) contra r.

Jm(rnr)
0.5

.
0.1
0.0
1.0

Fig. 4.5.- Curva. de Jm(mr) en funci6n


del parmetro de agrupamiento r.

Cuando se trabaja en el modo fundamental m=l, se tiene una e_

ficiencia mxima en r=1.84, de donde, Jl(1.84)=0.582 lo cual

corresponde a una eficiencia ideal de 58%.

En los multiplicadores de frecuencia, se usan los modos supe_

riores al fundamental, cuyos valores ptimos para m=2 y m=3 son

r=1.53 y r=1.40 respectivamente: de donde los valores de las Be_

Bsel Bon 0.487 y 0.434

4.4.- Comportamiento de los electrones en el espacio reflec-


(36)
tor del klystron reflex.- El tiempo de trnsito en el espacio

de reflexin lo determina la velocidad promedio del electrn

t/2
uo =(2 -VVo y la ley del movimiento acelerado. Si a es la des-
- 65 -

aceleracin entonces, la posicin de una partcula en funcin

del tiempo es

s (37)

Donde S es una funcin parablica del tiempo. Cuando t es igual

al tiempo de trnsito promejio To los electrones han regresado

al resonador y S es igual a cero. entonces la eco (37) es

(38)

La ecuacin (38) admite dos soluciones: primera. To=O corres

ponde a un electrn que no viaj al espacio de reflexin y se--

gunda

(39)

La desaceleracin a se evala de la segunda ley de Newton.

y la fuerza que actua sobre el electrn es el producto de su

carga por el gradiente del potencial entre el nodo y el elec--

trodo reflector. si el campo del reflector es uniforme, el gra-

diente es la suma de los potenciales divididas por la distancia

del reflector a la cavidad (S), entonces,

F ,.. ma (40)

sustituyendo la eco (40) y el valor de Uo en la eco (39) se


- 66 -

tiene

(41)

Si N es el nmero equivalente de ciclos y se define como

N (42)

donde f es la frecuencia de oscilaci6n entonces la eco (41) de


acuerdo a (42) es

1/2
N = 2fS(2'l,Vo)
(43)
(Vo+ Vr)

de donde se observa que el valor de N se puede calcular de la

frecuencia, separaci6n del reflector y potenciales de operacin.

Los tiempos de trnsito son un factor importante en el comporta_

miento del klystron reflex. En la prctica, el tiempo de trnsi_

to correspondiente a los valores de N entre los ciclos 1+3/4

y 10+3/4 es tpico.

4.5.- Agrupamiento en el klystron reflex.- El anlisis que

se hace para obtener la corriente de radio-frecuencia es el mis_

que el del klystron de dos cavidades, por lo que se usa la eco

(30) para definir la corriente del haz electrnico en el recep-

toro

4 .6. - e 1ectro- (37)


.- Un aspecto a. mpo rcant;e de
dm .
A m1 tanc1a n.1ca 1

klystron reflex es su sintona electrnica. La frecuencia de os_


- 67 -

cilacin cambia en cantidades apreciables (algunas decenas de

megaciclos) al v~riar el potencial del electrodo reflector. Tan

to la sintonia electrnica como el cambio de frecuencia se ex--

plican en trminos de diagramas de admitancia.

La modulacin de velocidad y su efecto (agrupamiento electr_

nico) del flujo de electrones produce una admituncia en la re--

gin de interaccin la cual debido a la no linealidad del tubo

(para un modo resonante particular) decreoe en magnitud al au--

mentar el potencial de radio-frecuencia en el espacio de inte--

raccin Fig.4.6 .

- V2

Fig.4.6.- Variacin de la corriente en fun-


cin del potencial de radio-frecuencia.

La admitancia electrnica para cualquier potencial se obtie-

ne al dividir la corriente de radio-frecuencia por el potencial

de radio-frecuencia en el espacio de interaccin.


La corr1e, nte 1l nnd UC1Lda en e l" C1rCU1 t f orma comp l eJ'a (37)
o en es

(44)

La cual se reduce a la eco (30) al considerar solo la parte


- 68 -

real. El potencial en la regin de interaccin del haz regresa-

do con la misma fase de la corriente es V =V2 exp j(wt2 -~/2).

De lo anterior se deduce la admitancia electrnica que aparece

en paralelo con la regin de interaccin: es decir (Apndice IV)

(45)

Considerando que la excitacin de la cavidad resonante es

por medio de las fluctuaciones de ruido del haz electrnico lo

que equivale a decir que V2 es muy pequeo y la ec. (45) se re-

duce a (Apndice V)

(46)

donde Yep es el valor de la admitancia electrnica a pequefta se_

~al y IoQi2Vo es su amplitud. La grfica de Yep en el plano de

la admitancia compleja forma una espiral geomtrica Fig. 4.7.

El resonador y la carga pueden ser representados en la regin

de interacci.n por una conductancia Gc y una susceptancia varia_

ble 2jc(w - wo) , que es cero en la frecuencia resonante wo.

En otras palabras la admitancia en la regin de interaccin e~24)

(47)

[~ condicin de oscilacin en el estado estacionario s~ psta

blece cuando la admitancia total es cero,

o. (48)
- 69 -
~n
,,/ de
_/
Adm tanc
.-- no
a
:---o-scilacin
del circui~o
Yc=Gc+2jc (w -w l
o

Fig.4.7.- La admitancia negativa del circuito y la admitancia e_

lectrnica a peque~a senal se grafican en funcin de

la conductancia contra la susceptancia. Cada posicin

a lo largo de la linea de la conductancia del circui-

to corresponde a una cierta frecuencia. Cada posicin

a lo largo de la espiral corresponde a un cierto ngu_

lo de trnsito.

La frecuencia de oscilacin ser igual a la frecuencia reso-

nante (wo) solo cuando a y b esten sobre el eje real, en ca

so contrario, la frecuencia se desvia por arriba o por abajo de

Wo por una cantidad que depende de c, Io/Vo y Q.


- 70 -

4.7.- Potencia del reflex.- El producto de un medio del po--

tencial de excitacin por la corriente de radio-frecuencia da

la potencia del tubo(37)

(49)

La sustitucin de V2 e 12 en la ecuacin anterior da

(50)

La potencia disipada en el circuito y la carga varia cuadr-

ticamente con el potencial de radio-frecuencia. La Fi9.4.8 gra-

fica las curvas de potencia contra voltaje.

m
~
g
$r--------------------------------,r-----,
o
Potencia disipada ,'en el
~~
circuito y la
, ,,'car9a
~ ,,
/

\0
~ /

U , ;

g
I
;

~~ "
~~~~~~~~~ l
Potencial de R.F. en la regin de interaccin

Fig.4.8.- Variacin de la potencia en funcin del po-

tencial de excitacin.

La oscilacin estacionaria surge en el momento que se cruzan

la potencia del tubo y la potencia de disipacin, se observa

que para N=3/4 de ciclo no se logra la oscilacin.


- 71 -

CAPITULO V

DISEO.

Los clculos numricos que se hacen en este captulo estan

sujetos a las consideraciones que se hicieron en los

captulos anteriores. Aqui algunos detalles se han omitido.

5.1.- La corriente de un caB6n electrnico entre 15 y 25 roA

de C.D. puede obtenerse de acuerdo a la ecuacin 8 del capitulo

11, donde se dedujo la corriente por unidad de rea para una

configuracin de electrodos plano-paralelos

-6
i 2.331x10 (1)

En la tabla 5.1 se observa la variaci6n de la corriente con

la variaci6n del potencial para un rea de ctodo y una distan-

cia entre electrodos.

La razn por la que se fij el rea del ctodo y la distan--

cia entre electrodos se debe a que es ms fcil variar el poten

cial de aceleracin que los demas parmetros en este tipo de

dispositivos.

Les clculos dados en la tabla mencionada proporcionan la co_

rriente que necesita el klystron para excitar la cavidad reso--

nante y generar la oscilacin.


- 72 -

Tabla 5.1

potencial Distancia Area del ctodo Corriente del


de entre para un radio cal'l6nelectr
aceleracin Electrodos de 0.1 cm nico
-
(volts) (cm) (cm2) (mA)
-
300 0.15 0.0314 16.90

325 0.15 0.0314 19.06


--_
350 0.15 0.0314 21.30

375 0.15 0.0314 23.62


-
400 0.15 0.0314 26.02

5.2.- La frecuencia de oscilaci6n deseada depende de los pa-

rmetros que caracterizan al tipo de cavidad resonante en tur-

no, para una cavidad cilndrica-reentrante se tiene la propie--

dad de que sus campos elctricos y magnticos pueden considerar_

se separados espacialmente: los primeros estan practicamente 10_

calizados en los elementos capacitivos, y los segundos, en los

inductivos.

Una de las condiciones que se dieron en la teoria es de que

el tiempo de trnsito de los electrones entre las rejillas sea

pequel'loen comparaci6n co~ el periodo de las oscilaciones, lo

anterior obliga a que dA; donde d es la separacin entre


rejillas y ~ la longitud de onda de la oscilacin. Por esta ra-

zn, se puede consider~r a lus rejillas y su separacin como un

condensador y a las paredes del volumen circundante como induc-


- 73 -

tancia.

Para el condensador se tiene


c=~ (2)
d

donde es la constante dielctrica del medio (para este caso

el vacio), A es el rea de las rejillas y d la separacin entre

ellas.

Las lneas de fuerza magnticas son concntricas y una apro-

ximacin a este tipo de resonador considerado como toroidal es

el de que H=l/2"r siendo l la corriente total que aParca el

flujo magntico y r la distancia radial entre el eje reentrante

y la periferia
,
del resonador. La inductancia es igual a

L = mil (3)

donde m ~ ~H ds es el flujo magntico. La sustitucin de H

en la eco (3) da

L =f-": (4J

donde ds es la diferencial de rea del resonador e igual a hdr.

de acuerdo a la eco (4) es

L =~
2rr l r.,
n _._ (S )

donde h es la altura del resonador, rl el radio de la parte re-


- 74 -

entrante y r el radio externo ambos a partir del eje.


2
La frecuencia a la que resuena la cavidad para el modo funda_

mental es

(6 )

La sustitucin de las expresiones encontradas para el conden_

sador y para la inductancia en la eco (6) da

(7)

se observa que la frecuencia est en funcin dF. los parmetros

geomtricos de la cavidad resonante.


Tabla 5.2
2
r1 (mm) r2 (mm) d (mm) rl (mm)2 h (mm) In r2 /r1 frecuencia (GHz)

2 7.0 0.5 4 7.0 1.253 8.06


2 6.9 0.5 4 6.9 1.238 8.16
2 6.8 0.5 4 6.8 1.224 8.27
2 6.7 0.5 4 6.7 1.209 8.38
2 6.6 0.5 4 6.6 1.194 8.50
2 6.5 0.5 4 6.5 1.174 8.62
2 6.4 0.5 4 6.4 1.163 8.74
2 6.3 0.5 4 6.3 1.143 8.87
2 6.2 0.5 4 6.2 1.131 9.01
2 6.1 0.5 4 6.1 1.115 9.15
2 6.0 0.5 4 6.0 1.097 9.29
2 5.9 0.5 4 5.9 1.082 9.44
2 5.8 0.5 4 5.8 1.065 9.60
2 5.7 0.5 I 4 5.7 1.047 9.76
2 5.6 0.5 4 5.6 1.030 9.93
2 5.5 0.5 4 5.5 1.012 10.11
- 75 -

La sustitucin de los parmetros dados en la tabla 5.2 en la

eco (7) cubre el intervalo de frecuencias requerido. Debe obser-

varse que sta es una de varias formas de tabular los parmetros

ms recomendables de variar.

5.3.- De acuerdo a la eco (50) del capitulo IV

para condiciones ptimas Gn= 21(n + 3/4), n= 1, 2, 3, .. Y

Jl(r) = 0.58 se obtiene la tabla 5.3.

Tabla 5.3

Vo (volts) lo ( .) V2 (volts) V2/Vo eo P2 (mw)

300-400 16.90-26.02 1. 5-3. O 0.5-1.0 14.7-45.3

que da el intervalo de potencia de salida. El (%) de la relacin

del potencial de rizo al potencial de aceleracin que excita la

cavidad est dentro de lo requerido para modulacin a pequefia

sel'lal( V2/Vo ) <.<.1.

5.4.- Se define la eficiencia como la relacin ~e la potencia

de salida a la potencia de entrada la cual de acuerdo a la tabla

5.3 da entre 0.3 y 0.5%.

5.5.- Los parmetros calculado~ se visualizan mejor en la Fig.

5.1 .
- 7b -

-~jl~I----
Y I ~ _ 150 V

- d,I_+
---.
'lo~r_ 400 V

r e eonant;e

Eje del 1---------- l-


-+-_.I-_~__.t~~__~_ if. Laa
Re~.
kly.tJ:on~ _ _ p ~_. _1 Reflecto
_ ~~_

L . . --d--:

e: u h - _J j
j
Salida
coaxial

fig. 5.1.- Representacin de algunos parmetros calculados en

las tahlas 5.1 y 5.2 . Se tomaron los valores d

r1= 2.0 mm r2= 6.0 mm d= 0.5 mm h= 6.0 mm ,

1: 1.5 mm y r= 1.0 mm , para obtener una frecuen-

cia de 9.29 GHz.


- 77 -

CONCLUSIONES

Al hacer un anlisis del trabajo se concluye que:

Al Del diseno dado, la construcci6n del Klystron es factible

con las tcnicas disponibles en el pas (en las frecuen--

cias de ap~oximadamente 10 GH~ Y potencias de algunos mW).

B) De acuerdo a la ecuaci6n (7) del capitulo v, los problemas

que aparecen al tratar de elevar la frecuencia indefinida-

mente resultan ser de naturaleza mecnica.

C) En muchos aspectos el klystron reflex es ms simple que --

otros tipos de tubos que desempeftan funciones similares,

- no requiere campos magnticos ni muy altos voltajes,

puede dar muy altas frecuencias con alguno."cientos de

volts.
-i-

APENDICE 1
Obtencin de la ecuacin (25).

El anlisis se hace en la superficie S' en donde no hay


...
J y

la integral en S es cero, al tomar en cuenta esto, la ecuaci6n

(15) se reduce a

fl
2
E dtd2
Es
f:-"
V
1:. dV
J~

+kJ.~'Es
y

al sustituir la ecuaci6n (24) queda

~-- d2

EE s
-j-
-
~ ~ --J: .
dt2 dV+ k.s Es ev "'- . Z;
V ;dtd .
'n
se dijo que in vara con el tiempo, efectundose las derivadas

indicadas en la ecuacin anterior, se tiene

A t (i',.J'V ;.e; Jv + I<;f e. ,). ~~ IV 2".' In 1;,


V V
agrupando

(/' E vJL -t-_.,k(E ~.l) (if.~ dV


Jv
puesto que
~
1<.s :: ""'" E: l.< .f
de donde

jff;'Jv
v
= Z 11
- ii -

APENDICE II

Obtencin de la ecuacin (28)

Puesto que
E::
Z
5
~l(.$_'sdv + tf-.F . $
eco (10)

L 5
dv
V V

eco (22)

= L.~E;17 L e; : =
ec. (26)

i;',
tf ., 'ti

En la eco (10) solo subsite el primer trmino del segundo


miem-

bro; se igualan las ecs. (10) y (26) adems se sustituye la eco

(22)

.L;,,~t~ = L
~ ~ S ~
tJ;J1
),~
t~($. s dV
V
se sustituye la eco (25) en el segundo miembro

en el segundo miembro n=m por tratarse de un ndice mudo; tomando

en cuenta esto, se
tiene
Vi", ~'l_
\-~ - _._ - _- t._- W
-L . f (. -'j~_- ~._)
_._-_." J

5
- iii -

APENDICE III

Obtencin de la ecuacin (40)

De la eco (15) se tiene en primer instancia


-kj>rXE) el o. (Ea)
.J

al dj idir por ~s queda

tV-!.\ r- - ~ ( (- -, _k -. \
.(
1 ~
lA)
-1iiJ,' ES;Jv = -:-...c dtV/ Esd.V-J.~~)().~d.~/ j~ ~14)1().s

.,v

-1 s
;r... ;"ti.r}o..t6WoJ,
/
(lSb)

Se da solucin a cada una de las integrales:

La integral frtl'X) -Ha da representa las prdidas en la su--


:s
perficie S de las paredes de la cavidad y cuja solucin se da a

continuacin.

Se sabe que

x .. H(l+j)fLv.",.'
2r (Al)

C;,;El.it;.da {W
- Cl+jl ."da (A2)

3 )

entonces
- iv -

Al considerar una oscilacin en la que solo se excita el modo S


se;i:n~si~.HSdV (A])

la cual al sustituJ.r en la eco (2) se tiene

(M)

(AS)

1
fxEl.HSda U+iIV"::/":da -::fF
que al sustituir en la eco (A4) da

-(l-il'h:- jH:daj B Bsdv (A6)

;J

ahora se est en condiciones de expresar el tercer trmino del -

segundo n.Le mbr o de la eco (ISa)

Ks
,
.. -
f/(nxE) . Hsda Ks
)1- (l-j)
.t:
V2 !
,(.,
(J" Hada ,'E'EsdV
f.. _., )
(A 7)

J$ ~ -v
Recordando que

entonces
,r:::.
's{ -(I- ,C-.,)

I{ - - -,
=r" Ws ) -(l-j)/~~

- (1 -) . H"s w.-.:..._.f.:_.
-< .< 2 1/\ 9)
2 Q""
- v -

Lo que al dividir por /"".l-WWqsueda

1 r;;:-:_,
-: (l-j )~vs V 7(f

(l+j) f (AIO)

donde s - 1VG-W.A-.r , es la profundidad de penetracin.

y finalmente,

KsJ(xE)
I
.Hada = (l+j) 4 (Ha _1-v
2da / E'Esdv (All)

al pasar este trmino al primer miembro de la eco (15b) queda -

( A12)
Puesto que la eco (40) contempla una cavidad con dos salidas; e~

tonces la integral en SO de la eco (ISa) debe ser la suma.

(Para una salida) (A13)


11- ..)...z,- J~ = /'~ ,.:"v,,,
. .'111./1
'" ~.~ .
+ L .~.l,{M
:Para dos salidas) (A14)

-'J '" ",


Al sustituir la eco (AI4) en la eco (AI2) solo en la integral c2

rrespondiente a So queda
- vi -

-~:itj(~;}~dcj
~~ ]
=.;M l 1-( v.-" T ~~.0'1
(A15)

&'
Se sustituye la eco (39) en la eco (A15)

d))_~(-- ,."',.)
A dt I~ -e; -z;): .E,dV +~ -< ... vs~ (A16)

puesto que d~t = (jW) la eco (A16) queda igual a

(A17)

=
~~ ,'

~.'~
---

l.,
u.t

-t
1

i!'fII
-
(
--1
$E,&V+--A.
~ 1V.s
,~ ... ~..... (A18)

...V.

J"j- " J-. ~ ~- j


~I C)~
1"
IC )
,
~ 'Jo..al , prilrer Jv :;
-:f(- ;'~JI)- +(I+1_
Lel wprimer trminoj .2.
;\ ;-1.
~
solo se pasa - miembro de la eco (1112)

:.s ~I-'" 11 ?S"1


V

-~ d r d j- - TEs (A19)

Puesto que

dv
v

(A20)
- vii -
la eco (A20) se divide por j,..wtWWs para reducirla a

- _1_jJ'ESdV
~Ws
(A2l)

~
se sustituye la eco (A2l) en la eco (A19) para obtener

\ d.--~--~l) + (I-t 1) -~ - ~'d (( + ?~ -=~~~=~---(-E.l J

el I +
-_s
n", ... Z + i's", ~

+ - I - (- r. r-: dv _ -<", tr'.-


E:
sw J
.)v ' ~.J
_ W..s - i()s -
que es la eco (40).
- viii -

APENDICE IV

Obtencin de la eco (45)

De la eco (44) se tiene que

I2 = 2IoJl (r) exp j (wt2 - Qo)


y que

V = V2 exp j (wt2 - -f>


Puesto que Ye =: I2 se tiene que
V

2IoJl(r) ex~ j(Wt2-Qo)


Ye = V2 exp j (Wt:.:>.- -1)
y simplificando,

y = 2IoJl(r) exp j(1r _ Qo)


e V2
- ix -

APENDICE V

Obtencin de la ecuacin (46).

Al analizar la funcin Bessel se recuerda que (= Bec>< don


2
de eX es la relacin del potencial de la cavidad al potencial de
aceleracin: es decir ex: = _y_
VD
al sustituir estos valores en -

el argumento de la funcin Bessel se tiene,

o
JI (r) = J (9 V)
l 2Vo

Se recuerda que segn la teora de Modulacin de pequeaa seaal -

V ~ v 10 que permite simplificar la funcin Bessel a 1/2 de su

argumento; es decir

.: (90 V)
2 2Vo

al sustituir este valor en la eco (45) se obtiene,

v L o
lp -= Tit "xp I -:t - - o.
,(".
- 78 -

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