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LABORATORIO N 01

TIRISTORES

CARRERA : TECNOLOGA MECNICA ELCTRICA

CICLO :V

SECCIN : I

DOCENTE : ING. LUIS ALBERTO GONZLEZ OBANDO

CURSO : LAB. ELECTRONICA INDUSTRIAL

ALUMNO :

Giancarlo Magno Revilla

Roberto Carlos Aguilar Tuesta

Jose Manuel Junior Zafra Llajaruna

FECHA DE ENTREGA : 221-04-2017

2017 -II
INTRODUCCIN.

El presente laboratorio consistir en una prctica de recoleccin de datos de


los diferentes tipos de tiristores, permitiendo as obtener destrezas en el
reconocimiento y pruebas de semiconductores de potencia.
El tiristor es un componente electrnico constituido por elementos
semiconductores que utilizan realimentacin interna para producir una
conmutacin. Tambin se dice que los tiristores por ser de componentes
semiconductores dependiendo de la temperatura para comportarse como
aislantes o como conductores. Los tiristores son unidireccionales ya que solo
conducen la corriente por un solo sentido. Son empleados mayormente en
control industrial.

El dispositivo consta de un nodo y un ctodo, donde las uniones son de tipo


P-N-P-N entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores
tpicos P-N-P y N-P-N, por eso se dice tambin que el tiristor funciona con
tensin realimentada. Se crean as 3 uniones (denominadas J1, J2, J3
respectivamente), el terminal de puerta est conectado a la unin J2 (unin
NP).
TIRISTORES
1. OBJETIVOS:
a. Objetivo general.
Obtener destreza en el reconocimiento y prueba de
semiconductores de potencia.
b. Objetivo especfico.
Probar su funcionamiento y establecer diferencia de
comportamiento.

2. FUNDAMENTO TEORICO:
El tiristor es un conmutador biestable; por tanto, es capaz de dejar
pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente sin
tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar
grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede
observarse tambin en el diodo Shockley.
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo,
debe generarse una corriente de enganche positiva en el nodo, y
adems debe haber una pequea corriente en la compuerta capaz de
provocar una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el
dispositivo conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo
se debe inducir desde el nodo una corriente de sostenimiento,
mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de
conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de
disparo. Se puede controlar as la tensin necesaria entre nodo y
ctodo para la transicin OFF > ON, usando la corriente de puerta
adecuada (la tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de
la tensin de puerta pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor
sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG (intensidad de
puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que
el tiristor conduzca.
Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe
intensidad de puerta y la tensin nodo-ctodo es mayor que la
tensin de bloqueo.

3. EQUIPOS Y MATERIALES:

Cantidad Descripcin Marca Modelo Ilustracin

01 Multmetro FLUKE 117

01 Diodo Semikron SKR

01 SCR SEMIKRON

01 Transistor ST BJT-
NPN
01 Transistor INTERNATIONAL MOSFET
RECTIFIEL
01 Transistor INTERNATIONAL IR IGBT
RECTIFIER

NOTA:
En este laboratorio trabajar con tensiones peligrosas. No
modifique ni haga ninguna otra conexin, salvo que su
profesor lo autorice. Antes de energizar, solicite la
autorizacin a su profesor.
4. PROCEDIMIENTO

A. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL DIODO


1. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Cdigo Elctrico de identificacin: SKN 26/08

Smbolo:

Ilustracion 1 diodo SKN

2. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin


(Use el manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor):

Fabricante: SEMIKRON

Parmetro Abreviacin Valor


Voltaje Pico inverso repetitivo Vrrm 800 V

Voltaje pico inverso no Vrsm 800V


repetitivo
Corriente Directa Media Ifav 25A
Corriente Directa Eficaz Ifrms 40A
Corriente Instantnea no Ifsm 375A
Repetitiva

3. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la


diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus
terminales.
4. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo us4ando el
Multmetro

Digital.

Lectura del Multmetro

OL

Lectura del Multmetro

0.454 V

Marque el estado del dispositivo:

Operativo: Inoperativo:

Conclusiones y Observaciones:

Existen diodos de potencia de diversos cdigos, y todos trabajan con


distintas potencias.

Su diseo nos permite trabajar en la electrnica industrial, es decir con


altas intensidades de acuerdo al dispositivo.
B. RECONOCIMIENTO Y PRUEBA DEL SCR
5. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:
Cdigo Elctrico de identificacin: SKT40/08D
Smbolo:

6. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin


(Use el manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor.):
Fabricante: SEMIKRON

parmetro Abreviacin Valor


Voltaje Pico inverso repetitivo. V rrm 800 V
Voltaje pico inverso no V rsm 900 V
repetitivo.
Corriente Directa Media. I tav 40 A a 80 C
Corriente Directa Eficaz. If rms 38 A a 35 C
Corriente Instantnea no I fcm 700 A a 25 C
Repetitiva.

7. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la


diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus
terminales.
8. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el
Multmetro
Digital.

Cable Rojo del Multmetro Cable Negro del Multmetro Valor Medido (V)

A K OL
K A OL
A G OL
G A OL
K G 0.037 V
G K 0.035 V
Marque el estado del dispositivo:

Operativo: Inoperativo:

Conclusiones

Dispositivos semiconductor que conduce la corriente en un solo sentido


y este lo hace mediante oscilaciones mandadas por el GATE.
Cuando se realiza la prueba solo el ctodo con el Gate ya sea directa o
inversa presentan voltaje variable muy pequea, debido a que el GATE
se encuentra conectado para la oscilacin.

C. RECONOCIMIENTO DE TRANSISTORES

TRANSISTOR N 1

Tipo de Transistor: BJT-NPN

Cdigo Elctrico de identificacin: 2N3055

Smbolo:

10. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el


manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor.):

Fabricante: ST

Parmetro Abreviacin Valor

Voltaje Mximo C-E: V cer 70 V


Voltaje Mximo C-B: V cbo 100 V
Ic Mximo: Ic 15 A
Potencia de Disipacin: Ptot 115 W
Beta o hfe: H fe 70
Frecuencia de Operacin: Ft 3 MHz

11. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la


diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.
12. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro
Digital
Ca

Cable Rojo del Multmetro Cable Negro del Multmetro Valor Medido (V)
C E OL
E C 0.606
C B OL
E B 0.604 V
B E OL
B C OL

Marque el estado del dispositivo:

Operativo: Inoperativo:

Conclusiones:

Estos transistores estn formado por una capa fina tipo p entre dos
capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o
silicio, el emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base,
en la base se gobiernan dichos portadores y en el colector se recogen
los portadores que no puede acaparar la base.

Unin emisor: es la unin PN entre la base y el emisor.


Unin colector: es la unin PN entre la base y colector.
Cada una de las zonas est impurificada en mayor o menor grado. La
base 100 veces menos que el colector o emisor.
La base tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor
el colector.

TRANSISTOR N 2
Tipo de Transistor: MOSFET

Cdigo Elctrico de identificacin: IRF3205

Smbolo:

TRASISTOR MOSFET IRF3205

14. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el


manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor):

Fabricante: INTERNATIONAL RECTIFIEL

Parmetro Abreviacin Valor


Voltaje Mximo D-S : V dss 55 V
Voltaje G-S : V gs +/- 20 V
ID Mximo a 25C : Id 110 A
Potencia de Disipacin : Pd 200 W
Resistencia D-S (On) : Rdson 8

15. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la


diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.

16. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro


Digital.
Cable Rojo del
Multmetro
Cable Rojo del Multmetro Cable Negro del Multmetro Valor Medido (V)
C E OL
E C 0.606
C B OL
E B 0.604 V
B E OL
B C OL

Marque el estado del dispositivo:

Operativo: Inoperativo:

Conclusiones.

Al realizar la prueba nos dimos cuenta de que solo cuando se conecta el


cable rojo en el emisor y el cable negro el colector marca un pequeo
voltaje, y lo mismo sucede con el emisor y la base debido a que es un
diodo mosfet.
Este transistor es muy utilizado en la electrnica industrial en circuitos
analgicos o digitales y casi todos los microprocesadores estn basados
en transistores MOSFET.

TRANSISTOR N 3

17. Para el dispositivo usado anote los siguientes datos:

Tipo de Transistor: IGBT

Cdigo Elctrico de identificacin: G4PSH71KD


Smbolo:

TRANSISTOR IGBT G4PSH71KD

18. Realice la bsqueda en la hoja de datos de la siguiente informacin (Use el


manual ECG o las hojas de datos dada por el profesor.):

Fabricante: INTERNATIONAL IR RECTIFIER

Parmetro Abreviacin Valor


Voltaje Mximo C-E : V ces 600 V
Voltaje G-E : V +/- 20 V
Ic Mximo : I cm 40 A
Potencia de Disipacin : Pd 160 W
Voltaje C-E ( On ) : V Ve on 2.05 V

19. De la informacin dada por el fabricante en la hoja de datos realice la


diagramacin de la forma fsica del dispositivo e identifique sus terminales.
20. Realice la prueba de funcionamiento del dispositivo usando el Multmetro
Digital.
Ca

Valor Medido (V)


Cable Rojo del Multmetro Cable Negro del Multmetro Valor Medido (V)
C E OL
E C 0.351
C G OL
G C OL
G E OL
E G OL

Marque el estado del dispositivo:

Operativo: Inoperativo:
Conclusiones.

Este transistor da seales de puerta de los transistores de efecto campo


con capacidad de altas corrientes y bajos voltajes de saturacin del
transistor bipolar.
Su circuito de excitacin se parece al del mosfet y esto ha servido de
gran ayuda a los variadores de frecuencia as como para maquinas
elctricas.
Es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha
sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
Dispositivo capas de conmutacin en sistemas de alta tensin

D. PRUEBA DE TRANSISTORES

21. Implemente el siguiente circuito usando para ello:

Utilizaremos el software de simulacin llamado miltisim.

LLAME AL PROFESOR PARA QUE REVISE


SU CIRCUITO

TRANSISTOR BIPOLAR

22. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente manera:

T1 Colector

T2 Base

T3 Emisor
T1

T2

T3

23. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para
cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el
punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.

VOLTAJE EN B VOLTAJE EN
A
15 0.295 v
12 0.302 v
10 0.308 v
8 0.313 v
6 0.332 v
4 0.336 v
2 0.777 v
1 6.54 v
0.5 14.15 v
0 15

Esquema 1
Esquema 2

24. En el cuadro anterior encierre en un recuadro las mediciones que muestren


los siguientes estados:

Corte, Amplificacin y Saturacin

Conclusiones y Observaciones:

Si abrimos la amplificacin el voltaje se reducir lo que tiene un caso


inverso a cuando se va a cerrar el amplificador, teniendo un aumento
considerable de voltaje.

TRANSISTOR MOSFET

25. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente manera:

T1 Drenador
T2 Gate
T3 Surtidor
Esquema 3

26. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para
cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el
punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.

VOLTAJE EN B VOLTAJE EN
A
15 0.373 v
12 0.375 v
10 0.378 v
8 0.389 v
6 0.393 v
4 0.704 v
2 15 v
1 15 v
0.5 15 v
0 15 v
27. En el cuadro anterior encierre en un recuadro las mediciones que muestren
los siguientes estados:

Corte, Amplificacin y Saturacin

Conclusiones y Observaciones:

Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect


Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba en
que, en los MOS, la puerta est aislada del canal, consiguindose de esta
forma que la corriente de dicho terminal sea muy pequea, prcticamente
despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo de
transistores es elevadsima, del orden de 10.000 MW , lo que les convierte en
componentes ideales para amplificar seales muy dbiles.

TRANSISTOR IGBT

28. Ubicar el transistor en el circuito con sus terminales de la siguiente manera:

T1 Drenador

T2 Gate

T3 Surtidor

29. Usando el terminal rojo del multmetro, ubicarlo en el punto B del circuito y
regular el potencimetro a los valores mostrados en el cuadro siguiente, y para
cada uno de ellos con el mismo terminal rojo del multmetro colquelo en el
punto A y mida la lectura del voltaje y anote lo en el cuadro.

VOLTAJE EN B VOLTAJE EN
A
15 1,168 v
30. En el cuadro anterior 12 1.285 v encierre en un
recuadro y anote las 8 1.46 v mediciones
que muestren los 10 1.707 v siguientes
estados: 6 6.465 v
4 15 v
Corte, Amplificacin y 2 15 v Saturacin
Conclusiones 1 15 v
0.5 15 v
En este artculo se analiza 0 15 v el
comportamiento elctrico y trmico de
transistores PT-IGBT conectados en paralelo utilizando un control activo de
reparto equilibrado de corriente. El estudio de la estructura interna y de las
ecuaciones que describen el funcionamiento de un transistor IGBT muestra la
capacidad de modificar el funcionamiento del transistor segn la relacin
tensin-corriente colector-emisor (VCE-ICE) variando el valor de la tensin
puerta-emisor (VGE). Finalmente se comparan los resultados de
funcionamiento de los transistores con control de reparto de corriente con los
obtenidos sin aplicar ninguna accin de control.

5. CONCLUSIONES
La corriente que activa el SCR puede ser de bajo valor, pues
con solo un pulso de corriente este quedar activo.
El voltaje que hay en el nodo cae drsticamente al momento
del encendido del SCR y queda siendo un voltaje aproximado
de 0.8 v.
Los SCR nos permiten controlar el paso de corriente a
determinadas ramas de un circuito previniendo daos y
alargando la vida til de estos.
Mientras no se aplique ninguna tensin en el GATE del scr no
se inicia la conduccin, dado que esta es la clave para que el
tiristor quede activo de forma permanente hasta que algo
externo al l rompa la conduccin.
Los scr se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia,
en el campo del control; debido a que el tiristor puede ser
utilizado como interruptor de tipo electrnico
6. OBSERVACIONES:
Al variar el modelo de tiristor varia la corriente de activacin de la
compuerta, por lo tanto varia el valor ptimo de Rp
El condensador puede estallar si no se coloca de la manera
adecuada