You are on page 1of 17

Tema 1.

Proceso de diseo de electrnica porttil


1. Partes del proceso de desarrollo

1. Planificacin del producto: casos de uso y plan de negocio. Sin especificaciones


2. Diseo e ingeniera: Especificacin, arquitectura del sistema, diseo del circuito,
diseo fsico, supone el 70% del coste final.
3. Adquisicin: Ver si es posible, bsqueda global, precio y cooperacin con los
diseadores.
4. Fabricacin
5. Marketing y distribucin: Crear necesidad al cliente, minimizar inventario, manejar
tienda y distribuidores y anunciar producto en el mercado.
6. Servicio y soporte: Facilidad de reparacin, se pueden permitir las reparaciones?,
nivel de prestigio, garanta y derechos de usuario.

2. Qu es un caso de uso? Dnde se incluye?

Un caso de uso es una descripcin de los pasos o actividades que debern realizarse para
llevar a cabo un proceso. Sirve para que un usuario entienda el producto en un primer vistazo.
Este apartado se incluye en la planificacin de usuario.

3. Cules son los factores de diseo?

1. Funcionalidad
2. Desarrollo
3. Interfaz de usuario
4. Factor de forma
5. Vida de la batera
6. Coste
7. Time-to-market
8. Fiabilidad

4. Cuntos factores de forma hay? Cul es ms usado? Interpretacin grfica


volumen-peso

El factor de forma es uno de los mayores condicionantes del producto. Los tipos de
factores de forma son: caja de herramientas, cuaderno, cartera, paquete de tabaco, bolgrafo,
llavero, tarjeta de crdito, reloj y wearables en general, como gafas, audfono El volumen y el
peso llevan una evolucin lineal, cuanto mayor es el peso, mayor es el volumen.
5. Diseo del sistema

1. Concepto de producto
2. Innovacin y creacin
3. Validacin y comunicacin
4. Requisitos del producto
5. Desarrollo de la arquitectura del sistema
6. Trade-off anlisis
7. Discusin del modelo de costes
8. Diseo del circuito
9. Diseo fsico y mecnico

6. Curva de componentes y probabilidad de fallo

Conforme aumenta el nmero de componentes, la probabilidad de fallo se incrementa de


forma exponencial.

Tema 2. Procesado analgico y digital

1. Qu es un sistema empotrado?

Es un sistema diseado para realizar una o unas pocas funciones dedicadas, a menudo en
tiempo real. Es un dispositivo integrado que contiene MPU (Microprocesador), memoria y
puertos de entrada y salida. A menudo tiene un software particular.

2. Qu es una FPGA? Caractersticas, ventajas e inconvenientes

Una FPGA (Field Programmable Gate Array) es un dispositivo semiconductor que


contiene bloques lgicos sencillos programables, interconexiones masivas de fbrica
programables y circuitos y sigue la ley de Moore por lo que cada vez se pueden incorporar ms
circuitos integrados CMOS en un mismo espacio. Las caractersticas de la FPGA son: permite
programar funciones complejas, permite arquitecturas paralelas masivas, procesamiento de
numerosos canales con el microprocesador, es reprogramable y flexible. Las ventajas son:
rapidez en darse cuenta de errores de diseo, sigue el proceso de fabricacin estndar de IC (Ley
de Moore), produccin masiva barata y muchas variantes, tamaos y caractersticas. Los
inconvenientes son: complicado patrn de proteccin a la radiacin, demanda mucha energa y
no analgica.

3. Qu es un sistema en un chip?

Es un chip que incorpora todo el sistema completo. Contiene ncleos de microprocesador


empotrados (ej: interfaz Ethernet), tiene sistema operativo (ej: Linux), combina microprocesador
y lgica paralela masiva y tiene un diseo de flujos dual, firmware HDL y software C.

4. Qu es una memoria?

Es el dispositivo que retiene, memoriza o almacena datos informticos durante algn


intervalo de tiempo. Es una parte esencial de los sistemas empotrados. La arquitectura de
memoria determina significativamente la cantidad de probabilidades del sistema y de su
funcionamiento. Cuesta entre el 30 y el 50%. La memoria de estado slido viene de mltiples
formas, interna a la CPU/SOC, en circuitos externos y en diferentes tipos de combinaciones de
memoria. Existen muchas tecnologas de memoria diferentes. Todos los sistemas requieren algn
tipo de memoria no voltil donde el cdigo que se ejecuta est almacenado.

5. Comparativa de redes Wireless respecto redes cableadas

1. Altas tasas de prdidas debidas a interferencias. Otras seales


electromagnticas, objetos en el trayecto (multitrayecto, dispersin)
2. Disponibilidad limitada del espectro til. Las frecuencias han de estar
coordinadas, las frecuencias ms tiles estn casi todas ocupadas.
3. Ratios bajos de transmisin. rea local: 2-11Mbit/s, wide area: 9.6-19.2 kbit/s.
Muy desfasado, libro de 2004.
4. Altos retardos, variaciones altas de jitter. El tiempo de conexin para los
mviles en segundo rango, cientos de milisegundos para sistemas LAN
Wireless.
5. Baja seguridad, ataques activos simples. Interfaces radio accesibles por
cualquiera. Estaciones base se pueden simular y esto atrae llamadas desde
telfonos mviles.
6. Siempre en un medio compartido. Importantes mecanismos de acceso de
seguridad.
6. Qu ocurri en el ao 1946?

En 1946 se introdujo el servicio de telefona mvil en US (MTS). Permita llamadas


telefnicas entre estaciones fijas y usuarios mviles. Un solo transmisor/receptor potente
(estacin base) proporcionaba cobertura hasta a 50 Km. Se basaba en tecnologa FM, cada canal
de voz de 3 KHz usaba 120 KHZ de espectro, y solo half dplex era lo que estaba disponible. La
probabilidad de bloqueo era de 65% (solo 12 llamadas simultneas podan ser manejadas).

7. Qu dos mejoras tecnolgicas hicieron del mvil una realidad en 1979?

1. El microprocesador que permita algoritmos complejos.


2. Enlaces de control digital entre la estacin base y el mvil. Permita incrementar el
control del sistema y servicios ms sofisticados (traspasos, sealizacin digital y
localizacin automtica del dispositivo mvil).

Tema 3. Empaquetado electrnico


1. Cuando posiciono dos componentes, qu aspectos influyen en la distancia a la que
los sito?

1. Enrutado de escape (enrutado de salida de las conexiones de este circuito integrado)


2. Zona de enrutado cercano entre el mismo circuito integrado. Conexiones entre patillas
del mismo chip.
3. Zona de enrutado general.

2. Por qu el empaquetado de circuitos integrados? Tipos de empaquetado

Las patas de entrada y salida de un circuito integrado deben estar unidas al sustrato para
estar conectado elctricamente al resto del sistema. Adems el empaquetado debe proteger el
dispositivo durante el envo, el proceso de unin del sustrato y durante la vida del producto.
1. Leaded package. Fueron desarrollados para apoyar las superficies de circuitos
integrados en un sustrato de PCB. Hay muchos tipos, el ms conocido es el QFP
(quad flat pack). Se ha de soldar en el sustrato de la PCB.
2. TAB/TCP package. Se desarrollaron para lograr paquetes muy delgados con
cables de paso fino. En este caso solo se empaqueta la parte de arriba del die y
este se pone en contacto con las patas que a su vez estn en contacto con el
sustrato.

3. COB (Chip On Board): se trata de una tecnologa sin encapsulado, se adhiere el


die directamente al sustrato y las conexiones de I/O se realizan mediante cables
que unen a ambos. Se pone un encapsulado de proteccin por encima. Esto
permite reducir la altura del componente, sin embargo esto supone tcnicas de
fabricacin complicadas ya que la conexin es delicada.

4. Flip-chip: otra tecnologa sin encapsulado, el die se coloca encima de un array


de bolas que se est en contacto con la placa. Se rellena la parte de abajo del die
con un plstico. Esta tecnologa es de difcil ruptura y es ms pequeo que el
COB.
5. BGA (Ball Grid Array): Se basa en un COB o un flip chip montado en una placa
intermedia que se conecta al sustrato mediante un array de bolas, que permite que
las conexiones I/O estn ms separadas entre s.

6. CSP (Chip Scale Packages): son parecidas a los BGA pero bastante ms pequeas
y en cuanto a grosor se parecen ms a los Flip Chips.
A continuacin se puede observar la comparacin entre las distintas formas de
empaquetado:

3. Parmetros de empaquetado

1. Densidad de enrutamiento (cm/cm2)


2. Densidad de partes (partes/cm2)
3. Recuento medio de pines
4. Densidad de conexiones (conexiones/cm2)
5. rea total de silicio (mm2)
6. Silicon-tiling density
7. Nmero de partes
8. Nmero de conexiones
9. Cuenta de oportunidad

Tema 4. Displays
1. Tipos de displays de pantalla plana

1. Liquid Crystal Display (LCD).


a. Nematic. Es la estrategia ms comn.
b. Smetic. Se centran en las molculas, sustancias,comportamientos al campo
electromagntico y polariza la luz dee una u otra forma.
c. Chiral
2. Emissive
a. Displays de emisin de campo. Mini CRTs
b. Electroluminiscentes
c. Light Emiting Polymer
3. Microdisplays
a. Cristal lquido
b. MEMS. Sistema microelectromecnicos. Polarizacin de la luz basada en
fenmenos electromagnticos.
c. Electroluminiscentes.

2. Estructuras para combinar los pxeles

1. Stripe. Diseo del array simple al igual que la fabricacin y la gestin de circuito.
Mezcla pobre de colores.
2. Mosaic. Offset, ms complejo que el stripe
3. Delta. Offset + desajustar pxeles de una lnea frente a otra. Excitacin de
circuitos ms simple. Mejor mezcla de colores. El ms complejo.

3. Diferencias entre red pasiva y red activa en LCDs

La red pasiva es la aplicacin de distintas polaridades para que deje pasar un tipo u otro
de polarizacin. Bajo contraste entre pxeles. La malla se va descargando.

La red activa tiene un transistor para cada uno de los pxeles que est excitado y se
desexcite. Hay un transistor que drena la corriente. Drenado de corriente de cada uno de los
pxeles de forma individual mejora el contraste. Malla activa. Hay dos tipos de transistores: TFT
(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) y MIM (Metal-Insulator-Metal). La red activa
tiene un gran contraste porque cada TFT o MIM drena la corriente de cada pxel.

4. Diferencias entre pantalla plasma y pantalla LCD

El LCD y el plasma tienen en comn la organizacin de pxeles. En el caso del plasma,


organiza la pantalla en pxeles con clulas pequeas que incorporan gases ionizados que hacen la
gestin de control o filtro de la luz. El LCD tiene sustancias cuyas molculas se organizan en una
misma direccin, no se organizan en niveles.

5. Diferencias entre LCD y MEMs.

Los MEMs incorporan una malla de filtrado de la luz que tiene un mecanismo mecnico
que se mueve con campos electromagnticos, mientras que los LCDs no la incorporan.
6. Comparativa de displays

1. Matriz
2. Resolucin
3. Ratio de contraste
4. Luminosidad
5. ngulo de vista
6. Velocidad de conmutacin
7. Linealidad
8. Refresco
9. Tensin de accionamiento
10. Rango de temperatura
11. Tiempo de vida
12. Madurez

7. Definiciones

Ratio de apertura. Es el ratio de rea activa productora de contraste y el rea total del
display de un elemento. Tambin se le llama factor de relleno.

Ratio de aspecto. Es el ratio de ancho por alto de la pantalla.

Brillo. El brillo o luminancia es una medida del flujo luminoso o la potencia total de luz
emitida por una nica fuente.

Candela. Es la unidad fundamental de la intensidad luminosa. Una candela es la


intensidad luminosa de 1/60 de centmetro cuadrado del rea proyectada de un cuerpo negro a la
temperatura de congelacin del platino (2042K)

CCFL (Cold cathode fluorescent light). Es una luz fluorescente que no usa un elemento
caliente para la emisin de electrones. En su lugar crea un campo de emisin inicial usando una
gran tensin.

Temperatura de color. La temperatura de color de una fuente luminosa blanca es


equivalente a la temperatura de un cuerpo negro que emite luz lo ms prxima a ella.

Ratio de contraste. Se define como la luminancia de un pixel encendido dividido por la


luminancia de un pxel apagado.

Iluminancia. Medida de la luz reflejada por una superficie pasiva, a diferencia de la luz
radiada por un emisor activo.
Resolucin. La resolucin se cita como el nmero de pxeles horizontales seguidos por el
nmero de pxeles verticales.

8. Diferencias y saber cmo funcionan las pantallas tctiles

1. Pantallas tctiles resistivas. Basada en medir la resistencia que hay en una serie de
conexiones tanto en filas como en columnas. Cuando cambia una fila o columna
se realiza una pulsacin en serie. Tecnologa robusta porque hay una componente
fsica ya que hay que apretar un poco para detectar la posicin del dedo.
2. Surface acoustic wave. Esta tecnologa tambin usa ondas ultrasnicas que fluyen
por la pantalla tctil. Cuando el panel es tocado, una porcin de la onda es
absorbida. La onda superficial se transmite en columnas y filas. En el receptor se
ven las seales que se van percibiendo. Si se caen en el receptor es que ha habido
un bloqueo con el dedo. Se necesitan seales en los dos sentidos.
3. Capacitivas. Se centran en la diferencia de capacidad tierra-usuario-pantalla tctil.
Miden la cada de tensin para saber si se acerca un dedo o no. Las variaciones de
tensin muy pequeas por lo que se comenten muchos errores. Los sensores
capacitivos detectan cualquier cosa que sea conductora o tenga un dielctrico
diferente al aire.
4. Matriz de infrarrojos. Una pantalla de infrarrojos usa un array X-Y de LED
infrarrojos y un par de fotodetectores alrededor de los bordes de la pantalla que
detectan una interrupcin en el patrn de LEDs. Resolucin no muy ptima. En
funcin de la obstruccin localiza el dedo.
5. Tecnologa de seal dispersiva. Al pulsar en un punto determinado de la pantalla
se transmite una seal por la superficie y mediante la medicin del tiempo de
propagacin hasta los sensores de las esquinas se determina la posicin exacta del
dedo.

Tema 5. Bateras
1. Ventajas e Inconvenientes de estas tecnologas. (Qu se exige)
Menos peso
Ms energa
Tiempo de recarga ms cortos
Tiempos de almacenaje ms largos
Mayor tiempo de vida
Todo simultneamente
2. Tipos de Bateras Primarias (Desechables)

1. Standard Zinc Carbon Batteries:


+ Baratas y ampliamente disponibles
- Ineficientes cuando el drenaje de corriente es alto
- Curva de descarga mala
- Peor comportamiento a temperaturas bajas.
2. Heavy Duty Zinc Chloride Batteries:
+ Mejor resistencia ante fugas
+ Mejor funcionamiento cuando el drenaje de corriente es alto
+ Mejor funcionamiento a bajas temperaturas
3. Standard Alkaline Batteries:
+ Tienen un 50%-100% de energia ms que Zinc Carbon
+ Autodescarga bajo (10 aos de vida estacionaria)
+ Buena para corriente baja (<400mA), larga duracin
- Curva de descarga pobre

4. Lithium Manganese Dioxide:


+ Alta densidad de energa
+ Mayor tiempo de vida estacionaria
+ Capacidad de alta descarga
- Caro

3. Tipo de Bateras Secundarias (Recargables)

1. Nickel Cadmium:
+ Robustas
+ Larga duracin
+ Econmica
+ Buena tasa de alta descarga
- Txica
- Densidad de energa baja
Fue la primera en incorporarse al PC o mvil por los 1000 ciclos de carga, porser
fcill de cargar y rpida, la descarga de mantenimiento es de C/16 .

2. Nickel Metal Hybrid Batteries:


+ Mayor energa de densidad que NiCd
+ No es txica
+ Curva de descarga buena
- Vida reducida y tasa de descarga
- Son ms caras

Para su recarga, tardan m que las NiCd, se autodescarga ms que NiCd, es mejor que
se descargue poco que mucho (ciclo largo) ya que se degrada tras 200-300 ciclos largos y es
menos propenso a la memoria que NiCd.

3. Secondary Alkaline Batteries:


- 50 ciclos al 50% de descarga
- No tiene efecto de memoria
- Es mejor descargas pequeas que grandes
4. Lead Acid Batteries:
+ Menos caras
+ Duran ms
- Baja densidad de energa
- Txicas

+ Baja Auto-descarga
+ No tiene efecto memoria
- No se puede almacenar cuando se descarga
- Nmero limitado de descargas completas
- Peligro que se sobrecaliente cuando se carga

5. Lithium Ion Batteries


+ Tiene un 40% ms de capacidad que NiCd
+ Descarga plana como NiCd
+ Se autodescarga un 50% menos que NiCd
- Cara
Tiene 300 ciclos y el 50% de capacidad a los 500 ciclos.

6. Lithium Ion Polymer Batteries:


+ Su composicin permite una geometra ms fina, una forma flexible y
menor peso.
+ Coste potencialmente ms bajo (pero sigue siendo cara)
- Menociclosos que las de Li-ion
- Menor densidad de energa

4. Cmo se mide la capacidad de la energa en una pila?

Conociendo el voltaje de la pila (mediante un voltmetro), se coloca una carga conocida


para que drene una corriente constante y tambin conocida al voltaje constante de la pila. El
tiempo que se mantenga la pila proporcionando esa corriente constante a la carga multiplicado
por la corriente, ser la capacidad de energa.
Ej: I = 100 mA durante 21 horas => 2100 mAh

5. Qu es el efecto memoria?

Cuando una batera no se descarga totalmente se cristalizan parte de los electrolitos y se


pierde la energa que tiene, es decir su poder de descarga, por lo que dura menos. Una vez
cristalizados las sustancias, estas no reaccionan qumicamente y no proporcionan corriente. Se
recupera capacidad de almacenaje en la batera.
6. Diferencias entre TRT en zona lineal y en conmutacin.

El TRT en zona lineal funciona en modo continuo, la tensin de entrada es elevada por lo
que su rendimiento es menor y es menos complejo.
El TRT en conmutacin funciona en modo conmutado entre corte y saturacin en el
transformador conmutado. Su rendimiento es mayor (70-90%), la transferencia de energa es a
alta frecuencia y se garantiza un rizado pequeo.

Tema 6. Diseo mecnico


1. EMI Shielding

Aislamiento:

Se utilizan superficies en las que se realizan agujeros para conseguir un menor peso. Por otro
lado conseguimos un mejor aislamiento utilizando capas contiguas. En campo lejano se obtiene
una onda plana el problema es que sta se produce a diferentes frecuencias dependiendo de la
longitud de onda de la seal. Anchura de la piel: distancia o profundidad en el metal en el cual el
campo se atena hasta valer un 37% el valor del campo inicial. Los metales con mejor
aislamiento son: acero, cobre, aluminio.

2. Procesos de reflexin en las dos capas

Cuando se pretende introducir un capa de metal para aislar un campo magntico tenemos dos
superficies. La que separa el aire del metal y la que separa el metal del aire. En las dos
superficies se producen reflexiones. Parte de la radiacin pasa y la otra se refleja. En el caso
de campo elctrico las prdidas de reflexin decrecen con las frecuencia en el de campo
magntico aumenta. En diseo se aplica un factor corrector para corregir el valor de
aislamiento. Introducir este factor supone reducir la eficiencia. Se buscan capacidades de
rechazo del orden de 40 - 100 dB. La siguiente grfica mide el factor que se tiene que restar
en relacin con el grosor de la capa dividido de la profundidad de la piel:
El rechazo cae con la frecuencia hasta que llega un momento en el que se produce una subida
exponencial debida a que la anchura de la capa que considero coincide con la anchura de la piel
del metal. Por otro lado en los plsticos no ocurre este fenmeno y podemos conseguir para las
frecuencias que nos interesan rechazos de hasta unos 200 dB. Adems existe un mtodo
intermedio que consiste en realizar agujeros en el metal para reducir el peso. Gracias a los
agujeros conseguimos eliminar esa subida exponencial. Si adems cubrimos esta rejillas con un
plstico conseguimos un comportamiento intermedio entre el qeu se consigue con el plstico y el
obtenido con el metal sin agujeros. La siguiente grfica representa el resultado:
La primera lnea representa el comportamiento del metal con agujeros y cubierto de plstico. Las
Lneas inferiores representan el comportamiento con el uso de plsticos. Por ltimo existe un
problema en el aislamiento en el cual existe una fuente de ruido principal que debemos aislar.
Tenemos dos tcnicas: Por un lado proteger el circuito o por otro aislar las antenas. O nos podra
interesar usar las dos a la vez dependiendo del diseo.

3. Anlisis de temperatura a alto nivel:

La siguiente frmula relaciona la potencia que tengo que disipar con el rea, con el coeficiente
de transferencia de calor y con el incremento de temperatura:

Debemos conseguir la h ms alta posible. Esta h se estima utilizando diferentes parmetros del
dispositivo y de los elementos que interaccionan en l. Un ejemplo de uso de esta frmula es el
siguiente:

Tema 7. Software y Comunicaciones


1. Cmo ha sido la evolucin de aplicaciones software?

Etapa 1: MMI Man Machine Interface: los eventos entre el usuario y el mvil (llamadas,
botones, alertas,) son limitados. Cada funcin es un procesamiento de un evento que se
puede mostrar en pantalla.
Etapa 2: Interfaz de usuario con men: El usuario se gua dentro del men, puede elegir entre
varias posibles funciones y cada una de esas funciones tiene una interfaz.
Etapa 3: Entorno de ejecucin: No existe la concurrencia entre aplicaciones. Se ejecuta una
aplicacin en cada instante. Se pueden instalar apps de terceros.
Etapa 4: Sistema Operativo: puede correr tareas concurrentes.
2. Definiciones:

Aplicacin: programa software que proporciona una utilidad particular al usuario. Ej: juego,
navegador, agenda de contactos, etc.
Applicacition framework: software que permite a varias aplicaciones acceder a una serie de
funciones o libreras comunes compartidas (middleware).
Middleware: conjunto de funciones software que varias funciones pueden utilizar y acceder a
ellas. Ej: hacer una llamada, mandar sms, acceder a una conexin de internet.
System Kernel: software que maneja el acceso a recursos compartidos como el procesamiento de
tiempo, memoria y drivers, planificacin de tareas de software, etc.
Device Drivers: software que proporciona control sobre perifricos (Hardware) y el sobre el
intercambio de datos entre el perifrico y el software del dispositivo.

3. Cules son los sistemas operativos de los mviles en la actualidad?

iOS (Apple): SO nicamente para dispositivos de Apple, deriva de Mac OS X


Android (Google): SO basado en Linux y disponible como open-source
Blackberry (Research In Motion RIM): SO basado en Java para dispositivos
BlackBerry de RIM.
Windows Phone (Microsoft): SO lanzado en 2010. Gracias a la colaboracin con
Nokia tuvo xito en el mercado.
Symbian (Symbian Foundation): SO predominante usado por Nokia hasta 2010.
WebOS (HP): SO nuevo basado en Linux. Fue desarrollado originalmente por
Palm y luego adquirido por HP.