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1- Estructura del silicio y del germanio.

Bandas de conduccin (diferencias entre aislador,


conductor y semiconductor)
2- Defina semiconductores intrnsecos
3- Defina semiconductores extrnsecos
4- Defina semiconductores tipo P, tipo N y juntura P y N: Diodo.
5- Polarizacin del diodo.
6- Curva caracterstica del diodo. Curva ideal, curva real y curva practica
7- Explique rectificadores: de media onda, onda completa con 2 diodos y de onda completa
con puentes de diodos.
8- Explique diodo zener: curva caracterstica, smbolo y aplicaciones.
9- Defina diodo LED: tipos, smbolos y aplicaciones
10- Hable sobre diodos especiales: fotodiodo, varicap, diodo tnel, etc.

1. Estructura del silicio:

La cristalinidad:

Se refiere a la disposicin que tienen los tomos en la estructura cristalina. El silicio se


puede encontrar en tres estados cristalinos:

Monocristalino
Policristalino
Amorfo.

Coeficiente de absorcin, tienen los elementos sobre unas longitudes de onda. Si un


material dispone de un coeficiente pequeo significar que tiene poca absorcin.

El tomo de silicio presenta un enlace covalente, cada tomo est unido a otros cuatro
tomos y compartiendo sus electrones de valencia. Necesita 8 electrones para su estabilidad.
El enlace covalente lo forman todos los elementos del grupo IV de la tabla peridica, al cual
pertenece el silicio.

Al aplicarle energa externa, ya sea de calor o de luz, se rompen los enlaces quedando un
electrn libre por cada enlace roto, pero a su vez. Se tiene un hueco vaco, el que ocupaba el
electrn. De esta forma se obtiene corriente elctrica, por el movimiento de los electrones
haca los potenciales positivos y del movimiento de los huecos haca los potenciales negativos.

Estructura del germanio:

Es un metaloide slido duro, cristalino, de color blanco


grisceo lustroso, quebradizo que conserva el brillo a
temperaturas ordinarias. Presenta la misma estructura cristalina que el diamante y resiste a
los cidos y lcalis. Forma gran nmero de compuesto de rganos metlicos y es un
importante material semiconductor utilizado en transistores y foto detectores. A diferencia de
la mayora de semiconductores, el germanio tiene una pequea banda prohibida (band gap)
por lo que responde de forma eficaz a la radiacin infrarroja y puede usarse en amplificadores
de baja intensidad.

El diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por tomos de


carbono. El silicio y el germanio forman redes similares Este tipo de elementos tienen
propiedades intermedias entre metales y no metales. En cuanto a su conductividad elctrica,
este tipo de materiales al que pertenece el germanio, son semiconductores.

El estado del germanio en su forma natural es slido y pertenece al grupo de los metaloides.
El nmero atmico del germanio es 32. El smbolo qumico del germanio es Ge. El punto de
fusin del germanio es de 1211,4 grados Kelvin o de 938,25 grados celsius o grados
centgrados. El punto de ebullicin del germanio es de 30,3 grados Kelvin o de 2819,85 grados
celsius o grados centgrados.

Los conductores tienen la propiedad fsica de conducir los electrones debido a que un la
ltima rbita comnmente pueden tener ms de cuatro y hasta ocho electrones lo cual les da
esta caracterstica, la mayora de los metales son excelentes conductores porque sus tonos
estn muy junto entonces aunado a la caracterstica anterior funcionan muy bien para
conducir electrones. El mejor conductor es el oro.

Los semiconductores tienen la caracterstica de que en su ltima rbita solamente tienen


cuatro electrones, por lo cual mezclados con otros materiales funcionan ya sea como aislante
o conductores, los materiales semiconductores son cristales como el silicio y germanio de los
cuales se pueden dopar con otro material para forma los materiales llamados P o N (depende
el dopaje) comnmente usados en la electrnica.

Los materiales aislantes reducen la conduccin elctrica debido a a que en su ltima rbita
tienen menos de cuatro electrones por lo cual no son buenos conductores, el mejor material
aislante es la porcelana.

Es importante saber que no existen materiales ideales (ni conductores ni aislantes), es decir
que no conducen ni aslan al 100%.

2. Semiconductores intrnsecos

Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia. Las energas requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.
El proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el
estado energtico correspondiente en la banda de conduccin a un hueco en la banda de
valencia, liberando as energa. Este fenmeno se conoce como "recombinacin". A una
determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se
igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece constante.
Sea "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin de huecos
(cargas positivas).

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos
tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el cristal a una
diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la debida al
movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos
prximos, originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin contraria
al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conduccin.

3. Semiconductores extrnsecos

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de


impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrnseco, y se dice que est dopado. Las impurezas debern formar parte de la estructura
cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.

4. Semiconductor tipo N
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un
cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).

Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los
tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material
donante, ya que da algunos de sus electrones.

El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el


material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del
silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un
enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco
electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P),
arsnico (As) o antimonio (Sb), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de
silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este
electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el nmero de electrones
en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los
portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los
tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados
tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un
ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga
elctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un


cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).

Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de los
tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y
los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un
tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo con
tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In),
y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr
tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en condicin de aceptar un
electrn libre.

As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por
la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son
aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los
huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas
de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

UNIN P-N

Juntura P-N a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente


denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Est formada por la
unin metalrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque tambin se fabrican de
germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de
cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas,
normalmente con algn otro metal o compuesto qumico. Es la base del funcionamiento de la
energa solar fotovoltaica.

5- Polarizacin directa

Polarizar directamente es aplicar una tensin como se muestra en la figura siguiente.


Juntura PN con polarizacin directa

Puede observarse que la polarizacin directa provoc una disminucin del ancho de la
barrera de potencial de la zona de agotamiento. El lado p tiene una diferencia de potencial
positiva respecto al lado n. Los electrones y huecos tienen ahora mayor facilidad para cruzar la
barrera. La corriente de difusin aumenta y la de deriva disminuye, teniendo as una corriente
neta en el diodo que circula desde el lado p hacia el lado n
Polarizacin inversa

Polarizar en inversamente es aplicar una tensin como se muestra en la figura siguiente.

Juntura PN con polarizacin inversa

Como puede observarse, la polarizacin inversa provoca que el lado n tenga una diferencia
de potencial positiva respecto al lado p. Esta diferencia de potencial positiva provoca que la
barrera de potencial de la regin de agotamiento se expanda, impidiendo con mayor fuerza
que los portadores mayoritarios la crucen. Impedir que los portadores mayoritarios pasen
hacia el otro lado por difusin provoca un aumento de la corriente de deriva la cual est
compuesta por los portadores minoritarios. Al ser los portadores minoritarios menores en
cantidad, la corriente inversa es pequea. Esta corriente trasciende las barreras de la juntura
pn, circulando desde el lado n al lado p. La concentracin de portadores minoritarios se
mantiene a ambos lados de la juntura gracias a la generacin trmica. La corriente inversa es
proporcional a la temperatura (aumentando con ella), al rea de unin (aumentando con ella)
y es prcticamente independiente del voltaje aplicado (para unas pocas dcimas de voltios, la
corriente empieza a circular pero llega hasta un valor mximo limitado por la cantidad de
portadores de carga que en este caso son los minoritarios).

6-
7.

Circuito rectificador monofsico de media onda


El esquema de un circuito rectificador de media onda se muestra en la figura siguiente:

Como el elemento rectificador D, solo permite el paso de corriente en un solo sentido,


nicamente circular corriente por la resistencia de carga, en los momentos en los cuales
el borne u es ms positivo que el borne v.
Si la tensin de salida del transformador es de forma senoidal:
u(t) = Umax sen t
Podemos observar que durante el intervalo de 0 - , el borne u es ms positivo, con lo
cual el diodo D conduce, y sobre la resistencia de carga RC , circula una corriente cuyo
valor esta dado por:
Esta situacin se presenta en la figura 11.5
En el intervalo - 2 , la polaridad de u es negativa con respecto a v (v es positiva
con respecto a u), por lo tanto no hay circulacin de corriente (Diodo bloqueado).
Situacin que se muestra en la figura 11.6.

Figura 11.6 Situacin de conduccin cuando el borne v es ms positivo que el u


Las formas de onda que aparecen sobre la carga son las mostradas en los grficos de la
figura 11.7.
Figura 11.7 Formas de onda sobre la carga y los distintos elementos
del rectificador monofsico de media onda.
8- Diodo zener

Qu es un Diodo Zener?
Los diodos zener, zener diodo o simplemente zener, son diodos que estn diseados para
mantener un voltaje constante en su terminales, llamado Voltaje o Tensin Zener (Vz) cuando se
polarizan inversamente, es decir cuando est el ctodo con una tensin positiva y el nodo
negativa. Un zener en conexin con polarizacin inversa siempre tiene la misma tensin en sus
extremos (tensin zener).

Aqu tienes la imagen de un diodo zener real:


Cmo Funciona un Diodo Zener

Cuando lo polarizamos inversamente y llegamos a Vz el diodo conduce y mantiene la tensin Vz


constante aunque nosotros sigamos aumentando la tensin en el circuito. La corriente que pasa
por el diodo zener en estas condiciones se llama corriente inversa (Iz).

Se llama zona de ruptura por encima de Vz. Antes de llegar a Vz el diodo zener NO Conduce.

Como ves es un regulador de voltaje o tensin. Fijate en la grfica de funcionamiento del zener
ms abajo.

Cuando est polarizado directamente el zener se comporta como un diodo normal.

Pero OJO mientras la tensin inversa sea inferior a la tensin zener, el diodo no conduce, solo
conseguiremos tener la tensin constante Vz, cuando est conectado a una tensin igual a Vz o
mayor. Aqu puedes ver una la curva caracterstica de un zener:

Para el zener de la curva vemos que se activara para una Vz de 5V (zona de ruptura),
lgicamente polarizado inversamente, por eso es negativa. En la curva de la derecha vemos que
sera conectado directamente, y conduce siempre, como un diodo normal. Este diodo se
llamara diodo zener de 5V, pero podra ser un diodo zener de 12V, etc.

Sus dos caractersticas ms importantes son su Tensin Zener y la mxima Potencia que pueden
disipar = Pz (potencia zener).

La relacin entre Vz y Pz nos determinar la mxima corriente inversa, llamada Izmx. OJO si
sobrepasamos esta corriente inversa mxima el diodo zener puede quemarse, ya que no ser
capaz de disipar tanta potencia.
Un ejemplo: Tenemos un diodo zener de 5,1V y 0,5w. cual ser la mxima corriente
inversa que soportar?

Recordamos P = V x I; I = P/V. En nuestro caso Izmx = Pz/Vz = 0,5/5,1 = 0,098A.

Para evitar que nunca pasemos de la corriente inversa mxima, los diodos zener se
conectan siempre con una resistencia en serie que llamamos "Resistencia de Drenaje".

Vamos a ver cmo sera la conexin bsica de un diodo zener en un circuito:

Tipos de Diodos Zener


Actualmente se pueden encontrar diodos zener de valores Vz desde 0,2V hasta 200V y
de Pz hasta los 50 vatios. Hay principalmente dos variedades de zener, los ZD o ZDP que
son los europeos y los 1N que son americanos. Los ZDP por ejemplo el ZPD12 significa que
tienen una tensin zener de 12V. Para el resto tendremos que mirar sus caractersticas en
la tabla de fabricante, aunque normalmente su tensin de ruptura viene impreso sobre el
mismo diodo zener. Si quieres aprender electrnica de forma fcil para todos, te
recomendamos el siguiente libro que contiene los conceptos bsicos de electrnica
explicados de forma sencilla y amena, ahora en oferta por solo 4.
Qu aplicaciones tiene el diodo Zener? La principal aplicacin que se le da al
diodo Zener es la de regulador.
Qu hace un regulador con Zener?, Un regulador con zener ideal mantiene un voltaje
fijo predeterminado, a su salida, sin importar si vara el voltaje en la fuente de
alimentacin y sin importar como vare la carga que se desea alimentar con este
regulador.
Curva caracterstica:

9- EL (DIODO) LED

(Light Emiter Diode - diodo emisor de luz)

Si alguna vez has visto, unas pequeas luces de diferentes colores que se encienden y apagan, en
algn circuito electrnico, sin lugar a dudas has visto el diodo LED en funcionamiento.

El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn, pero que al ser atravesado
por la corriente emite luz.

Existen diodos LED es de varios colores y estos dependen del material con el cual fueron
construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo.
Debe de escogerse bien la corriente que atraviesa el LED para obtener una buena intensidad
luminosa. El LED tiene un voltaje de operacin que va de 1.5 V a 2.2 Voltios aproximadamente y la
gama de corrientes que debe circular por l va de 10 mA a 20 mA en los diodos de color rojo y de
entre 20 mA y 40 mA para los otros LEDs.

Tiene enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como son su bajo consumo de
energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas.

Qu Aplicaciones tiene el diodo LED?

Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta situacin especfica de


funcionamiento, hasta en televisores.

TIPOS DE LED:

10- Diodos Especiales

Simbolos:

Diodo Tnel

El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la


cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia
diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente -
tensin.
La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo
(amplificador- oscilador).
Diodo Led

Diodo emisor de luz, tambin conocido como LED (acrnimo del ingls) de Light-
Emitting Diode) es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de
espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN del mismo y circula
por l una corriente elctrica. Este fenmeno es una forma de electroluminiscencia. El
color (longitud de onda), depende del material semiconductor empleado en la
construccin del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible,
hasta el infarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta tambin
reciben el nombre de UV LED (UltraV'iolet Light-Emitting Diode) y los que emiten luz infrarroja
suelen recibir la denominacin de IRED (Infra-Red Emitting Diode).

Diodo Avalancha

Un diodo avalancha, es un diodo semiconductor diseado


especialmente para trabajar en tensin inversa. En estos diodos, poco
dopados, cuando la tensin en polarizacin inversa alcanza el valor de
la tensin de ruptura, los electrones que han saltado a la banda de
conduccin por efecto de la temperatura se aceleran debido al campo
elctrico incrementando su energa cinetica, de forma que al colisionar con electrones de
valencia los liberan; stos a su vez, se aceleran y colisionan con otros electrones de valencia
liberndolos tambin, producindose una avalancha de electrones cuyo efecto es incrementar la
corriente conducida por el diodo sin apenas incremento de la tensin.

Diodo schottky

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor


del fsico alemn Walter h. Schottky, es un dispositivo
semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre
los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en
dipositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones
umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en
ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin
de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor
en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien
existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que -a pesar de estar
polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente.

Diodo Varicap
El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que
basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la
barrera de potencial en una unin PN varie en funcin de la tensin inversa
aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la
anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este
modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad
obtenidos van desde 1 a 500 pf. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.
Diodo Lser

El diodol laser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que
bajo las condiciones adecuadas emite luz lser. A veces se los denomina diodos
lser de inyeccin, o por sus siglas inglesas LD o ILD

Diodo Zener

Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que


funcione en las zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de
avalancha o de ruptura, el diodo zener es la parte esencial de los
reguladores de tensin casi constantes con independencia de que se presenten grandes
variaciones de la tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.

Diodo P-I-N
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia
semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N
(estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la
capa intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad ()
o bien por una capa n de alta resistividad ().
El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:
- Conmutador de RF
- Resistencia variable
- Protector de sobretensiones
- Fotodetector

Fotodiodo

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a


la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea
correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta
circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su
construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es
decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y
el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente
de oscuridad

Diodo Gunn

Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. A


diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o
N, solamente tiene regiones del tipo N, razn por lo que impropiamente
se le conoce como diodo. Existen en este dispositivo tres regiones; dos de
ellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas y una delgada regin intermedia de material
ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje determinado a travs de sus terminales, en la
zona intermedia el gradiente elctrico es mayor que en los extremos. Eventualmente esta zona
empieza a conducir esto significa que este diodo presenta una zona de resistencia negativa.