1.2.- El transistor Bipolar (BJT).

El transistor bipolar es conocido como un elemento amplificador de

seal. En el contexto de los componentes electrnicos de Potencia, es
Fig 2.17: Transistor de
usado como un dispositivo de conmutacin, ya que, dispone de las
Potencia (cortesa RCA)
caractersticas que lo convierten en un conmutador casi ideal.

A diferencia del transistor bipolar normal, en el cual, la zona de trabajo ms importante era la
lineal, en el transistor de potencia los estados ms importantes de funcionamiento son el estado de
saturacin y corte. Estos dos estados se corresponden al estado abierto y cerrado del conmutador
ideal.

Los transistores bipolares de alta potencia son utilizados fundamentalmente para frecuencias
por debajo de 10KHz y son muy efectivos hasta en aplicaciones que requieran 1200V y 400A como
mximo.

Caractersticas a considerar del transistor Bipolar.

Intensidad mxima que puede circular por el Colector IC.

Tensin de ruptura de colector con base abierta, VCE0 (mxima tensin C-E que se
puede aplicar en extremos del transistor que provoca la ruptura).
Potencia mxima, Pmax.
Tensin en sentido directo.
Corriente de fugas.
Frecuencia de corte.

Otros parmetros importantes son:

Tensin de ruptura colector base con base abierta, VCBO.

Tensin de ruptura emisor base con base abierta, VEBO.
Tensin de ruptura por un aumento excesivo de la corriente de colector y de la tensin C
E, VCEOSUS.

Adems de los anteriores, en funcin de la polarizacin B E podemos definir estos otros:

VCEO: Tensin de ruptura colector emisor, con base abierta.

VCER: Tensin colector emisor con resistencia de base especificada.
VCEX: Tensin colector emisor con circuito especificado entre base emisor.
VCEV: Tensin colector emisor con tensin especificada entre base emisor.
VCES: Tensin colector emisor con unin base emisor cortocircuitada.

Los transistores bipolares de potencia presentan durante la conmutacin un fenmeno

complejo conocido como efecto de segunda ruptura. Si la ruptura por avalancha se denomina
primera ruptura, la segunda ruptura se puede definir como la ruptura de la unin debido a efectos
trmicos localizados (creacin de puntos calientes).

La primera ruptura se debe a un aumento excesivo de la tensin C E. Sin embargo, la

ruptura secundaria se produce cuando la tensin C E y la corriente de colector aumenta
excesivamente, de tal forma que sta ltima se concentra en una pequea rea de la unin de
colector polarizado inversamente. La concentracin de corriente forma un punto caliente (falta de

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uniformidad en el reparto de la corriente) y el dispositivo se destruye trmicamente. Este tipo de
ruptura podr presentarse tanto en turn on como en turn off.

La figura 2.18 representa la caracterstica tensin intensidad de un transistor NPN bipolar

de potencia. Al igual que en uno de pequea potencia, vemos las zonas de saturacin, corte y
activa:

Fig 2.18: Caracterstica tensin intensidad de un transistor NPN bipolar de

potencia.

Ventajas de los transistores Bipolares de Potencia.

Los transistores con los que se puede llegar a controlar mayores potencias son los
bipolares de silicio. Los transistores de efecto de campo se pueden utilizar para
frecuencias ms altas y la potencia que se emplea para su control es menor.

Los transistores tienen como ventaja que para pasar de conduccin a bloqueo slo
es necesario disminuir la corriente de base, no necesitando circuitos especiales de
conmutacin. Adems los tiempos de paso de bloqueo a conduccin y viceversa son
de pocos microsegundos, mientras que un tiristor de igual potencia puede llegar a
centenas de microsegundo, como veremos posteriormente.

Inconvenientes del BJT

Como inconveniente, se puede citar que los transistores bipolares necesitan una
considerable corriente de base para estar en conduccin y no alcanzan las altas
potencias de los tiristores. Otra limitacin muy importante del transistor bipolar, es
que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace instantneamente, sino
que siempre hay un retardo (ton, toff). Las causas fundamentales de estos retardos
son las capacidades asociadas a las uniones colector base y base emisor y los
tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.

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Tiempos de conmutacin.

Fig 1.19 Tiempos de conmutacin en el transistor

En las aplicaciones en que se usa el transistor de potencia como interruptor, es necesario

hacerle cambiar de estado (on / off) reiteradamente. El paso de un estado a otro no se realiza de
forma instantnea, sino que transcurre un cierto tiempo. Esta limitacin se aprecia tanto ms
conforme aumenta la velocidad a que se precisa hacerlo conmutar (frecuencia de control).

Dentro del tiempo de conmutacin podemos distinguir entre tiempo de excitacin o

encendido (ton) y tiempo de apagado (toff).

Tiempo de encendido (ton) ton = td + tr

Tiempo de apagado (toff) toff = ts + tf

En el diseo se debe intentar disminuir los tiempos de paso de conduccin a corte y

viceversa, ya que estos tiempos producen picos de potencia. (Ver figura 1.19)

Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el que transcurre desde el instante en que se aplica la
seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el 10% de su
valor.

Tiempo de subida (Rise Time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el
10% y el 90% de su valor final.

Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor final.

Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 90%
y el 10% de su valor final.

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Disipacin total de Potencia del BJT en conmutacin.

El primer trmino de potencia del dispositivo aparece en la potencia que se utiliza para
controlar el terminal de control o base, este trmino viene dado por:

PB = VBE IB (E1.17)

Otro pequeo componente de la potencia disipada por el transistor viene dada por la
expresin:
Poff = VCE IC VCC I fugas (E1.18)

El trmino ms importante de la expresin total de la disipacin de potencia viene dado por

las prdidas de potencia en conduccin:

PON = VCE (sat) I C (E1.19)

El paso de corte a saturacin o viceversa provoca unas prdidas en conmutacin. Estas

prdidas son: Woff y Won.

Si los tiempos asociados a estos componentes son cortos y la frecuencia de conmutacin f

del BJT es alta, deberemos calcular la potencia media disipada multiplicando los mltiples trminos
de potencia por el trmino f (frecuencia de conmutacin). Este clculo es muy importante para el
diseo y clculo del disipador de calor que deber llevar el dispositivo. La potencia media disipada
vendr dada por:

[ ]
PD (PB on + Pon ) Ton + (PB off + Poff ) Toff + (Woff + Won ) f (E1.20)

Diseo de circuitos con transistores.

Requerimientos dinmicos de base.

Como consecuencia de los tiempos de

retardo que se producen en el transistor, la
puesta en funcionamiento del mismo en el
instante deseado resulta problemtico. Inicial-
mente interesara una corriente de base elevada,
para disminuir el tiempo de retardo, y finalmente,
una corriente de base negativa, para forzar el
bloqueo en el menor tiempo posible. La figura
muestra la forma de onda idnea de la corriente
de base de un transistor bipolar para obligarle a
evolucionar sin problemas, a saturacin y
despus a corte de forma ptima.

No es demasiado difcil imaginar la

Fig 2.21: Forma idnea de la corriente de base para la complejidad de un circuito que genere dicha
conmutacin del transitor bipolar. corriente, si pensamos que adems el valor
necesario, puede alcanzar varios amperios.

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 La tendencia actual es la de intentar simplificar al mximo este problema. Por ello se han
desarrollado distintos circuitos integrados (drivers), que con la adicin de muy pocos componentes
exteriores logran hacer la funcin de ataque, limitndose a un margen de frecuencias bajo (<
100KHz) y de potencias bajas/medias.

Vamos a ver un ejemplo de circuitos de control para reducir los tiempos de conmutacin de
los transistores de potencia.

Fig 1.22: Circuito de base para control del turn-on

En el circuito de la Fig 1.22 vemos que cuando la tensin de entrada es Ve (durante el turn-
off), la tensin del condensador se suma a la de entrada como una tensin inversa que debe
soportar el transistor. Esto produce un pico en la corriente de base. La tensin ir disminuyendo
conforme se descarga el condensador, evolucionando hacia el rgimen estable Ve.

Durante el semiperiodo t1, la Ve se mantiene constante. En esas condiciones, la VBE es de

unos 0.7V y el condensador se carga a una tensin Vc de valor:

Ve 0.7
Vc = R 2 (E1.21)
R1 + R 2

La constante de tiempo a la que se cargar el condensador ser aproximadamente de:

R R C
= 1 2 (E1.22)
R1 + R 2

Con el condensador cargado, la intensidad de base se estabiliza a un valor IB que vale:

Ve 0.7
IB = (E1.23)
R1 + R 2

En el instante en que la tensin de entrada pasa a valer -Ve, tenemos el condensador

cargado a Vc y la VBE = 0.7V. Ambos valores se suman a la tensin de entrada, lo que produce el
pico negativo de intensidad IB(min.):

Ve + Vc + 0.7
I B(min) = (E1.24)
R1

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 A partir de ese instante el condensador se descarga a travs de R2 con una constante de
tiempo:
= R2 C2. (E1.25)

Al volver de nuevo la fuente Ve a tener un valor positivo, la carga del condensador es nula
(se ha descargado durante t2), y la VBE = -Ve. En esas condiciones se produce el pico positivo en la
corriente de base:

Ve VBE(inversa )
IB(max ) = donde VBE(inversa) = -Ve (E1.26)
R1

Para permitir unos tiempos de carga y descarga del condensador suficientes, se puede
tomar un ancho del pulso para la VBE(t):

t1 51 y t 2 5 2

La frecuencia mxima de conmutacin vendr dada por:

1 1 0.2
fs = = (E1.27)
T t1 + t 2 1 + 2

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