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Primipios de Metalurgia fsita

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212

221
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224
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Pa-

245
Robert E. Reed-Hill
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24B

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7.B.
157
11.
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COMPAr;A EDITORIAL CONTINENTAL, S. A. , MEXICO ~70
no,
DISTRIBUIDORES: ios
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ESPAI'IA _ ARGENTINA - CHILE - VENEZUELA n
I, COLOMBIA - PERU ~7.
no
Bolivia _ 8rlllll _ COila Rica _ Dominicana - Ecuador - El Salndor la-
E'lado' Unido. _ Guatemala _ Hondur.. - Nlc.raru a - Pan,m"
pu.gua,. _ Porlul_t - Puerto Rico - UrufUI" os
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UIIO.' EDeCAno. AL Pl'BLlSHI, 'G I :TER, ATIONAL Prefado stales


9. El
al' ....j , P' by D. Van Nc.uaud CampanJ. 212
4"'11,1. O J973 by Unan Educational PubU.sb1ng. loc." I

1Anry 01 C-'." I Ce .. Joc C"d Number : 79-181094


221
. En este volumen se han continuado tanto el plan bsico como la filosofa de la
edicin onginal. Los cambios principales en la nueva edicin son principalmente ia ln z

el resultado de las su~erencias constructivas y consejos del Profr. Richard W. Heckel, , 224
de la Drexel UniverSlty, Dean Walter S. Owen, de la Northwestem University y el
Profr. Marvin Metzger, de la University of D1inois. Uno de los resultados de ' estas Esta z

su.gerenclas es la jnclusin de un capitulo sobre nucleacin y cintica de erect. Mo-


tillento. La idea de este capitulo fue inspirada tambin por un juego de notas pr~ y Pa
potclon adas gentilmente al autor por el Profr. Heckel. Se reconoce con gratitud la
Segund.a 1m plUln : considerable ayuda del Dr. John Kronsbefn en la revisin y aumento del Cap. 3,
acostO de 1980 Teora Elemental de los Metales.
Como consecuencia de las peticiones para la inclusin de tpicos faltantes o 245
cubiertos, demasiado Ugeramente en la primera edicin, el nuevo libro ha sido
aumentado en tamao en cerca de un diez por ciento. En un sentido amplio, el
- material adicional ajusta en dos clasificaciones. Primero se encuentran los tpicos
que recientemente se ban vuelto importantes en el campo de la metalurgia. El se
5n de
7.3.
gundo grupo consiste en materias bien establecidas que no fueron cubiertas en la , 248
primera edicin, pero que, con el uso del texto, se encontr que era necesaria ODll ..
lClon ,
Du, ' i$ zd .. > tIIl Ltngua EqGiiow...1979. Primero. Publicacin presentacin ms unificada. Entre las .reas de las primeras materias estn la micros-
copla elec trnica, mecnica de las fracturali , sobreconductividad, sobreplasticldad,
7.8.
COMPA!liIA EDITORIAL CON'IINENTAL. S. A. recuperacin dinmica, envejecim1ento por deformacin dinmica, electrotransporte, 257
C....z. DE T!..u.PAN NM. 4620. MtlClCO 22, D. F. mJgracin trrnJca , y dislocaciones emisarias. En la ltima categora se encuentra 7.11.
el nuevo capitulo sobre nucleacin y cintica del crecimiento y tpicos tales como , 261
U. CA""-, "AClOJIi',u. DE. LA JNDUSIRIA EDITORIAL magnetismo, teora zonal de las fases de aleacin, los cinco grados de libertad de de la
'7&'..-.o ,..'-.. 4.3 un plano de exfoliacin , la regla de fase , la tensin y la deformacin reales, la ~ Nu
..
z

solucin slida y homogenlzact6n de piezas fundidas , el endurecimiento por el traba


aClOn
Dl8T1UBUIDoRES PRINCIPALES EN , jo y la difusin en sistemas no lsom6rficos. ..
lClon,
El nmero de problemas ha sido aumentado sustancialmente con respecto a los
del Ubro original de confonnidad con la tendencia comn en ingeniena de poner Otras
CAYAJlCDJI NM . 52., MADRID 7, ESPAA h d escritos con el
maJOT nfasis en la soludn de problemas. Los problemas an SI o 270
A . CN ..... NO .... 96, 98 Y lOO, ESQ. PADILLA , al estudiante el material
n1mo de ilustrar los puntos cubiertos en el texto y exponer :rano,
1414, BuDOI AIIlu, AaCENTINA J 101 conceptos no cubiertos directamente en el libro. R bert T 11bios
V AMv114ft<iul NOM. 458, SANTIAGO DI! CHILE, CHlLE Re reconoce con gratitud la valiosa ayuda de los doctores JoOO Hren, ~d d d
DI-I..a C. Aa. Av. FU l.,
A-UADA., EsQ. SAN MICUEL beHoff, De.ek Dove, ElIJs Verlnk y F . N . Rhines, todos ellos de la Ubnlvee~ ~SJDOe
y del
ucin
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Da.. " ' -
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""0 6.
CA'ACAS. VENEZUELA ftortda, qUienes revi8aron secciones del libro o dieron sugerencias so re .
7.27.
- - D& E.caPIO (ONCE) NM. 2.-56, Robert E. Reed.Hill
jrano
Boaor'. Cot.ot.tBIA :05ta
A. 'v. D& P"''',l NO ... 2199 \erzos
LA V_ _ -In ... 13, PUO
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G-rano,
Indice de Materias Ingulo
tite de
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~nSlOn

istales
19. El
:, 212
Prefacio
I

1 LA ESTRUCTURA DE LOS METALES


15
221

a In-
I
I
1.1. La Estructura de los Metales, 15 1.2. Preparacin de Probetas , 224
Metalogrficas, 16 1.3. La Estructura Cristalina de los Metales , 18 Esta- I
1.4. Celdas Unitarias, 18 1.5. La Estructura Cbica Centrada en el . Mo-
"-Cuerpo, 19 1.6. Nmero de Coordinacin de la Red Cbica Centrada y Pa
en el Cuerpo, 20 1.7. La Red Cbica Centrada en las Caras, 20 1.8.
Comparacin de las Estructuras Cbica Centrada en las Caras y Hexa-
gonal Compacta, 22 1.9. Nmero de Coordinacin de los Sistemas
Compactos, 23 1.10. La Celda Unitaria de la Red Hexagonal Como 245
pac ta , 23 1.11. Anisotropia , 24 1.12. Texturas u Orientaciones
Preferentes,26 1.13. Indices de Miller, 27 1.14. Estructuras Cris- Sn de
talinas de Jos Elementos Metlicos, 33 1.15. La Proyeccin Estereo- 7.3.
grfica, 33 1.16. Direcciones que Quedan en un Plano, 34 1.17. . 248

Planos de Zona, 35 1.18. La Red de Wulff, 35 1.19. Proyecciones .ClOn ,
Estndar, 41 1.20. El Tringulo Estereogrfico Estndar para Cris 7.8.
257
tales Cbicos, 43 Problemas, 43
7.1 !.
261
2 METODOS DE DIFRACCION 47 le la
: Nu-

2.1. La Ley de Bragg 48 2.2. Tcnicas de Laue, 51 2.3. Mtodo aClon

del Cristal Rotatorio, 53 2.4. El Mtodo de Debye-Scherrer o del IClon,
Polvo, 54 2 .5. El Espectrmetro de Rayos X, 57 2.6. El Microsco- Otras
pio de Emisin Eleclrnica . 58 Problemas, 64 . 270
,rano,
nbios
3 TEORIA ELEMENTAL DE LOS METALES 67
"f del
ucin
3.1. La Energa Interna de un Cnst . al , 67 3.2 . Cristales
.. Jnicos,
69 34 7.27.
67 3 3 La Teoria de Born Sobre los Cristales JOOlCOS, .. :;rano
. . . l 73 3 6 Gases Inertes. ~rista
Cristales de Van der Wa~ls, 73 3.5. DlpO os , r 'a 'R~ticular de un
74 3.7. Dipolos IndUCIdos, 74 3.8. La Ene: Debye 76 3.10. lenos
Slido de Gas Inerte, 75 3.9. La FrecuencIa e ,
} ,

lndice de Malerias 9
.7"7
.,.". 3 11 TnniDOS Dipolc>-Cuadrupolo y 5.11. In tersecciones de Disloeaci 196
...... de PllDIO CelO. 7812 Costales Moleculares. 79 3.13. 199 5.13. Modelo de Dislocacin ncie un L!i~!'d L~tes ~e Grano,
=:"'O'.b 3d. Boro
"1"'" 79 Sobre CriStales lnicos. 80 Pequeo. 200 5.14. Los Cinco Grados de Lberta~ d:ru.:~ ~ Angulo
de la Teo~ 80 3.15. El Principio de la Duda
Grano . 201 5.15. Energa de Lmites de Grano 203 5 16 ~te.?e
114. EPI'" Cut...... '3~6. La DooIe aruraleza de la Materia. 85 SuperfICIal del Lmite de Grano 203 5 17 L.' En' . enSlOn
(o _ ' . . . . . ).84 'Ubre 89 3.18. La Densidad de Estados. de Fases Dif . . umtes tre Cnstales
......< del !]o ",n Di .bu . d erentes. 206 5.1 8. Tamao de Grano, 209 5.19 El
11. 7 11- de 1 Temperatura Sobre la sin el n e
.. 119. El ElectO de" r......a 98 3.20. Calor Especlfioo Elec- EPrfecbtlo de LmJtes de Grano Sobre las Propiedades Mecnicas ~12
-...... ~.... d . o emas,214
- - . 3.21 La ToJda de la Zona. 99 3.22. La Depen enCIa
.n:;." SOO:e el Nmero de Onda, 105 3.23. La Densidad de
~c.n'::""". 108 3.24. Apcacin de la Teorla de Zona a las 6 LUGARES VACANTES
221
F_ de AIof<itI ioe 3.25. Conductores Y Aisladores. 11 2 3 .26.
. . . . "A ...... '116 3.27. Si miWDductores Impuros. 117 3.28. 6.1. Comportamien to Trmico de los Metales
221. 62
2 ' . Energ:3
. In
.....-.12 3.29. F.uomagoetismo.l24 3.30. Antiferromag- tema. 23 6.3. Entropla. 223 6.4. Reacciones Espontneas 224
_ _ J Fea ....... "',,""". 127 3.31. La Resistividad Elctrica 6;5 .. La Energa Libre de Gibbs. 224 6.6. Definicin Mecnica' Esta-
_ _ """"., de la Temperatura, 128 3.32. Superconductivi- dlstica de la Entropa. 226 6.7. Lugares Vacantes. 330 6.8. Mo-
................. 134
V1lDlento de Lugares Vacantes. 235 6.9. Atomos intersticiales y Pa-
res de Lugares Vacantes. 238 Problemas. 241
y DE DESIJZAMIENTO 137

7 RECOCIDO 245
U lA llIo&wIpmda En.... el !,Imite de F1uencia Te6co y el Ob,eT-
. . . . . . . 0I0W00,137 4.2. DIsIocacio... '.139 4 .3. El Vector de
1. 4.4. El Foco de Frank-Rea<l. 150 4.5. Nuc1eacin 7.1. Energa Almacenada del Trabajo en Fro. 245 7.2. Relacin de
151 4.6. DesliUlmiento de flexin. 154 4.7. Des- la Carga de Energfa Libre a la Energa de Deformacin. 246 7.3.
~ ......,... 156 4.8. Ascenso de las Dislocaciones de BOl- Revel acin de la Energa Almacenada. 247 7.4. Recuperacin, 248
. . J:iI U. "" ele 1)llzamiento y Direcc!ooes de Deslizamiento. 7.5. Recuperacin en Cristales Simples. 249 7.6. Pogonizacin ,
JII 4.14. ....... eleDesllzamiento. 162 4.11. Esfuero) Cizallan 251 7.7. Movimientos de Dislocacin en la Poligonizacin. 254 7.8.
le CdIoo 163 4.12. Deslizamiento Sobre Sistemas de Procesos de Recuperacin a Temperaturas Elevadas y Bajas, 257
... * "'1"1........ 166 4.13. La Densidad de la Disloca- 7.9 . Recuperacin Dinmica. 258 7.10. Recristalizacin.258 7.11.
Efecto del Tiempo y la Temperatura Sobre la Recstalizacin. 261
4.14........ ele . to en Diferentes FOII"as
~187 ........... 172 7.12. Temperatura de RecristaUzacin. 262 7.13. El Efecto de la

.. 179
Deformacin Sobre la Recristazacin . 263 7.14. Velocidad de Nu-
cJeacin y Velocidad de Crecimiento de Grano, 264 7.15. Formacin
de Ncleos, 265 7.16. Fuerza Impulsora para la Recristalizacin .
267 7.17. El Tamao de Grano Recristalizado, 268 7.18. Otras
Variables en la Recristazacin. 270 7.19. Pureza del Metal , 270
7.20. Tamao Inicial de Grano. 271 7.21. Crecimiento de Grano,
271 7.22. Coalescencia Geomtrica. 274 7.23. Los Tres Cambios
Tridimensionales en la Geometria de Grano. 275 7.24. La Ley del
Crecimiento de Grano, 276 7.25. Atomos de lmpureza en Solucin
Slida. 280 7.26. Impurezas en Forma de Inclusiones. 282 7.27.
Los Efectos de Superficie Libre. 285 7.28. El Tamao de Grano
, Limitador 286 7.29. Orientacin Preferente. 288 7.30. Recrista-
Ilzacin &,cundaria, 288 7.31. Migracin de Lmites por Esfuerzos
de Deformacin Indu cida. 288 Problemas. 290
,}
I
l' lndil!f! de MareMu
I Indice tU Maleriaa II
8 SOLUCIONES SOLIDAS 295
11 DIFUSION INTERSTICIAL
385
8.1. Fases Intennedias, 295 8.2. Soluciones Slidas Intersticiales,
11 .1. Medicin de
296 8.3. Solubilidad del Carbono. en el Hierro Cbico Centrado en las Difusibilidades Intersticiales, 386 11.2. El
Efecto Snoek, 386
297 8.4. Soluciones Solidas SuStituclOnales y las Reglas 11.3. Determinacin Experimental del Tiempo de
C
el uerpo, . d Dil . A d Relajamiento, 393
de Hume-Rothery, 300 8,5, Interaccion e s ocaclOnes y tomos e 11.4, Datos Experimentales, 400 11.5. Medi-
ciones Anelsticas
301 8.6. El Campo de Esfuerzos de una Dislocacin Helicoi a Deformacin Constante, 400 Problemas, 402
1
So uto, d D' 1 .. d B d
dal, 301 8.7, El Campo de Esfue~os e una lS ocaclo~, e or e,
12 FASES
302 8.8. Atmsferas de Dislocacion, 302 8.9. La EcuaclOn de Oro- 405
wan 305 8.10. Arrastre de Atmsferas Sobre Dislocaciones en Movi-
mie~to 306 8.11. Lmite Elstico Agudo y Bandas de Lders, 308 12,1. Definiciones Bsicas, 405 12,2. La Naturaleza Fsica de las
8.12. La Teora de Cottrell Sobre el Lntite Elstico Agudo, 310 8.13. Mezclas de Fases, 407 12.3, Termodinmica de las Soluciones, 407
12.4. Equilibrio Entre dos Fases, 410 12. 5. El Nmero de Fases en
Envejecimiento por Deformacin, 312 8.14. Envejecimiento por De-
un Sistema de Aleacin, 411 12.6. Sistemas de dos Componentes
formacin Dinmica, 312 8.15. El Papel de la Tensin de Arras- Conteniendo dos Fases, 418 12.7. Determinaciones Grficas de las
tre en el Envejecimiento por Defonnacin Dinmica, 315 Pro- Energas Libres MoJales Parciales, 419 12.8. Sistemas de dos Com-
blemas, 318 ponentes con Tres Fases en Equilibrio, 422 12.9. La Regla de Fase,
423 12.10. Sistemas Ternarios, 425 Problemas , 425
9 ENDURECIMIENTO POR PREClPITACION 323
1:; NUCLEACION y CINETICA DE CRECIMIENTO 427
9.1. La Importancia de la Curva de Solubilidad o de "Solvus", 324
9.2. Tratamiento de Disolucin, 325 9.3. El Tratantiento de Enve- 13.1. Nucleacin de un Lquido Desde el Vapor, 427 )3.2. La Teo-
jecimiento, 326 9.4. Nudeacin de Precipitados, 329 9.5. Nudea- ra Becker-Doring, 434 13.3, Solidificacin, 436 13.4. Reacciones
cin Heterognea Contra Homognea, 331 9.6. Teoras Sobre el de Estado Slido, 438 13.5. Nucleacin Heterognea, 440 13.6, Ci-
Endurecimiento, 334 9,7, Factores Adicionales en el Endurecimien- ntica del Crecimiento, 444 13.7. Crecimiento de Difusin Contro-
to por Precipitacin, 336 Problemas, 338 lada, 447 13.8. Interferencia de Crecimiento de las Partculas de
Precipitado, 451 13.9. Crecimiento Controlado de la Intercara, 452
13.10. Transformaciones que Ocurren en el Calentamiento, 455
10 DlFUSION EN SOLUCIONES SOLIDAS SUSTITUCIONALES 341 13.11. Disolucin de un Precipitado, 456 Problemas, 459.

10.1. Soluciones Perfectas, 341 10.2. Soluciones Imperfectas, 342


10.3. Difusin en una Solucin Perfecta, 343 10.4. El Efecto Kir- 14 DIAGRAMA DE EQUILIBRIOS BINARIOS 463
kendall, 347 10.5. Porosidad, 351 10.6. Ecuaciones de Darken,
14.1. Sistemas de Aleacin Isomorfos . 463 14,2. La Regla de la
353 10.7. Segunda Ley de Fick, 357 10.8. El Mtodo de Mata-
Palanca, 465 14.3. Calentamiento o Enfriamiento de Equilibrio de
no, 360 10.9. Deterntinacin de las Difusibilidades Intrinsecas, 362
una Aleacin Isomorfa, 467 14.4. El Sistema de Aleacin Isomorfo
10.10. Autodifusin en Metales Puros, 364 10.11. Dependencia de
Desde el Punto de Vista de la Energa Libre , 470 14.5. Mxima y
la Temperatura del Coeficiente de Difusin, 367 10.12. Difusin Mnima, 471 14 .6. Superestructuras,473 14,7. Separaciones ~e I~
Quimica a Baja Concentracin de Soluto, 369 10.13. Estudio de la Miscibilidad, 477 14.8, Sistemas Eutcticos, 479 14.9. Las Micro-
Difusin Quintica Usando Indicadores Radiactivos , 370 10.14. Di- estructuras de Equilibrio de los Sistemas Eutcticos. 480 14.10. La
fusin a lo Largo de los Lmi.tes de Grano y de las Superficies Libres, Transformacin Peritctica , 485 14.11. Monotcticas, 488. 14.12,
373 10.15. Primera Ley de Fick en Trminos de una Movilidad y Otras Reacciones de Tres Fases, 488 14,13. Fases Interm~dl~~. 489
una Fuerza Efectiva, 377 10.16. Electrotransporte y Termomigra- 14.14. Diagrama de Equilibrio Cobre-Zinc, 492 14 .1;99DlfuSlon en
cin, 379 Problemas, 382 Sistemas de Aleacin no Isomorfos. 494 Problemas,
f --
J,
JI Indice de Motel i " ,
15 SOLIDIF1CACION DE LOS METALES 503
18 ENDURECIMIENTO DEL ACERO
621
15.1. La Fase Lquida, 503 15.2. Nucleacin, 506 15.3. Creci- 18.1. Transfor~aciones Durante el Enfriamiento Continuo, 621
miento de Cristales Desde la Fase Lquida, 509 15.4. Solidificacin 18.2, Templabilidad, 623 18.3. Las Variables que Determinan la
Estable de la Intercara, 511 15.5. Crecimiento Dendrtico, 512 ~emplabilidad de un Acero, 630 18.4. Tamao de Grano Austeni-
15.6. Solidificacin Dendrtica en Aleaciones, 516 15.7. Solidifica- tico, 630.. 18.5. Efecto del Tamao de Grano Austentico Sobre la
cin de Lingotes, 520 15.8. El Tamao de Grano de las. Pi~~as FWl- Templabilidad, 631 18.6, Influencia del Contenido en Carbono Sobre
didas 524 15.9. Segregacin, 525 15.10. HomogenelzaclOn, 527 la Templabilidad, 631 18.7. Influencia de los Elementos de Aleacin
15.11'. Segregacin Inversa, 532 15.12. Porosidad, 533 Proble- Sobre la Templabilidad, 632 18.8. Significado de la Templabilidad,
mas, 538 636 18.9. La Transfonnacin Martenstica en el Acero, 637 18.10.
La Dureza de la Martensita del Hierro-Carbono, 642 18.11 . Cambios
16 MACLAJE DE DEFORMACION y REACCIONES DE LA
, Dimensionales Asociados con la Fonnacin de la Martensita 645
18.12. Grietas de Temple, 646 18.13. Revenido, 648 18.14. Ce-
MARTENSITA 541 mentita Esferoidizada, 656 18.15. El Efecto del Revenido Sobre las
Propiedades Fsicas, 656 18.16. La Interrelacin Entre Tiempo y
16.1. Maclaje de Deformacin, 541 16.2. Teora Cristalogrfica For- Temperatura en el Revenido, 658 18.17. Endurecimiento Secun-
mal del Maclaje, 544 16.3. Identificacin de las Maclas de Defor- darto y la Quinta Etapa de Revenido, 659 Problemas, 660
macin, 550 16.4. Nucleacin de Maclas, 552 16.5. Lmites de
Maclas,553 16.6. Crecimiento de Maclas, 554 16.7. Acomodacin
19 FRACTURA 663
del Corte de Maclaje, 557 16.8. Martensita, 562 16.9. Distorsin
de Bain, 564 16.10. La Transfonnacin Martenstica en una Alea- 19.1. Rotura por Corrimiento Fcil, 663 19.2. Ruptura por Estric-
cin de Indio-Talio, 566 16.11. Reversibilidad de la Transformacin cin (Corrimiento Mltiple) , 664 19.3. Efecto del Maclaje, 666
Martenstica, 567 16.12. Transformacin Atrmica, 567 16.13. 19.4. Clivaje, 666 19.5. Fractura en el Vidrio, 668 19.6. La Teo-
Teora de Wechsler, Lieberman y Read, 568 16.14. Naturaleza Irra- ra de Griffith, 671 19.7. Grietas de Griffith en Vidrio, 672 19.8.
cional del Plano Habitual o Dominante, 573 16.15. Multiplicidad de Velocidades de Agrietamiento, 673 19.9. La Ecuacin de Griffith ,
Planos Habituales, 575 16.16. La Transformacin Martenstica del 674 19.10. Nucleacin de las Grietas de Clivaje, 675 19.11. Nu-
Hierro-Nquel, 575 16.17. Fonnacin Isotnnica de la Martensita, cleacin de Grietas en el Hierro, 677 19.12. Nucleacin de Grietas
577 16.18. Estabilizacin, 577 16.19. Nucleacin de Placas de en el Zinc, 678 19.13. Propagacin de las Grietas de Clivaje, 680
Manensita, 578 16.20. Crecimiento de Placas de Martensita, 578 19.14. Efecto de los Lmites de Grano, 684 19.15. El Efecto del
16.21. El Efecto del Esfuerzo, 579 16.22. El Efecto de la Deforma- Estado de Esfuerzo, 688 19.16. Ensayo de Resistencia al Choque,
f 690 19.17. El Significado del Ensayo de Resistencia al Choque, 691
cin Plstica, 579 Problemas, 580
19.18. Fracturas Dctiles, 695 19.19. Fractura por Fragilidad In-
tercristalina, 702 19.20. Fragilidad de Revenido, 702 19.21. Fragi-
17 EL SISTEMA HIERRO CARBONO 585 lidad Azul , 703 19.22. Mecnica de la Fractura, 704 19.23. Factor
de la Intensidad del Esfuerzo, 707 19.24. Mediciones de la Tenaci-
17.1. Transformacin de la Austenita a Perlita, 587 17.2. Perlita, dad a la Rotura , 708 19.25. Fallas por Fatiga, 716 19.26. El
589 17.3. Efecto de la Temperatura Sobre la Transformacin de la Carcter Macroscpico de la Falla por Fatiga, 716 19.27. Ensayo a la
Perlita, 593 17.4. Curvas de Transfonnacin.TemperaturaTiempo, Fatiga en Viga Giratoria, 717 19.28. Aspectos MiC~OScpiCOS d~
600 17.5. La Reaccin Baintica, 602 17.6. Diagrama T-TT Com la Falla por Fatiga, 719 19.29. Crecimiento de la,5.Gnetas por Fati-
pIeto de un Acero Eutectoide, 608 17.7. Aceros Hipoeutectoides En- ga, 723 19.30. El Efecto de las Inclusiones no Metab~as, 725 19.31.
friados Lentamente, 610 17.8. Ac.eros Hipereutectoides Enfriados I El Efecto de la Microestructura del Acero Sobre la Fauga, 727 19.32.
Ientamente~ 613 17.9. Diagramas de Transformacin Isotrmica j Fatiga de Ciclo Corto, 728 19.33. Ciertos Aspectos Prcticos de
para Aceros no Eutectoides, 613 Problemas, 617 la Fatiga, 728 Problemas, 728

14 Indiel! de Mareria.!
I

20 TERMOf'LUEd'lCIA 731

20.1. Endurecimiento por Trabajo, 731 20.2. Criterio de Considere,


733 20.3. Relacin Entre la Densidad de Dislocacin y el Esfuerzo,
734 20.4. Relacin de TayJor, 735 20.5. La Naturaleza de las
Componentes del Esfuerzo de Fluencia, 737 20.6. El Efecto de
las Aleaciones Sobre las Componentes del Esfuerzo de Fluencia, 737
20.7. Funciones Relativas de las Componentes del Esfuerzo de Fluen-
1 La Estru[tura
da en los Metales de Red Cbica Centrada en la Cara y Red Cbica
Centrada en el Cuerpo, 740 20.8. Superplasticidad , 742 20.9. La
de 105 les
Naturaleza de la Deformacin Dependiente del Tiempo, 743 20.10.
Mecanismos de Termofluencia, 748 20.11. Termofluencia Cuando
Funciona ms de un Mecanismo, 758 20.12. Cizallamiento de Lmite
de Grano, 763 20.13. Fractura Intercristalina, 765 20.14. La Curo
va de Termof1uencia, 769 20.15. Aplicaciones Prcticas de los Datos
de Tennofluencia, 773 20.16. Aleaciones Resistentes a la Termo ,
El aspecto ms importante de cualquier material de in e .
~::t~e~U:a~~~a~:~:d~de~ est~ estrechame~te relaCionad~ ~;~:s~: ~~r:~~cst~:::
fluencia, 777 20.17. Sistemas de Aleacin , 778 Problemas, 780
, n Ingemero en matenales debe estar f ili rl d
Apndices 785 :~~~~~1 :~; :~ctura y p~oPiedades. ~omo v~a de ilustraci:. :a:e;::se~~
1:
para ver a estrecha mteraCCIn entre estructura y propiedades
Lista de Smbolos Importantes 798 ~d'lona1 es.
dUna madera estructural. caracterstica tal como el "'"O
r~ aro arlIl o me..
.e una manera esen~la~, una ordenacin de largas celdas ahuecadas o fibras. Esta~
Lista de Smbolos del Alfabeto Griego 800
fibras , formadas pnnclpalmente de celulosa, estn alineadas con el grano de la
801 madera y. se. encuentran cementadas juntas por otro material orgnico ms dbil
Indire llamado hgmna. La estructura de la madera es as! aproximadamente anloga a la
de un manojo de pajas (popotes). Se la puede hender con facilidad a lo largo de su
grano; esto es, paralelo a las celdas. La madera es tambin mucho ms fuerte en
c~mpresin ~ o tensin) paralelo a su grano que en compresin (o tensin ) perpen
dlcular al nusmo. Es un buen material para excelentes columnas y vigas pero no es
realmente apropiado para miembros tensores requeridos para soportar ~ande8 car
gas , porque la baja resistencia de la madera al corte paralelo a su grano dificulta
la colocacin de sujetadores en los extremos los que no soponarn la traccin.
Como resultado, los puentes de madera y otras grandes estructuras de madera, con
frecuencia se construyen conteniendo varillas de tensin para soportar las cargas
de tensin.
1.1. La estructura de los metales. La estructura en los metales es de impor.
tanda similar que en la madera, aunque con frecuencia de manera ms sutil. Los
metales son cristalinos cuando se encuentran en forma slida. Aun cuando se pue
den preparar cristales sencillos, muy grandes, los objetos metlicos normales cons-
tan de un conjunto de muchos cristales muy pequeos. Por consiguiente, los
metales son policristalinos. Los cristales en estos materiales se conocen por lo general
como sus granos. Debido a su tamao tan pequeo, se requiere nonnalmeme un
microscopio ptico, operando a aumentos de entre 100 y 1 000 veces, para examinar
las caracteristicas estructurales asociadas con los granas en el metal. Las estructuras
que requieren estos lmites de amplificacin para su examen caen en la clase
conocida como microestTuctuTas. En ocasiones, los objetos metlicos, tales como las
piezas fundidas, pueden tener cristales muy grandes que son ~rceptibles. a simple
! vista o resolverse con facilidad bajo un microscopio de pequena potenCia. La es-
tructura en esta clltegona se denomjna macrOt'structura. Por ltimo, hay la estruCo
,
l' PrineipiM.u MetGlurgia; F~
Le EflTl4Ctura de lo. Meto'u 11
<-
b..... dentro de los graDOS mismos: esto es, la disposid6n atmica dentro tivo bsico es reducir el espesor d 1 apa
tura ca d . 16' t _tu .
de los cristales. Esta forma de estructura se enomma glcamen e es~, ...c Ta cns- perficie de la muestra. Todas l<>~ ope':a 7 ddeformada que queda debajo de la su
..., ~ ClOnes e Corte y ~, d
e I me tal cercano a la superfi.... 1, L esme.ua o deforman mu-Lo
tali~. las varias fonnas de estructura, la microestructura (~e es visible bajo el ....... a estructura real d 1
cuan d o se h a removido POr compl'to Ia capa defor ad Pu e metal ser visible 061 o
=
mi pi 6ptico) ha sido histricamente del mayor uso e lDteres para el meta p~lU'a~16 . n de la muestra tiende a defonnar la lLl a. .. esto que cada paso en la
l : : r o r:bido al funcionamiento normal del .microscopio metalrgico a ampli- sano utilizar una sucesi6n de ab.o- d fiUperftCle de la misma es nece-
~"",IVOS ca a vez ms fin
ct"'" donde la profundidad de campo es A
ti caon bastante superficial, la superficie
l' . db para remover la capa deformada d . d os. Cada abrasivo actUa
tli a ser observada debe ser muy plana. rolsmo tiempo, e e rey elar con tanto Que a su vez deja una capa du' to '
ela a por el paso
d m
s
grueso Precedente en
me "sin ca la naturaleza de la estructura en el 'mtenor
. dI
e me. talEn consecuencIa, . rslona a de profundidad red' '
Esmeril11.do fino. Durante este paso se rll uClda.
precIen f .entam-
nos ..." ron el problema de preparar uns. superficie muy
' . tersa y sin .dis- pIeando polvos de carburo de silie' gl' esme a la superficie de la muestra em.
t rsi6n lo cual no es, por supuesto, una tarea fcil. Los procedimientos requendos IO a omerados sobre p I '
para d os. La muestra puede ser frotad ape es espeCla1mente pre-
p':u:a obtener la meta desearla caen bajo la denominacin general de preparacin coloca sobre una superficie plana tal a a mano contra el papel abrasivo, que se
de probetas metalogrficas. mente, se puede montar el papel ,ah'como bun trozo de vidri o pano. I Al
temativa_
- raslvo so re la superficl d
1.2. Preparacin de probetas metalogrficas. En gran parte, la preparacin de las grrand~ en forma horizontal, oprimiendo contra ella 1 e e una rueda. plana.
cualqUle~ caso, por lo comn la superficie se lubrica a muestra metalogrfica. En
probetas metalogrficas es un arte. Las tcnicas tienden a variar un tanto de un
laboratorio a otro. Se pueden requerir variaciones en los procedimientos, depen- una aCCIn lavadora que retira las partfculas cortada
tres grados de abrasivo: 320 400 Y 600 'ul s
ca; ~gua, la ~u.e proPO~.ona
El e a_superficie. Se utihzan
diendo de la naturale~ del metal a examinar, puesto que los metales varan am- d' , g r a n os. tamano de partcula corres-
pliamente en dureza . t@xtura. Sin embargo, las operaciones bsicas tienden a ser pon lente para el carburo de silicio es de 33 23 17 micr: .
similares: con el pPOpsito de ilustrar la naturaleza de la preparacin de probetas donde una .micra es 10'" cm. En cada uno 'de e!tos pasosa~e r::::~v:~e:~ e~
metalogrficas, consideremos una tcnica apropiada para hierro y aceros. Lo que ~uev~ la pIeza sobre. la superficie de manera que se formen las rayas en slo una
sigue es un simple esbozo, para mayores detalles se debe consultar un libro de direccIn. Al prosegUlr de un papel al siguiente, se hace girar la muestra unos 45'
re/eiencia apropiado. 1 de manera que las nuevas rayas queden situadas sobre la superficie en ngulo co~
Supongamos que se ha cortado un trozo pequeo de un objeto de acero y que Se las formadas durante el paso precedente. Entonces se contina el, esmerilado hasta
ha pteparado wra supeficie plana apropiada sobre un lado de esta muestra me- que desaparecen las rayas del paso anterior.
diante asenado y esmerilado. El procedimiento normal es montar la muestra en Pulido basto. Este es probablemente el paso critico. En la actualidad el abra-
un pequeo disco de plstico [de unos 25 mm (1 plg) de dimetro y 13 mm (% sivo ms usado para la operacin de pulido basto es el polvo de diamant; con un
plg) de gruesoJ con la superficie de la muestra qUe se ha de pulir expuesta sobre tamao de partcula de unas 6 micras. El polvo de diamante se obtene ~n pasta
un Jada del disco, como se muestra en la Fig. 1.1. Una tcnica para formar este que es soluble en aceite. Se necesita una cantidad muy pequea de esta pasta , la que
disco consiste en colocar primero el ttozo de muestra dentro de un molde anular, se coloca sobre la superficie cubierta con nylon de una rueda giratoria de pulir. El
y vaciando entonces resina epoxdica lquida dentro del molde para llenarlo. La lubricante empleado durante la operacin de pulido es un aceite especialmente
LuIDa endwece en unas cuantas horas para rendir un manejo conveniente y sujetar preparado. La mUestra se presiona contra el pao de la rueda giratoria con una
la muesba durante los pasos subsecuentes en la preparacin de la superficie. Estos fuerte presin. En los pasos del pulido no se mantiene la muestra en una posicin
puos implican cuatro tipos bsicos de operaciones: (1) esmerilado fino, (2) pulido \ fija sobre la rueda de pulir, sino que se la mueve alrededor de sta en direccin
basto, (3) pulido final y (4) ataque qumico. En los tres primeros pasos, el obje- opuesta a la rotacin de la misma. Esto asegura una accin de pulido ms unifolme.
Las partculas de diamante tienen una fuerte accin cortante y pueden ser efec-
tivas para retirar la ptofunda capa de deformacin remanente de la operacin de
/...-_----_"'>< /" Muestra metAllca esmerilado fino. El hecho de que el polvo de diamante de 6 micras sea capaz de qui-
f tar los efectos resultantes del abrasivo de carburo de silicio de 17 micras en el paso
anterior, habla por si mismo.
Pulido final. Aqu se eliminan las rayas finas y la delgada capa distorsionada
remanente del paso de pulido basto. El compuesto pulidor coml'!Dmente usado es
allmina (A1~O ) en polvo (forma gamma), con un tamao de partcula de 0.05
micras. Este Polvo se coloca sobre una rueda cubierta con un pao, utilizndose agua
""--DlKO de plstico destilada como lubricante. En contraste con el pao de nylon sin pelo empleado
en el pulido basto, el pao utilizado en este paso normalmente contiene pelo. S~
ste y los pasos precedentes han sido llevados a cabo con todo cuidado, se obte~dra
una superficie libre de rayas, con una capa de metal distorsionado casi impercepbble.
I
Ataque qumico. Usualmente no se puede ver bajo el microscopio la estruc~ra

,
granular de una muestra metalogrfica basta que se ha completado la operaCln
de pulido final. Los lmites de grano en un metal tienen UD espesor del ~ de ~os I
cuantos dimetros atmicos cuando ms, y la fuerza resolutiva de UD. nucrosCOplO es
demasiado baja. para revelar su presencia. Slo sern visibles los lDlleS, si el metal
.
, PoI" Che Miero 8ft:1i.oa. Partet 1 ., 2. Thtr AS Metal Dflen. 11, N6m . 2 ., 3 (1965).
B 1.'-, 'jd EftDRoD. DUnni. contiene varios cristales de diferentes caI ores qu ,,..
,
.... """"en
.......,- unos a otros. En un
.1-

18 P, indpiol de Metalurgia Flica L4 E,lrudura de lo. Metale. U

Superficie a nt es del
~ala.que qu m ico

-- ------:.:- Superficie despuh del


ataque quimlco
/
//
L. I
Alomo a
FJc;. 1.2. L. solucin de ataque revela los limites de los cristales

metal puro, por supuesto, esto es imposible. Para hacer visibh:!s los lmites, las
muestras meralogrficas se atacan qumicamente de ordinario. En la mayora de
Jos casos esto implica introducir la superficie pulida en una solucin de ataque
Flc. 1.3. ( A)
'"
Celda
'"
unitaria cbica .centrada en el cuerpo. (B) Ocho
!cida o bsica dbil. La solucin ms comnmente usada para aceros es la deno.- celdu unlU.riu de la
red cubica centrada en el cuerpo
minada nitol, que consta de una solucin del 2% de cido ntrico en alcohol. En
algunos cases, se aplica la solucin de ataque a la superficie frotndola suavemente
con nn aJgotin impregnado con el agente. En cualquier caso, el efecto resultante Si volvemos, .nuestra a tenc6n al tomo a de la Fig. 1.3B en"on" '
.. uamos que este no
es disolver metal de la superficie de la muestra. Con una buena solucin de ataque, pe~ten~ce umcamente a una celda unitaria, sino que forma parte de las ocbo celdas
la remocin del metal de la superficie no ocurrir de manera uniforme. Algunas uruta,nas que 10 rodean . En consecuencia, puede decirse que slo un octavo de
veces el agente qumico atacar los lmites de grano con mayor rapidez que la es~e, atomo corresponde ~ cualquiera de las celdas urutarlas. Para calcular el nmero
superficie de los mismos. Otras soluciones de ataque disolvern los diversos granos ~e atomos por celda umtaria en un cristal cbico centrado en el cuerpo puede uti-
de acuerdo a la orientacin de la superficie que presentan a la solucin de ataque. hzarse este hecho. Aun un c ristal pequeo contendr miles de millares de celdas
En la Fig. 1.2 se muestra esquemticamente la naturaleza de este efecto. Aqui los unitarias, y las celd as unitarias en el interior del cristal deben exceder con mucho
lmites se hacen visibles debido a que aparecen como escalones poco profundos el nmero de las que quedan en la superficie. Por tanto, en nuestros clculos se
sobre la superficie de la muestra. Estas superficies casi verticales no reflejan luz
en las lentes objetivo de un microscopio de la misma forma que las superficies .
pueden menospreciar las celdas de la superficie . En el interior de un cristal cada
a tomo situado en la esquina de una celda unitaria es equivalente al tomo a de la
'
horizontales y tersas de los cristales que quedan entre ellas y, como resultado, se Fig. 1.3B Y contribuye con un octavo de tomo a una celda unitaria. Adems , cada
observarn bajo el microscopio los lmites de los cristales. celda posee un tomo situado en su centro que no es compartido con otras celdas
Electropulido y electroataque. Hay cierto nmero de metales, tales como el unitarias. ASi, la red cbica cen trada en el cuerpo tiene dos tomos por celda uni
acero inoxidable, el titanio y el circonio, de los cuales es muy difcil remover las taria; uno formado por los tomos de las esquinas, y uno situado en el centro de
capas superficiales distorsionadas. El pulido mecnico no es muy satisfactorio con la celda.
estos materiales. Como resultado, estos metales se pulen frecuentemente mediante En la Fig. 1.4 se muestra la celda unitaria de la red cbica centrada en las
una tcnica de eJectropulido en la etapa del pulido final. En este caso la muestra , caras. En este caso, la celda unitaria tiene un tomo situado en el centro de cada cara.
se convierte en el nodo en un bao electroltico adecuado, mientras que el ctodo es
un material insoluble. Si se utiliza la densidad de corriente apropiada, es posible El nmero de tomos por celda unitaria en la red cbica centrada en las caras
disolver y retirar la superficie de la muestra de tal manera que produzca un pulido se puede calcular en la misma forma que para la red cbica centrada en el cuerpo.
fino de la superficie. En el electropulido se controlan deliberadamente el bao Nuevamente, los ocho tomos de las esquinas contribuyen a formar un tomo de la
celda unitaria. Hay que considerar seis tomos centrados en las caras, formando
y la corriente para producir una superficie tersa y sin relieve. Por otra parte, es , parte cada uno de dos celdas unitarias. Estos contribuyen con seis mitades de t~
posible tambin alterar la composicin del bao y la densidad de la corriente como
mo, o tres tomos para la celda. La red cbica centrada en las caras tiene un total
para producir el relieve de la superficie requerido en el ataque. El procedimiento
de cuatro tomos por celda unitaria. o el doble que la red cbica centrada en el cuerpo.
correspondiente se denomina electroataque.
1.5. La estructura cbica centrada en el cuerpo; Con frecuencia, es conveniente
1.3. La estructura cristalina de 105 metales. Se ha definido a un cristal como
co~~iderar los cristales metlicos como estructuras formadas apilando esferas du-
una fotUlacin ordenada de tomos en el espacio. Hay muchos tipos diferentes de
ras. Esto conduce al modelo de bola dura de una red cristalina , donde se toma el
estructuras cristalinas, algunas de las cuales son bastante complicadas. Por fortuna ,
la mayor pane de los metales cristalizan en una de tres estructuras relativamente
sencillas: cbica centrada en las caras, cbica centrada en el cuerpo, y hexagonal
compacta.
I
l .. Celdas unjtarias. La celda unitaria de una estructura cristalina es el gru-
po ms pequeo de tomos que posee la simetria del cristal, que cuando se repite
en todas las direcciones, formar la red cristalina. La Fig. 1.3A muestra la celda
unitaria de la red cbica centrada en el cuerpo. Es evidente que su nombre se deriva
de la fonna de la celda unitaria. En la Fig. 1.3B se ban combinado ocho celdas Flc. 1.4 CelGa unitaria cbica centrada en las caru
para indicar la fonoa en que la celda unitaria ajusta en la red completa.
)-

radio de las esferas como la mitad de la distancia entre centros de los .tomos
ms cercanos.
La Fig. 1.5 muestra a la celda unitaria considerada en esta fonna. Un estudio
de la figura muestra Que el tomo en el centro del cubo. es colineal con cada to- ,
mo de las esquinas, esto es, los tomos que conectan diagonabnente las esquinas
opuestas del cubo forman lineas rectas, tocando cada tomo al que le sigue en
secuencia. Esta disposicin lineal no termina en las esquinas de la celda uni-
taria sino que contina a travs de los cristales en fonna muy parecida a las
cuen~s de un rosario ensartadas en un alambre (vase la Pig. l.3B). Estas cuatro
diagonales del cubo constituyen las direcciones de compactacin del cristal cbico
centrado en el cuerpo, direcciones que corren continuamente a travs de la red
sobre la cual estn los tomos tan compactados corno es posible.
Otras consideraciones sobre las Figs. 1.5 y 1.38 revelan Que todos los tomos
en la red cbica centrada en el cuerpo son eQuivalentes. As, el tomo en el centro
del cubo de la Fig. 1.5 no tiene un significado espedal sobre los que ocupan las
posiciones de las esguinas. Cada uno de estos ltimos podra haber sido escogido
como centro de una celda unitaria, haciendo que todos los tomos de las esquinas
en la Fig. l.3B fuesen centros de celdas, y todos los centro~ de celdas resultasen
esquinas.
l.'. Nmero de .::oordinadn de la red cbi.::a .::entrada en el cuerpo. _ El nme-
,
ro de coordinacin de una estructura cristalina es igual al nmero de vecinos ms
cercanos Que posee un tomo en la red. As, en la red cbica centrada en el
cuerpo, el tomo centrado en el cuerpo tiene ocho vecinos Que lo tocan (vase la
Fig. 1.5). Hemos visto ya Que todos los tomos en esta red son equivalentes. En
consecuencia, cada tomo de la estructura cbica centrada en el cuerpo Que no
quede en la superfici~ exterior posee ocho vecinos ms cercanos, y el nmero de

coordinacin de la red es ocho.
(el
1.7. La red .::bi.::a centrada en las can'. El modelo de la bola dura para la FIlO. 1.6. (A) Celda unitaria cbica centrada en las caras (modelo de bola dura). (B) La
piCsentaclO de una red cristalina toma un significado especial en el caso de misma celda con un tomo de esquina removido para mostrar un plano octadrico. ( e) La.
la red cbica centrada en las caras. porque dixecciones diagonales de seis caras
ras estn compactadas tan cerca ._. muestra una
_
.
~
cbica centrada en las caras, la misma celda UDl. plano octadrico quedan tres direcciones compactas (las direcciones aa, bb y ce),
tarla con un tomo de esquina revelar un plano compactado (plano porque en estas direcciones las esferas tocan a los vecinos ms cercanos y son coU-
octadrico) en el cual los tomos estn situados tan cerca como es posible. La neales .
Fig. 1.7 muestra una rea ms extensa de uno de estos planos compactos. En el Regresando a la Fig. l.6A, vemos que las direcciones compactas de la Fig. 1.7
corresponden a las diagonales que cruzan las caras del cubo. Hay seis de estas
direcciones compactas en la red cbica centrada en las caras, como se muestra en
la Fig. 1.6C. Las diagonales de cara que Quedan sobre las caras inversas del cubo
no se cuentan en este total porque cada una es paralela a una direccin que queda
sobre una cara visible y, considerando cristalogrficamente las direcciones importan
tes, las direcciones paralelas son las mismas. Debe hacerse notar tambin que la
red cbica centrada en las caras tiene cuatro planos octadricos o compactos. Esta
aseveracin puede ser verificada de la manera siguiente. Si se quita un tomo de
cada esquina de una celda unitaria en fonoa similar Que en la Fig. 1.6B, se reve-
"
lar en cada caso un plano octadrico. Hay ocho de estos planos, pero como los
planos opuestos diagonalmente son paralelos, son cristalogrficamente iguales., E~te
hecho reduce a cuatro el nmero de planos octadricos diferentes. La red cubica
centrada en las caras, sin embargo, es nica en que contiene tantos ~mo cuatro
planos compactos, cada uno conteniendo tres direcciones compactas. NUlguna otra
I red posee tan gran nmero de planos compactos y direcciones compactas. Este
hecho es importante porQue proporciona a los metales ~ ceD~~!-n las
c~ras!. pr.o piedades. . fsic~ <Jiferent~s de l~_s otros~s. entre las c.uales...-est la
I'lc. 1.5. Ifod"lo de bola dan de la Id. unU.rt. c:6blc. centrada en el cuerpo
habilidad para so ortar d~ntI.aci9n.J.llas1i~a sever~
}

n Principio' de Mdalurgia Fisicll La Estructura de 10, Metate. 23

1.8. Comparacin de 'as estructuras cbica centrada en las caras y hexagonal


compacta. La red cbica centtada en las cara-s' puede---Sr construida disponiendo
primero los lomoS dentro de cierto nmero de planos compactos, en forma similar
a como se muestra en la Fig. 1. 7. Y entonces apilando estos planos uno sobre otro
en la secuencia apropiada. Hay cierto nmero de formas en que se pueden apilar
planos compactos. Una secuencia da la red hexagonal compacta, otra la red cbica
centrada en las caras. El que baya ms de una forma de apilar planos compactos
se debe al hecho de que cualquier plano puede ser colocado sobre otro previo en dos
maneras diferentes. Por ejemplo, considrese la disposicin de los tomos en la Fig.
1.8 la cual muestra tambin un plano compacto. El centro de cada tomo en la
figura est indicado por el smbolo A. Ahora, si un simple tomo es colocado sobre
la parte superior de la configuracin de la Fig. 1.8, ser atrado por las fuerzas
jnteratrnicas dentro de una de las cavidades que se presentan en cualquiera de
tres tomos contiguos. Supngase que el tomo cae dentro de la cavidad marcada
, Fre. 1.8. Secuenelas apiladas en estructuras cristalinas compactas

quinto sobre B, Y el sexto sobre C por lo que el orden de il .


8, en la parte superior izquierda de la figura; entonces un segundo tomo no puede les cbicos de centrado en las c;ras es ABCABCABC t aPEanuento para los crista-
caer en e, o en e z porque el tomo en 8 se extiende sobre la cavidad en estos dos nal t 1 e c. n a estructura hexago
com~ac a, os tomos de un plano caen directamente sobre los d -
puntos. Sin embargo, el segundo tomo puede caer dentro de B~ o B3 y comenzar rrespondlendo al orden de apilamiento ABABAB. . e otro, co-
la formacin de un segundo plano compacto consistiendo en tomos que ocupan
todas las posiciones B. Alternativamente, el segundo plano podra haber sido esta- No hay diferencia bsica en la compactacin obtenida por el apilad d 1 1
ras en la dispos ICI
"n cu'b'Ica centrad a en las caras o en la hexagonal
o ecompact
as es e
blecido preparndolo en tal forma que slo llenase las posiciones e. En esta f0011a
parece que si el primer plano compacto ocupa las posiciones A, el segundo plano puesto que. amba.s dan una estructura compacta ideal. Hay, sin embargo, una~
puede ocupar las posiciones B o C. Supngase que el segundo plano tiene la con- marcada dIferenCia entre la.s pr~piedades fsicas de los metales hexagonales com-
figuracin B. Entonces las cavidades del segundo plano caen parcialmente sobre los pactos (tales como el cadnuo, zmc y magnesio) y los metales cbicos de centrado
centros de tomos en el primer plano (posiciones A) y parcialmente sobre las cavida- en las caras, la cual se relaciona directamente con la diferencia en su estructura
c~is~alina. La diferencia ms evidente es el nmero de planos compactos. En la red
des e en el primer plano. Ahora puede establecerse el tercer plano sobre el segundo,
cubIca centrada en las caras hay cuatro planos compactos los planos octadricos
dentro de las posiciones A o C. Al depositarlos en las posiciones A, los tomos en la
pero en la .re~ hexagonal compacta slo un plano, el plano' basal, es equivalente ai
t.el(;era capa caen directamente sobre los tomos de la primera. Este no es el orden
plano octaednco. El plano compacto simple de la red hexagonal da origen, entre
cbico centrado en las caras, sino la estructura hexagonal compacta. El orden para
otras cosas, a propiedades de deformacin plstica que son mucho ms direcciona-
el apilado del cbico centrado en las caras es: A para el primer plano, B para el
les que las encontradas en los cristales cbicos.
segundo plano, y C para el tercer plano, Jo cual puede escribirse ABe. Sin embargo
el cuarto plano en la red cbica centrada en las caras cae sobre la posicin A. ei 1.9. Nmero de coordinacin de los sistemas compactos. El nmeTO de coordi-
nacin de un tomo en un cristal ha sido definido como el nmero de vecinos ms
cercanos que posee. En los cristales hexagonales compactos y en los cbicos de
centrado en las caras, este nmero es 12, como puede verificarse con la ayuda
de la Fig. 1.8. Asi, consideremos el tomo Ao que queda en el plano de tomos mos-
trados como crculos dibujados con lneas continuas. Otros seis tomos que quedan
en el mismo plano compacto que A(t se encuentran en las posiCiones vecinas ms
cercanas. El tomo A{) toca tambin tres tomos en el plano directamente por en-
cima. Estos tres tomos podran ocupar las posiciones B. como se indica por las
lineas de trazos alrededor de las cavidades B 1 , 8 2 Y B~, o podran ocupar las posi-
ciones Cl> C 2 y C3 En cada caso, el nmero de vecinos ms cercanos en el plano
'-1-- - - '-----~ --1---' justamente sobre A(I es limitado a tres. De igual forma, puede mostrarse que A(I
tiene tres vecinos ms cercanos en el plano siguiente por debajo del plano compacto
que contiene a Ao' El nmero de vecinos ms cercanos al tomo A{\ son en esta forma
doce: seis en su propio plano, tres en el plano superior y tres en el plano inferior.
,


Como el argumento es vlido no importa si los tomos en los planos compactos
justamente arriba y abajo del tomo Ao estn en las posiciones B o e, se aplica a
la secuencia de apilamiento tanto del cbico de centrado en las caras como del
hexagonal compacto. Decidimos, en consecuencia, que el nDlero de coordinacin en
, estas redes es 12 .
.... 1.7.
H6tIH DiIp(l.iel6D
Iot , atmica en el pano
1 octa d rico de UD metal cbico centrado en lu caru. \ 1.10. La celda unitaria de la red hexagonal compada.
En la Fig. 1.9 se muestra
ji. _ que t tozQOI ewttD COmpactadot lo Dl cerea polible. E.ta m.lsma conf1curac16n de
,. - O_hna tambiEn ea el plan o b a. al ...., .. - 01 criatalu hUaODalU com;pactOt. Lu L la configuracin de los tomos que se emplea con ms frecuencia .para rep;esen-
direccionu compacta. IlOl1 atZ, bb y ce tar la red hexagonal compacta. Este grupo de tomos contiene mas del numero

- )
I
Z4 Principio.! de Mdalurgio l'wa
r La E,tructura de lo, Metale, ZS

F':u;. 1.9. Celda unitaria hexagonal compacta

nimo de tomos necesario para formar un bloque de construccin elemental


:ara la red; por lo tanto, no es una verdadera celda un~talia . ~in em~a~go, ~ebido
a que la disposicin d~ la ~ig. ,1.9 descubre caractersr:c.as cnst~ograflcaS lDlpor-
laDtes, incluyendo la sunetria sextuple de la red, se utihza comunmente como la
celda unitaria de la estructura hexagonal compacta. Una comparacin de la Fig.
1.9 con la Fig. 1.7 muestra que los tomos en los planos superior, inferior y cen_
tral de la celda unitaria pertenecen a un plano compacto, el plano basal del
cristal. La figura muestra tambin que los tomos en estos planos basales tienen
la secuencia de apilamiento adecuada para la red hexagonal compacta (ABA ... );
los tomos en la parte superior de la celda estn directamente sobre los del fondo, q

en tanto que los tomos en el plano central tienen un juego de posiciones dife-
rentes. FIc. 1.10. L;LS direcciones mAs Un,portilDtes en UD cristal cbico centTado en el cuerpo

EJ plano basal de un metal hexagonal, en la misma forma que el plano octa-


drico de un metal cbico centrado en las caras, tiene tres direcciones compactas. me. El resultado es lo que se conoce como una textura o una orientacin preferen-
Estas direcciones corresponden a las lineas aa, bb. ce. de la Fig. 1.7. te. Debido a que la mayora de los metales policristalinos tienen orientacin pre-
1.11. Anisotropa. Cuando las propiedades de una sustancia son independien- ferente, tienden a ser anisotrpicos, dependiendo el grado de su anisotropi.a del
tes de la direccin, se dice que el material es isotrpico. De esta manera, en un grado de alineamiento de los cristales.
material isotropico ideal, se debe esperar encontrar que tiene la misma resistencia
en todas las direcciones. 0, si se fuese a medir su resistividad elctrica, se ob-
tendra el mismo valor de esta propiedad independiente de cmo se balla cortado
25,000
UDa muestra de resistividad de una cantidad del material. Las propiedades fsicas
de los cristales dependen nonnal y fuertemente de la direccin a lo largo de la cual
\
se las ha medido. Esto significa que, bsicamente, los cristales no son isotrpicos, ,

q
sino anisotrpicos. A este respecto, consideremos un cristal de hierro cbico cen- 20,000
trado en el cuerpo. Las tres direcciones ms importantes en este cristal son las
marcadas a, b y e en la Fig. 1.10. Se puede reconocer que estas direcciones no son
equivalentes del hecho de que los espacios de los tomos a lo largo de las tres
15,000
direcciones son diferentes, siendo iguales, respectivamente, en trminos del par-
metro de la red a (la longitud de un borde de la celda unitaria), a a, y2a, y 8
V %a. Las propiedades fl.stcas del hierro, medidas a lo largo de estas tres direc-
ciones, tienden tambin a ser diferentes. Como UD ejemplo, consideremos la cur- 10,000
va B-H para la magnetizacin de cristales de hierro. Como puede verse en la
Fig. 1.11, la induccin magntica B aumenta con mayor rapidez con la intensidad
del campo magntico H a lo largo de la direccin a, a una velocidad intermedia
5,000
a Jo largo de b. y con menor rapidez a lo largo de c. Interpretado de otra manera,
podemos decir que a es la direccin de la magnetizacin ms fcil, mientras que
e es conespondenfemente la ms difcil.
Idealmente, se podria esperar que una muestra policristalina fuese isotr6pica o 200 400 600 .00
si sus cristales estuviesen orentados al azar, pues entonces, desde un punto de H
vista macroscpico, la anisotropia de los cristales deber ser promediada. Sin
. d a etizar a lo lal'fO de una diucd~n
~_
embargo, rara vez se logra una diSposiCin de los cristales verdaderamente al 111
u.... . . Un c (Segn. Burett, e . s ., Strutu~ of M'etall:,
criatal de hierro es mucho ms Ucil e JO SU
'6 b
azar, ya que los procesos de manufactura tienden a . alinear los granos en un c de la Fig. 1.10 que a lo largo de una d1xeCCI DOC' 1943 Uudo con permiso)
metal de manera que sus orientaciones no estn distribuidas de manera unifor- PAgo 453. New York; McGraw-Hill Book o";;;;;;';;;;;;;;;;;;_ _ iiiiiiiiiiiiiii;;;;::::::=:::~
}
I
Lo. E,trudura. de lo. Mel4le. %1
Zf PI incipi08 de Melolurgicr. Fsica
hierro con 4% de silicio, empleada para hacer bobina. de - [ d
Texturas u orientaciones preferentes. Los alambres se forman estirando va- . .. ans onna ores. En
este caso, me d lante una complIcada combinacin de procedimie t d 1
1.IZ.
rillas a travs ee
d hiJ de estirar cada vez ms pequeas . En el caso del hierro,
"cJa~ tiende a alineax a la direccin b de cada c ris tal para-
I . ,
tratamlen o
t . bl
rrnlco, es poSt e obtener una orientacin prerere t
n os e amlnado J
[
nSobre esta direccin se conSI'd era narm aJ mente que los 1 al r '6 d 1 n e muy uerte
esta clase. de de orma en a ~u . una a m eaCl n a e os cristales se almea paraJela a la dlreecin de

cristales estn Ispues o


'
la b
leJa al eje del d~ m r,e~ al azar Este tipo de disposicin de los cristales en un
de acero es bastante
.
persistente . Aun si al metal se le da
-- la larnmacI6n , en tanto que un pl~no . del cubo, o cara de la celda unitaria, pero
manece paralela al plano de larnmacln. Esta orientacin promedio
. 1 Fi se muestra
alambre de h Jerro o
. , 'co2 que reforma completamente l aJo
a estructura erlst ma, los esquem ticamente :n ~ g. 1.12B. La caracterlstica significativa de esta textura
un tratamIento nm
. . d
.
mantener una direccIn b paralela
aJ 1
eJe de alambre. DebIdo
. es que co~oca l a direccIn de fcil magnetizacin paralela al sentido longitudinal
cnstales tlen en a l . 1 b . de la lnuna. En la fabricacin de transformadores es, por tanto, un asunto ms
1 d f c'n empleada al formar mmas y P aeas es Slcarnente de
aqueaeOnnal d
d nsianal la orientacin preferente encontra a en e as es ms res-
U bien s~nc~o alinear las placas en el nc,leo para que esta direccin sea paralela
car cter b lime , . d 1 Fi a la direCCin en que corre el flujo magnetico. Cuando esto ocurre , puede ser muy
. .
tncova que la oh,ervada en los alambres. Como se ID lca en
'. a g. l.l2A,
. no
pequea la prdida por histresis resultante.
61 , . de a encontrar una direccin b paralela a la d.ueccln del laromado o
s o dse 1len ., >'-.1 de la placa sino que h ay tam b len una f uerte ten d encia para
senO o ongl Uw.LJ , . 1.13. Indices de MiDer. Segn penetramos ms y ms en el estudJo de los cristaletl
queunp lano d el cubo , o cara de la . celda umtana, sea alineada paralela al plano se hace evidente la necesidad de simbolos para describir la orientacin en el espacio
de Jaminacin o superficie de la IrnIDa o placa. de las direcciones y planos cristalogrficos importantes. Asi, mientras que Ins
Hay cierto nmero de razones por las que. es importante para el metalurgista direcciones de compactacin en la red cbica centrada en el cuerpo pueden ser
un entendimiento de las propiedades de los cnstales. Una de stas es que la ani descritas como las diagonales que atraviesan a la celda unitaria, y las dJrecciones
sotropa bsica de Jos materiales cris~alinos se refleja en .105 obj~tos policristali- correspondientes en la red cbica centrada en las caras como las diagonales que
nos del comercio. Debe notarse tambIn que esto no es SIempre mdeseable. Las cruzan las caras de un cubo, es mucho ms f cil definiI estas direcciones en ter
orientaciones preferidas pueden resultar a veces en materiales con propiedades minos de varios enteros simples. El sistema de Miller para la designacin de indi-
superiores. Un interesante ejemplo de esta clase se encuentra en la aleacin de ces para planos y direcciones cristalogrficas es aceptado universalmente paTa este
propsito. En la discusin que sigue, se considerarn los indices de Miller para
cristales cbicos y hexagonales. No son difciles de desarrollar los indlces pa
ra otras estructuras cristalinas, pero condiciones de espacio impiden su discusin .
Plano del Indices de direccin en la red cbica. Tomemos un sistema de coordenadas
laminado
cartesianas con ejes paralelos al borae de la celda unitaria de un cristal cbicl)
DiJ'ecclDde
laminado
( vase la Fig. 1.13). En este sistema de coordenadas, la unidad de medicin a
lo largo de los tres ejes es la longitud del borde de una celda unitaria, designada
por el smbolo a en la figura. Los ndices Miller se introducen con la ayuda de va
rios ejemplos sencillos. En esta forma, la diagonal d:l cubo m de la Fi.g. 1.1.3
tiene la misma direccin que un vector t con una longttud que Iguala la distanCIa
diagonal a travs de la celda. La componente del v~c.tor t en cada uno de los. ejes
coordenados es igual a a. Como la unidad de medlcI6n a 10 largo de cada eje es
( Al igual a a, el vector tiene componentes 1, 1 Y 1 sob:e l~ ejes x, y y z, respec.tiva.
Plano del
mente. Ahora se escriben los ndices Miller de la dlrecctn m {1111 . En la I~us~a
laminado manera, la direcci6n n, que cruza diagonalmente una cara ~e la celda unitaria,
tiene la misma direccin que un vector s cuya longitud es la diagonal de la cara. de
la celda unitaria. Las componentes x, y Y z de este vector son l , O Y 1, respectiva
Direccin de
lamblado

, y
(B'

FJc. 1.12. Dot odentacioDeI criltaliDaa bncas que 5e pueden obtener en placas lamlnadu
de metate. c6b1col centrado. en el cuerpo
en UD cristal c.blco: dJrecclQl:let m y n, reqectlvamente
Fto. 1.13. Lu direccionee [111] Y [101]
Ea ~l Cap. 7 R dilCUte la ncrl.t,Uz9c160 que sirve al trab.Jo en trio.

Z8 PrindpiOlJ de Me'alurgia Faica


La. Edruduro. de lo, Melale. Z9
z
z

<1623)
o
q o o

-o y
o
x

1.1S. Inten: epclones del plano (623) C:On los eje C:OOl'denadOI
181
x
:orman los plano~ con los ejes coordinados. As, en la Fig. 1.15 el plano indicado
IAI

Fre. 1.14. (A) Las cuatro diagonales del cubo de una red cbica, m, n, 11 'Y v. (B) Las compo.
~tercepta a los eJes x , y, y z en las distancias de celdas unitarias
tivamente. Los ndices Miller son p,oporcionales no ' 1, 3. Y 2, respec-
nentes de un veClor q paralelas a la diagonal del cubo p son a. - o y a. En Ctmseeuencla, lo. 1 1 1 a estos interceptores sino a
ndices de q son [111J
SUB recprocos l' a' 2' y, por definicin, los ndices Miller son los nmeros eo-
mente; los ndices Miller correspondientes son [101]. Los ndices del eJe x son teros ms pequeos que tengan la misma relacin que estos reciprocas. Por lo tanto
[l001, del eje y [010] Y del eje z [Ppl]. los nmeros enteros deseados son, 6, 2, 3. Los ndices Miller de un plano est~
Ahora puede establecerse una regla general para hallar los ndices Millel' enc~rrados entre parntesis, por ejemplo (623), en lugar de corchetes haciendo
de ruta direccin cristalogrfica. Trazar un vector desde el origen paralelo a la poslble as derenciar entre direcciones y planos. '
direccin cuyos ndiCes se desean. Hacer la magnitud del vector tal que sus com~ Determinemos ahora los indices Miller de varios planos intpottantes de crista-
ponentes sobre los tres ejes coordenados tengan longitudes que sean nmeros les cb~cos. El plano de la cara a del cubo mostrado en la Fig. l.ISA es paralelo
enteros simples. Estos nmeros deben ser los ms pequeos que den la direccin a l~s .eJ~s 11 y ~ y, en consecuencia, puede decirse que intercepta a estos ejes en
deseada. As, los enteros 1, 1. Y 1, Y 2, 2, Y 2 representan la misma direccin F.!D el el infinito. La Intercepcin en x, sin embargo, es igual a 1, y los reciprocas de
espacio; pero, por convencin. los ndices Miller son [111] y no [222]. l l l
estas tres intercepciones son -, - , - . Los ndices Miller correspondientes son
Apliquemos la regla anterior para la determinacin de los ndices Miller de
una segunda diagonal del cubo; que est indicada por el smbolo p en la Fig. (lOO) . Los ndices de la cara 1b son
'" '"
(010 ), en tanto que los de e son (001). El
1.14. El vector q ( que comienza en el origen en la Fig. 1.14B) es paralelo a la plano indicado de la Fig. 1.16B tiene ndices ( 011 ), y el de la Fig. 1.16e (U l ).
direccin p. !.as componentes de q son 1, -1, Y 1, y, segn la definicin anterior, EL ltimo es un plano octadrico, como puede verse consultando la Fig. 1.7. Otros
los ndices Miller correspondientes de p son [111J donde el signo negativo del n-
- - -
planos octadricos tienen ndices (111), ( 111 ), Y (111), donde la barra sobre un
dice y est indicado por una barra sobre el entero correspondiente. Los ndices
dgito representa una intercepcin negativa. Por va de ilustracin, el plano (111)
-
de la diagonal m en la Fig. 1.14A han demostrado ya que son [111J, y se puede
se muestra en la Fig. 1.17. donde se puede ver que la intercepcin x es negativa,
demostrar tambin que los ndices de las diagonales u. y v son [IIl] y [i111. En en tanto que las intercepciones y y z son positivas. Esta figura muestra tambin
esta forma, las cuatro diagonales del cubo tienen fndices [111J, [111], [111],
- - -- -
que el plano (111) es paralelo al plano (111) y, por lo tanto, es el mismo plano
Y (IU].
Cuando se hace referencia a una direccin cristalogrfica especfica, los ndi- z z z
ces Mil!er se encierran en corchetes cuadrados como los anteriores. Sin embargo, [111J
algunas veces se desea hacer referencia a todas las direcciones de la misma for-
ma. En este caso, los ndices de una de estas direcciones se encierran en signos
tales como (111), y el simbolo se lee para significar las cuatro direcciones
(f111), [111J. {lll], Y [111]), los cuales son considerados como una clase. As, se
podra decir que las direcciones compactas en la red cbica centrada en el cuerpo ~Y -.Y ---,y
son direcciones (111), mientras que un cristal especifico puede estar sometido
a tensin a 10 largo de su direccin [111] Y simultneamente comprimido a lo 10101
x 11001 x
largo de su dlrecci60 (IU] . IAI 181 lel
'mUce. cbico, para planos. l.Ds planos cristalogrficos se identifican tam-
FIc. 1.16. (A) Plano. del c: ubo de UD crislal c:bic:o: a (100); b (Ola); e (001). ( 8 ) El plano
bin por juegos de nmeros enteros. Estos se obtienen de la intercepcin que
(011). (e) El plano (111)
I

JO Principios de Metalurgia Fiska

+z La E.tructura de lo. Mdale. 3J

-x
(111)

Unidad de medici6n
L-_+ y eje e

+x
'---_ _ _ _ H,

-z
- --
Fre;. 1.17. Los planos (ll1) y (111) son paralelos uno con el otro y en consecuencia .repre- 1-, ,
, Sentan el l1Lismo plano CrlslalogrMico
",
Unidad de medicin "
a lu largo de un eje a -".

cristalogrfico. En forma similar, los ndices --


(111) Y (111)-- representan los FIe;. 1.18. Los cuatro ejes de coordenadas de un c ri stal hexagonal
mismos planos que (111) y 01I). -
El juego de planos de una forma dada, tal como los cuatro planos octadricos a a y a debe interceptarlos en el infinito. La intercepcin de su eje c, sin embargo,
- - l'!la' 1111.
mente (111), (111), (111), Y (111), se representan como un grupo con la ayuda de es igual a 1. Los recprocos de estas intercepciones son _, _ , _ y _. Los ndices
[1001. Uaves que encierran uno de los ndices, esto es, {ll1}. As, si se desea hacer refe- co co co 1
Al! rencia a un plano especfico t:n un cristal de orientacin conocida, se emplean los Miller del plano basal son en consecuencia (000 1 ). Las seis superficies ~erticales
de UD parntesis, pero si la referenCia se hace en cuanto a la clase de los planos, se de la celda unitaria se co~ocen como planos de prisma de Tipo l. Con.slder~mos
emplean las llaves. ahora el plano de prisma que forma la cara frontal de la celda, la cual llene lllter.
direcc
ponen Una caracterstica importante de los ndices MilIer para cristales cbicos es cepciones como sigue: al en 1 , a z en el co, a" en -1, y e en el co. Por lo tanto, sus
en_ que Jos enteros de los ndices de un plano y los de la direccin normal al plano
dese., son idnticos. As, la cara a del cubo en la Fig. 1.12A tiene ndices ( 00), y el ndices MilIer son , ODIO). Otro tip~ de plano importante e~ la red hexagonal se
es... muestra en la Ftg. 1.19. Las intercepCIOnes son al en 1, a: en e 00 a en - 1,yeen
eje x, perpendicular a este plano, tiene ndices fIOO}. De la misma manera, el pla-
1 , "
A no octadrico de la Fig. 1.12C y su nOrmal . la diagonal del cubo, tienen ndices y los ndices MilIer son, por consiguiente (012).
noa (111) y (lll] respectivamente. Los cristales no cbicos, en general, no poseen
1.14. esta equivalencia entre los ndices de los planos y las normales a los mismos.
Los ndices Miller de I~s direcci~nes .se ex~resane ;;;gito debe ser siempre igual
2' ta bin en tnninos de cua tro
lndices Miller para cristales hexagonales. Los planos y direcciones en los dgitos. Al escribir los ndices de . dlreccl~~,.~ te~~t:nces si los dos primeros dgi.
los ! metales hexagonales Son definidos casi universalmente en trminos de ndices Miller a la suma negativa de los dos pnmeros 19l os. _
dice conteniendo cuatro dgitos en lugar de tres. El uso del sistema de cuatro dgitos da
tos son 3 y 1, el terce~o e. e - , dan slo en ~I plano basal, ya que esto slm.
d b ser 4 esto es [3140]. .
del ndices simiJares a planos de la misma forma. As, en un sistema de cuatro dgitos
Investiguemos las direCCiones qu~ que. d n el plano basal , entonces no
los planos (1120) y (1210) son planos equivalentes. El sistema de tres dgitos, por plificar la presentacin. Si una direCCIn que a e
"- otra parte da ndices de planos equivalentes que no son similares. As, en el sistema
..J -
de tres dgitos, los dos planos anteriores tendran ndices (110) y (120).
.(1
Los ndices hexagonales de cuatro dgitos estn basados en un sistema de

-"-
1M
coordenadas que contienen cuatro ejes. Tres ejes corresponden a las direcciones
compactas y quedan en el plano basal del cristal, formando ngulos de 120" unos
con otros. El cuarto eje es normal al plano basal y se le nombra eje e, en tanto , 1
fnl en:epci6n e:: Ih

tal que a los tres ejes que quedan en el plano basal se les designa ejes a,p a~, ya". 1 I
ce La Fig. 1.18 muestra a la celda unitaria hexagonal superpuesta sobre el sistema de )1.- ,-

..
po coordenadas de Cuatro ejes. Es costumbre tomar la unidad de medicin a lo largo - "-,,-
"-, '------0,
de Jos ejes a l ' a", Y al como la distanci~
entre tomos en la direccin comp~~ta. /
/1
0, La inleKepei6n es - 1
La magnitud de esta unidad se indica por el smbolo a. La unidad de medlCl6n
para el eje e es la altura de la celda unitaria que se designa como c.
Determinemos ahora los ndices Miller de varios planos importantes de la red
intercepcin
es +1
""-
0,
hexagonal compacta. La superficie de la celda unitaria sobrepuesta en la Fig.
1.19 corresponde al plano basal del cristal. Dado que ste es paralelo a los ejes 1.19.
-
El plano (1012) de un metal he;<ag<mal
La Estructura de 108 Metales 33

0, ESTRUCTURA CRISTALINA DE ALGUNOS DE LOS ELEMENTOS


/ TABLA 1.1. METALICOS MAS IMPORTANTES
---,(
I I \
I / \ Cbica centroda en He;<agcmol compacta Cbica centrada en
---f---
\
--o, la. can"
el cuerpo

\ \ / Hierro (910C a 1 400C) Magnesio


Zinc
Hierro (por debajo ,le
910 C y de 1400" C a
-JI Cobre
Titanio 1 S39"C)
\ Plata Tungsteno
\ 0'"
Aluminio
Circonio Vanadio
Berilio Molibdeno
Nlquel
Cadmio Cromo
Plomo Metales Alcalinos (ll, Na,
Platino
K, Rb, Cs)

binario de Tipo 11 son as [10101. En este caso, el segundo digito es cero porque
Fre. 1.20. Detenninaci6n de ldJces de -- la proyeccin del vector s sobre el eje a.., es cero.
~ J.l. tUI eje de si.Jnetra binario de Upo 1-[2110]
Deuta , 1.14. Estructuras cristalinas de los elementos metlicos. Algunos de los metales
ms importantes se clasifican de acuerdo con sus estructuras cristalinas en la Ta
o,
bla 1.1.
menre Cierto nmero de metales son polimorfos, esto es, cristalizan en ms de una es-
11001. tructura. El ms importante de stos es el hierro, el cual cristaliza bien como cbico
centrado en el cuerpo o cbico centrado en las caras, siendo cada estructura estable
'--- __-0, en zonas de temperatura separadas. As, a todas las temperaturas por debajo de
I 9100C y sobre l 400C hasta el punto de fusin, la estructura cristalina preferente
pmenf es la cbica centrada en el cuerpo, mientras que entre 910C y 1 410"C el metal es
en.....
s estable en la estructura cbica centrada en las caras.
desea< "
espad 1.15. La proyeccin estereogrfica. La proyeccin estereogr~ca es una herra
Al mienta metalrgica til, pues permite la representacin de los planos y direcciones
una I cristalogrficas en dos dimensiones en una manera directa y conveniente. El valor
1.14. o, Teal del mtodo. se obtiene cuando es posible vIsualizar directamente caractersticas
['OTO]
cristalogrficas en tnninos de sus proyecciones estereogrficas. El propsito de esta
Ioslr &. 1.21. Deten:n1DadII .o.
....., fndice, de UD eje d - seccin es concentrarse sobre la correspondencia geomtrica entre planos y direc-
e rimetda binano de Tipo n - {lOIO]
dice ciones cristalogrficas y sus proyecciones estereogrficas. En cada caso, se compara
de~ teudd. componentes a 1 1 un croquis de cierta caracteristica cristalogrfica, en trminos de su posicin en la
cero. o argo del eje e, y el cuarto diglto de 1os ndices Miller ser
celda unitaria, con su proyeccin esterogrfica correspondiente.
Como' . Se considerarn varios ejemplos sencillos, pero antes de hacer esto, deber preso
. pnmer eJemplo, hallemos los ndices MilI .
esta Dll8ma dt.reccin que la suma d er del eJe al' Este eje tiene la
e tarse atencin a varios hechos pertinentes. La proyeccin estereogrfica es un trazado
Y 11 +2 a lo largo del eje al' otro de l::%:e_~s :rectores (~ig 1:20), uno de longitud bidimensional de datos tridimensionales. La geometra de todos los planos y direc
e tud -1 paralelo al eJ"e a Lo '-di P alelo al ele a 2 Y el tercero de long- ciones cristalogrficas est reducida de consiguiente por una dimensin. Los planos
ca E te tod 3' s...., ces de esta di ' -
s m o incmodo de obtener los ndi d re~cl n. son, de consiguiente [2110}. se trazan como grandes lneas circulares, y las direcciones se trazan como puntos.
al.. Adems, la nonnal a un plano describe completamente la orientacin de un plano.
ma.
mantenga la relacin mencionada anterto=s e direcCl6n es necesario Paxa que se
tercero. Los ndices cOllesponc!ientes de 1 e~te entre los dos _p~eros dig1tos y el Como nuestro primer ejemplo, consideremos varios de los planos ms impor
tale

....
([1 :eel =ci 0De8 se conocen como los ejes ~se ?::e':ri: btr: ~n [1210} y [1120]. Estas
tantes de una red cbica: especialmente los planos (lOO), (110), Y (111). Los

....
a t
binad ones importantes que quedan e
rlos del Tipo ni un juego de ejes
1 manos de Tipo l. Otro juego
n e ~Iano basal son los ejes de simetra
del, Tipo l. La Fig. 1.21 muestra uno depelrpen~cuIdar a los ejes de simetra binarios
tres planos se tratan en las tres partes de la Fig. 1.22. Ntese que la proyeccin
estereogrfica de cada plano puede ser representada por un crculo grande o por
un punto mostrando la direccin en el espacio que es nonnal al plano.
m.nan atu fndi os ele8 el Ti II . Se pueden resolver muchos problemas cristalogrficos considerando las proyec-
d~ ada ces de direccin.. El vector po e indica c6mo se deter- ciones estereogrficas de planos y direcciones en un hemisferio sencillo, esto es,
Le e iguaJa la 8uma de vector d 8 en la figura detennina la direccin
paralelo a a,.
pero medido en send~:n vector unitario que queda sobre al' y otro
negativo. Los ndices del eje de simetra
nonnahnente el del frente del plano del papel. Los tres ejemplos dados en la Fig.
1.22 han sido trazados de esta manera. Si fuese necesario, las proyecciones estereo-
grficas en el hemisferio posterior pueden trazarse tambin en el mismo diagrama.
}
,
JI. Principios de Metalurgia Fsica \
LG E"rucfura de lo. Metale, J5
.,

Plano (l2.()
\
\
\
\
Polo (lOO)
I
Polo I Polo
(l!1Q) I ( 120)
Polo Y Unea de
visin (lOO)
Plano (100)
(A)
El crculo bsico
el plano (100)
CI



Direcci6n [100] (120)
Frente
PlI.110 (120)
I

POlter:lor




'" Flo. 1.2.3. Sistema c6blco, plano (120), mostrando lo Ployeeeione. e.1ereocrlfleu deade a.n-
bos hemllifeno&, linea visual de la direccin 1100]
~
que quedan en el plano (101), donde aparecen como puntos sobre el circulo orto.
dr6mico que representa al plano (101).
Polo
/'
(110)

1.17. Planos de zona. Los planos que se intersectan mutuamente a 10 largo de
/ Polo (110) ,1 una direcci6n comn forman los planos de una zona, y la linea de interseccin se
denomina eje de zona. A este respecto, consideremos la direccin [111} como un
Plano eje de zona. La Fig. 1.25 ilustra el hecho de que hay tres planos {110} que pasan
Direcci6.n [lOO] Plano (UO)
a travs de la direccin [111J. Hay tambin tres planos {112} y seis planos {123},
as como cierto nmero de planos de ndice ms alto que tienen el mismo eje de
zona. En la Fig. 1.26 se muestran los planos pertinentes {112} y {l23} . en tanto
que en la Fig. 1.27 se muestra la proyeccin estereogrfica de stos y los planos
{11O} arriba mencionados. Ntese que en esta ltima figura slo estn t~azados los
polos de los planos y es significativo que todos los polos caen en el CIrculo orw.
drmico que representa la proyeccin estereogrfica del plano ( 111) .
Polo (111)
1.18. La red de Wulff. La red de Wulff es una proyeccin estereogrfica de
Pl~ lneas de latitud y longitud en la cua] el eje norte-sur es paralelo al plano del papel.
(111) Las lneas de latitud y longitud de la red de Wulff sirven para la misma funcin
que las lineas correspondientes de un mapa o proyeccin geogrfica; esto es. hac:en
Direccin [lOO) posible mediciones grficas. Sin embargo, debe observarse que en la. proyeccIn
Plano (111)
estereogrfica estamos interesados primordialmente en medir ngulos , mientras .que
(e) en el sentido geogrfico es la distancia la que resulta ~~ importante de .ordma.
rio. En la Fig. 1.28 se muestra una red de Wulff, o mendIOnal , trazada a mterva-
Plo. 1.21. Proyecciones e!tereogrficas de varios planos importantes de UD Crilital ctbico
los de 2.
(A) SIIte!na c1.iblco, plano (100), lnea de visiD a lo largo de la direeeiD [1001. (B) Sistema
c1.ibic:o. el plano (110), Unea de visl6n a lo largo de la direccin [100). (e) Sistema cbico, Ahora se debe prestar atencin sobre varios hechos relacionados con la red de
el plano (111), linea de vi&i6n a lo largo de la direccin [lOO} Wulff. Primero, todos los meridianos (lineas longitudinales). incluyendo el circulo

Sin embargo, es necesario que las proyecciones en los dos hemisferios se distingan Plano (101)
una de la otra. Esto puede lograrse si las proyecciones de planos y direcciones en el
hemisferio anterior se dibujan como lneas slidas y de puntos respectivamente, en
,
Polo (l01)
Palo (101)

tanto que las del hemisferio posterior se trazan como lneas de puntos y puntos
redondeados, respectivamente. Como ilustracin, consideremos la Fig. 1.23 en la
,I
... cual se muestran las proyecciones en ambos hemisferios de un plano simple. En este
ejemplo se utiliza el plano (120) de una red cbica .

1.1. DirucioDes que quedan en UD plano. Con frecuencia se desea mostrar las [liT 1
{filJ [IITJ

Dl~ec6n 1001
posiciones de ciertas direcciones metalogrficas importantes que quedan en el plano Plano (101) Plano (101)
particuJar de un cristal. As, en un cristal cbico centrado en el cuerpo uno de los <111> que quedan en este
plano. compactos ms importantes s {UO} y en c'ada uno de estos planos se en Fu;. 1.2<1. Sistema c6bico, el plano (101) Y las dos dlreeCiones
plano, linea visual {lOO]
Cueutrau dos direcciones (111) compactas. En ]a F1g. 1.24, se muestran las dos
)

11 PriradpiM de Metalurgia Frica ,


; La Estructura de lo" Meta'e" 17

1
1
II1J
,,
111)
Polo (32)
I Polo (121)
Polo 1111)
1231l
Plano UfO) Plano (011) Plano (101) 0'10)
(32U
__ 12H)
(312)
Proyeccin es~grlica
(101)
Polo (Oil)-_ _ (213)

~-----7
Direccin [111]
Plano (101)'--.,

F'IG. 1.27. Proyeccin estereogrfica de la zona conteniendo 10B 12 planos mostrados en las
Plano (OIl), _ _~ Figs. 1.25 y 1.26. Slo estn trazados J05 polos de los plano . Ntese que todos los polos plana-
(100)
:res qUedan en el plano (111)

FlIo. 1..2.5. Si.tema cbico, mna de planos cuyo eje de zona es la direccin [1111. Lo. trel
planOll (UO) que pertenecen a esta ZOIla se ilustran en lal ti(Ural superlorel I
I
Lo& tres planos dpo {112.}

I
111] I 111]
Polo
/
Polo /
/ Polo
PIno -
(112.) PIano (12.1)
- -
Plano (211)

Los tetl plano. tipo (123)


I
(1231 I
-
Polo
I
(2131
- ....
(1321
-
(231l
-(321)
Polo

Polo
(3121

,
trauda intenalOl de 2
pT~
COD
. . . 1'" lot: (U2) y (lta} que ""1 (111) como 1111 ejM de zona Fre. 1.28. Red de WulfI, o mer:ldloal, cstereogriflca
J
,,
, LcL E,.lrucluru de lo,. Metale' 19
,
b sico, son circulas ortodr6micos. Segundo. el ecuador es un circulo ortod:rmico. Las
( .
>00
dems lineas de latitud son circulos menores. Tercero, las distancias angulares
entre puntos representando direcciones en el espacio slo se pueden medir sobre
\ " / la red de Wulff si se h ace que los puntos coincidan con un circulo ortodrmico
de la red.
v:.---
1" En el manejo de muchos problemas CristalogrfiCOS, es frecuentemente nece-
sario girar una proyeccin estereogrfica conespondiente a una orientacin cris-
Polo talina dada a otu orientacin diferente. Esto se hace por cierto nmero de razones.
(111) Una de las ms importantes es ]a de llevar los datos de medicin dentro de una
,,
,, }----

(100J I Polo (Ul)


I
[100) lB)
.,. .,.
r---
Polo
dupu4:1 antes )C:::.----..: : :
Polode
la rotacin
Polo
d espu h d e
!a . rotacin

FtG. 1.31.
-
Se muestra la rotacin del polo del plano ( 110 ). El diagrama de la h;quierda mue ..
Polo (111) tra la rotaci6n en una figura en penpectiva, en. tanto que el de la derecha mueltra el movi-

~OOJ

Polo
miento del polo a lo laro de una linea de latitud de una proyecclD estereogrficil que, _
ene caso, es el ecuador
(111)

00 '

lO'
Fu:.. 1.29. Rotaei6n sobre el centro de la red de Wulff. (A) Efecto d e la rotacin deseada "O"
.obre la c:dda UDituia e6bic. LfDea de viNa! [100]. (B) Vllta en perspectiva del plano
(111) ante. ., despus de la rot.acin. (e) l'J:aye<:cin estereogrfica del plano (~11) y de IU
poio ante, ., despus de la rotacin.. Rotacin de 45 a la derecha sobre la d.ireec16n [l00J , ,m
O

(001) Eje de
rotaciD ..,... '00
Linea. de
ladtud de la red fio O D 0 11 0 0 '0

de Wulff

Des; ah de
la_ ,, -- ,, -- - Ante, de
,
, , la rotact6n
~ooj _.- Plano ( 110)

D!ncd60d~/
Plano (liO) _ aDte. de la
despus de la rotaci6D rotacin
JI
l'olld Direcct6D (lOO]
'" I
'"
PIG. 1.30. Rotaci6n sobre el eje DOJte.nu de la red de Wulff. (A) Vlltas en peuHctl.,:a de 13
...'d, wtaria 1.1100. y de,pU, de 1, rotacin mostraodo la onentac
. "6n
l del plano ( 110
16 ). 1610
( B)
Jb ecdn ~iil.ca m o.trando la rotacin aoterior. Para claridad de presentac D, 00'
.._"'7mnetu d plano ( 110). No te mueltra la rotacin del polo. Adem b ,!le o mUeD la. meridiano'
de la nd de Wulff Fw. 1.32.. Pro,tceJ6n eltereosrUica 100 elt4ndar de _ cd.taJ. C'.blco
j

41 Principio6 de Metolurgia Fiea I


La Eltrudura de lo8 IUdale- 41

I

''',/""

,
,
'"
.132

.123

FlG. 1.33. UDa proyeccin estereodfica 100 estndar de un cristal c6bico most:l:ando polos F'Jo. 1.34. Un a proyeccin 111 estndar de un cristal cbico
adicioDales

proyeccin estndar donde el crculo bsico es un plano compacto simple, tal como :por un mtodo grfico. El dato se traza primero estereogrficamente y entonces
el (100) o el (111). Usualmente, se pueden interpretar mejor las marcas de defor- se gira a lo largo de las lneas de latitud y se vuelve a t.ra~r de tal manera qu~
macin, u otros fenmenos cristalogrficos observados en forma experimental, cuan- cada punto experimente el mismo cambio en longitud. El metodo ser bastante eVI'
do se estudian en tuuinos de proyecciones estndar. dente si se consideran los dibujos de la Fig. 1.30. En el ejemplo presente, se supone
Al resolver problemas con la ayuda de la red de Wulff, es costumbre cubrirla que la cara anterior (100) de la celda unitaria se gira a la izquierda te~endo como
con una pieza de papel de calca. Se hace pasar un alfiler comn a travs del papel, eje a la direccin [0011. Consideremos ahora el efecto de esta rotaclon sobre .la
exactamente dentro del centro de la red. As montado, el papel sirve como hoja orientacin espaCial y la proyeccin estereogrfica del plano ( 110). En la. FI~ .
de trabajo sobre la que se trazan los datos cristalogrficos. Son posibles los dos 1.30A, los dibujos de la derecha y de la izquierda representan a la celda . ~mlana
tipos de rotacin siguientes de los datos proyectados . cbica antes y despus de la rotacin, respectivamente. El efecto de la rotaCIon sobre
Rotacin sobre un eje en la lnea visual. Esta rotacin se ejecuta fcilmente la proyeccin estereogrfica del plano (ITO) se muestra en la Fig. 1. 308 . Cad: una
por mera rotacin del papel de calca, en relacin con la red alrededor del alfiler. de las flechas curvadas que se muestran en este dibujo representa ~n cam 10 . en
Como un ejemplo, giremos una red cbica 45 a la derecha, alrededor de la direc- 1 . d d 90 En estos dibujos, no se muestra el polo del plano ( 110 ) pa~~ slm-
ongttu la erepresentacin.
plificar . Sin embargo, en l a F"19. 131. se muestTa la rotaclQn su-
cin [1001 rumo un eje. Esta rotacin tiene el efecto de colocar el polo del plano
(111). como est trazado en la Fig. 1.22C, sobre el ecuador de UDa red de Wulff. fnda por el polo (110). .
La Fig. 1.29A muestra esquemticamente el efecto de la rotacin deseada sobre la . . h ' rucado las dos rotaciones bSicas que se
orientacin de la celda unitaria cbica cuando se la ve desde la direccin [1001. j Usando ejemplos snnpl.e~, se an ID Wulff Todas las rotaciones posibles de un
pueden hacer cuando se utilIza la red de ti . til.zando estas rotaciones sobre una
Obsrvese que, debido a que el circulo bsico representa al plano (lOO), una simple cristal en tres dimensiones se pueden dup car u I
rotacin del papel por 45 sobre el alfiler produce la rotacin deseada en la pro- proyeccin estereogrfica.
yecd6n etteteogrfica.
o U cin estereogrfica, en 1a c ua} una di-
Rot4ci6n sobre el eje norte-sur de una red de Wulff.Esta rotacin no es tan 1.19. Proyeociones estndar. na proyec 1 importante queda en el cen-
'"P1e de ha ...... como la anterior, que se puede lograr por la simple rotacin de la reccin cristalogrfica prominente o polo de ~n p :~ogrfica estndar. En la Fig.
hoja de trabajo ahededor del a1fer. Las rotaciones de este segundo tipo se hacen tro de la proyeccin, se conoce como proyecCl n es
I -

e Principios de Metalurgia F{siCfl ,


, La Ellntduro de (0/1 Melak. 43
1.32 se muestra tal proyeccin para UD cristal cbico, donde el polo ( 100) se supon
normal al plano del papel. Esta figura se denomina apropiadamente proyeccin IO~
estndar de un cristal cbico. En este diagrama, obsrvese que todos los plano I
(lOO), (lID) Y (111) ,han sido, traza~o~ con sus propias orientaciones. Cada un:
de estas direcciones cnstalogrficas baSlcas est representada por un smbolo ca.
racterstico. Para lo: polos. {IDO}. es un cua~rado, si,gnilic,ando que estos polos 10

corresponden a los ejes de sunetria de cuatro pliegues. SI se gua el cristal 90, sob
cualquiera de estas direcciones, regresar a una orientacin exaCtamente eqUiValen~
3
".
a su orientacin original. En una rotacin a 360 0 sobre un polo {lOO} , el cristal e
produce cuatro veces su orientacin
. . originaJ.
, De la misma manera ' una ~_mn
(111) coliesponde a un eje de Slmetna de cuatro pliegues, y estas direc i
-'! re-

.2

, In 'dlca d as en 1a proyeccln estereogrca f ipor
trin gulos. Finalmente cI ones
estan
metria de dos pliegues de las direcciones (110) est indicada por el uso ' d a SI
'.
6

5

9
"
en a proyeccin estereogrflca. e pe-
- tei pses para d ' "1 6
quenas eSlgnar sus pOSIClOnes 100 "O

cnst
En la Fig. 1.33 se muestra una proyeccin 100 estndar ms complet d
, al cu'bICO. Esta mc
. 1uye 1os po1os d e otros p 1anos de ndice MilIer un t a t e un '
f F'1c. 1.36. Cuando cs nccesario comparar la~ orientaciones de un nm ero de cristales, con
. ano mas frecu encia esto sc puede hacer convenientemente trazando los ejes de los cristales en UD
elevados. La Flg. 1.33 puede ser considerada como una proyecc in q ttl ngu lo estereogrfico simple, como se indica en esta lgura
1as d
IreC"Clones en un .
cnstal 'b'ICO o los polos de sus planos Esto e, p ue muestra
cu
. . ' . . orque en un
cnstal
. cubICO, un. plano es Siempre normal a la direccin con lo, mismos ' , d'Ices
In tructura cristalina sobre el polo de un plano {111} es claramente evidente en esta
Miller. En un cnstaJ hexagonal compacto, sin embargo, la proyeccin que muestra I figura. Al mismo tiempo, debe prestarse atencin al hecho de que la proyeccin 100
los polos de Jos planos no es la misma que la que muestra las direcc,one 'al I de la Fig. 1.33 revela tambin plenamente la simetra de cuatro pliegues sobre un
'fi
gra caso s cnst o- polo (IDO).
1
En la Fig. 1.34 se. , muestra la proyeccin 111 estndar que conn'en e 1os mIsmos
' , 1.20. El tringulo estereogrfico estndar para cristales cbicos. En las pro-yeccio-
po Os que la proyecclon 100 en la Fig. 1.33. La simetra de tres pliegues de la es- nes estndar de las Figs. 1.33 y 1.34 se muestran tambin los circulos grandes co-
rrespondientes a los planos { lOO} Y {110} de un cristal cbico. Estos crculos grandes
pasan por todos los po~os mostrados sobre el diagrama excepto aquellos de los planos
{123}. Al mismo tiempo, ellos dividen la proyeccin estndar en 24 tringulos esf-
ricos . Estos tringulos esfricos caen todos en el hemisferio delanJ:ero de la pro-
yeccin. Hay, por supuesto, 24 tringulos similares en el hemisferio posterior. Un
examen de los tringulos trazados en las Figs. 1.33 y 1.34 muestran un hecho inte-
resante; en cada caso, las tres esquinas de los tringulos estn formadas por una
direccin ( l1I ), una direccin (lIO) y una direccin ( l?O). Esta es una ob-

o,
, servacin muy significativa, ya que indica que cada trlangulo corresponde a
una regin del cristal que es equivalente. En efecto, esto dem~estra que las .tres
I direcciones de la red, marcadas al' ~ y a :p y mostradas en la Flg. 1.35,. son cnsta-
0 , logrficamente equivalentes, porque se encuentran ~ituadas e~ las m~smas POSI-
ciones relativas dentro de ues tringulos estereogrfiCOS. Para ilustrar este punto ,
supongamos que es posible cortar tres probetas de tensin~ con ejes paralelo~. a

, al' a.., Y a. de un cristal simple muy grande. Si ahor,a se efectuan prueba~. de ten~lon
sobre- ests tres cristales ms pequeos, se debena esperar la obte~clOn de tres
curvas tensin-defonnacin idnticas para las tres probetas. Se debena obtener ~n
resultado similar si se midiesen sohre estas tres direcciones algunas otras ~roPle
dades fsicas, tales como la resistividad elctrica. El traza~o de los ~~tos cnstalo-
grficos se simplifica con frecuencia debido a la .equivalencl~ ~ los ilt~~~~~~~a~~:~
Teo ficos. Por ejemplo si se tuviese un gran numero de cnst es c ~
s~ desease trazar las ~rientaciones de los ejes individuales de los Crlstfal~S, estoor:~
Y cillo tringulo estereogr ICO, c
,-
I
puede hacer convenientemente en un sen
se muestra en la Fig. 1.36.

PROBLEMAS

. b' I cual se muestren las direccio-


l.aS. La. direccione. crhtalopficas ah a. Y a. mostrada. en esta proyeccin eltbldar 1. Hacer un dibujo de la celda unit~br:a cu lca, edn osa en el cuerpo. Rotlense todas
equl"'al.e:nUI porque quedan en posiciones similares dentro de IU. tri'ngulo, estereogrfi ne' Compactas de los cristales cu ICOS

cen ra
., propIa
. d
os
COl estndar respectivos las direcciones con sus ndices de d IreCClon a .
j

,
.u Principios de Metalurgia Fsica
,
I Le Eatruclura de lo, Melo'., 45
. e en el Prob. 1, trcese una celda unitari.a so~re la c ual
2. De la rnlSma maneT~.qu ClO . Des compactas de la estructura cnsta hna cbica
se sobreponen
centrada en las las
caras.treC'd en tifquese cada direccin con sus propios ndices de
direccin.
3 La Fig 1 25 muestra tres p lanos de la fonna {lIO}.
"'n
..... u tos p
1
anos
d
e1 este j
. 25 1
" tipo hay
""en total 'En bosqu ,,'os similares a los, de
. la Fig.
Mill 1. mostrar os p anos
-ar cada uno con los mdices
( llO) restantes y ma ... er.
4 Hay 12 planos de a f a r m a . Tres de stos se muestran
( ll2) . imil " dentro de unad celda
1
. unitana.. .
cubica en aF"gl . 1. 26. Trcense bosquejOs
. .s . ares mostran o os
otros nueve. Ro ,l,",.
= cada uno con sus propios mdlces MUler. oc---- v
---- - - - - - - -- --7,
/ /1 11. Identificar los ndices de direccin de la lnea Qb mostrados en la celda uni-
/ / 1
taria. Esta linea queda en los tres planos importantes. Identificarlos.
/
,,'
/
," j
1

, " I PToyecciones estereogTficas
/ / 1
, /
/ /
,,
/
1------ Los siguientes problemas implican el trazado de proyecciones estereogr.
,
1
ficas y requieren el uso de la red de Wulff, mostrada en la Fig. 1.28, y una
,,
1

,, hoja de papel transparente o de calco. En cada caso, colquese primero el papel


1
1" I
1
1 , 1
1
I de calco sobre la red de Wulff y entonces mrquese el centro de la red sobre
1 1 el papel de calco por medio de un punto. A continuacin, trcese el contorno
1 1
del circulo bsico y colQuese una pequea marca vertical en la parte supe-
1
, 1
/ rior del crculo para que sirva como ndice.
,,1 ,
1
/
/
/
, /
/
/
,
,1 /
/

_______ ..Y/
/
I
5. Este diagrama muestra el tetraedro Tbompson, una figura geomtrica formada
por los cuatro planos {1l1} cbicos. Identifquese cada plano por sus propios
ndices Miller. Seria esta figura ms significativa a este respecto para mostrar
caractersticas cris talogrficas importantes en la estructura crlsta1ina cbica
centrada en el cuerpo o en la estructura cristalina cbica centrada en las caras?
ExpUquese, considerando tanto las superficies como las aristas del tetraedro.
I
- - -y
6. Los planos hexagonales compactos del tipo {lOlO} se llaman planos de prismas
de Tipo 1. Cuntos de estos planos hay y cules son sus ndices? Cul es el
Significado de estos planos en relacin con la celda unitaria hexagonal mostrada
en la Fig. 1.19?
7. Dibujar una celda unitaria hexagonal y mostrar la orientacin en esta celda
del plano {l120}. Este es un plano de prisma de Tipo JI. Cuntos planos de b' . t' alineado con el
prisma de Tipo 1I hay y cules Son sus ndices? Mostrar que se puede formar 12 Colocar el papel de calco de manera que ~1 ~ir~~: ca~;~coso~sr: el polo norte de
tambin un prisma de seis lados usando planos de prisma de Tipo II. permetro de la red de Wulff y la maIc~ el m.~. desde arriba a 10 largo del
8. Obsrvese que la direccin (1l2o) es normal al plano ( 1120). Sin embargo, la red. Supngase ahora que. se veTun c~ta c~c~: de los polos sobre todos los
eje z como se indica en la figura. razar a po .
(101Z) no es perpendicular a (1012). Mostrar que esto es cierto geomtri-
camente. P lan~s (100) y rotulados de manera apropiada sobre el .~agrama. Prob 12'
di' lobslcoene .
l 13. A cul plano POOl de todos correspo; ~ e aC1r:sU otros dos planos {lOO} Y
9. En una celda unitaria hexagonal, dibujar los planos (1012) y (lol). Dibujar Dibujar los circulas grandes correspon en:s Mil!
tambin las direcciones (1012] y (IOU] Cmo se relacionan estos planos y iada con sus ndices ero
direcciones? rotularlos de manera aprop tularlos A continuacin di.
14, Trazar los polos de todos los seis ~lano~ C~J~~}q~e rocorrespo~den a estos planos.
10. Los planos (1121} Y {1I22} SOn importantes con relacin a los mecanismos bujar sobre la proyeccin los gran es Cl[ fi . iJar a la de la Fig. 1.32, la
de deformacin plstica en ciertos metales hexagonales compactos, tajes como En este punto se habr proyecta?o UDa l gur~ ~mcbico. Qu proyeccin es-
el titanio y el circonio. Mostrar la orientacin en la celda unitaria de un plano cual es una proyeccin 100 estaDdar de cnst
de cada tipo. tndar se habr trazado?
J

46 Principio3 de Metalurgia Firica I

15. Cmo se puede girar el cristal mostrado en la proyeccin obtenida al final del
I
Prob. 14 para que est en una orientacin IDO estndar ? Mostrar los caminos
que cada polo {IDO} . y {lID) seguirn durante esta rotacin.
16. Trazar una proyeccin ( 0001) estereogrfica estndar de un cristal hexagonal ,
compacto, mostrando los polos de todos los planos prismticos de Tipo l . : loTo:,
y Tipo 11, {I 120J, asi como el polo del plano basal ( 0001 ).
17. En el dibujo del Probo 16, conectar el polo del plano basal a los polos del plano
prismtico con los crculos grandes (lneas rectas). Esto dividir la proyeccin
estereogrfica en un juego de tringulos esfricos. Examinar estos tringulos y
Mtodos
observar si hay alguna similitud con los mostrados en la Fig. 1.31 para un
cristal cbico,
18, Reconstruir la proyeccin estndar del Prob, 16, pero aadir sobre este diagrama
Difra[[in
los polos de todos los 1l0TU, 1l0T2J, {IOT3J, 11014:, 111 21), (]122;, 11123J, y
r I 124:, usando los datos para el magnesio dados en el Apndice B, Esto produ
eir una figura polar para un metal hexagonal que muestra la mayora de los
planos importantes de esta estructura cristalina,

fila~bi:loan~s q~: ~~:v::;t~~e:Si~:~ ~~~m~ciones simtricas de tomos conteniendo


d d'f '6 'd' omlCa, son capaces de actuar como reticulas
he 1draccI n ~n unensionales, Es bien conocido el hecho de que si los rayos de luz.
an e se~ dIfra~tados, eficientemente por una rejilla , entonces el espaciamiento
d~ una relilla, ( dIstanCia entre lneas de cuadricula de una rejilla) debe ser apro-
xl~,adame~te Igual a la longitud de onda de la luz., En el caso de la luz. visib~e, se
utilIzan reJillas con separaciones de lneas de entre 10000 Y 20000 para difracta
las longitudes de onda, en la zona de ent~e 4000 a 8000 , En cristales, sin embargo:
la , separacin entre filas paralelas de atomos igualmente espaciados o planos at-
micos es mucho menor y del orden de unas cuantas unidades , Afortunadamente,
los rayos X de bajo voltaje tienen longitudes de onda de magnitudes apropiadas
I para ser difractados por cristales; esto es, los rayoS X producidos por tubos operados
en el rango de entre 20000 Y 50000 voltios son contrastados a los empleados en
aplicaciones mdicas donde los voltajes exceden los 100000 voltios,
1 Cuando los rayos X de una frecuencia dada golpean a un tomo, interactan
con sus electrones haciendo que vibren con la frecuen cia del haz. de los rayos X,
Como los electrones se vuelven cargas elctricas vibratorias, eUos retransmiten los
rayos X sin cambio en la frecuencia, Estos rayos reflectados se alejan de los tomos
en cualquier direccin, En otras palabras, los electrones de un tomo "dispersan"
los haces de rayos X en todas direcciones,
Cuando los tomos espaciados a intervalos regulares son irradiados por un haz
de rayos X, la radiacin dispersada sufre interferencia, En ciertas direcciones se
'producen interferencias constructivas; en otras se producen interferencias destruc,
tivas , Por ejemplo, :;;i un plano atmico simple es golpeado por un haz de rayos X
paralelo, el haz sufre interferencia constructiva cuando el ngulo de incidencia
iguala al ngulo de reflexin, As, en la Fig, 2,1. los rayos marcados al al as. repre-
! sentan un haz de rayos X paralelo, La lnea AA muestra una onda de este haz, donde
todos los rayos estn en fase, La lnea BB se traza perpendicul~r ~ los, ra~os refle-
jados por los tomos en una direccin tal que el ngulo de mCldencla Iguala al
ngulo de reflexin, Como BB queda a la misma distancia desde la onda frontal AA
cuando se mide a Jo largo de cualquier rayo, todos los puntos sobre BB debe; ,es~ar
en fase, En consecuencia, es una onda frontal, y la direccin de los rayos re ela os
es una direccin de interferencia constructiva,
48 Principios de Metalurgia Flsica
I
A 8 donde n = 1, 2, 3, ...
0,
0, >. = longitud de onda en A
o, d = distancia interplanar en A
8 = ngulo de incidencia o reflexin el h d
az e rayos X
Cuando se satisface la relacin anterior estar
a~ ~ resultar una interferencia constructlv Ad n en fase los rayos reflectados a y
la Interferencia constructiva cuand d'l' erns, los ngulos a los cuales ocu~
FIe;. 2.1. Un hu de rayos X e. reflejado con interferencia constructiva cuando el Dplo de o di . o un egado haz de rayos X gOlpea un cristal
n storslOnado son definidos e f
incidencia iguala el ngulo de reflexin
nan sobre muchos miles de Pla~o:nn~ n;u y aguda porque las reflexiones se origi_

t.l. La ley de Bragg. La discusin anterior no depende de la frecuencia de la


una desviacin muy pequea del n
interferencia destructiva de los
7 ~u ares P~alelos. Bajo esta condicin aun
gu o ~at1SfaC1endo la relacin anterior ocasiona
radiacin. Sin embargo, cuando son reflejados los rayos X, no desde una formacin flectado deja el cristal Como tul ::~s h re h eC~dos. Como consecuencia, el hu re-
de tomos dispuestos en un plano solitario, sino desde tomos sobre ciert,os nme- < agudas de la fuente sobre una placa CfO~O~fz . uminoso capaz de producir imgenes
ros de planos paralelos espaciados igualmente, tal como existen en los cristales, eonsideremos ahora un Simple e 1- dmL
, entonces la interferencia constructiva slo puede ocurrir bajo condiciones de res- ~ragg. Los planos {llO} de los CriS~:~~ ~e ~i~na a~licaci6n de la ecuacin de
triccin elevadas. La ley que gobierna este ltimo caso se conoce como ley de Bragg. tienen una separacin de 1 181 A S . d. no cubico centrado en el cuerpo
Derivemos ahora una expresin para esta importante relacin. Para este propsito, de un tubo con un electrodo de ~o~ se UTa I~n estos planos Con rayos X procedentes
consideremos cada plano de tomos en un cristal como un espejo semitransparente, gitud de onda de 1.540 A la refl :~' c;ya . nea ms fuerte, la K",p tiene una 10n-
esto es, que cada plano refleje una parte del haz de rayos X y permita tambin el
t gula de , e X l n e pnmer orden ( n '- 1) ocurrir a un n-
,
paso de parte de estos rayos a su travs. Cuando los rayos X golpean un cristal,
el haz es reflejado no slo por los tomos de la capa superficial, sino por los tomos
bajo la superficie hasta una profundidad considerable. La Fig. 2 .2 muestra un haz 8 =sen-I("')=sen- 1 (1) 1.540 =40 80
2d 2 (1.181) .
de rayos X que est siendo reflectado simultneamente desde dos planos reticulares .
paralelos. En un caso real, el haz sera reflectado no desde dos planos reticulares jus- Una reflexin de
segundo orden desde los planos {HO} en hierro no es posible
tamente, sino desde un gran nmero de planos paralelos. El espaciado de la rericu- con radiacin de
esta longitud de onda porque el argumento del seno del arco
(n)J2d) es
la, o distancia entre planos, se representa por el smbolo d en la Fig. 2..2. La lnea
oA se traza perpendicular a los rayos incidentes y por tanto es una onda frontal.
Los puntos o y m, que quedan sobre esta onda frontal, deben estar en fase. La 2( 1.540) = I 302
linea oAr se traza perpendicular a los rayos reflectados al y a2 , y la condicin para 2(1.181) .
oA r para ser una onda frontal es que los rayos reflectados deben estar en fase en
un nmero mayor que la unidad y en consecuencia la solucin es imposible. Por
los puntos o y n. Esta condicin s610 puede ser satisfecha si la distancia mpn iguala
o~ra parte, un electrodo de tungsteno en un rayo X da una linea K It! con una Ion.
a un mltiplo de una longitud de onda completa, esto es, es igual a A o 2.A o 3..\ o nA
gltud de onda de 0.2090 A. Ahora son poSibles once rdenes de reflexin. En la
donde A es la longitud de onda de los rayos X y n un nmero arbitrario. I
Tabla 2.1 se muestra el ngulo 8, correspondiente a varias de estas reflexiones, y
Un examen de la Fig. 2.2 muestra que ambas distancias mp y pn son iguales la Fig. 2.3- muestra una representacin esquemtica de las mismas.
a d sen B. La distancia mpn es, de consiguiente, 2d sen (J. Formando una igualdad
con esta cantidad y n~, tendremos la ley de Bragg: TABLA 2.1.

nA = 2d senO
I Orden de reflexin B, ngulo de incidencia o reflexin
.l; I 5 5'
2 10 20'
5 26 40'
11 80

8
Al considerar el ejemplo anterior, es importante observar que, aunque hay.once
ngulos a los cuales se reflejar un haz con 0.2090 A de longitud de onda con.lD~er
ferencia constructiva desde planos de hierro {IlO} , s610 una muy.ligera des,?acl;n
d sen B en el ngulo 8 fuera de cualquiera de estos once valores ocasiona mterferencla d s-
tructiva y cancelacin del haz reflejado. Si se refleja un haz de r~yos X ~e.sde ~
\ ) juego de planos cristalogrficos es en estas condiciones una funCin senSItiva e
ngulo de inc1inacin del haz de rayos X con el plano, y na d~~ esperarse qbU '
A,
.
ocurra una refleXin .
constructiva cad a vez que un h az rnonocromatico golpea so re
FJe;. 2.2. La ley de BraSI un cristal.
5lJ Principios d~ Metalurgi4 Fi.rica
JUlodo, de DifrGccLn SI
Orden Otden undcimo
Normal
a {Ol2. j
Hu
Haces incidentes Haces reflejados reflejado
/
,
Hu
renejado

Orden quinto
Orden quinto

,
/ ,
segundo , , ,

Onl~
0"'= :::::~~:::~~2~6~'~~~~ prlmero (Oh)
,

,
,
,
, ,
,
,

.;. ,
,
,
,
(012.)

5'
--
--- 5' ' \'

------- F'Ic. 2.4.


Reflexiones de r ayos X desde planos no paralela. a
CrlilaJ de '--IIIO} Planos la superficie de la probeta
cada haz reflejado a f1 "
el e n 05 :m ..... s una re eXlon desde un plano cristalografico diferente Ad
_ 23
r,C ... - A A
los a los cuales ocurren las reflexiones de Bragg utilizan un cdshl
m ,en ~ontraste con el haz. incidente que es continuo en longitud de onda' cade~
con un espaciamiento in lerplanar de J-.18 y rayos X ca n longitud de o nda de 0.2090
haz lref1eJad~ ,contendr unicamente longitudes de onda discret3s como se P~Cribe
(WK,,,)

por a ecuaClon de Bragg. '


Supongamos que se mantiene un cristal en una posicin fija con respecto a un ,,
haz de rayos X y que este haz no es monocromtico, sino que contiene todas las . 2.2. Tcn~cas de Laue. Los metodos de Laue para la difraccin de rayos X uti.
longitudes de onda mayores que un valor mnimo ~o determinado. Este tipo de haz hz~ un CrIstal con una orientacin que es fija con respecto a un haz de rayos X
de rayos X se denomina haz de rayos X blanco puesto que es anlogo a la luz blanca , c~n~muo, como se describe en la seccin precedente. Hay dos tcnicas de Laue
la cual contiene todas las longitudes de onda en el espectro visible. Aunque el ngulo baslCas; en una , se estudian los haces reflectados en direcciones cercanas a las del
del haz es fijo con respecto a cualquier juego dado de planos en el cristal, y el haz d: rayos X incidentes , en la otra, se estudia el haz reflectado que pasa a traves
angulo Ode la ley de Bragg es por tanto una constante, las reflexiones desde todos del c~lstal. Claramente ,el ltimo metodo no se puede aplicar a cristales de espesor
los planos pueden ocurrir ahora como resultado del hecho de que el haz de rayos X aprecIable (1 mm o mas) a causa de la perdida en intensidad de los rayos X por
es continuo. El punto en cuestin puede ser ilustrado con ayuda de una red cbica su absorcin en el metal. El primer metodo se conoce como la tcnica reflectante de
simple. Laue; el ltimo se denomina tcnica de tTa,nsmisi6n de .Laue.
n~ mos que el haz de rayos X tenga una longitud de onda mnima de 0.5 A, y El mtodo reflectante de Laue es especialmente valioso para detenninar la
dejemos que forme un ngulo de 60 e con la superficie del cristal, el cual, a su vez, orientacin de la red en el interior de los cristales cuando estos son grandes y en
se supone que es paralelo a un juego de planos {lOO}. Adems, dejemos que los consecuencia opacos a los rayos X. Muchas propiedades fisicas y mecnicas varan
planos (lOO) tengan un espaciamiento de 1 A. Sustituyendo estos valores en la con la direccin en el interior de los cristales. El estudio de estas u otras propiedades
ecuacin de Bragg se tiene de los cristales requiere del conocimiento de la orientacin reticular en Jos mismos.
La Fig. 2.5 muestra la disposicin de una cmara reflectante Laue pica. Los
nA = 2d sene rayos X procedente~ del electrodo , o antictodos , de un tubo de rayos X se coliman
o en un haz angosto por un tubo de varios centlmetros de largo' con un diametro
interior de cerca de 1 mm. El angosto haz de rayos X incide sobre el cristal a la
nA = 2( 1)sen 60 = 1.732
As. los rayos reflejados desde los planos {lOO} contendrn las longitudes de onda )

1.732 A para la reflexin de primer orden " " reflec:tados


0,866 A para la reflexin de segundo orden
Filamento
lJ,J
0.546 A para la reflexin de tercer orden I
I
Tubo
I
Las dems longitudes de onda sufrirn interferencia destructiva. de cristal
En los ejemplos anteriores, se supuso que los planos reflectores eran paralelos 1
a la superficie del cristal. Este no es un requisito necesario para la reflexin; es i
Ha.z de rayos X Haz de rayo' X colImado
bastante posible obtener reflexiones desde planos que forman toda clase de ngulos
con la superficie. AS, en la Fig. 2.4, se muestra el haz incidente nonnal a la su-
perficie y a un plano ( 001) , en tanto que fOrma un ngulo 8 con dos planos {2.10} -
pua sujetar la pel.icuh.
(012) Y (0]2). Las reflexiones desde estos dos planos se muestran esquemtica-
mente en la Fig. 2.4, Puede concluirse que Cuando un haz de rayos X blanco incide
sobre un cr"istal, emergern del mismo muchos hacE;s reflejados, conespondiendo FIe. 2.5. Cmara reflectante de Laue
~~;==-------------------------------- I -------------------

52 Principios de Metalurgia Fsica

derecha de la figura don~e. es difractado ~omo cierto nmero de h,aces reflectados


e inciden sobre el reCIpIente q ue contIene una pelcula f otografica. El frente
~~I recipiente se cubre con una delgada hoja de material, por ejemplo, papel negro,
opaco a la luz visible, pero transparente a los haces d: rayos X reflectados. Hu
retleclado
En esta forma, las posiciones de los haces reflectados se regIstran sobre la pelcula
fotogr fica como un conjunto de pequeos puntos oscuros. 8 ..
La Fig. 2.6A muestra la configuracin de los rayos X r eflectados de un cristal ~nectad ..

de magnesio orientado para que el haz de rayos X incidente fuese perpendicular


al plano basal del cristal. Cada punto corresponde a una reflexin desde un pla no
Haz dI! rayos X incidente
cristalogrfico simple, y la simetra sxtuple de la red reticular, cuando se mira Hu de raYOI X
en direccin perpendicular al plano basal, es aparente. Si se gira el cristal en Incidente
una direccin que se aleje de la que da la configuracin de la Fig. 2.6A, cambia
la form acin de los puntos ( Fig. 2.6B), no obstante todava define la orientacin (A l
de la red reticular en el espacio. En consecuencia, la orientacin del cristal se (B)
Frc. 2.7. (A)Lu fotografas de reO
puede determinar en trminos de una fotografa de Laue. perpendiculares al h,. d. '.yo X ' e.xln de Laue regisullJI lu tl ...
~ s >nc ldente ( B ) L re I!.... Otles desde planol 1: I
La transmisin de los diagramas de Laue puede obtenerse con una disposicin lu reflexiones desde planos casi para} lBS fotogIa!fu de Iransm lsi n t.a ue repllr::
similar a las configuraciones reflectadas, pero la pelcula se coloca sobre el lado e os al haz de rayos X Incldeme
opuesto de la probeta desde el tubo de rayos X. Las probetas pueden tener la fonna de espejos curvados y forman puntos o
forma de pequeas barras o placas, pero deben ser pequeas en su dimensin I, pequeas imgenes circulares del h d manchas alargadas en lugar de
paralela al haz de rayos X. Mientras que la tcnica reflectante reflecta el haz diagrama de Laue tpico de un Cri~~al ed:f:YoS X. En la Fig. 2.8 se muestra un
de rayos X desde planos casi perpendiculares al mismo haz, la tcnica de la del asterismo o dis torsin de I rmado . En muchos casos, el anlisis
.'
proporCIona informacin v,a
o lsl opuntos
s' o manchas en las f otograIlas Laue
I transmisin registra las reflexiones desde planos casi paralelos al haz, como se
puede ver en la Fig. 2.7. cin pls tica. a concerruente a los mecanismos de la deforma-
Las fotografas de transmisin Laue, como las fotografas reflectadas, consisten En los ejemplos anteriores ( Mtodos Laue ) s ti .
de formaciones de manchas. Sin embargo, las disposiciones de las manchas di4 orientacin fija con respecto al haz de rayos
n
X :.a
man e~e un cnstal en una
fieren en los dos mtodos: las imgenes de transmisin tienen las manchas dig4 b.id a que el h~z es continuo, esto es, la variable ~s laslor:gi~do~:s o:ao:~:an C!:~
o
puestas de ordinario sobre elipses, las reflectadas, sobre hiprbolas ( vase la sIderaremos varias tcnicas importantes por dfracci6 d X ' ..
X d l n e rayos que utilizan rayos
Fg. 2.6B ). e una so a ~cuencia o lon~tud de onda. En estos mtodos, puesto que 10-
La tcnica transmisora de Laue, como la reflectante , se utiliza tambin para ya no es una vanable, es necesano variar el ngulo 8 para obtener las reflexiones.
hallar la orientacin de las redes cristalinas. Ambos mtodos pueden usarse pa-
2.3. Mtod~ del cris~al rotatorio. En el mtodo del cristal rotatorio, se llevan
ra estudiar un fenmeno llamado asterismo. Un cristal que ha sido doblado, o de- los plano~ cnstalogrcos a sus pOSiciones reflectoras girando un cristal sobre uno
fonnado en alguna otra forma, tendr planos reticulares curvos que actan en de sus eles en tant~ .que simultneamente se irradia sobre el mismo un baz de
rayos X monocromatico. Las reflexiones se registran de ordinario sobre una
p~lcula fotogrfica que ha sido curvada para que rodee a la probeta. (Vase la

Flg. 2.9 para una vista esquemtica del mtodo.)


;



o
,


o





,/
,/ ,, . ., o " ,


,/
(Al
(B) --

Flc. 2.6. FOIOraffas refleclada s de Laue. (A) Folorafia con el haz de rayos X perpendicular
al plano basal (0001). CB) Fotorafia con el haz de rayos X perpendicular a un plano del pri5Illa
-
( U20 ). Las lneas de trazos sobre la fotorafia se han dibujado para mostrar que las mancbas
reflectadas quedan sobre hiprbola. Flc. 2.8. Asterismo en una fotogTafa reflectada de Laue. Las rrllexionet de5de planos cri"al..Lao'
distor sionados o I:urvados forman punt-ol alugado.
/--------------------------------------
54 Principios de Metalurgia Fsica

""itodo. de D1fr~ 15
Miller de un plano en un cristal ' .
PeUcula Plano reflectante en no, y a la longitud del borde de I:u:~;~ ~i/t~aespactam1ento lnterplanar del pla.
clrcular~ la proteba de cristal

Agujero en
la pelicula
'----: " . , , , "
" , , O ' , ,,
d hkl = a
Vh 1 +k'1' +/1
Rayo incidente
- - Haz sin dJtractar

c"'-d--
Exposici6n $Obre
la peUcula
" , , . ... En la estructura cbica. simple, la distancia .nt-
a a. POr tanto,) la exp 6
resl n anterior se escribe
... Planos cbicos
'

' Haz d.i.fractado


-Eje giratorio (B ) Ahora, de acuerdo con la
(A) ecuacin de Bragg
DI
FI(~. 2.9. CA) agr"m,a e.
squemtico de una cmara rotatoria de cristal simple. (B) Represen_
de la dlfracci6n obtenida de una cmara de cristal rotatorio.
l nA= 2dsenO
tlcl6n esquemtica e a Imagen bit 1
Los baces reflectados forman puntos que quedan en fila. or zon a cs
y ~i enfocamos nuestra atencin en las
es Igual a uno, tendremos reflexiones de primer orden. donde n

2.4. El mtodo de Debye-Scherrer o del ))Oh'o. En este mtodo se debe tener


cuidado de que la probeta contenga no un cristaJ, sino ms de ':.aros cientos d~
e =sen-'(~)
cristales orientados al azar. La probeta puede ser bien un pequeno alambre poli- Esta ecuacin nos dice q 1
ngulo O menor. Si ahora ue p anos con
se SUpone b' el espaCiamiento mayor. reflecta, <l' n .1
cristalino del metal deseado, o polvo finamente molido del metal, contenido en
un tubo de plstico, celulosa, o vidrio. En cualquier caso el agregado cristalino haz de rayos X es O 4 Ji. d ~r. ltrariam~nte que la longitud de onda del
1 . ,se pro UClran refleXIones de primer orden desde los
consiste de un cilindro de unos 0.5 mm de dimetro con cristales de aproximada- p anos {1 DO} (con el espaciamiento supuesto de 1 A) cuando
mente 0.1 mm de dimetro o menores. En el mtodo de Debye-Scherrer, como en
el mtodo rotatorio de un solo cristal, el ngulo O es la variable; la longitud de II _1.4 , 1
v=sen =sen-
onda ). permanece constante. En el mtodo del polvo, se obtiene una variaci n 2(1) 'i -11
- 30'
de (J, no por la rotacin de un simple cristal sobre uno de sus ejes. sino por la POr otra parte , los planos ntO} con un espaciamiento de 0.707 A reflejan cuando
presencia de muchos cristales pequeos orientados al azar en el espacio dentro
de la probeta. Los principios implicados en el mtodo de Debye-$cherrer pueden () _ -1 0.4 _ ,
-sen 2(0.707) - 16 28
ser explicados con la ayuda de un ejemplo.
Para mayor sencillt!z, supongamos una estructura cristalina con la red cbica Todos los dems planos con ndices mayores (esto es, {lU}. {234}, etc.) refle-
jan a ngulos an mayores.
silpple mostrada en la Fig. 2.10, Y que el espaCiamiento entre los planos (lOO) es
igual al. Puede demostrarse fcilmente que el espaciamiento para los planos La Fig. 2.11 muestra cmo se hallan las reflexiones Debye-Scberrer. Se mues-
del tipo {llO} es igual al de los planos {lOO} dividido por la raz cuadrada de dos, tra cmo un haz paralelo de rayos X, monocromtico, viniendo desde la izquierda
por tanto, es 0.707 Ji. (vase la Fig. 2.10). El espaciamiento de {UD} es, por de la figura incide sobre el agregado cristalino. Como la probeta contiene cien-
tos de cristales orientados al azar en la regin iluminada por el ha7. de rayos X in-
tanto, menor que el de {lOO}. En efecto, todos los dems planos en la red cbica
cidente, muchos de stos tendrn planos {IDO} al ngulo de Bragg correcto de
simple tienen un espaciamiento menor que el del cubo, o planos {lOO}, como se Q
Il 30'. En consecuencia, cada uno de estos cristales reflectar un a parte de la
muestra con la ayuda de la siguiente ecuacin para el espaciamiento de los pla- radiacin incidente en una direccin que fonna un doble ngulo de 11 30' con
nos cristalogrficos en una red cbica, donde h, k y 1 son los tres ndIces de el haz original. Sin embargo, debido a que los cristales estn orientados al azar
en el espacio, todas las reflexiones no quedarn en la misma direccin, sino que
Haz> de rayos
X in cide nte

,. $in difractar
I

hobeta de
Cono circular de hacel
cri5tal e n
difractados desde los
planos 100 (a 23 d eJde
d blil% sin dUraclar )
Flc. 2.10. ReUcula clblca limpIe. Espaciamiento J.nterplanl.l' nlativo pata 101 plano. 100 F'Ic. 2.11. Reflexiones de primer orden desde los plano, 100 de una :ed c.blc; dmple hipo>
110 tUca. Probeta de cristal ClI polvo
J

56 Principio. de Metalurgia Fwa

orden
,
Haz iDcidente {lOO} 2' orden
Hu lin difractar
FIe. 2.13. C:i.mau foto ..... Uiea P"O pOl.o, L 1"
de polvo .. - ... as Uleas de difraccl6n
!tiones mostradas en la Fil. 2.12 CO~'pOnden a :u ~ne.

PelJcula
2 orden
hecho de ~uecada mate,rial .cristalino tiene sus propias caractersticas de espa-
ciamiento mterplanar. ASl, mlentras que el cobre la plata y 1 " od
",j 2' la misma e t
.
t . 1- ' e oro lcnen t os
s ruc ura cnsta lna (cbica centrada en las caras), las celdas unl-
21) tanas. de. esto~ tres metales son diferentes en tamao. y, como resultado el
espaCIamIento mterpl~nat y los ngulos de Bragg san diferentes en cada c'aso.
I?ado que ca.da ~ate~a~ cristalino tiene sus propios ngulos de Bragg caracte:rs_
F:l:e. 2.12. RepresenlScin esquemtica de la cmua de Debye o de polvo. Se supone que la
neos , es POSible ldent1f~car las fa ses cristalinas desconocidas en los metales COI1
probeta es cubica simple. No se muestran todas la, reflexiones
,
J I~ ayuda de l.as refleXIones de Bragg. Para este propSito, se ha publicado un
lo harn a lo largo de la superficie de un cono que forma un ngulo de 23 0 con sI.stema de tarJetas. de registro (X-ray Dlffraction Data Index) que contiene apro-
la direccin original del haz de rayos X. En la misma manera, puede mostrarse XImadamente un mIllar de elementos y compuestos cristalinos, con no slo el ngulo
que las reflexiones desde los planos {lID} forman un con o cuya superficie hace de Bragg de cada linea de difraccin Debye-Schener importante, sino tambin su
0
un ngulo de dos veces 16 28', o 3256' con la direccin original del haz, y relativa fuerza o intensidad. La identificacin de cada fase cristalina desconocida
que 105 planos de ndices an mayores forman conos de rayos reflectados que en un metal se puede lograr haciendo coincidir el diagrama de los ngulos de Bragg
hacen ngulos cada vez mayores con la direccin original del haz. de la probeta de polvo y las intensidades reflectadas de sustancias desconocidas
Las cmaras para polvo de uso ms comn emplean una tira de pelcula con la tarjeta del ndice apropiada. El mtodo es bastante anlogo a un sistema de
larga, la Que se curva en forma de un cilindro que rodea a la probeta, como se identificacin de huellas digitales y constituye un importante mtodo de anlisis
muestra en la Fig. 2.]2. En la Fig. 2.13 se muestra una vista esquemtica de una qumico cualitativo.
pelcula Debye-Schener despus de expuesta y revelada.
2.5. E1 espeetrmetro de rayos X. El espectrmetro de rayos X es un instrumen-
Sobre una pelcula Debye-Scherrer, la distancia 2S entre los dos segmentos to que mide la intensidad de las reflexione~ de rayoS"' X desde un cristal con un
circulares del cono {lOO} est relacionada con la abertura angular del cono y como dispositivo electrnico, tal como un contador Geiger o cmara de ionizacin, en
consecuencia al ngulo de Bragg (J entre el plano reflector y el haz incidente. Asi, lugar de una pelcula fotogrfica. La Fig. 2.]4 muestra las partes elementales
el ngulo en radianes entre la superficie del cono y el haz de rayos X es igual a ,
de un espectrmetro -una probeta cristalina, un haz de rayos X paralelo, y un
SIR, donde R es el radio del crculo formado por la pelcula. Sin embargo, este contador Geiger-. El aparato est dispuesto en tal forma que giran tanto el
mismo ngulo tambin es igual a 20, y, por tanto,
cristal como el dispOSitivo medidor de intensidad (contador Geiger). Sin embargo,
28=-
s el contador se mueve siempre a una velocidad doble que la de la probeta, 10 que
O R , mantiene al dispositivo registrador de intensidad al ngulo apropiado durante ,la

S
8=_
.," rotacin del cristal de manera que pueda recoger cada reflexir. de Bragg segun
aparezca. En los modernos instrumentos de este tipo, el dispositivo medidor .d~
2R intensidad se conecta a una grfica registradora, a travs de un sistema arn~l~l.
Esta ltima relacin es imPOrtante porque es pOSible medir con ella el ngulo cador apropiado, donde se registra la intensidad de la reflexin sobre una grfica
, de Bragg. En el ejemplo anterior, se supuso conocer el espaciamiento de los pla-
nos reticulares paralelos. Se hizo esta SUPOsicin para poder explicar los principios
Tubo conlad.or..,.~
del mtodo de Debye-Scherrer. En muchos casos, sin embargo, es posible que no Geiger
se conozca el espaciamiento interplanar de un cristal, y entonces se pueden utilizar
las mediciones de los lingulos de Bragg para detenninar estas cantidades. El I
mtodo del polvo es, en efecto, una herramienta poderosa para determinar la
estructura cristalina de un metal En cristales complicados, puede que se tengan
que utilizar otros mtodos conjuntamente con el del polvo para completar una
identificacin. En cualquier caso, el mtodo Debye-Scherrer es probablemente el
mh importante de todos los utWzados para la detenninacin de las estructuras
cristalinas. Otra aplicadn muy importante del mtodo del polvo se basa en el FIe. 2.14. EspectrJnetTo de rayos X
1

58 Principio. de Mdolurg ia FicG


,
...,_ Haz ele<:tronlco

=0=,,\=== 0, Probeta

- -
Angulo e de Btagg
ImaleD. de la fuente
2..15. El espectrmetro de rayol X reghlra sobre una ~fica la intensidad reflectada COInO
funcin del n,nJ.:. d", Btagg. Cada cresta de intensidad corresponde a un plano cristalogr.i_
fico en una posicin reflectante

por medio de una pluma. En esta forma se obtiene un trazado grfico de la in-
tensidad contra los ngulos de Bragg. En la Fig. 2.15 se muestra una grfica
tpica del espectrmetro de rayos X. - - -0;';-- '-----;0; - - [2

El espectrmetro de rayos X se utiliza con ms frecuencia con una probeta


Imagen de la pfo~a
de polvo en forma de placa rectangular con dimensiones de unos 25 mm (1 plg) de
largo y 13 mm (lA plg) de ancho. La probeta puede ser una muestra de un metal FIe. 2.18. Dibujo nquemtico de un m1<::tolCopio de emill6n eleetr6up:a
policristalino, y deber observarse que, en contraste con el mtodo de De~,ye-Scherrer
donde la probeta es un alambre fino (aproximadamente 0.5 mm de dIametro), la regin se indica esquemticamente en la Fig. 2..16. En este diagrama se muestra
muestra del espectrmetro tiene un tamao limitado, lo cual hace que la probeta el haz de electrones penetrando en la probeta desde la parte superior. Este haz,
sea mucho ms fcil de preparar y por lo tanto ventajosa. Debido a que el espec- originado en el can de electrones. ha pasado a travs de un juego de lentes
trmetro de rayos X es capaz de medir con gran precisin las intensidades de re- condensadoras antes de alcanzar a la probeta. Al emerger desde la probeta, el
flexin de Bragg, pueden hacerse por este mtodo tanto el anlisis quimico cua- haz pasa a travs del elemento posterior de las lentes objetivos del instrumento. A
litativo como el cuantitativo. corta distancia de estas lentes , los rayos convergen para concentrarse en el punto
a en el plano 11 , Esta concentracin es equivalente a una imagen de la fuente.
2.6. El microscopio de emisin electrnica. En los ltimos aos ha llegado a dis- Algo ms all de este punto, se forma la imagen de la probeta en el plano 1:.
posicin de los metalurgistas una tcnica muy poderosa. EUa implica el uso del Efectos de doble imagen similares se observan en un sencillo instrumento ptico
microscopia electrnico para estudiar la estructura intema de delgadas pelcu- donde es posible formar imgenes de la fuente de luz en una posicin e imge-
las cristalinas o lminas. Estas lminas, que pueden ser removidas de muestras nes de una placa transparente u otro objeto en otras posiciones.
en bruto, son normalmente de varios miles de A de grueso. El espesor es dictado Debido a que la formacin de la imagen en el microscopi~ de e~sin elec-
,
por el voltaje al cual es operado el microscopio. El instrumento normal est trnica depende de la difraccin de los elec~ones_. es necesano conSiderar algu-
graduado a unos 100000 voltios, y los electrones acelerados por este voltaje pue nos hechos elementales sobre este tipo de difracclOn. Como se demuestra en el
den dar una imagen aceptable si no se hace la lmina ms gruesa del valor indi- C ap . 3 , los electrones no slo tienen muchos de. losSeatributos de las. particulas,
tI" tambin que la
cado. Las lminas ms delgadas, por otra parte , tienden a ser menos tiles para sino que poseen tambin propiedades ondulatonas. mos ar .
revelar la naturaleza de la estructura en el metal. Han sido desarrollados algunos longitud de onda de un electrn se relaciona con su velocidad. por la relacin
instrumentos que operan a voltajes mucho ms elevados (del orden de un mill6n
de voltios), y entonces las lminas se pueden hacer proporcionalmente ms grue- h
X= -
sas. Sin embargo, el costo del equipo es tambin mucho ms .elevado, y se dispone m'
de relativamente pocos instrumentos de stos. tr6 sa y h es la constante
donde ). es la longitud de on_da d_el elec E n, -nl es ~~ ::es'tra que la longitud de
En el microscopio de emisin electrnica; se forma el detalle en la imagen de Planck igual a 6.63 X 10- 2 , ergto seg. sta eir~~lad A mayor velocidad, menor
por la difraccin de electrones desde los planos cristalogrficos del objeto que onda de un electrn varia inversamente a su ve OCI
se est investigando. El microscopio electrnico es, en muchos aspectos. anlogo
a un microscopa ptico. La fuente de poder es un can de electrones en lugar longitud de onda. es acelerado a un potencial de 100 000
de un filamento luminoso. Las lentes son magnticas. compuestas nonnalmen~ I Supongamos abara que un electrn d na velocidad de electrn
voltios. Se puede demostrar fcilmente qu~ esto a: u longitud de onda de
te de una bobina portadora de corriente rodeada por una funda o forro de hierro or una
de unos 2 X 10-10 cm/seg y. por la ecuaCIn anten , dos rdenes de magnitud
blando. Las lentes son energizadas por corrieute continua. Una descripcin exce-
unos 4 X lO-U) cm. o cerca de 4 X 10-.2 . Esto es I un: tudiOS de los cristaJes me-
lente, y fcil de leer. del microscopio electrnico, se proporciona en el libro de
m enor que la longitud de onda promedio usad~ en OS ca espondiente diferencia
Smallman y Ashbee. 1 Para nuestros propsitos actuales nos concentraremos sobre X E t ocaSiona una n d
la parte del microscopio que contiene a la probeta y a las lentes objetivos. Esta tlicos por difraccin de rayoS . s o d deducir considerando la ley e
en la naturaleza de la difraccin. como se pue e
, Sm.uJmao, IL E. Y A,hbee. K. H . G. Modem MetuUograph". Puca.mon Pnn, Oxford, 1966.
I
U . . ....
PrlnJ:tp __ tU Metalurgia F8iclJ

Bragg. S u p6n g.,e que tratamos con la difraccin de primer orden, donde 1t = l.
Entonces, po la ley de Bragg, tenemos que
'
A=2dsenO
Si suponemos que d, el espaciamiento de los planos paralelos desde los cuales se
reflejan los electrones, es de unos 2 A, tenemos que 0,

8 ~ sen O = 0.01 ,, , Probeta

El ngulo de incidencia o reflexin de un haz difractado es as s610 del orde Hu


,I Lente. objetj."os

de 1()-4 radin, o unos 30'. Esto significa que cuando se pasa un haz de electro n ~ Hu difractado
a travs de una delgada capa de material cristalino, slo los planos casi paraJe~es
al haz puede esperarse que contribuyan al patrn de la difraccin resultante. os
Consideremos ahora la manera en qUe se fonna la imagen en el microscopio
electrnico como resultado de la difraccin. A este respecto, consideremos la Fi .
2.17. Aqu se supone que algunos de los electrones, al pasar a travs de la probet!
son difractados por uno de los juegos de planos en la probeta. En general, sl
ser difractada pane de los electrones, y el resto pasar directamente a travs
de la probeta sin ser difractado. Estos ltimos electrones formarn una seal en
la posicin a y una imagen de la probeta (0'2 - 0'1) en el plano 1 , como se
2
indica en la Fig. 2.16. Por otra Parte, los electrones difractados entral'n
lentes objetivos a un ngulo ligeramente diferente y convergern para formar una
seal en el punto b. Estos rayos que pasan a travs del punto b formarn tambin
en las
'. Imagen de la probeta

Fre. 2.18. Uso de un diafragma para seleccionar la imagen de$eada


una imagen de la probeta en 12 que es sobreimpuesta a la del haz directo. En
lo anterior se ha supuesto que el cristal est orientado de tal forma que los
electrones son reflectados Principalmente desde un plano cristalogrfico Simple. patrn de difraccin sobre el plano 1. Pronto se describir un patrn de difrac-
cin representativo.
Esto deberla causar la fOlmaci6n de una concentracin pronWlciada en el punto
b como resultado de la difraccin. Es posible tambin tener reflexiones desde cier- El microscopio electrnico est construido de tal fonna que se puede ver sobre
to nmero de planos. En este caso, en lugar de que aparezca un punto luminoso
la pantalla fluorescente del instrumento bien la imagen del patrn de la difrac-
sencillo en 11 en el punto b, se formar un conjunto de puntos luminosos o un cin ( formada en 11 ) o la imagen del detalle en la probeta (fonnada en 1~). Al-
ternativamente, ambas imgenes se pueden fotografiar sobre una placa o pelcu.
la. Esto es posible porque un sistema de lentes de proyeccin (que no se muestra)
est situado en el microscopio debajo de la parte del instrumento mostrado en la
Fig. 2.16. Este sistema de lentes se puede ajustar para proyectar bien el patrn
(71 (72 de la difraccin en el plano l J , o el de la probeta en el plano I~, sobre la pantalla
= , ,, Probeta fluorescente o emulsin fotogrfica.
, Al hacer funcionar el instrumento como un microscopio, se .pued: elegir usar

Haz directo,~~
\
," C' Lente. objetivos la imagen foonada por el haz directo o la imagen formada por difraCCin desde un
juego de planos en particular. La eliminacin del haz que s~ p~~ce por c~a~
, Haz difractado
quiera de estos dos tipos de imgenes es posib~e mediante la ms:rc~on !t
~o d~
', ,.,
\- - - / ,
fragma de abertura en el plano lJ que permite el paso a su trav s e s d~ u
los haces correspondientes, como se muestra en la F~g. 2.18. En este t la~:m:~
,, ,, se muestra el haz difractado interceptaao por el dIafragma, en tan o qrobeta
,, , , \
permite el paso del haz directo a travs de la abertu~a . CuaLando. sepe:;e~~i:'es en
f imagen de campo lummoso. s 1m
,
,, \
de esta manera, se orma una ras en esta imagen. Estas
el clista! aparecern nonnalmen~e c~mo ~reas osc~rans arencia diferente desde
\
, \ imperfecciones podran ser peque?~s lnc1USlOne~de en c:mo resultado de cierta
\
el cristal matriz, y por tanto Vlslbles en la ag d partculas ms opacas .
I
I

prdida en la intensidad del haz cuando pasa a traves e de las imperfecciones


-- O~;--- ;-----;(7; - -/2 De un mayor nteres' genera,SID
l' em bargo, es el caso en dimportante
00 .
de este npo,
Imagen de la probeta
- son fallas de la red cristalina misma. Un defecto mut capitulos siguientes, es
que ser de un inters considerable pa:ra nosotros en : za de las dislocaciones,
FJG. 2.11. Las fm'.ftlH una dislocacin. Sin profundizar demaSIado en di'~ ,natu:one implican distorsiones
le pueden fonnar en el microscopIo de eml.6n elech6nica CW1U- r .que s ocacl es
poud'iendo al haz dbe:cto
o a UD haz difractado. (Tambiln .on polibles tm'genes desde mb por el momento, es necesano . sen-al a . las ales distorsiones locales ten d ta.'n
de un haz difractado) en la disposicin de los planos cnstalinos
efectos sobre la difraccin de los electrones, e 1do d :'
a que el ngulo de incldeoCla
_ _f'"
J

62 Pri~pio.J de MettJlurgia FiBictl

entre el haz de electrones y los planos de la red alrededor de las dislocaciones Son
alterados. En algunos casos esto puede causar un aumento en el nmero de elec_ I
trones difractados, y en otros una disminucin. Puesto que se puede considerar
que el haz directo es la diferencia entre el haz incidente y el haz difrac tado, un 001

cambio local en la s condiciones de la difraccin en la probeta se reflejar por O


una alteracin correspondiente en la intensidad registrada en la imagen de la
probeta. De esta manera las dislocaciones se hacen visibles en la imagen debido I
a que afectan la difraccin de electrones. En una imagen de campo luminoso, las 0;00
dislocaciones aparecen nonnalmente como lineas oscuras. En la Fig. 4.9 se mues_
tra una fotografa de campo luminoso representativa.
El mtodo alterno de utilizar el microscopio electrnico es colocar la abertura
de manera que se pennita el paso de un rayo difractado, mientras que se corta el oliO
haz directo. La imagen de la probeta fonnada en este caso es del tipo de cam_
po oscuro. Aqu las dislocaciones aparecen como lneas blancas sobre un fondo Flc. 2.20. El patrn de difraccin
oscuro. Normalmente se utiliza la iluminacin de campo brillante, porque las
jm genes de campo oscuro estn de ordinario ms sujetas a distorsin. Esto se I corresponde a un bu;
cristal cbico dirigido a lo l ar~ de (1001 en Un

debe a que (como se puede ver en la Fig. 2.17) el haz difractado, despus de
dejar la probeta, no viaja hacia abajo del eje del microscopio. Corno ilustracin suponga 1 be
(100) sea ara!}' . mas. que a pro ta se orienta para que la direccin
Una caracterstica importante del microscopio de emisin electrnica es la ~ e a al eJe del lnstrumento. La Fig. 2.19 muestra una ro eccin
platina que sujeta a la probeta . Como se indica anterionnente, la difraccin juega ~reoff~a len la cual el eje ~onal est situado en el centro de la :ro:eccin.
un papel muy importante en hacer visibles en la imagen los defectos de la estruc-
tura cristalina. Para poder alinear la probeta de manera que pueda llevar un plano
po os e os pl~nos perteneCientes a esta zona debern caer en conse<:uencia
sobre el crculo bSICO de la proyeccin estereogrfica. En la figura slo se mues- ,
cristalogrfico a la condicin reflectante, por Jo general, es necesario inclinar t:~n los planos . de ndices bajos. En la Fig. 2.20 se muestra el pa'tr6n de difrac.
la, p.robeta con respecto. al h~z de electrones. La platina de un microscopio elec- CI n correspondiente a esta 7.ona. Los ndices de Miller de los planos responsables
tromco empleado para lnvestigaciones metalrgicas se construye normalmente de para cada punto luminoso se indican al lado de cada punto correspondiente.
manera que se pueda girar o inclinar la probeta. La caracterlstica ms imPOrtante del patrn de difraccin en la Fig. 2.20 es
Con respecto a los patrones de difraccin observables en el microscopio se q~e todos los puntos luminosos corresponden a planos paralelos al haz ele<:tr-
o~~ne un patrn de difraccin interesante cuando se inclina la probeta ~ su OlCO. Adems, corno puede verse en la Fig. 2.20 los puntos h1minosos estn indio
p ~tma d~ manera que un eje zonal importante sea colocado paralelo al eje del cados a los 100 y a los 100. Esto implica que los electrones son reflectados desde
nuCroscoplO. Cuando se hace esto, se obtiene un patrn cuyo punto luminoso ambos lados de los mismos planos. Obviamente, la sencilla ilustracin de Bragg
conesponde a los planos de la zona cuyos ejes son paralelos al haz de electrones. mostrada en la Fig. 2.2, donde el ngulo de incidencia es igual al ingulo de
reflexin, no se aplica a este caso. Las razones para esto no Son fciles de en.
001 tender. Sin embargo, estn implicados indudablemente varios factores. De cierta
imPOrtancia es el pequeo valor del ngulo de Bragg fJ, que es de unos 10-2 radin.
Otro es el hecho de que la probeta de transmisin es muy delgada, de manera
que el haz de electrones, al atravesar la probeta, ve una red que es casi bidimen_
sional. Esto tiende a relajar las condiciones de difraccin. Finalmente, el micros-
copio electrnico, con la probeta situada dentro de un sistema de lentes, no es
un dispositivo difractante sencillo. Para nuestros propsitos actuales, sin embargo,
es ms importante observar la naturaleza del patrn de difraccin que sus causas.
100 Ahora debe prestarse atencin al espaciamiento o distancia interplanar de los
oio o 010 puntos luminosos en el patrn de difraccin de la Fig. 2.20. En esta figura, la dis-
tancia desde el punto luminoso correspondiente al haz directo con la de uno de re-
flexin desde un plano {lOO} est indicada como 1010> mientras que la distancia ca-
rrespondiente a una reflexin del {lIO} es 10 11 , Como se puede deducir de esta
figura , 1 0 0 1 _ V 21 010 , Ahora debe prestarse atencin a la Fig. 2.10, donde se mues.
tra que la distancia interplanar entre los dos planos respectivos vara inversamente
a v'2. Esto indica que el espaciamiento de los puntos luminosos en el patrn de
difraccin es inversamente proporcional a la distancia intelplanar. Este resultado,
distinto a la relacin del haz incidente con los planos desde donde es reflectado,
ooi est en buen acuerdo con la ley de Bragg. En el caso plesente, donde el ngulo ,
Fu;. 2.19. E.ta proyeccin eltneop-Hica de un criltal cbico es pequeo, el sen fJ::::- 8 y la ley de Bragg reduce a
, cuyO eje zonal el [1001
mueltra 101 planos pr1nc.lpalel
nX=U9
64 Principios de Metalurgia F.siCB

o f

o=~
f 8. Por qu no hay l'eJexin enllstada en el Apndice C para los lndice. (110)?
2d Qu se puede deducir en genera} sobre las reflexiones falLantes en la tabla del
Apndice C?
Como el ngulo fJ es. peque?, la tan fJ es tambin casi igual a fJ Y debemos espe-
rar que los puntos lumInOSOS difractados sean desviados por distancias que son in- - 9. Supongamos que dos cristales cbicos centrados en las caras, cobre y aluminio


versamente proporcionales a la distancia interplanar d . respectivamente, son orientados en fOlma idntica con una cara {111} normal
al haz de rayos X en una cmara Laue de retrorreflexl6n. Habrfa alguna dife-
De lo anterior resulta claro que con el microscoPio electrnico es posible, tanto
investigar los ef~tos internos de la estructura de una probeta cristalina utilizando
rencia en la disposicin o posiciones de los puntos luminosos en las fotografiat
el instrumento como un microscopio, como determinar can un grado considerable f 1 Q.
respectivas?
Supngase que la distancia entre las probetas y la pelicu1a en una cimara u'ue
de informacin sobre las caractersticas cristalogrficas de la probeta usndolo como de retrorreflexin es de 5 cm, y que se fotografi.a un cristal de cobre con el plano
un instrumento de difraccin. Con respecto a la ltima aplicacin, los patrones de ( llI ) nonnal al haz de rayos X. Para sencillez, supngase tambin que la pe-
difraccin pueden proporcionar informacin sobre la naturaleza de la estructura licula es de forma cireular, con un dimetro de 20 cm. Sobre esta peUcula, .eria
cristaHna y sobre la orientacin de los cristales en la probeta. Adems, el micros- posible ver las reflexiones desde cualquiera de los planos {lOO}?
copio electrnico tiene un .diafragma en su alcance ptico que controla el tamao del 11. En el patrn de difraccin del Prob. lO, sera posible ver cualquier reflexin
rea que es capaz de contribuir al patrn de difraccin. Como resultado, es posible desde los planos {llO}? Si es asi, hgase un esquema a escala mostrando el
obtener informacin sobre una rea de la probeta que tiene un radio tan pequeo , patrn de los puntos luminosos.
como 0.5#. Los patrones de difraccin son, por tanto, llamados patrones de difrac. 12. En una fotografia , con una cmara para polvos , de una probeta de ni.quel del
ci6n de rea seleccionada.
sistema cbico centrado en las caras, la separacin entre las dos )lneas que
quedan ms cercanas a la posicin del haz sin difractar es 7.80 cm. Cules
planos de la estructura cristalina son responsables para estas lineas? Si el radio
PROBLEMAS de la cmara es de 5 cm y la radiacin es Cu Kcrt , cul es el parmetro de la
red del nquel?
l. La separacin interplanar de los planos {llO} en un clistal de hierro es 2.024 A. 13. Con la ayuda del Apndice C, detennfnese el dato para hacerUnun esquema c;:o
el de la Fig. 2.13 que mostrar los .primeros cuatro pares de eas en una t~
lA qu ngulo Bragg, 8, sufrir la plata, KilI' radiacin (0.558 A) reflexin de grafia del patrn de los polvos de una probeta de hierro. Supngase una c-
primer orden desde estos planos?
mara con un radio de 5 cm, una radiacin Cu Kal ( 1.537 A), y are _ 2..861 A.
2. Cuntas rdenes de reflexin son posibles cuando la radiacin del eu K , es 14. Calclese la velocidad de un electrn despus que ha sido acelerado por un
a1
difractada desde los planos {1l0} de un cristal de hierro? potencial de 100 000 voltios.
3. A qu ngu los ocurrirn las reflexiones del Probo 2? 15. Detemnese la longitud de onda de un electrn conespondiente al Prob. 14.
4. Dado que la distancia interplanar de los planos {l10} en el hierro es de 2.024 A, 16. Determinar ]a longitud de onda correspondiente a los electrones en un micros-
calcular el parmetro de la red a para esta estructura cristalina. copio electrnico de un milln de voltios. 10 elec-
Supngase que la longitud de onda de lo~ electrones en un microscop
5. Supngase que un simple cristal de plata ha sido preparado de manera q~e
una de sus superfiCies es paralela al plano {lI1} A qu ngulo con el .ele 17. trnico es de 3.9 X 10-' A, calcular el ngulo d~ Bragg ~:~ la reflexin d.
del tubo colimador deber ser inclinada esta superficie si s~ desea una refleXlQn estos electrones desde los planos {lOO} de un cns~ de d . (111) de un
de segundo orden utilizando radiacin de cobre Ka!' dado que el parmetro a de 18. Exannese la Fig. 1.34 que mues~a duna tProJ'gurecc~npol:srt :b: los ndices de
la red para Ag es de 4.078 A? cristal cbico. Qu se puede deducu e es a al centro del rea
los planos cuyos puntos Iumm . osos aparecen ms
. cercanos l (111) normal
6. Hgase un bosquejo de una celda unitaria cbica centrada en las caras. M(O~~S)' seltkcionada del patrn de difraccin de un costal con su p ano
trese que ah existe un plano (010) que queda a la mitad entre las caras
exteriores de esta celda. En trminos del parmetro de la red, cul es, P?r t~nto, al haz un
19. Hacer de esquema
electrones? ..
a escala SlrnJ!ar al de 1a Fig. 221
. mostrando el patrn de
la distancia interplanar real entre los planos {lOO} en esta estructura cnstalina? difraccin del Probo 18.
Considrese ahora la relacin
a
d = Jh1. + k + I~
Qu valores de h, k y l daran
, Ia distanCla
. .lDt erplanar (010) que se ha de-
ducido? l J
7. Volviendo al Apndice C. Esta tabla enlista los indlices ~ V~!o::ss ~~bi~:~en~
mayora de Jos planos de reflexin importantes en as, es ru u 1 fndices de
trada en el cuerpo y cbica centrada en las caras. Observese qu~ ~s 1 planos
1
la forma {220} corresponden a una r~flexin de segundo orde; n:sh:Y 0r~flexin
{l10} Sobre la base de su contestacin al Prob. 6, por qu ?
enlist~a para {lOO} en la estructura cbica centrada en la cara
- ''--- 1
.
{

Teora El
de los Metales

ENLACE CRISTAI.INO
Los slidos cristalinos son agrupados emp[ricamente en cuatro clasificaciones:
( a ) inico, ( h) de Van der Waals, ( e) covalente, y ( d ) metlico. Esta no es una
clasificacin rgida, porque muchos slidos son de un carcter intermedio y DO se
les puede colocar en una clase especfica. No obstante, este agrup3Jpiento es muy
conveniente y se emplea ampliamente en la prctica para indicar la naturaleu. ge-
neral de varios slidos.
3.1. La energa interna de un cristal. Se considera que la energa interna de un
cristal est compuesta de dos partes. Primero, hay la energia reticular U que se defi-
ne como la energfa potencial debida a las atracciones y repulsiones que ejercen los
tomos unos con otros. Segundo, hay la energa tllil.ica del cristal que est asociada ,
con las vibraciones de los tomos sobre sus posiciones reticulares de equllibTio. Esta l
consiste de la suma de todas las energias vibratorias (cintica y potencial) de los I
tomos. Con el propSito de estudiar en fonna ms conveniente la naturaleza de j
las fuerzas de enlace que mantienen unidos a los cristales (la energfa reticular U) ,
es conveniente eliminar de nuestras consideraciones , tanto como sea posible, consi-
deraciones complicadas de la energa trmica. Esto se puede hacer en forma con-
veniente suponiendo que todos los clculos de cohesi6n se refieren a cero grados
absolutos. La teorla cuntica nos dice que a esta temperatura los tomos estarn
en sus estados de energa vibratoria ms baja y que la energfa de punto cero aso.
ciada con estos estados es pequea. Por ahora, supondremos que la energfa de
punto cero puede ser menospreciada y que todos los clculos se refieren a O-K.
Al fijar las relaciones cuantitativas para expresar la cohesin de los slidos, es
costumbre trabajar con las energas cohesivas ms bien que con las fuerzas cohe-
sivas. Se prefiere el concepto de la energa porque se compara en forma ms conve-
niente con los datos experimentales. Asi, el calor de subUmaci6n y / o el calor dt.
formacin de un compuesto se relacionan ambos a las energas cohesiva.. En efe .1....
el calor de sublimaci6n a OOK, que es la energa requerida para disociar una molcula
gramo de una sustancia en tomos libres a cero absoluto, es una medida particular-
mente conveniente de la energa cohesiva de un slido simple tal como un meta1.
3.2. Cristales inicos. Los cristales de cloruro de sodio sirven como UD bueo
ejemplo de un slido t6nico. La Fig. 3.1 muestra l. estructura redcular de esta sal
I
11 ~ de Mdalurgio FictJ.

tienen propiedades fsicas muy interesantes que Son de importancia considerable


para el metalurgista. En Particular, el estudio de los mecanismos de la defonnacl6n
plstica en los cristales inicos, por ejemplo, el LiF, AgCl y MgO, han aadido mu-
cho a nuestro entendimiento de procesos similares en los metales.
3.3. La2 teora de Born sobre los nistales inicM, La teoria clsica desarroUada
por Bom y Madelung~ nos proporciona un simple y comprensible cuadro sobre la
naturaleza de las fuerzas cohesivas en los cristales fnicos . En PrinCipio se supone
que los iones SOn cargas elctricas con simetra etofrica y que inteTactan unos con
otros de acuerdo a leyes Simples de fuena central. En los cristales tnicos, estas
interacciones toman dos formas bsicas, una de largo alcance y la otra de corto
alcance. La primera es la bien conocida fuena electrosttica, o coulombiana, que
varia inversamente con el cuadrado de la distancia entre un par de Iones, o
F'IG. 3.J. Retcula del cloruro de sodio
f- ee2

que es cbica simple con ,posiciones reticul~r~s a1tema.~as OCUpadas por iones })Osi.
- '12 2

tivos y negativos. Esta retJcula puede descnblrse tamblen como dos estructuras c- donde e y e.. son las cargas sobre los iones, y r I~ es la distancia entre centros de los
bicas centradas en las caras, interpenetrantes, formadas de iones pOSitivos y negativos iones. La eerga potencial coulomhiana correspondiente para un par de iones es
respectivamente, La Fig. 3.2 muestra otra forma de retcula jnica. En este caso ei
I/J= ee2
ejemplo Jo proporciona el cloruro de cesio. Aqui cada ion de un signo dado est 'r()...
deado por ocbo vecinos de signo Opuesto. En la retcula del cloruro de sodio, el r"
nmero de coordinacin conespondiente es el 6. En la Fig. 3.3 se muestra un ejemplo El otro tipo de interaccin es una repulSin de corto alcance que OCUrre cuando los
iones se juntan tanto que sus cubiertas electr6nicas exteriores comienUln a trasla-
en el que este nmero es 4. Generalmente, las tres estructuras anteriores SOn carac_
parse. Cuando esto sucede, se producen grandes fuenas que ~os sepal'~ unos de
tersticas de los cristales inicos de dos tomos en Jos cuales ambos iones, poSitivo
otros. En un cristal inico tpico, tal como el NaCI , tanto los Iones positiVO~ como
y negativo, llevan cargas del mismo tamao. Esto es equivalente a decir que los
los negativos tienen capas llenas de electr9nes caracteristicas de los. gases. mertes.
tomos que forman los cristales tienen la misma valencia. Los cristales fnicos El sodio, al perder un electrn, se vuelve un ion poSitivo con la configuraCin elec-
PUeden ser fo?Dados tambin de tomos que tienen valencias diferentes, por ejem- trnica del nen (15 2, 2s2, 2pG), mientras que el cloro, al ganar un ele~trn, asum~
plo, DO
que CaP: Tl0l' Estos, por supuesto, forman tipos diferentes de redes cristalinas!
se ydiscutirn. la del argn ( 1s2, 2s 2 , 2p6, 3s2, 3p6). Sobre la base de tiempo pro~edlO, un tO:
con una disposicin de electrones de gases inertes puede se.r, conSiderado ,:m~tivan
Idealmente, los cristales inicos se fonnan por la combinacin de un ele- ncleo cargado positivamente rodeado por un v~lu,men eSf::~~::: e~::g:egi~~ car-
me?to metUco altamente electrOPOsitivo con un elemento altamente electrone- (correspondiente a los electrones). Dentro de los lJ~lte~ ex ten gia electrnica disponi-
gativo tal como uno de los halgenos, oxgeno, o azufre. Algunos de estos sUdos gada en fonoa negativa estn llenos todos los esta Os e ener n sin cambiar drsti-
bIes No es posible introducir otro electrn dentro de este volume d se ,'untan de
. d 1 ' Cuando dos iones de capas cerra as
camente la energ a e atomo. . t la arse se eleva rpidamente la
manera que sus capas de electrones comle)nzan a ras p dri~ decir en otra forma, los
energa del sistema (los dos iones se unen ,o, como se pofu
1 unos a otros con gran erza.
tomos comienzan a tepe erse gf tendal total de un ton simple en
De acuerdo con la teoria de Boro, la.dener ~ po resencia de los dems iones,
un cristal inico del tipo NaCI, debl a a a p
puede expresarse en la forma

E n 'esta expresin , '" es la energa potencial total del ion , 9w es su energa debida
a las interacciones coulombianas con los 'b' otros iones en el cristal, y tPa es la ener-
tambin
ga repulsiva. Esta expresin puede escn me

,.
.... 3.2. e un par
centros dgrande, adyacente
Aqu e es la carga electrnica, r es 1a distan cia entre
exponente de ordJna rio
de iones positivos y negativos (Fig. 3.4), n es un
I leItz. .,. Jlo.f Di .. ' " " __ . , s_,u~ u __
Pto. 3.3. Retcula de la eatalerfta., Zas
!,
, El trabajo de M..Born ~e5t co~pe~ld'1~1~1~.
d el Hcmdl1uch
-'~ --.-. &-ra",1IUl ' Madelung, E., b.II, fr Ph!ff'l ,
800k Co., Inc., Ne... York. 1940, PAI. 49.
/
1(} Prin.eipi06 de Metalurgia Fica

del rden de 9 y A Y B son constantes. Si ahora pensamos en tnninos de la energia reo. ' 11 EUmc'.1 I to. Mete'... 11
pote~cia1 de ~ cristal conteniendo un mol de NaCI en lugar de en trminos de un
ion simple, la ecuacin anterior se vuelve

Nz 2 e 2 A NDe 2
u= - , + ,n
donde N es el nmero de Avogadro y U es la energa potencial tota] de la red cris_ I
I NB~l
taUna. El primer tnnino sobre el lado derecho de esta ecuacin representa la energia
electrosttica debida a fuerzas coulombianas simples entre iones, en tanto que el V--
I
"
I Nz~ZA NB~l
segundo trmino se debe a las interacciones repulsivas q11C se presentan cuando U=-, +-;r
\
los iones se acercan estrechamente unos a otros. Es una suposicin bsica de la 1
tlr------------------
teona de Bom que la energa repulsiva puede ser expresada como una fuerza inversa
simple de la distancia interiDica. Mientras que la teoria cuntica nos dice que un
trmino repulsivo del tipo Be 2 /T" no es rigurosamente correcto, es todava una buena
t\ .. <1
~o ... -

aproximacin' para pequeas variaciones de T desde la separacin de equilibrio


entre tomos T". 1 "/~Nl~IJZA
/

Dentro de poco deberemos considerar en ms detalle los trminos individuales f '


de la ecuacin de Bom, pero antes de hacer esto observemos la variacin de la f
energa reticular con respecto a la distancia interinica T. Esto se puede hacer con-
I "

venientemente representando cada uno de los dos trminos sobre la derecha de la \ Distancia interat6mlca l'

ecuacin por separado. La energa cohesiva U se obtiene entonces como una fun-
cin de T juntando las curvas de los tnninos individuales. Esto se blzo en la Fig. Fu:. 3.$. Vuiacl6~ de la enercta reticular de UD cri_tal l6mco con el e5laclamlento entnl tone.
3.5, suponiendo un valor de 9 para el exponente n. Obsrvese que el trmino re-
pulsivo, debido al gran valor del exponente, determina la forma de la curva de
energa total a distancias cortas, mientras que la energa couJombiana, con menor Consideremos ahora el trmino energa coulombiana de la ecuacin de Bom, la
dependencia sobre T, es el factor de control a grandes valores de T. El factor impor- cual para un ion simple es:
tante en esta adicin es que la energa cohesiva muestra un mfnimo, Uo> a la dis-
tancia interinica T o' mientras que Toes la separaci6n de equilibrio entre Iones a
0 1{. Si se aumenta o disminuye la separacin entre iones desde T o' la energfa total
del cristal se eleva. Correspondiendo a este aumento en la energa est el desarrollo o
de fuerzas restauradoras que actan para retomar los iones a su separacin de e'A
equilibrio To' ~M = - =--:.:
r
suponiendo que estamos interesados especificamente en un cristal de cloruro ~ e
sodio donde h ay una carga unitaria en cada ion y z.~ == 1. Debido a que la en~[gla
coulombiana vara inversamente co~o la p~era fuena de la di~~::~i::t;e ~~n::
cargados, las Interacciones couloroblanas actuan sob~e grS:d:= un ion dado y sus
suficiente considerar nicamente la energa coulorohIana e . rto Al.
I vecinos inmediatos. En la explicac).6n slgUlen
. . t e puede d verse
odi
queitivos
esto aesuna
Cle distan-
.

I rededor de cada ton ne~~tivo de clo:o ha~ 6/to~,: Hea s un~ ::rga atractiva entre
cia T. Esto se puede confIrmar estudiando a 19. ..;
7/ T o en total _6e 2/T.
cada uno de los 6 iones de sodio y los ion.es de cloro i~dOas~eott~s 12 iones de clOTO
I Los siguientes iones ms cercanos a un Ion de cloro . ccl6n tre
. . d 5. La energfa de lOtera en
cargados negativamente a una distanCIa e ci ha 8 iones
12e: /Z; A continua n Ya
.'
estos iones y el i-:ln dado es, de conSlgUlente, ~ d sodio ,;s;,
d cloro a v 4T 24 tomos e
;;-.
de sodio a una distancia de v 3T, 6 Iones e b" d' un ion simple es igual a
etc. Es evidente, por tanto, que 1a en a coulom lana e .'gl'
una serie de tnninos de la forma
Pul. 3.4. Dltlancb. Interi6Dicas en la retcula del cloruro de sodio

SriIZ, F., TM Mod.ern ~ory of SoUct.. MacGraw-HlIl Book Co., Inc., New York, 1940.
,.

'AO de Metalurgia FWC4


7Z Prlntlpluo

o , ,
_ Ae =_~ [6_8.45+4.62 -3.00+10.7 ... )
flM-- r r
ener....a coulombiana, por supuesto, es igual a la suma de 1
La constante A de la 5' '6' E t. os
. d los corchetes en la expreSl n antenaI. s a sene, como se e"p_ 6
trminos dentro e ' di' __ s
.
antenonnente, no co... rge debido a .que los t nnmos no
srnmuyen en
. tamao se-
gn se hace mayor la distancia entre lo~es. Hay otros metados matemticos de sumar
las interacciones i6nicas 5 y es muy poS1~Ie evaluar la constante A, llamada nmero
Para el cloruro de sodio el numero Madeluog es 1.7476 y la energa Cau_
del
MOUT/g. l'aI
Jombiana, o de Madelung, para un ion en e c~t es, por conslgwente.
" -',

FIlO, 3.6. DlPO!o elioetnco


I
Para un ion simple, el trmino de la energa repulsiva es I
valores medidos del calor de fonnacin del NaCI partiendo del sodio metlico y el
Be' Cl 2 gaseoso en combinacin con los valores medidos de La energla para sublimar
qJR = -:-7f el sodio, la energia para ionizar el sodio, la energa para disociar cloro molecular
r
a cloro atmico, y la energa para ionizar el cloro. Cuando se consideran todos estos
En este trmino, las dos cantidades B y n deben ser evaluadas. Esto se puede hacer
con la ayuda de dos cantidades experimentales detenninadas : T no la separacin ,i valores, el valor experimental de U para la red NaCI resulta ser 182 kcal por mol.
Esta correspondencia bastante buena entre el valor medido de la energia cohesiva
interinica de equilibrio a OOK; y Ko, la compresibilidad del slido a OK. A T la para NaCl y el valor calculado con la ecuacin de Born muestra que la ltima da
fuerza re~cu~ar de un ion debida a los otros iones es cero, de manera que la ~ri una buena primera aproximacin de la energa cohesiva para un slido tnico tipico.
~eraJa d nvfu3tiv a de la energia potencial total con respecto a la distancia, que es
19u a l a erza sobre el ion, es tambin cero o 3.4. Cristales de Van del' Waals. En el anlisis final , la cohesin de un cristal
1niCO es el resultado de estar compuesto de iones ; tomos que Uevan cargas elc-

(dir=ro
d~)
=dr
d ( Ae'
- r
Be')
+ rn =0
tricas . Al formarse el cristal. se colocan los tomos en tal forma que las ener-
gas atractivas entre iones con cargas diferentes son mayores que todas las energas
repulsivas entre iones con cargas del mismo signo. Ahora consideraremos otro tipo
Puesto que ya se conoce la cantid d A l ' de enlace que h ace posible la formacin de cristales desde tomos e incluso molcu-
relacionand B . a , a expreSl n anterior produce una ecuaci6n
slbilldad es ::a Y~ci~ ~bti;me una segun,da ecuacin del hecho de que la compre- las que son neutrales elctricamente y poseen configuraciones electr6nicas carac-
a r ... r Al h e a segunda denvativa de la energa cohesiva (d2.p/dT2) tersticas de los gases inertes. Las fuerzas que mantienen unido a este tipo de slido
no aeer estos clculos la separac d ., h r':r son de ordinario bastante pequeas y de cor to alcance . Se conocen como fuerzas de
obtenerse eXperimentalmente de' las ..1 n e eqUl i rio de los iones, T O' puede Van der Waals y proceden de las distribuciones de carga no simtricas. El compo-
la constante reticular extr 1 d med.iclones de difracci6n de los rayos X de
igual a 2.Bl A. La a~.a a a OQK. En el cristal de Nael, esta cantidad es
1 nente ms importantes de estas fuerzas puede ser atribuido a las interacciones de los
compresibilidad se define par la expresin . I
dipolos elctricos.
3.5. Dipolos. Un dipolo elctrico est formad o por un par de particulas de cargas
K, = ! av I
opuestas (+ e y _ e ) separadas por una distancia pequea. llamemos a esta
distancia a. De'bido a q'ue las cargas no son concntricas , producen un ,campo el:c-
trasttico capaz de ejercer una fuerza sobre otras cargas elctricas. ASI, en la Fig.
de cambio del volumen del cru;aI es el volumen del cristal, y (aV /op) es el grado i 3 6 consideremos l y l 2 como las distancias respectivas desde las dos cargas del
La compresibilidad es as el grad cdo respecto a la presin a tempera~a constante
n
constante y o e cambio en vol . di~lo a otra carga 1 e qu e queda a una distancia T desde el centro del dipolo. Esta
a 00K. es una cantidad capaz d umen con presin a temperatura
ltima experimenta una fuerza
e evaluacin y extrapolacin experimentales
Cuando se hacen los cl ele ele
Ua que el e culos bosquejados 1 F= - / 12 + /2 2
de este e X))Onente de Bom para la red d en os prrafos anteriores,6, 7 se ha-
reahnente~nte. la energa cohesiva CalCule~ cloruro de sodio es 8.0. En trminos ! Se demuestra fcilmente que, si la distancia T es grande relativa a la separacin
de Na+- !energfa de formacin d
, en lanDa de vapo
a a es 180.4 kcal por mol. La ltima es
e un mol de NaCl 61' del dipolo a, la expresin anterior es equivalente a
lalmente medir e _r, y un mol de iones Cl- s Ido partiendo de iones
, sta Cantidad en fOlma directa gaseoso. No es posible experimen- 2elQ cos8
Slaler, J. c., lflhod ' pero puede ser evaluada desde los
F= -e
Slaler, J. C Ph k~ to ChemicaL Phym.
r'
, Sell%, F., M;<U':T~:e-vi.ew, 23. (924), Pr: !,!~raW-Hill BOok Co., Ine., New York, 1939. d
En esta ltima, r es la distancia des e e
l di l
PO? a .
la posicin de la carga simple
E tumbre llamar e a
ry /lf Soli4 . MeGraw_Hlll Book e e, y 8 es el ngUlo entre el eje del dipolo y la dlrecCl6n T . s cos I
D., Ine., New York, 1940, P:ig. 80.
~~----------------------------------~--7

14 Princiyitn de Mf!talurp Fws

las cargas del dipolo y momento del dipolo a la distan .


--..lucto de una de . distan . L . Ca
_1
;u y........ d 1 di lo. Deslgnemos esta C13 como p. a lOtE:Dsidad d
entre las ca~gas (fue :sobre una carga unitaria ) debida a un dipolo Puede el
en la posicin del segundo tomo, el cual, a su ve'Z., induce un momento de dipolo en
campo elctriCO e ser el ltimo igual a
escrita ahora como
Il = aE
E_llCos8
- r' donde l' es el momento del dipolo inducido, a es la polartz.abUtdad, y E es el campo
en el t~mo de la derecha debido al momento del dipolo en el tomo de la uquierda.
al d era que el campo de un dipolo vara como el cubo inverso de la Consideremos primero la fuena ejercida por el dipolo de la izquierda sobre el
I~ cu . em~eslTas
dIStanCIa, mlen que el campo de una carga simple vara segn el c uadrado de la derecha, la cual se puede evaluar de la manera siguiente: Supongamos, como
inverso de la distancia. se inetica en la Fig. 3.7, que el dipolo inducido en el tomo de la derecha es equiva.
3.6. Gases inertes. Volvamos a considerar a los tomos de los gases inertes tales lente al par de cargas -e' y +e' separadas por la distancia a'. De acuerdo con esto,
el momento del dipolo inducido es e'a'. Ahora dejemos que E sea la IntensIdad de
como el nen o el argn. Los slidos fonnados por estos elementos sirven como pro- campo debida al dipolo instantneo sobre el tomo de la izquierda a la carga negativa
totipo para los cristales de Van der Waals lo msmo que los cristaJes de los halogenu_
ros alcalinos ( NaCI, etc.), son el prototipo para slidos inicos. Es interesante que
eUos cristalicen (a bajas temperaturas) en el sistema cbico centTado en las caras.
,
I
(-e') del dipolo inducido. El campo correspondiente en la posicin de la carga
positiva (+ e') del dipolo inducido es E + dE / dr a'. La fuena total sobre el dipolo
inducido debida al campo del otro dipolo es:
En estos tomos, como en todos los otros, hay un ncleo cargado positivamente
rodeado por electrones que viajan en rbitas. Debido a sus estructuras de capas COm- , ,( dE ,) " dE dE
pactas, podemos considerar que durante un periodo de tiempo las cargas negativas f= - eE+e E+ dr a =ea dr = ~/
dr
de los electrones se distribuyen alrededor del ncleo con simetTia esfrica completa. ,
E1 centro de gravedad de la carga negativa sobre la base de un tiempo promedio , Sin embargo
r
en consecuencia, coincide con el centro de la carga positiva sobre el ncleo, 10 que Jll=o:E
quiere decir que los tomos del gas inerte no tienen momento de dipolo promedia.,
sin embargo, tienen un momento de dipolo instantneo porque sus electrones, mo- por lo tanto
vindose aJrededor de los ncleos, no tienen centros de gravedad que coincidan ins-
tantneamente con los ncleos . dE
f = aE dr
. U. Dipotos inducidos. Cuando se coloca un tomo en un campo elctrico exte-
pero, en general , el campo de un dipolo es proporcional al cubo inverso de la dis-
nor. ,sus electrones, en general, son desplazados de sus posiciones nonnales relativas
a~ nucleo. Esta mstnDucin de la carga puede considerarse equivalente a la forma- tancia, o
~In ?e un dipolo dentro de un tomo. Dentro de lmites, el tamao del dipolo
mduCldo es proporcional al campo aplicado, por lo que escribiremos

J1. = o:E , E sto nos conduce al resultado


I ,
do:: lo, es el momento del dipolo inducido, E es la intensidad del campo elctrico, ~ d ~ ~
y una constante conocida como la Polarizabilidad f ~ ex ,-3 dr? ""'" ex "
Cuando se unen dos tomos d e . .'. bd a las interacciones dipolares se
(debido a su movimiento I t i gas merte, el dIpolo Instantneo en un tomo La energa del par de tomos de g~s i.nerte de I a
interaccin mutua entre l~e~tr n ca) es capaz de inducir un dipolo en el otro. Esta puede evaluar ahora en la fonna sigUiente:
mismos. La Fjg. 3.7 rePIesenta 7oSproduce una fuerza de atraccin neta entre los
,
DIente tomos de argn)
l d
amo e la izquierda pos
os tomos de gas inerte de la misma clase (posible-
separados por la di t .
s anCla T. Ahora supongamos que el
I ~~
~
r
f
Jl 2
r
Jl 2
o: -::r dr -:::.. o: f6

miento de los electrones a1:d::a m:~en~ de dipolo instantneo l' debido al movi.
er -a de Van der Waals entre un par de
Por 10 tanto, puede observarse que la ~ gl d" 1 s varia con el cuadrado del
r e nucleo. Este momento prod~cir un campo E .
tomos de gas merte de bda l
a interacciones
.. lpOd are dstancia de separac"on,. es
d I la sexta pOtencia mversa e su 1 l Sobre
momento del lpO o Y l drado del momento del dlPO o.
significativo que la fuerza vara como e cua del dipolo para un tomo de gas
,I un perodo de tiempo, el promedia del momen ; d no es igual a cero Y es sobre
El cuadrado de esta can t 1 a
inerte debe ser cero. . los tomos de gases inertes .
esta base que pueden mteractuar d los 6.tomos de un
Td d gas inerte Cuan o W al
Alcmo con l2!.omento de 3.8. La energa reticular de un so. ~ o e ilibrio, ia
atraccin de Van der a s
dipolo in,u.DU.IIeo , Alomo con momento de
dipolo indUCido 1-'", ~ .. {
rdo de gas raro tienen su separaclOn ~e equ
s 1 fuerza repulSIva Esta u
' ltima es de la misma naturaleza
se --Auce
es contrarrestada por una .. debe a la interacd n que
... 1-'........
F)c. 3.1. fnteraccin
dipOiO-dlpOlo 1 que la que ocurre en los cristales 1 rucos Y se
f!D . .
de 'tomo. de ga. inerte
I
-
,. p',.A....,I--
"."' tk Meiel,,yic FiIka
rec,,'c ni ",'e' 4e &o. .Ih.. ", 17
do ,
comlf'oun__ "P"_O c.pas compactas de electxones. En oon"'ec
tToP'.......... __ uencia o

~energ~ cohesiva de un slido de gas inerte puede expresarse en la forma


A B
U=--+-
,. r n
daode A. B, Y son constantes. Se ha dem~ttadoS que si n es igual a 12, la ecuacin
an"'ot se correlaciona bien con las propiedades observadas en los slidos de ga
ratoS. El primer trmino a la d~ha .rep(es~ta la energa total para una mol :
cristal causada por las intera~ones dipoJo--di~Io entre todos l~s tomos del slido,
Se puede obtener calculando pnmero la eneIgt.a de un tomo sunple ocasionada
sus interacciones con sus vecinos. Entonces se suma esta cantidad sobre todos r;orS
tomos del cristal. Los clculos son demasiado largos para nuestra conSideraCiO
por lo tanto no se discutirn aqu. El segundo trmino en la ecuacin anterior es
energia repulsiva moJar.
r' a
CA'

Como pncIria suponerse de la naturaleza de segundo orden de la interaccin d


Van der WaaJs, las energas cohesivas de los slidos de gases inertes Son bastan:
~eas. s~do del orden d~ 1/100 de la~ ~~ los cristales inicos. Los gases raros CS'
aenen tamblen puntos ~e fuSin ,Y de ebulliclon muy bajos, lo cual era de esperarse
a. la luz de sus pequenas energtas co~vas. La Tabla 3.1 proporciona estas pro-
F'lc. 3.8. ( A )
Moelo de Oebye de UD
c:ri5u.l c6.bko dmple _tnndo ",mtl~h~,:t_~'.~.=:'~':tn~.~ mm~'MM
unida a rus vecinos por medio de . EkI.tes.. (B) UD mocIe'" de cri_el DDJd1m "d ..1
piedades para los elementos de gases mertes, con la excepcin del helio.

TABLA 3,1. ENERGIAS COHESIVAS EXPERlMENTAT .ES.' PUNTOS DE FUSION con....'-dero qu tanto podria vibrar una disposicin de esta esl ecie. Para sbnpl;l6car
y PUNI'OS DE EBULLICION DE WS ELEMENTOS DE GASES INERTES la pIe sentacin, se considerar un cristal lIDjdjmmsional, como se indica en b Fig..
3.8B , Y siguiendo a Debye, se ignorar la existencia de las vbndooes re.ticul.a.res
longitudinales debido a que san de menor significado. Los modos de vibradlm de tal
disposicin son anlogos a los de las ondas estaoonarias que se puedeu producir
en un resorte. En la Fig. 3.17 se muestra un juegO de estas Ultimas. En un resane
sencillo, el nmero de armnicas posibles es tericamente infinito, ., 00 existe limite
inferior para las longitudes de onda que se podran obtener. De acuerdo con DehJe,
esto no es cierto cuando se hace que vibre una serie de masas conect:adas por
resortes. Aqui, como se muestra en la Fig. 3.9, la m nima longitud de onda o el tJlOdo
de frecuencia mixima se obtiene cuando tomos "tcinos vibran 1100 contra obo.
Como se puede ver en el dibujo, la longirud de onda minima ~lieslX'Ude a dos
veces la separacin entre tomos, o ~III = 24, donde a es la sepancilm inreratmica.
La frecuencia vibracional (mxima ) asociada con esta longirud de onda es
. ~.t. lA b 2 7 aria de Bebye La ene
pa ~a cuando VlDran los ' Atamos rga de punto cero de UD cristal es su ener-
lu eDergias cohesivas terica y ~ sus estados de energa ms bajos . Cuando JI
m
=_
X
~~ de OK, esta mt:iga, que ha sido ental ~ comparan a una supuesta tempeta.
::,ta:" otros tl minos. En un slido t/:;:I;:ada previamente, debe ser incluida
donde v es la velocidad de las ondas sonoras ms cortas. Esta ltima es norma)
mente del orden de 5 X 1()$ cm/ seg. Al mismo tiempo, la separadn inteuJwlca
baci6o. : :t!tomo. A cada uno de estos grados ~ ~ay b:es grados vibracionaJes de
I en los metales es de linos 2.5 A, por lo que
de N ' ~ que baya bes modos e puede asignar un grado de vi
D atornos ~ equivalente a 3H CE .jlacionpc1r atomo: Se considera que un cristal
5 x lOS O" 'bl
PjU!ero~anuento bsico que llev a De es de vanas ltecuencias . vm = 2(2.5 x 10-&) = 1 VI seg
ttan aPrOri!:d':PllSO las que: fuerzas de in~~:O~tas conclusiones es el siguiente.
uno _____ IIEllte equivaleqtes a un ....., ___ ~ entre un par de .tomos vecinos
............... 000 se tendri &_llC Un al E .
duciri:
':a~u~n~a "l~. L.........d contraria a el efecto de celUrL.lmnn...;:. e , mpuJando a los tomos
el resorte al
de lev20>. Sobre esta ba~. De haa>do, ~e. pro-
<"nO unaou_.."-:
el.......
di _ . '
....b actuaria para iegresar a los !'
re COIlcluy ....mos a sus poslClones
ici6n tri dfl+hs1onal...!_ que se podra considerar a toda la red
--_IVo lIIl - ' __ \IIC masas in-
_

.
, " , ,' ,
a .. \IIC~_ ti
1

__m_.
"-UaLiIU "'-'''00 .',
es parea de ICiO
_ ....... o.lectadas
cada .;_~
- -.uBIO se mantendria
po. -
.. ~-.. u:;"'. En
el .
: ~ l?'Id-J , J. E... ,.. '~II, t itea, QJeil") se incHca en la Fig. 3.BA. A :nrin::
E. L ,. Jo E. C. O., Re, L~:S~':'-- efl. , &. 3.8. Me') 1M ~
b 1
de mbjm.f+ ' 1:0
- -~
. - J~ .... - d j . , +:6n de- + 'nn MI s

2.... pt, (lIIS7), Pie. 518.


/ -
;8 Principio' de Metclurg1a Fica
Teorio !:Iementol de len Melolu 19
El valor..... -
para representar
10 13 'b/seg se emplea con frecuencia en los clculos sencill
la :cuencla vibradoDa! de un tomo en un cristal. Puesto
'sos de ordinario acerca de un orden de magnitud (facto
1
q: Esta cantidad se debe aadir normalmente a las energlas cohesivas determinadas
experimentalmente (Tabla 3.1) al compararlas con las energias reticulares est-
estOS clculos son prec . al maXlma
el so de la frecuencia vi braCIOO .. para e I promedio d ' ticas calculadas, La correccin debida a la energa de punto cero es de cerea
de 10 ) nicamente, u . I . ,
. al no ocasiona prob emas senos. del, 31 % o una 0.14 kcal por mol en el caso del ne6n,'0 por lo que la energa
frecuencia vibraCJon
. d nto cerO. En las ondas estacionarias, tales como las in. reticular U o deber ser de unas 0,59 kcal por mol ms bien que 0.45 kcal por mol
F' 3 17 el orden de la ann nica cOrTcspond e al numero
3.10. La enerva e pu
de mi- como se muestra en la Tabla 3,}. La importancia de esta cOIlecdn disminuy~
dicadas en la. d,gd' .
tades de IODgJtu e on
da en el parrn de las ondas estacionarias. Obsrvese qu,
. di 1 .
segn se eleva el nmero atmico del elemento de gas raro, de manera que para
Xe llega a ser alrededor del 3%.
. 39 d d, hay cuatro tomOS, hay cuatro me as ongltudes de onda
cnlaFlg , on 'b 61 '
y este sis~~a de cuatro tomos ser cap,a z de Vlh'"b'nN s o di~uatTo ~odos. Eu 3.11 . Trminos dipolo-cuadrupolo y t:uadrupolo-cuadrupolo, La energla atractiva
dis""""'icin lineal de N z atomos, a r o: me as longItudes de de Van der Waals es ocasionada por una sincronizacin del movimiento de los
el caso d e una I""'~. . ' Put Que ,.
onda cuando la disposicin VIbre ,a ,su frecuencIa ~ xuna. des 0N esta ltuna electrones sobre los diversos tomos de un slido. Como una primera aproximacin
. -,ponde a la annomca N ~ ava, el SIstema ten r . ~ modos de vi- puede considerarse que esta interaccin es equivalente al desarrollo de los dipolos
f recuenaa COu.. ,
bracill transversos en el plano vertical, el cual es el plano de vlbracln supuesto sincronizados sobre los tomos, El conjunto de las interacciones dlpolares a travs
en el dibujo,
del cristal conduce entonces a una energia atractiva que varia como la inversa de la
En un cristal tridimensional de N tomos, cada tomo en el interior del cristal sexta potencia de la distancia. En reahdad, las distribuciones de cargas complejas
uede sufrir vibraciones transversales en tres direcciones independientes, como se que existen en los tomos reales no se puede representar con precisin describin-
~uede deducir examinando la Fig. 3,BA; Y por un razonamiento similar al anterior, dolas como dipolos simples. Los tratamientos mecnicos modernos del cuanto em-
es posible demostrar que hay 3N modos de vibracin transversal plean generalmente una expresi6n para la energia atractiva de Van der Waals (ex.
presda en trminos de un ion simple) del tipo
En un cristal lineal, tal como el implicado en la Fig. 3,8B, la densidad de mo-
dos vibracionaJes es la misma en cualquier intervalo de frecuencia dI'. Sin embar-
go, en una disposicin o cristal tridimensional los modos vibracionales son tridi- $(r)
e, e,
= - ( r6 + ,a
el)
+,10
mensionales, y la multiplicidad de patrones de ondas estacionarias aumenta con
el aumento de frecuencia, Como resultado, en el caso tridimensional el nmero de donde cl' c::!' Y c 3 son constantes. El primer ttlllino de esta expresi6n es la interac'
modos que poseen frecuencias en el orden de v a v + dv es dado por ci6n dipolo-dipolo ya considerada, El segundo tnnino en la octava potencia inversa
de la distancia se denomina t. litina dipolo-cuadrupolo porque la interacci6n de un
9N dipolo sobre un tomo y un cuadrupolo sobre otro inducir a una energa que vara
f(v)dv = J v' dv segn la oc tava potencia inversa de la distancia. Un cuadrupolo es un doble dipolo
vm
consistiendo de cuatro cargas. El ltimo trmino, variando segn la dcima potencia
donde fe,,) es una funcin de densidad, N es el nmero de tomos en cristal "es inversa de la distancia, se denomina trmino cuadrupolo-cuadrupolo. Es, en general,
la frecuencia vibracional de un oscilador, y 'm es la frecuencia vibracional m~ma. pequeo y alcanza a menos del 1.3 % de la energa atractiva de Van der Waals total
La Fig. 3.10 es una grfica esquemtica de la funcin de densidad de Debye para todos los slidos de gas inerte. u El trmino dipolo-cuadrupolo, por otra parte,
te,) omo una, funcin de . El rea bajo esta curva desde v = O a v = Vm es es aproximadamente igual al 16 % de la energa atractiva total , indicando que,
19ual a 3N, numero total de osciladores. De acuerdo con la teora cuntica la I mientras el trmino dipolo-dipolo forma la mayor parte de la energa atractiva de
e~rgia de punto cero de un oscilador es h,/2. La energa vibracional total' del Van der Waals, el segundo trmino es tambin importante,
cnstal a cero absoluto es, por tanto,
3.12. Cristales moleculares,Muchas molculas fOnDan cristales que se mantie~
"m nen unidos por las fuerzas de Van der Waals, Entre stos estn el N:!, el H~, y e
I E,=f J(v)hvdv=~Nhvm eH . molculas covalentes tpicas en las cuales los tomos comparten electrones d:
0, 28 val~~cia para obtener efectivamente capas compactas para cada tom~ en la ~Ol
cula Las fuerzas de atraccin entre tales molculas son muy pequenas Y de or-
I den 'de las encontradas en los cristales de gases inertes .
I . f ' olculas apelares que
,,I Las molculas mencionadas en el parra o anterlor son m
I
.
n ntes Asi la fuerza atractiva en e
tr dos mo-
, no tienen momentos d lpo ares petma e ',' . de los movimientos de los
lculas de hidrgeno viene en gran parte ~el smcr~msm~polares instantneas. Ade-
f .)
iI electrones en las dos molculas , o de las mteraCClones 1 ( H O) las cuales
I ,
I,
t ms de stas, hay tambin mol~ulas p~l.ares, ta1e:nco~ro d: ~i~~OS ~nn'anentes es,
poseen dipolos permanentes. La mteraCClon e;tre .p d cidos Esto conduce a un
I
I
I
en general, mucho ms fuerte que entre
l
enlace mucho ms fuerte (enlace de Van der aa s en su
W
~s)Ul u s ~spectivos cristales con
entes
I los puntos de fusi6n y de ebullicin ms elevados correspondi '
FIo,3.10. El:PlLbo de la free,. '"da
"
".
de un cri_a1 de acuerdo con Debye. La frecuencia
1a:r ~t:lcu-

I
t. lbid .
--
mhjm . . .
'. " lbid.
/

80 principiDs de Mefalurglo

. . de la teora de 80rn sobre cristales. jnicos, En los slidos de TfloMQ EltrnflA(al Ik lo. Mfl(alfl. 81
3.13. He{IDamleDtos 'derados en la seccin antenar, las fuerzas de Van d
moleculares cansl . E fu "
gas inerte y rdial de la energa cohesiva. stas erzas existen en Oh dtomo de carbono lleva cuatro electrones de valencia dentro del cristal El .
ace debido a otras causas es fuerte slo pueden contribu~
dI numero
waals
. son la cuando
fuente Plrlmenl
e lt e coor naCI'6 n de i a estructura del diamante es tambin cuatro, como. se muestra
slIdos, pero. en la Fig. 3.11. Ahora, si un tomo de carbon o dado compane uno de sus cuatro
peq uena hace16n d la energl'a de enlace total. Esto es generalmente cierto
e . I ha!
conI una os . electrones de valencia con cada uno de sus cuatro vecinos , y stos corresponden
, tales imcos aungu e algunos tipos semejantes da I os ~ ogenuros de pla'a
a su vez, el tomo de carbono, C<lmo resultado de este reparto de ocho electroofls
en os e t Der contribuciones . de Van der Waals de m s e 10 70. Los halog .....
d enu wS lograr la configuracin electrnica del nen ( h 2, 2s2, 2pt1). En este tipo de crislal
pueal'enos ecomo puede verse en la Tabla 3.2 tienen energas b de Van ' der
. Waals que
al es conveniente pensar con frecuencia en los pares de electrones que Son cOmpartld~
C. In n rcentaje de la energa total. Esta ta la es de mteres particular
aSCienden a slo u po 'b c'n de cinco trminos a la energa reticular total. La entre los vecinos ms cercanos como que constituyen un enlace qulmico entre un
""'ue enlista la contn u 1 '. I . par de tomos. Por otra parte, de acuerdo con la teoria de las bandas de los slld?s,
po.,
d i e gi Madelung , o el primer ternuno en a ecuaCIn simple
acolumnaeaenra los electrones no se fi jan a enlaces especificos, sino que se pueden lntercamblar
pruner La segund aes la energa repulsiva causada por.el
deBom d Vde las
. traslape d capas de entre enlaces. As!. , los electrones de valencia en un cristal de valencia pueden ser
.
Iones .
compactas. L as columnas tercera y cuarta son tennmos
nl' I e an er Waals: considerados como p ertenecientes al cristal como un todo.
dipolo-dipoIo y dlpO Iouadrupolo
- c . La quinta columna e. lsta I das energ' as de PUnto , El enlace asoci ado con estas covalencias, u homopolar, conocido como enlace
cero 1ti. energla de vibracin de los tomos en sus mveI es .e energla ' ms bajos. qumico, es muy fuerte, por 10 que la energia cohesiva de un sl1do tal como el
'
Finalmente, I a l"un a columna corresponde a la suma de os CInCO t nnmos, la cual diamante es muy grande y , de acuerdo con este h echo, los slidos de valencia son
debe ser igual a la energa interna del cristal a cero grados absolutos y a presin de ordinario muy duros y tienen puntos de fu sin elevados.
cero. Este enlace covalente es responsable tambin de la cohesin de mu ch as molcu-
las bien conocidas, por ejemplo, la molcula de hidrgeno. Se puede obtener una
TABLA 3.2.. CONTRIBUCIONES A LAS ENERGIAS COHESIVAS DE CIERTOS idea de cmo se desarrolla la energa de enlace mediante una consideracin ele .
1
HALOGENUROS ALCALINOS' mental de la mol<:ul a de bidrgeno. El estado ms bajo de energia atmica est
asociado Con la capa l s. En este estado se pueden acomodar dos electrones, pero
Criltal Madelung Repulsiva Dipolo- Dipolo- Punto Total
slo si stos tienen movimientos de rotacin (sp ins ) opuestos. As, un tomo de bello
balogenuro dipolo euadrupolo no excitado tendr ambos electrones en este estado, pero slo si los vectores de
alcalino "ro
rotacin de los electrones son opuestos. El hecho de que dos electrones puedan OCupar
el mismo estado de cuanto, slo si las rotaciones son directamente opuestas, se conoce
LiF 285 .5 -44.1 3.9 como el principo de exclusin de Pauli. Ahora supongamos que se hace que se acer-
0.6 -3.9 242 .0
LiCI 223.5 - 26.8 5.8 quen dos tomos de hidrgeno uno al otro. Entonces hay dos casos a considerar:
0.1 -2 .4 200.2
LiBr 207.8 -22.5 5.9 cuando los movimientos rotatorios de los electrones (spins). sobre los dos tomos
0.1 - 1.6 189.7
Lif 188.8 - 18.3 6.8 0.1 - 1.2 176.2 son paralelos y cuando estos movimientos son opuestos. Consideremos primero el
NaCI 204.3 -23.5 ltimo caso. Segn se acercan los tomos ms y ms, el electrn de cada tomo
5.2 0.1 - 1.7 184 .4
KCI 183.2 -21.5 7.1 0.1 - 1.4 167.5 comienza a encontrarse en el campo de carga del ncleo del otro tomo. Como el
RbCI 175.8 -19.9 movimiento rotatorio de los electrones es opuesto, cada ncleo es capaz de contener
7. 0.1 - 1.2 162.7
C.cl 162.5 - 17.7 11 .7 0.1 - 1.0 ambos electrones en la fase de mnima energia 1s. Bajo estas condiciones, hay una
15 5.6
Tod gran probabilidad de que, los electrones cambien sus fidelidades de un ncleo de
lo. valore. dado. lJe eXpresan en kilocalorlas por mol. Reproduc:ldo con penmlo de
~ Mod~
OS
ThIWTy
N_ York, PA,. 88, o,
Salid. por Seitz, F. Registrado en 1940. McGraw-Hill Book Company, Ine.,
hidrgeno al otro y la molcula de hidrgeno se vuelve un par de iones cargados

3.14. Enlace covalente y metlico. Tanto en los cristales inicos como en los
de gas inerte que han sido considerados, stos se forman de tomos o iones con
configuraciones de electro d .
que los electrones estn Jinesd e fcapas compactas. En estos slidos se conSIdera
. .
cnstaJ. DebIdo a este hecho ga 1 os61'duertemente
". a sus respectivos tomos dentro del
terpretar en tnmnos . de las' ley
os S d1 OsI lomcos
f" y de gases raros son ms fciles de in-
'6 n para calcular las proped
preclSI es de af'lSlca clsica. Slo cuando se necesita mayor
J..~ moderna de 11 a es. .Slcas de estos cristales se n ecesita volver a la
Inlerpre t aCI'6 n m.o.;,

' o~a
u , s'lO em bargo es e s e nacmecaruca
tJicos En cad 'd
a 1 . del cuanto. El cuanto , o mecnica ondula-
I para estudiar el enlace en cristales covalentes o me-
valencia a uno e ~stos cristales, el enlace est asociado con los electrones de
que no se conSIdera est l d .
en los slidos En tr
C<lmpartldos e~tre
produce una confi
:to al b n ga os pennanentemente a tomos especficos
as p ; r: , e~ ambos slidos, los electrones de valencia son
s
mas. n os crutales de valencia, la reparticin de electrones
E.truetura del diaID.aJlte. Cada taPlO de carbono est
- ' .. 3.11.
"''''
rodeado por cualro .............
la JDisma. que la. de la bl en
d.a.
o
esfalmta ( ZnS ), Fil;.
doI:
I
totipo de esta fO:ar~Cj6~ de capa co~pacta para cada tomo en el Slido. El pro-
mas cercano.. NotA: e.la tltruetura. e, tiene una ctase de tolDO' en lu,ar de
3.3, excepto qne esta J"eCI con . (N del T .)
e c stal es el dIamante, fonna alotr6plca del carbono. Cada !" . . n e.pf,. del thDUno Jn,I!!. ~
En alguna.. obras fe utiliza la. eastellaruuci6 .
-
82 principio.! de Metalurgia Fsica

ativo Esta estructura es inestable, especialmente cUand


'tivo Y el OtTO neg . d ' o
_uno pOSl e.-
de hidrgeno es .JI
muy separados ; como pue e estimarse de la ener 1
6 . . ga
los tomoS p:lr de iones de bIdr geno, uno pOSItIVO y uno negatlv
requen'd apara l )unu A la distancia nonna1 de separac16n de los tomos o
formar
( - 295.6 kcal por 'dffiO' existe la estructura inica por perlodos de tiempo li~? Movimiento
lcuJa de hl r geno, 1 d :;'1 '1.Ll-
una m o . J dedor del 5% de la energ a e emace tota1. 12 ~tOriO panlelo
lados Y contrIbuye con a re del electrn
ones intercambian ncleos simultneamente OCurre un in-
Cuando ambos e lee tr ucho ms importante. E 1 cam b'10 Tesu l tante d e electrones
teTC
ambio de electrones m l 'd
los ncleos lo cual se produce a una gran ve Del ad, se conoce
,
de un lado a otro entre , -b al d d d l
efecto Tesonante Y se le atn uye re e or e 80% 12 de la '- r- ~vimiento
comnmente como uni molcula de hidrgeno_ Con l a ayu d a d e l a mec mca ' cun_
r"......., rotatorio opuesto
do! ele<:un
energa de en l ace de a l l
ccua 1 do la energla de enlace total de una mo cu a de hidrgeno y , , ,,
DIstanCIa mletalm,ea, r
ticaseha al .. ' prof un d o so b re l a energa de'
. l d ha obtenido un conoclmIento mas
como resu ta o, se ' ' Flc. 3.12. Ener,ia de Interaccin de iones de do. 11omol de hldrrceno
'd con este cambio de electrones. La mec mca cu nhca muestra que ;
enlace asocIa a l '6 l '
'
en promed10, os l electrones gastan ms tiempo en a reg n . entre os dos protones
I, que en los 1ao d S le,'anos de los protones '.Desde un punto de Vlsta ~
elemental,. podemos rbitas electrnicas norm ales se distorsionan mucho, o el segundo electrn se mue\'e
considerar que el enlace de la molcula de hIdrgeno resulta de la atraccin de los de~?,o de un estado de energa ms elevado, tal como '25 1 En cualqUier caso la
ncleos con carga positiva a la carga negativa que existe entre ellos. umo:- de dos tomo~ de hidrgeno con electrones que tienen movimientos paral~los
Debe prestarse atencin a la interrelacin entre espacio y tiempo implicad a en ocasIOna una elevaCIn en la energa del sistema. De esta manera no se puede for-
esta discusin concerniente a la posicin de tiempo promedio de los electrones. Estas mar una molcula estable. Esto se muestra en la Fig. 3.12, donde la curva superior
ideas se expresan normalmente en trminos de espacio de fase. Este es un sistema representa la mo~cula de hidrgeno con movimiento rotatorio paralelo y ambos
electrcmes en rbuas ls. La curva inferior es la de electrones con movimientos ro-
coordinado que incluye tanto las posiciones de las partculas como sus momentos
tatorios opuestos, y se puede observar que esta energa contra la curva de distancia
(esto es, velocidades). De esta manera, para una partcula simple Ubre de moverse
tiene un mnimo pronunciado, indicando que en este caso se puede formar una
a lo largo de una direccin simple (el eje x) habr dos dimensiones en espacio de molcula estable . Obsrvese que las curvas de la Fig. 3.12 representan la energa
fase ; su posicin a 10 largo del eje, y su momento. Para n partculas capaces de mo- total de la molcula de hidrgeno a los valores correspondientes de T . Ademas de la
verse en una sola direccin, habr 2n dimensiones lineales en el espacio de fase energa inica y la de intercambio o resonante, hay otras interacciones electrostticas
asociado con estas partculas. Estas son xl' x~, . .. , x n> las posiciones de las partcu- ms complicadas entre los dos electrOnes y los dos protones. Estas contribuyen al
las; y PI' P~, ... , P n, los momentos de las mismas. Para partculas capaces de 15% restante de la energa de enlace de la molcula de hidrgeno.
mover<=e en tres dimensiones, habr 6n grados de libertad y en consecuencia un
Los electrones de valencia tambin son compartidos entre tomos en un cristal
nmero correspondiente de dimensiones en espacio de fase.
metlico tpico. Aqu, sin embargo, se les ha considerado mejor como electrones
Un teorema importante en mecnica estadstica relacionado con el asunto del libres y no como pares de electrones que forman enlaces entre tomos vecinos. Esta
espacio de fase enuncia que el promedio de posicin y momento en el espacio de fase diferencia entre un metal y un slido covalente es probablemente un asunto de grado,
coincide con el mismo promedio en un tiempo infinito. Como un ejemplo de la apli- pues se sabe que los electrones de valencia en un slido covalente se pueden mover
cacin de este teorema, considrese 10 siguiente. La energa de un juego de partculas de un enlace a otro y as son capaces de moverse a travs del cristal. Se mostrar
es una funcin de sus posiciones en el espacio y sus momentos (velocidades). La ms adelante que la teora de la zona o banda de los slidos es capaz de explicar
energia promedio se puede calcular promediando un nmero limitado de mediciones en forma adecuada la diferencia entre un cristal de valencia y uno metlico. Sin
de posicin y velocidad. Entre mayor sea el nmero de estos juegos de lectura que embargo, por ahora, supongamos que en un metal los electrones de valen~ia son
se to~en, ms cercano resultar el promedio real. Por otra parte, las posiciones y capaces de moverse a voluntad a travs de la red, en tanto que ~n un cnstal de
velOCIdades son tambin u na f unCI' n de tiempo.
' En consecuencia su s energ1as se valencia los electrones forman enlaces dirigidos entre tomos vecmos. Uno de los
pueden considerar tambin c.omo una funcin de tiempo y se' podra tomar el resultados de esta diferencia es que los metales tienden a cristalizarse en redes com-
promedio de un I'uego de leet uras h ec h as d urante un periodo
Es ' de tiempo muy largo. pactas (estructuras cbica centrada en la cara y hexagonal compacta) en l~s cu~les
te promedio coincidirfa can el hecho en un intervalo de tiempo muy corto. la direccionalidad de los enlaces entre tomos es de importancia secundana. mien-
En la exposicin anterlo r, se supuso que los electrones de los dos tomos de hl-. tras que los cristales de valencia fonoan estructuras complicadas en tal forma QUr,e
.
d rogeno tenan movimientos t t Ti d' , d', el efecto de tener una con 1-
los enlaces entre tomos vecinos daran a ca a a omo l
el cas d d h ro a o os uectamente opuestos. Ahora consideraremos
o on e se ace que dos tomo d h'd 6 1.
guracin de electrones de capa compacta. As, d'
el carbono, con cuat.ro e eC"Oene",
cuatro vecmoS m s -
ralelos se P I s e 1 r geno con movimientos rotatorios pa- de valencia por tomo, cristaliza en la red de lamante con l d ha electrones
a 'faX men uno al otro Aqui l i d 1
lamos llega dentro del r . ~ ~omo e e ectrn sobre cualquiera e os canos, de manera que cada tomo de ~a~bono tien.e un. tota b~S:to, los cuales
'tomo se hall ango de efectIVIdad del campo sobre el ncleo del otro el
ue
La sf~aci a qb el nivel de energia que ste ocuparla nonnalmente ya est lleno. compartidos. En la misma manera: el arse,rnco, el antI;~~lo~~partir electrones con
n es astante similar a la bs l ' tienen cinco electrones de valenCIa por atomo, nece onfiguracin de
dentro de Jos lmites de 1 que se o erva cuando se neva un e eetron lectrones necesarios en una c
a capa Compacta de una configuracin de gas inerte. Las tres vecinos para obtener l os oc h o e . ' tal,',an con tres vecinos
. lti as sustanCias cn s
capa compacta. En consecuenCla, estas m 1 ti tales covalentes siguen lo
" Paultn" L., Tht N tu f
1940, P6,. 22. a ~ o the ChtmfcaL Bond. ComeU Unlven:Lty Pretl, Ithaca, N. Y., ms cercanos. En general, puede establecerse que os c s
- "~

. /
84 " "", de Jlfelalurgia Fsica
PrinCipiO

1 regla (8 N) donde N es el nmero de electrones de valen i


que se conoce coNm)o da el nmero de vecinos ms cercan os en la estructura. ea
y e l factor (S-- a
Sobre el supuesto d e q ue dentro de un metal los electrones de valencia son lib res,
llegamos a 1a slgUle
. . Dte idea elemental de un metal. Un metal consiste en una di
. . tr 1 al s-
1-

""

"
"
d
poSICin or eoa a
de valen cIa se muev
d de iones cargados posltlvamente. en e os e u es los electroDe
d I "d d
en en todas direcciones a gran es ve DCI a es. Sobre Un peti
. al
,ovimiento de electrones es eq ulv ente a una dlstnbucin mas
""
s
o-
" F1C. 3.13.
8>-+-
.1
do de tiempo , es e m . - 'd La duda en la posicl6n de un eiectr6a
"1 de electricidad negaUva la cual podna ccnSl erarse COmo un gas
o menos uru onne . 1 " d
, "
electromco que mantiene unido al conJunlo . En a ausenCIa 'e . este gas, l os ncleos El principio de la incertidumbre o duda tiene .
l a posicin o momen tum de objetos ~des. ESto se:;oca 1mpona~cia pa.~ medir
" amente se repeleran
carga d os poSI", IV . uno al. . otro
' y. el1 conju nto "sed deSin tegrara.
' Por
...
otra parte, e1 g as electrnico nusmo no eXlStlna SIn a presencia e una dlSPOSlc lon constante de !lanck relativa a las cantidades medida:be . al pequeno tamano d~ la
' leos car gados positivamente. Esto se debe a que los electrones se repeleran las tan pequenas como un electrn o un tomo S10 embargo, para parucu_
d e nuc . 1 l ' " se demostrar a continuacin. es extremadamente importante, como
"'
t am blen unv~- a o"os . La interaccin coopera tlva entre e gas e ectromco y los n -
c1eos pOSI""'vamen'e cargados forma una es tructura . que ' es estable. ..Pue de suponerse Ent~~::sng~~:!~: el electrn tiene un momento cero significando que est en reposo.
ue las fuerza s de enlace que mantienen umdo a un c nstal metlico proceden de
~ atraccin de los iones con carga positiva, por la nube de carga negativa que queda
entre eUos. Es interesante observar tambin que, segn dis minuye la distancia entre h h
6x= = _=00
ncleos ( a medida que disminuye el volumen del metal ), las velocidades de los I1p o
electrones libres aumentan con una elevacin correspondiente en su energa cintica. lo c n;J nos dice que la duda en la posicin del electrn es infinita .
Esto, por supuesto, conduce a un tnnino de energa repulsiva que aumenta cuando completa mente incapaces de locali 1 P . . ' o que seriamos
se comprime al metal. Los metales ms simples de comprender son los alcalinos, gn momento de d ' ~a~ ,a. or otra parte, SI fuesemos capaces en al-
i r te d ete~ar la poslCIOn exacta de un electrn estaramos totalmente
tajes como el sodio y el potasio. En ellos slo hay un electrn de una sola valencia ~o ad n s el su velOCIdad. En consecuen cia, aun cuando pueda conocerse la ~i
y los iones positivos estn bien separados en el slido de tal suerte que hay poca Clan e un e ectrn en un ro d d ' r __ "
" '6 '. omento a o, no seriamos capaces de predecir su po-
superposicin de capas jnicas, por 10 que la repulsin causada por el solapamiento SICI n a CIerto Ins tante futuro en tiemp'l.
de las capas es pequea. En estos metales, la energa repulsiva se debe princ ipal- Lo anterior es .una fu~rte evidencia de que la teora de Bohr no est basada sobre
mente a la ene rga c intica electrnica. En otros elementos m e tlicos. las teonas fundamentos _te6n cos s6hdos, p~es esto ltimo implica que la posicin y momenlum
de las energas cohesivas son mucho ms complicadas y no se discutirn aqu. de un e lec tron se pueden medir con precisin en c ualquier instante.
.E s intere.san~ qu.e se pueda emplear el principio de la duda para explicar por
que la energla vlbraclonal de un slido no es cero al cero absoluto. Si se desvaneciese
TEORIA ELECTRONICA DE LOS METALES la ~nerga de p~~to. cero, cada tom o del slido estara en reposo en su posicin
reticular de equilibno. Su momentum sera cero y su poSicin sera fija y determi.
. 3.15. El principio de la duda (o incertidumbre). Uno de los fundamentos prin. nable . Este razonamiento no est claramente de acuerdo con el principio de la duda .
clpales de la teora atmica moderna y, en particular, de la teora electrnica de los 3.16. La doble naturaleza de la materia. Nos encaramos no slo con el problema
metaJes, es el principio de la duda de Heisenberg. La antigua teora del tomo de de que no somos capaces de dete rminar con exactitud ni la posicin ni la velocl.
Bohr se basaba sobre si ..... pl . . . . ..
...... e mecamca newtomana. En pnnClplO se s upuso que d a d de un elec trn , sino que debemos apreciar que hay t ambin una duda consi-
un electrn viaJo aba altededo d I ' 1 6 b' '. '
r e nuc ea en rItas slmilares a las de un planeta derable e n cuanto a qu es realmente un electrn. Tanto la materia como la luz
alrededor del Sol En cad 'b" d B h
1OCI"d a d conocIda. 'de manera or Ita .e . o r , se supuso que el electrn tena una ve- tienen una naturaleza doble: corpuscular y ondulatoria.
.
. a que, teotlcamente, serta posible medir la posicin de un Consideremos un electrn. Es un hecho bien conocido de que un electrn simple
e1ectr6n en su rbita en dos f d"
recon l"d a d urante el mterval
. lempos
d . I erentes y determinar de ese modo la distancia lleva una carga e lctrica limitada y que se puede medir Ce => 1.60 X 10-111 coulom
una med,"c', ' " d o e tiempo dado. Ahora se reconoce que es imposible bias), Jo cual es una propiedad corpuscular, como es el hecho de que un eleclrn
on precisa e esta nat al b ' _
electrn tanto e te t ur eza so re una parhcula del tamano de un tiene una masa en reposo limitada Cm = 9. 11 X 10-:' g ) . Por otra pane, cuando
un haz de electrones consistiendo en u~ gran nUmero de electrones se hace incidir
, n o acomoenlapcti A " " ,
te el principio de la duda .r '. ca. cOntinuacln dIscutiremos brevemen-
S 6 ' o la condlclon que define estas limitaciones . sobre un material cristalino, puede ser difractado de acuerdo con la misma ley
up ngase que un electrn .
como en la Fig 313 Se 1 se est mOViendo a lo largo de una lnea recta , com o rayos X electromagnticos , previsto que la longitud de onda de un electrn
Cuando determin;mo's a x . a distancia del electrn desde el centro de coordenadas. sea expresada pOr la relacin de Broglie.
.
nmental -..u(2 E expenrnentalmente esta canto'd ad SIempre
.... ' hay un error expe
-+- . n o .. as Palabras la . 'd h h
ax. Ahora consideremos _ ' mcertl umbre en la p osicin del electrn es ~= - =-
experimental del mame t P 1 d
m v. el mOmento del electron. Cualquier medicin , mv p
Principio de HeiSenber; ~st ~l electrn implicar tambin una incertidumbre top. El donde i\ es la lo ngitud de onda del electrn , m su m asa, v su velocidad y P su mo-
puede ser menor que la a ece que el producto de es tas dos incertidumbres no mentum . Esta h:tbilidad de los elec trones para ser difractados muestra que poseen
constante h de Planck o
tambin caracteristicas ondulatorias .
Un principio importante con cerniente a la dua I1'd a d de Ja materia es el hprincipia
de lo. complementaridad segwl , es enunCia " d o por Bohr. Este asevera que ay una
.. J

.. d JUdGlurgitl FiC4
86 PrnClpUJ8 e . que se complementan una
'n con la materIa
el
I y onda en r aCl tA dispuesta de manera que cuando
duaUdad de pardcu a esta CODlplementaridad es toS que ocurren, se deben utilizar Con el propsito de ver cmo entra el concepto de la prObabilidad en el problema
a otra. Sin embarg~ ulos numricos sobre e~enla o slo propiedades de onda. En de la dinmica electrnica, consideremos primero un sencillo experimento ptico.
se quieren hacer cl c propiedades de la pa;t c; confiables mezclando conceptos La 'difraccin de la luz a travs de una rendija, bajo las condiciones experimentales
para Jos cJCulO~: ; pueden obtene~ resu~: ~~cuJos. mostradas en la Fig. 3.14A produce un diagrama de difraccin semejante al de la
otras dpalabras, . la en el mismo Juego nos encaramos con el problema Fig. 3.14B , donde la abscisa corresponde a las distancias a lo largo del cUagrama ,
de partlcU al te entonces bl b . y la altura de ste representa la intensidad de la radiacin cayendo sobre la placa
de on a y ondas re men , b mas Nuestro pro ema SlCO es
Si loselectrolne~ ~o; ondas son. Esto. no 1~.S:r
eel co'ncepto del electrn como una fotogrfica o sobre algn otro dispositivo para regiStrar el diagrama . Por definicin,
la intensidad de la luz es la energfa por segundo que cae sobre un cent!metro cua_
de decidir qu casI d da no nos permite ut IZ p
1 rln elpio de a u
tra parte somos incapaces de
. de Bohr or o , drado, de manera que la ordenada en la Fig. 3.148 representa el grado al cual cae
que fe p1 como se 1m . inos de . on d a. Por fortuna hay un acerca_
. plica en la teona . d la energa en varios puntos a lo largo del diagrama. Ahora consideremos es te mismo
part
f cu a,n electrn to talmente en terro obvia la neceSl'dad de definir con d exactitu
I. experimento desde un punto de vista corpuscular. En este caso, la altura del dia-
de mlr u ' a esta materia que leo de la mecnica on u atona,
miento matem ticO amiento es a travs del e~p
grama debe ser proporcional al nmero de cuantos de luz cayendo por segundo
de la energa de un electrn.
1 trn El acerc 1 en trmmos . sobre una rea unitaria de la pantalla en cualquier punto dado. Sin embargo, todavia
re:~puesto, Importa~to~o
un e e c resa por lo genera. te Como sabemos, la energla hay otro medio de que esta difraccin pueda ser vista. Supngase que 5610 pasa
cuyo resultado se una propiedad de hidrgeno ) est rela- un cuanto de luz a travs de la rendija, entonces la ordenada del diagrama de
de radiaCIn ci e un
La ene.rg.a es po tomo (posiblemente la. de un energas del electl'n en dos difraccin se considera que representa la contingencia, o probabilidad , de qu el
1 k a la diferenCia en l as
donada por la ley de P anc cuanto caiga en un punto dado de la pantalla. De acuerdo con este punto de vista,
estados diferentes en el tomo, o el rea bajo la curva completa debe ser la unidad, esto es , el cuanto debe incidir en
alguna parte a lo largo de la pantalla.
h/J=EI/-E
Del experimento de difraccin anterior puede verse que la ordenada puede con-
1 frecuencia de la radiacin, E!I y El son siderarse para medir bien la intensidad de luz en una posicin dada, o la POsibilidad
~:n::e;;as niv~les :~;~~:~:s
s la constante de Planck, l' es .a de energia atmica. Mientras que
del electrn en dos precisas de las posibles energias de que un simple cuanto incida sobre ella. En efecto, hay una correspondencia
la mecnica ondulatoria puede rend~
S
t
acin similar sobre las posiciones de 10:
dire('t::. entre la intensidad de luz y l a probabilidad como se la defini anteriormente.
de un electrn, no puede dar ~a ~e o~ regiones en el espacio donde se b,allat
En la mecnica ondulatoria, se tratan las propiedades ondulatorias de los electrones
desde este punto de vista de la probabilidad.
electrones Lo que da es una ea _ ondulatoria en consecuencia, est re a-
. lectrn La mec mca 'd Antes de considerar el asunto de la mecnica ondulatOria , debe mencionarse
probablemente un e . el oncepto de la probabilida .
clonada estrechamente con c que la difraccin de electrones a travs de una rendija diere de la difraccin de
fotones de luz a travs de la misma. Cuando se hace que pasen elec~rones a travs
de una rendija, slo se observa un mximo simple en el patrn de difracci6n. P~a
obtener franjas, debe hacerse pasar a los electrones a travs de una doble rendil~,
al menos. En general, slo los cuantos de luz o fotones son capaces de prodUCIr
franjas cuando pasan a travs de una rendija sencilla. Por otra parte tanto los

-- --- - t, leptones (partcu las con una masa pequea tal como los electrones y los positrones)
como los hariones (barycms) (partculas con masa grande, tal com? los pr.otone~6 y
Fumte neutrones) requieren una rendija doble para poder formar un patlon de dltacc n
de luto
P~t
t con Afranjas.
continuacin consideremos una onda sencilla que se al.uste a la relacin si-
RenlUja :rectangular guiente:

2~)
(A)
y = Yo sen (27r/J( _

I Esto puede representar una onda en una c iota infinita


Como excitada
se indica por la Fig.
en la vibracin
3.15,
r"\ " , - lptenlldad de luto
de un diapasn elctrico conectado en ~n extr~~~~da viaja en la direcci6n positiva
~ es la longitud de onda , y" es su amplItud,y .a o nmero de vibraciones poI
x. Adems, en la e~uacl ~ an eno '. p . de desplazamiento, y t es el tiempo.
' t ' r es la recuenCl, La
segundo , x es la dlstancla en l~ ~lIecclb~ forma ms simple
ecuacin anterior se puede escnblI t a m len en

y = Yo sen(wt - kx)
, donde w = 2'17'"1' . an gulaz , y k _ '}nI> se
es la frecuencla Conoce como el nmero
(B) d d
e on a.
Es bien conocida la ley de fsi ca de que 1a intensidad de una ond a es proporclo-
FlG. nn4lj.
a.14. CA) Dhpollcin experlment 1 plU'~ l: c;.ra~nbofer
Ih ccl6n depara
Fraunbofer uHUzando
una rendija lencWa una
.lmple. ( B ) Dialrama de d1lracc e nal al cuadrado de la amplitud de onda, o
- I ~==---=
_------------------------

88 Principi08 de Metolurgifl Fisica

Te0ri4 Ef.enunfol de to. Melaler 8t

I. '1 En la mecnica ondulatoria es prctica com'


La ecuacin para la energia h.. uede s
.
Wl SUStituir el smbolo h por h/2r.r.

cuencia angular w. Esto se dem~estra e~ ~:P."'eu"dciaoent~nc:es en trminos de la (re.


, --L _ _ _ _ ..... ._ _ _ _ a o sIguiente
- - - - 7- ...... , , h
Energa = hv = -(21TV) =-
2,
r,w
FfG. 3 . 15. ~, a
VI>
""l"ando en una larga cinta infinita Si se hace la sustitucin de h por h2 ''i" entonces tenemos que
1 a: Yo 2 m"lv 2 2
1
donde 1 es la intensidad, y y" es la amplitud. Sin embargo, hemos visto con anterio- k = ti 2 = 1'1 2 m(t mu 2 )
ridad que la intensidad est relacionada directamente a la probabilidad de que un donde ~mv2 es
cuanto (o electrn) caiga en un punto dado. En consecuencia, por analoga, defi- para k~ puede claram:nt~ la energa cmtica de un electrn. La expresin ante .
guiente: ser sustituIda ahora en la ecuacin ondulatoria con el resultadon;l~
namos la funcin ,, de manera que

p = ,,'
Aqui, P es la probabilidad y .., es una funcin que, cuando se la multiplica por si Esta es l~ bien. conocida ecuacin ondulatoria de
misma, produce la probabilidad P. Realmente con mayor exactitud debido a que la En tres dnnenslones (x, y y z), tiene la forma SchrOdinger en una dimensin.
funcin .., es con frecuencia un nmero complejo, deberiamos escribir la expresin
anterior en la fonna siguiente:
a'" a' " a' " 2
ox2 + oy2 + OZ2 + t;2 mO'mv2)w = o
p= ,p,p'
Debido a que l energa cintica de un electrn es igual a su energia total menos
donde " y ",. son recprocos complejos, y sus productos, la probabilidad , es un su energa potencial , la ecuacin de SchrOdinger se escribe usualmente:
nmero real.
Es evidente que la cantidad ,, equivale a la amplitud de una onda, de manera a',p2 a'" a' " 2
que podemos escribir (por analoga con nuestra expresin para una onda como se
ox + oy2 + OZ2 + h2 m(W - V)W = o
da anteriormente): donde W - V es la energa total del electrn y V es su energa ~
tendal.
,,= "o sen(wt - loe)
3.17. Teora del electrn libre . Ahora presentaremos brevemente la teora del
Ahora hallemos el segundo derivado de esta funcin con respecto a la distancia electrn libre de Sommerfeld de un metal. Sus suposiciones bsicas son que los
electrones de valencia en un metal son libres y que estn confinados a moverse den-
d"
-= +k"o eos (wt -
dx
loe) tro de los lmites de un objeto metlico, esto es, se mueven de un lado para el otro
dentro del metal, pero no lo abandonan. En efecto, los electrones en el metal cons-
y tituyen un gas y se les denomina comnmente como gas electrnico. Como tales, no
obedecen a las leyes de la estadstica (estadstica de Boltzmann ) de un gas ordi-
d'"
dx' =-k',po sen(wt - loe) = - k'" nario en un recipiente donde N = N oe--<l/kT y N es el nmero de molculas de ga.s
con una energa igual a q. No es el nmero total de molculas de gas en el reCI-
o piente k es la constante de Boltzmann ( 1.38 X 10- I n ergio por K) , y T es la
tempe;atura absoluta. Los electrones se conforman ms bien a la estadstica de
d'" k' ,p = O
::"'C-+ Fernri que se discutir en breve. Esta idea conforma con el concepto de que . los
dx' electrones tienen una energa potencial menor denno del metal que fuera de el o
Esta ecuacin diferencial es la ecuacin bsica para el movimiento ondulatorio en que toma trabajo remover un electrn de una pieza metlica. En la teora de Som
una dimensin. Una de sus sOluciones es, por supuesto. merfeld, se supone tambin que el potencial de un electrn es constante en el. lnte-
, . 1,1:: po rque un electron se
,,= "o sen(wt - loe) rior de un metal . El enunciado es una so b resnnp llJcaClon,
mueve realmente en un campo potencial muy complicado debido a la presencia
.

Por definicin, la cantidad h en la ecuacin diferencial anterior es el nmero ondu- tanto de los dems electrones como de la d lSpoSlCl "0n pen.dica de iones . cargados
1 ,al
positivamente dentro del metal. A pesar d e esta SlD'lp . lifie 1 a,
eio' n la teona e emen
'
latorio y es igual a 2r.:-/).. Ahora supongamos que podemos sustituir la longitud de
onda de BrogJie del electrn, ). = h / mv, en el nmero de onda k de manera que rinde ciertos resultados importantes. d
emo el problema e
Al desarrollarla, consideremos primero lo que se conoce c onfinado
21T 21T . .. e un electrn esta c
k=-= - mv '1a partcula dentro de una caJa. Aqu suponemos qu ,e) en el interior
X h dentro de una caja y que su energla ,
po t enCl'al es ......
-ro (constan
1
-
. .~ eh Metalurgia FiCIJ
" Prinet,.--

,.'" ---
V.elo Metal Vado

Fundamental
~~-
e--- _ ~~ ,."
-------;7->00
..........

----- .....

.r:O x"'-L
1--- L----/
Fn:. 3.16. Pozo potencial dentro de una caja unidimensional COIDO se s UpOne en. la teora del
electrn libre ,, ,-'' '
---;
" e inf"",
de la caJa 10 fuera
1 de3 ella. Estas condiciones sobre. el potencia)
nos aseguran
que la probabilidad de hallar al ,electrn fuera de la caja ser cero, lo cual, a su ! - - - L -__
vez, nos dice que cualquier soluCIn .;.13 de la ecuacin
Fte. 3.17. Onda. estacionarias en una cinta con extremo. fijo.
h'
2m
(a'ox'2" + a'ly2'" + a'OZ2"') + (W _ V)'" = o
k= ncx~n_
debe ser cero en todos los puntos fuera de la caja Y. en particular. en los lmites de L
y
la misma . Para simplicidad, supongamos que el electrn es capaz' de moverse en
una sola direccin, de manera que estamos trabajando efectivamente con una caja
unidimensional. El problema bsico se ilustra ahora en la Fig, 3.16 donde se ha
k'
L'
seleccionado la longitud de la caja como igual a L . Por la condicin de que", debe Sin embargo, ya hemos visto que, en general,
ser cero en los lmites, tenemos
2
k' = -m(W - V)
.p=Oax=O h'
pero dentro de la cala, donde existen las ondas estacionarlas, suponemos que V
.p=Oax=L es cero, por lo que
Estas son las mismas condiciones de contorno que se aplican a la amplitud de vi- 2
2 2
bracin de ondas que viajan en una cinta de longitud L cuyos extremos estn fijos. k =-mW=
2
- 2 mE
1'1 12
Debido a que la misma ecuacin ondulatoria bsica contTola el movimiento de los
electrones en una dimensin y la vibracin de una cinta, podemos utilizar las s~lu donde W es la energa total del e.lectrn y E es kla2 energa cintica
pardel
a Emismo. Igua-
resolviendo se tiene
clones conocidas de la cinta con extremos fijos para poder definir las soluciones landa los dos valores dados antenormente para 'J
del electrn en la caja. Es bien sabido que una cinta de este tipo es capaz de vibrar 1I 2 1T1 n" 2
E= 2mL 1 n,,=1 ,2,3, ...
1a..ciertas
d" frecuencias
d inaturales.
" Estas frecuencias' por supuesto
. se detenninan por
lagramas e as POSibles ondas estacionarias que pueden desarrollarse en UDa
~ta de long1tu~
L: Asi, en la Fig. 3.17 la frecuencia fundamental, o menor. d.e importante porque muestr a q ue la energia .de
bra~U;:: vibratona tiene una longitud de onda igual a 2L. El segundo modo de Vl-
Este resultado es extremadamente. . uede tener nicamente ciertos valores filOS
un electrn en un metal se cuantlZa , P , ero cuntico n". .
podemoscorresponde
escribir a una longitud de onda L' el tercero
. a 2 / 3L etc. .y, en general , correspondiendo a valores enteros ~el nd~ponerse ondas estacionarias del bpo d~S-
En una caja tridimensional. pue en d los tres ejes primarios, resultan o
2 crito <lnterionnentc a lo. lar~o . de c~da alun~ho:a si se supone que la caj~ es m;
A= ;;"L n" = 1, 2. 3, 4 , ... en una onda esta~ionana tn~m~:~I:np~ede .mo~trarse que la energa. de~adi;grd:a
cubo con una longttud L en ~o. a. tridimensional tambin es cuantlza
donde 11 Supone valore tero d' ' resultante de la onda estaClonana
es vlid: para las ond s en . s desde uno hasta el infinito. E sta misma con lCl n
dimensional y po
, r
de::
e&taClonarias de la funcin '" del electrn en la caja uni-
ruc1 n. Ir. = 2m />., de manera que
por la expresin

n,, - 1,2.3 ...


u En le~ral. la tuncl.6a ~ debe al
.IRlple, (2) COIlllnuo (3) de '. tener la. Propiedadet I1lUlente. : debe ter (1) un. v ~ ny = l .2, 3, ...
(4) llalla en c U.illqu ie-r pal1e ;~acln Suave excepto en el infinito de la funcin potencial
b1e ( p. toj., -'f/tt{I- e. f1nlla). ' DO debe se-r cero en Parte a1lUna y (6) .,,,,.
debe ter Inlegra- n:=1 .2,3 ...
I o
-
o oo
92 PrinCIpio"
d~ Metalurgia Fsico

tado energtico menor que puede ocupar un electrn en una caja tridi. Teora Elemental de lo, Mel~de. 93
El
, ocurre cuan d o uz n /1 Y n = tienen todos el valor uno. Su valor es:
mensionaJ
TABLA 3.3. NIVELES INFERIORES DE ENERGIA PARA UN ELECTRON
2 2 3f21T2
E=~2(Il 2
+ 1 + 12)= 2mL 2
EN UNA CAJA

(l/x 1 + 11 1 + 11/)
y Combinaciones de Degeneracin Nmero
_. esta d o .ngtico ms bajo, h ay dos estados de energia igual. En
Siguiendo ;,u
genera 1, es P r a' ctica comn denominar a estados diferentes con energias igua les o nmero cuntico o nmero de total de
estados degenerados. Los tres estados degenera dos presentes ocurren cuando dos dando el estado estados con estados
2mL ' t: la misma
nmeros c u nticos son igual a uno y el otro es dos: ( 112 ), (121) Y (211). La '/f' il ' -
energa de estos estados es: energia
,,
E=fi Tr (12 + 12
2mL 2 3
6
9
{il!)
(l12)
{122)
1
3 ,
1

En la Tabla 3.3 se dan todos los niveles de energa electrnica en una caja 3 1
tridimensional con una energa menor de 451l: 2o;;2 / 2mL2. La primera columna es 11 {Il3) 3 la
proporcional a la energa de los diversos estados. Para simplicidad, en esta columna 12 (222) 1 11
se dan los valores de (n z2 + ni + n z2 ) . Estos valores son proporcionales a la l' {l231 6 11
energia debido a que 11 {2231 3 20
18 (l14) 3 23
' +ny ,
19 (1331 3 26
( l/x 21 (I24) 6 32
22 {2331 3 35
La segunda columna indica las combinaciones de nmero cuntico que dan los 24 {224 1 3 38
valores en la columna uno. Obsrvese que, al elevarse la energa, aumenta la freo
cuencia con la cual ms de una combinacin de nmeros cunticos es capaz de
26
27
{l341
t Il S} y (333) ,6 44
48
rendir la misma energa. La tercera columna enlista la degeneracin, o el nmero 29 (234 ) 6 54
de estados con el mismo valor de energa. Slo cuando todos los nmeros cunti. 30 {12SJ 6 60
cos de un estado dado tienen el mismo valor lesto es, ( 222)J es posible tener estados 32 {334} 3 63
no degenerados: slo un estado para un valor de energa dado. La ltima columna 33 {1441 y r22S} 6 69
representa la suma de todos los estados de energa hasta un valor de energa dado; 35 ( 135) 6 75
realmente un valor dado de (lIx2 +11/ + n/). As, cuando (n,-2 + 1ly2 + 1l/ ) es 36 {24' 1 3 78
9 hay siete estados con una energa igual a, o menor de 91i211"2/2mL 2 uno con un .. 38 {23S1 Y {l161 9 87
2
energia igual a 3h 7T 2 {2mL 2 , tres con 6tz2 7T 2 {2mL 2 , Y tres con 9h2 7T2/2mL 2. , 1 96
{344 1 Y \126) 9
42 {l4S I 6 102
En una pieza de metal de tamao promedio el nmero de electrones es muy
43 {33S1 3 105
grande. Par ejemplo, considrese un metal monovalente, tal como la plata, donde
44 {2261 3 108
hay un electrn libre por tomo. Aqu, 107.9 g (1 mol) de plata contendrn una
45 (2' 51 6 1 l'
cantidad de electrones libres igual al nmero de Avogadro 6.02 X 1023. En la teora
de Sommerfeld, se aplica el prinCipio de exclusin de Pauli, el cual dice que no
pueden estar dos electrones en el mismo estado, incluyendo el de movimiento rota. d ' d e electrones involucrados y del gran nmero de estados
do el gran numero II Ah . t ntaremos de-
torio. Esto es, dos electrones no pueden tener posicones, momentos y estados de 1 cunticos requeridos para mantenerlos sujetos a todos e os. ora Ul e d o

movimiento rotatorio idnticos. De esta manera, slo dos electrones con movimientos terminar la magnitud de esta energ:ta. Para po de r hacer
o
" esto debemos , envar i al
de rotac6n opuestos pueden ocupar cualquier estado cuntico dado. primero una relacin para el nmero de estados de energla con una energl3 gu
Al cero absoluto, Jos electrones buscarn los estados de energa inferiores en a o menor que la de un estado dado. . tilo d
el metal. Puede esperarse que a esta temperatura (comenzando con el estado de . tridimenSlonal u IZan o
Formemos un sistema de coordenadas cartesIanas D bOd que 'cada estado
energa inferior) , todos los estados se llenarn de un par de electrones en cada . valoresden Z' n v y1l eloa. u1ar de nmeros
estado hasta alguno que contenga el electrn con la energa ms alta. como coordendas para 1os tres eles
- en una caja
de energa de un electron . corre sponde a un Juego partlc1 espacio de nmero
Como un ejemplo, supngase que tenemos una pequea pieza de metal conte-
cunticos, se puede representar un es tado por un , solo
. punto en 1 eunto que representa
niendo slo 120 electrones libres. Al cero absoluto los 120 electrones ocupado los cuntico. Asi, en la Fig. 3.1~, s.e designa especfl~am::-t~ ; . P
60 niveles inferiores de energa en el metal. Todos los niveles hasta, e incluyendo
los de una energa de 30h 2 rr 2 /2mL 2 estn llenos. Esto puede confinnarse exami. al estado con los nmeros cuantlcos 1l.; = 4, nv - Y lectrnica forman
nando la Tabla 3.3. Todos los estados de energa con valores mayores de 301'l2.r2 Cuando se consideran juntos todos 1os es tados de energas e
d ,pacial cbica, simp1e.
2.m{.2 estarn vacos. una red tridimensional de puntos que recuerda a una _re e s enteros poslOVO .. s, la
En una pieza de metal real , la magnitud de ]a energa de electr6n que queda Debido a que los valores de n z 1lv y n:: son siempre
. numero
coordenado que e1 ocu pado
en el estado de energa ms elevado es muy grande aun a OK. Este es un resulta. .
red tiene que quedar en 1a mISma octante del SIstema
rior derecha).
por el punto dado en la Fig. 3.18 (la octante supe
-
J
-
.' de Melalurgia Fsica
94 PriRCIpl0'

Teora Elemento! de ro. Mdok. "


n,
que la de un estado dado s610 si sus nmeros cunticos producen un vaJor me-
nor de (n,.2 + nll~) que el del estado dado. El ejemplo sencillo siguiente ayudar
a comprender el significado de este ltimo enunciado.
(<157)/ Supngase que Em corresponde a un estado cuyos nmeros cu4.nUcoa IOn
/ n.r - 15 Y n)l .." 1. Entonces tenemos

/ 7
-----~/--~--------~
4
I En la Fig. 3.19 se ha trazado un cuadrante de crculo con su radio.

['
[
[ Todos los puntos que quedan dentro de este arco representan estados cuanti.
[ ros con energas por abajo de E",_ As, considrese el estado con nmeros cunticos
n", = 11 Y n ll "'" 10. Aqui, n",2 + n/ = 221 que es menor de 2.26. Cuando se cuen.
Fu:. 3.18. E5J1aelo de nmero cuntico. Como, 105 nmeros cunticos son enteros Positivos, slo ta el nmero de puntos (estados) dentro del rea dada, se prueba que 60n 163.
""
seu .za la octante superior derecha para deSignar
1 _ el estado c untico, o nivel de euel'gia, de un Este mismo nmero se puede estimar calculando simplemente el rea encerrada
' e ectron
por el cuadrante de circulo (OAB). Esto es

Para simplificar la explicacin, reduzcamos a dos el nmero de coordenadas "4 "4


Area = -r~h = - (226) = 177 estados
del metal. Entonces, slo necesitamos considerar dos nmeros cunticos, n y n/l'
z Este ltimo valor, aunque difiere del valor contado de 163 estados, es u~a buena
y la red tridimensional de puntos que representa los estados de energa se reduce
a una cuadricula rectanguJar bidimensional del tipo mostrado en la Fig. 3.19. aproximacin. La concordancia entre vaJores contados y calcu1ados sera ~ucho
Nuestro problema bsico es hallar cuntos estados de energa poseen una energa ms ajustada cuando sea ms grande el nmero totaJ de estados, y para numeros
iguaJ o menor que cierto valor mximo En. En dos dimensiones, la energa de cual. muy grandes de estados (correspondiendo a valores muy grJJ\des de E.) ~uede
quier estado se da por predecirse el nmero de estados con un grado de exactitud elevado por medio de
este tipo de clculo. As, para grandes valores de E",
1
1f 2 2 = 1T2mL E
r = 4 (n;o:: + ny )mb 4 t,l1fl m
Esta relacin nos dice que la energa de un estado vara directamente segn en donde 1) es el nmero de estados con una energa igual o menor que E ...
los cuadrados de los dos nmeros cunticos. Un estado tendr una energa menor
n,

20 ,


























[
t
.
ro ( 2mL'
2 2 Cm
"
)'

15



t






t "



t "
,o ....... " o.......



_ __-{
t /"
l /______
/~ L -__ ',

. . . . . . . . . .
--;-/1
,

l
)


! ,," [









I

o ,
10 15

20
n,
105 tstados ocupa
dot . quedan dentro de uta
,. J226 Flc. 3.Z0. A cero .bsoluto, puede suponerset qu e . d ntiJncro eunuoo
octante de esfera en e espacIo e

FIG. 3.19. ElPacio de nlll1ero euAntteo


btdimenl10nal
I
96 Principios de Metalurgia Fsica

'e Volvamos a una consideracin de


un metal con tres d
Jos estados con una energa menor de E g d
m
d
.
unenSlOQes.
ue an I entro d e1 OCtante de A.quj tOd_
como se define en la ' Fig. 3.20. Para grand ,,_. ~" Esta energa es extremadamente elevada. Puede demostrarse fcilmente que el
caso b1d Imenslonal,
' .
podemos tomar el v 1 es va ores de E m' POr analo.......I
a esfe
t a, electrn promedio en un metal al cero absoluto posee una energia que es % del
.
d eI numero de estados cunticos COn un o umen de esta t gIa Con valor Fenni, de manera que en la plata
_ oc ante corno una el
de la esfera es : a energa iguaJ o menOr que E llledid a E"" = 1(130,000) = 78 000 cal/mole
m' El radio
En cierto sentido, podemos pensar de los electrones en un metal como un gas. La
r max
' =(n'+n'
x y energa trmica ( cintica) de una molcula de un gas monoat6mico, por ejemplo,
helio, de acuerdo con la teora clsica, es del orden de % RT callmol. Puesto que R
y, por lo tanto, tenemos es aproximadamente 2. cal / mol , grado i a temperatura ambiente (T .. 300 0 K ) la
energa trmica de tal gas deber ser de unos 900 cal / mol. Puede verse entonces
." = va Iumen de octante -_,3 _6" (2mL2 Em) 'o
= I 4
8 3 mx -
1f
2 2
que los tomos de un gas ordinario poseen , a temperatura ambiente, slo alrededor
del Veo de la energa cintica principal de los electrones en un metal a cero absoluto.
donde 7J es el nmero de estados con un '. h 11' La teora de Sommerfeld enuncia que los electrones en un metal se mueven
S' N ' a energ.a Igual o menor q E a velocidades extremadamente elevadas y que ocupan niveles de energa definidos
I es eJNnumero de electrones en una pieza de ue m- con dos electrones de movimiento rotatorio opuesto en cada estado. Al cero absoluto,
metal, entonces a cero absoluto los electrones llenan todos los estados inferiores que quedan hasta un nivel conocido
deben estar "2 estados cunticos llenos; o
como nivel Fermi. En la Fig. 3.21 se ilustran estas aseveraciones. En esta figura ,
V~ representa la diferencia en potencial entre un punto dentro del metal y un
N_!!.. (2mL
2 6 tr22
2
EF
) '"
punto fuera del metal en el vaco. En nuestra derivacin previa, se supuso que esta
diferencia potencial era infinita, pero en tul metal real es limitada. La suposicin
simplificada que se bizo, sin embargo, no afecta a nuestros resultados finales . Su-
En esta expresin, El" conOCida como la energ,'a Fe . pOniendo que el potencial en el metal es cero, el espacio alrededor de metal queda
tr - . l/U es
oruca a cero absoluto. Resolviendo la relacin te'. la mxima energa elec. a un potencial que es ms elevado en una cantidad V . Por lo tanto, puede conside-
tendremos : 3D nOr para la energa Felmi
rarse que el volumen del metal se encuentra en un pozo potencial. Puede pensarse
que los estados de energa electrnica quedan a diversas distancias sobre el fondo
del pozo. El estado de energa ms elevado a cero absoluto, o nivel Fenni, se designa
en la figura como E,... El promediO de energa queda a %E,.. Finalmente, el smbolo
o <1> representa la energa requerida para remover un electrn desde el nivel Fermi y
sacarlo del metal. Esto se llama la funcin de trabajo y es igua] a la energa que se
EF =
2
1f2 (3N) 213 =
2
11'2 (~'!...) "3 mide nonnalmente cuando se quita un electrn de la superfiCie de un metal (cuando
se extrapola a OOK). Este trmino "funcin de trabajo" fue introducido por EInstein
2m rrL 3 2m 1f V en su trabajo sobre efecto fotoelctrico. Obsrvese que, a OOK, un elecb6n en el
endondeV-Veselvol dI . nivel Fenni posee la energa ms elevada de tocios los electrones en el metal y es
. _ - umen e a Supuesta caJa de metal. Este ltimo resultado es
de mte~es porque muestra que la energa Fenni depende s610 del nmero de electrones
ms fcil de Iemover. El valor de la funcin de trabajo, determinado experimen-
por urudad de volumen en el metal. talmente, para la plata es de 4.46 electrn-voltios. As, ]a diferencia en po~encial V,
entre un punto dentro y un punto fuera de metal es alrededor de 10 electron-voltios.
Con la ayuda de la ecuacin anterior, es posible estimar la energa Fenni de
un metal. Como un ejemplo, considrese la plata, la cual tiene un volumen mole-
l
cu ar de gramo de 10.28 cm 3 Como la plata es monovalente, una molcula gramo
debe contener 6.02 X 1023 electrones libres. Adems h es 1.06 X 10-27 ergio seg,
. ~ ----
y.~, la masa del electrn, es 9.11 X 10-28 g. Sustituyendo estos valores en la ecua-
Clan nos da

_ (1.06 X 10-")',,'
EF -
(3 _=::::'_
-
6.02 x 1023) W

2(9.11 x 10- 23 ) 10.28


E, = 8.9 X 1Q-l!! ergio = 5.5 electrn-voltios

Es posible que se pueda expresar mejor esta energa en caloras por molculas de
electrones (al nivel de Ferrni) porque entonces podremos compararla con la energa
atmica t, mica . As, ,1' =o

E _8.9x 10- 12 x6.02x 10 23 F.le. 3.21. Relaciones de energia de acuerdo con


,
h - ' a d.e Sc>mm"rfeld
OC"',
F - 4.19 X 101 - 130,000 cal/mole
I

98 Principio, de Metalurgia Fisic4

3.18. La densidad de estados. Es conveniente ccn frecuencia, pensando sobre


los estados de energa en un metal, utilizar el concepto de densidad de estad~s. ,Para
cualquier valor dado de la energa E, el nmero de estados con una energIa Igual
o menor que este valor es
1 e

"('2mL' )'"
f1=61i 2 rr'1 E
Debido a que es muy grande el nmero de estados en un metal, debe~os consi~erar
que tanto v como E son funciones continuas. a pesar de que ellas vanan con mter
valos distintos. Con esta suposicin, tomaremos la derivativa de 11 con respecto a E,
10 cual nos da una nueva funcin N(E) donde E

N(E)=:;=; (~2) l/2 EI12 FIG. 3.23. La


energia . trrnlc~, a cualquier temperatura n ormal . 11610 cambia ligeramente
di6trlbuc16n de los electrones en los estados de cn.ergia
la
I
Aquf. N(E) es la densidad de los estados de energa a un nivel de energa dado;
el nmero de estados de energa con una energa de entre E y E + dE es N(E)dE. de la energia de nivel Fermi. Este es un hecho importante cuando se considera en
La Fig. 3.22 muestra a N(E) graficada como una funcin de la energa E. La curva unin del principio de exclusin de Pauli. Este ltimo puede ser interpretado com
resultante es una parbola. El rea bajo esta parbola, comenzando en el origen y una prohibiCin del movimiento de un ele<:tr6n desde un estado a otro que ya est~
corriendo hacia un valor de energa E dado, representa el nmero de estados con lleno. En otras palabras, la energa trmica no puede tomar a un electr6n en uno
una energa igual o menor que E. El rea rayada en la Fig. 3.22, en efecto, repre- de los estados inferiores y elevarlo a otro nivel que ya est ocupado. Debido al
senta el nmero de estados con una energa igual o menor que la energa Fenni. pequeo tamao de kT en relacin con E,.., esto quiere decir que slo pueden .ser
Por definicin de la energa Fermi, esta rea, de consiguiente, mide el nmero de afectados por la energa trmica de los tomos los electrones que quedan en niveles
estados que son ocupados por los electrones al cero absoluto. Por tanto, puede COD- de energa cercanos al nivel Fermi. De acuerdo con las estadsticas Fenni-Dirac
siderarse que la Fig. 3.22 muestra la naturaleza de la distribucin de los electrones puede suponerse que la distribucin en los estados de energa a cualquier tempe-
en los diversos niveles de energa a OOK, de acuerdo con la teora de Sommerfeld. ratura (T) es como se muestra en la Fig. 3.23. Aqu se puede observar que algunos
estados sobre E,.. estn ocupados y un nmero correspondiente por debajo de E,
3.19. El efedo de la temperatura sobre la distribucin de electrones en los niveles estn desocupados . Esta, por supuesto, es una distribucin estadstica, con los
de eaerga. La Fig. 3.22 puede tomarse para representar la distribucin de los electrones movindose hacia adentro y hacia afuera de los estados que quedan
electtones en los diversos niveles de energa a OK. La cuestin que se nos presenta cerca de E,... El cambio en la distribucin de los electrones en los niveles de energa
ahora es en qu forma es afectada esta distribucin por un aumento en la tempe- Slo es apreciable sobre una extensin de varios valores de kT por encima y por
ratura. En general. una elevaCIn en la temperatura significa que los tomos de un debajo de E,...
slido vibran con amplitudes ms grandes. La energa asociada COD estas vibraciones La energa Fermi se define con mayor propiedad en los tnninos de la Fig. 3.23-
aumentadas puede pasar de un lado a otro entre electrones libres y tomos vibrato- Nosotros la hemos definido como la energa mxima de un electrn al cero absoluto.
rios. La magnitud de la energa que puede ser dada a un electrn promedio por un Con mayor propiedad, debera ser la energa del nivel, a cualquier temperatura, que
tomo vibratorio es aproximadamente kT(RT por mol de electrones) donde k es la tenga un 50% de probabilidad de ser ocupada por un ele<:trn. As, en la Fig. 3.2.3,
constante de BoltWlann 1.38 X 10-16 ergOK. A temperatura ambiente, kT es la energa Fenni corresponde a la energa donde la densidad de estados real (linea
alrededor de 4 X 10-14 ergo Sin embargo, hemos visto que en un metal tfpico (plata) ah) tiene un valor igual a la mitad de la densidad de estados mxima (linea ac).
E, es alrededor de 9 X 10-12 erg o unos 5 eVo En esta forma, las vibraciones t:tucas
son capaces de cambiar la energa de los electrones por valores del orden de 1L 3.20. Calor especfico electrnico.Debido a que la energa trmica afe<:ta a s610
1200
unos relativamente pocos electrones, stos proporcionan slo una pequea contri-
bucin al calor especfico de un metal. En consecuencia, segn se calienta u~ me-
tal, la mayora de la energa utilizada en elevar la temperatura de ste ,va a mere-
mentar la energa vibraconal de los tomos. De becho , el calor e:'~cfico de los
metales se puede calcular con exactitud razonable sobre la Suposlcln de que. el
calor 8specifico depende nicamente de las vibraciones atmicas. Uno de los xi~
de la teona del electrn libre es su capacidad para explicar por. qu es tan pequena
la contribucin electrnica al calor especfico. El problema no seria resuelto por las
estadsticas de Boltz:mann, que implica la equipartici6n de energa, o que la energia
fuese aproximadamente distribuida de manera unifOlme hasta la cantidad de 1/2kT
por grado de libertad por partcula.
321 La teora de la zona. En la simple teora del elecb6u libre se supone que
. .
105 e1ecLIODes se mueven en una reg'60 de potenCl'al cons tante . '6d'
Realmente,
d ' sin em-
como una. funcin de la eu.erfa. a O"'K, de acuerdo con l a d pen Ica e Iones cae-
teora de eleeb:6n Ubtt bugo, dentro de cualquier metal real hay una lSpoS1Cl n (Fi 324) En
gados positivamente a cuyo travs deben moverse los e1ectIone6 g.. .
100 Principio.! de Metalurgia Fsica
I Teora Elemental de lo. Me'ale. 101
Direccin del movimiento electrnico
---- trones por los planos de un cristal. As!: que, los electrones movindose en direccio-
nes especificas y con detenninadas energas, son capaces de ser :refle<::tados desde
su direccin de movimiento original. Generalmente, esto se puede interpretar como
, que los electrones no son capaces de poseer las energias y direcciones de mov1m1en_
T81 81, to que producen reflexiones internas. Por lo tanto, la ley de Bragg tiene un efecto
importante sobre los estados de energa que un electrn puede poseer en un metal.
Nuestro propsito presente es desarrollar estas relaciones, pero primero debe con-
siderarse en mayor detalle la ley de Bragg.
.181 --81L81 --81- 81--81--' La longitud de onda de un electron se relaciona con su momento por la ecuacin

X=~=~= 2n1l
mv p p
0, sustituyendo el momento para la longitud de onda en la ley de Bragg, tenemos
FlG. 3.24. Los electrones DO pueden moverse a travs de la red. cuando se satisface la ley de
Bragg : n~ = 2d sen 8 nh.
p=
d senO
. , el po,enc,al a lo largo de una linea tal como aa, la cual pasa .a travs
con!lecuencla Esta aseveracin de la ley de Bragg nos dice que las reflexiones de electrones ocu-
d 1 cen 'ros de los iones debe variar en la forma representada en la Flg. 3.25. rrirn a ciertas combinaciones de una direccin de movimiento y magnitud del
e
Bloch H
o
fue s,
el primero en desarrollar un tratamiento mecni co on dI u atono d el momento del electron, esto es, a valores especficos del vector de momento de un
movimiento de los electrones en un potencial peridico. Como este anlisis es dema- electrn. En la mecnica ondulatoria es costumbre uHlizar el nmero de onda k
siado complicado para que lo consideremos, nos ocuparemos nicamente de ciertas en lugar del momento p para describir los resultados del presente tipo de trabajo
los dos vectores difieren nicamente por una constante l/h, o
conclusiones importantes de este anlisis. Una de las conclusiones ms importantes
es que no puede producirse el movimiento de electrones en un cristal bajo condi- k=P
ciones que satisfagan la ley de difraccin de Bragg. h
n'A = 2d sen (J Cuando se expresa en tnninos del nmero de onda k, la relacin de Bragg se
convierte en
en donde 11 es un entero, A es la longitud de onda de los electrones , d es el espa-
ciamiento de un plano reticular dado , y (J es el ngulo de incidenc ia de los elec- k= ".
dsen O
trones, relativo al plano reticular dado. As, en la Fig. 3.M, aa representa un plano
reticular y e es el ngulo entre la direccin de movimiento de los electrones y este Recalcamos que k es un vector cuya direccin es la misma que la del movi-
plano; un electrn es incapaz de moverse a travs del cristal en la direccin indi- miento del electrn, y cuya magnitud es directamente proporcional al momento del
cada cuando)" = 2d sen e/ l1. electrn. Reacomodando la ecuacin anterior nos da
El hecho de que los electrones no se pueden mover en el interior de un cristal
en foona tal que satisfagan la ley de Bragg no es sorprendente. La relacin de ksenO=-; ".
Bragg nos dice meramente las condiciones bajo las cuales son reflectados los elec-
Sin embargo, la cantidad h sen 8 es meramente la componente del vector del .nmero
lOIles de onda normal al plano reflectante de Bragg, como se muestra en la Fig. 3.26
positivos para n = 1 ( reflexin de primer orden). La expreSin anterior nos dice que, siempre
,
'0 -----

> ' -
- '"e
k
'"e
Ir
~ 1
d

"'"
ilI
"'" - ,
'"
OrleJ1tadn de un plano !diculu

F'lG. 3..2$. Potencial peridico dentro de un criltal


_ fr/d. o cuando la componente
FIG. 3.26. .
La primera refleXIn , (./d)~ En
de Bragg ocurre cuand.o sen la - . U mues t n.o dos valores
Iiul"a
de " normal al plano de refle,oD es una co~stan e l ' dicln de Bragg
J. BIoch, F., Zdt" fs., Ph!l./h, 51 555 ( 1928 ); 59 208 (1930). diferentes de It que sallsfacen a con
,

111

o, O O O O, O O O /
P Teorto Elem.ental de lo. Me""" l"

0" " ' 0 0 0' 0 0 0/ / 0


'"' , , / /
juego de planos para los cuales ser satisfecha la condicin de Bragg es {llO}.
los segundos planos ms ampliamente espaciados en la estructura cbica simple .
O 0'0,9%0 O Investiguemos ahora especficamente las reflexiones desde los planos {lOO} con un
" I / poco ms detalle. La Fig. 3 .28A representa un sistema de coordenadas el cual se
O 0 0 0 , 0 /0 0 O O \ denominar espacio k. Cualquier punto, tal como m en esta figura , couesponde a
, '/
' /
un vector de nmero de onda especfico. La Fig. 3.28B muestta que el vector en
o--o--o--o-:::J,-o--o--o--o cuestin puede obtenerse trazando una flecha desde el oriJ,!;en de coordenadas al
",
/ , dOlO / (010) punto dado, y que si llamamos a este vector k su componente :x: ser k", y su com-
O O O O O, 0--0--0--0
', / ponente y ser k ll , En una red bidimensional como la de la Fig. 3.27, bay dos planos
O oppoo,o,o o
' ,/
/
{lOO} -horizontal (010) y vertical (lOO). La condicin de Bragg se satisface para
1 estos dos tipos de planos por todos los vectores /t correspondientes a la linea ABCD
O ,0 /0
/,(1
//11
O O O
"
'o'
,,0, O
en la Fig. 3.2.9. A este respecto, considrese el vector arbitrarlo /t' que corre desde
/ / I I ,, ' el origen del sistema de coordenadas espaciales /t hasta un punto sobre la linea AB .
o//0/ 6
o 6 0 0 ' 0 ', 0 Este vector forma un ngulo (f' con la horizontal y as{ tambin con los planos
(010) en la Fig. 3.27. De acuerdo con este dibujo, la componente vertical de este
/ ' <>
o~_~~,~~ vector, que es normal a los planos (010), es Tr/ d. El vector k' satisface en esta foona
-'\"' (110) la condicin de Bragg con respecto a los planos ( 010) y lo mismo puede decirse de
(110) todos los valores de k que caen sobre la linea AB y sobre la linea en. Adems,
puede verse que el vector /t", que termina sobre la linea BC, satisface la condicin
FW. 3.27. Una red cbica simple de Bragg para los planos (lOO). De consiguiente, las lineas AB y nc representan vec-
tores k para reflexiones desde los planos horizontales, y las lineas BC y AD los de-
los planos verticales. Todos los vectores, tales como /t' y /tI> que tocan ABCn, repte
que la componente de k resulta normal al plano reticular sea igual a Id ,_ sentan nmeros de onda que satisfacen la condicin de Bragg. Por otra parte, cual
satis! has 1 di . d B nrr ,serClU
ec ~ con Clones e ragg. Como los valores crticos de esta componente quier vector tal como km que no se extienda hasta el limite ABCn representa el
normal ~e1 numero de onda k varan inversamente con el espaciamiento interplanar movimiento de un electrn que no sufre reflexin. El rea en el espacio del nmero
d, es CVldente que los primeros planos que influirn sobre el movimiento de los
e1escttb~es sern aquellos con mayores valores de d: planos con los ndices Miller
m aJOS.
, Ahora, consideremos un ejempl d d'
como se muestra en la . 3 o e ~~ re cubica simple de dos dimensiones,

A,---- --+~------,8
planos {lOO} de esta ~~2~ condiCi6n de Bragg se satisface primero por los
con los collespondientes' valores deones que ocup~ estados de energa muy bajos,
de moverse en cualquier dire i6 k m~y peque.nos, sern capaces, en general,
segn consideramos a I el ce n a traves del cnstal sin reflexin. Sin embargo, I
se alcanza eventua1men: ectrones en estados de energa cada vez ms elevados,
planos {lOO} influye el m:~~:: donde la condicin de Bragg con respecto a Jos
de los electrones. Despus de esto, el segundo
..-+k
_ _ ..1.-_ - - --::
H,
-k, ---::7:- x

-d +-
m
I
m

-',------ +k.. -k.. _ _ _ _ _ ~_ __'__ _ +"


I
o L - - - - - _::-
.. _ _ _ _ e
-',
I -
-'y
PqP-ln
-
de
' _' ..
_w LO de
{Al

ond.
{.,
htd' ......etor.,p, e6.biea dmple bjd1menriotLal
FlCI. 3.29. La prlDle:ra zona de Brlllouin de Wla :red
11 en (B) .
I
IIU Principio. de Metalurgia Fsi~a

Teora. Elemental d.e lo. Met'.. 1'5

-
d

--
d
I
-k,,-
+k"
- 21!:
d 1
Fre. 3.32. Primera zona de BriUouJn de la red, cbica ceutrada en
son paralelas bien a {lOO) o {tU}

de onda encerra?o por la lnea ABCD se conoce como una mna Brillouin. En el
caso de la red cublca simple bidimensional considerada ahora, ABeD es la primera
zona. La se~da est. fo~ada por las reflexiones desde los planos (110}. y se
muestra en umn de la pnmera zona en la Fg. 3.30. Los lmites exteriores de 13
se~unda zona se dan por las lineas que conectan a los puntos E, F, G y H. La 'ZOna
-21[ mlSma est representada por las cuatro zonas triangulares sombreadas . Una pro-
d piedad interesante de las reas de Brillouin es que las diferentes zonas para un
cristal dado tienen todas la misma rea. As, las reas de las zonas uno y dos en la
Fig. 3.30 son iguales. La segunda zona tiene la misma importancia que la primera.
Cualquier vector k que caiga sobre el lmite de esta zona corresponde a una refle-
xin y a un tipo de movimiento de los electrones imposible .
.FIe. 3.30. Primera y 5eltUDda ZODas de Brillouin de una red bi En tres dimensiones, la primera zona Brillouin de una red cbica simple es un
e ca __
~le. La segunda zona
cubo (Fig. 3 .31). Las caras de este cubo son paralelas a los planos del cubo {lOO}
est sombreada
y representan valores crticos del vector del nmero de onda en tres dimensiones.
I Las zonas Brillouin de las fonnas de red regular, en la que crlstal1zan nonnalmente
los metales, se pueden deducir con facilidad de la misma manera que para la
", red cbica simple. En el sistema cbico centrado en las caras, por ejemplo, resulta
que en ciertas direcciones ocurren primero las reflexiones desde planos {200}, y
I
---"71 en otras direcciones desde planos {Ill}. La primera zona de Brlllouin de esta red,
,, /
la cual aparece en ]a Fig. 3.32, se forma, por lo tanto, desde superficies paralelas
a ambos tipos de estos planos.
', 1 .v/ /' 3.22. La dependencia de la energa sobre el nmero de onda. De acuerdo con ~a
: 1..-/ teora de Sommerfeld, la energia de un electrn est relacionada con el nmero e
.',,-1- - - .. -.,.c--
/'"
- -- __ .t.Y onda h del electrn por la ecuacin
/1' I 2 k2
E=
/ ' I
.tA" """""").---1----------:;; I
2m
en donde E es la energia del electrn, m es su masa, k es su nmero de onda y Ii

"""""" I
""-----+_.Y es la constante de Planck. . . una direc.
Ahora Jimitemos nuestra atencin a los electrones que V1aJan slo e)" El '
cin digamos paralela al eje x y por tanto normal a os planos ( 100 . numero
de o'nda de t~les electrones se representa por el smbolo Ir .. Y tenemos que
tz2 k 2
Ele. 3.31. Primera zona de BriUouin de UD.a red c6bica simple tTl,dhneD.ional E= x
2m
_. . I

106 PrincipiD8 de Metalurgia FrU!a



mostrada en la Fig. 3.33. En Particular. considrese una discontlnuidad especifiCA
tal como en 7r/ d . Aqu, segn k~ se acerca al valor cTtlco desde cualquier direcci6n,
comienza a cambiar la energa con lentitud cada vez mayor, de tal manera que la
curva que representa al estado de energa tiende a yolvene y a correr paralela a
ks o eje del nmero de onda. Al valor especifico -rrld, la energia tiene dos valores
representados por 1(>S puntos a y b, respectivamente, en la Pig. 3.34. !.os eleclroues
que viajan nonnales a los planos ( 100) no pueden tener una energia que caiga
entre el intervalo de a y b.
Ahora nos referiremos a otro diagrama que muestra la prlmera zona de BTillouin
de una red cbica simple bidimensional -Fig. 3.aSA. En el ltimo diagrama, se
han colocado dos puntos marcados a y b a lo largo del eje k... Estos puntos corres.-
_._--,::-:_ >..l..< '-----,---_
ponden a puntos simjJares en la Fig. 3.34, Y se destinan para mostrar que cuando
N1bnero de onda, 1\ se c ruza el limite de una zona Brillouin, ocurre una discontinuidad en los nive-
les de energa. Tales discontinuidades ocurren sin imp.ortar dnde se cruza la zona
Fr 333 En gfa de un electrn (moviJ:Idose en una .ola direccin) gTaficada como de Brillouin. Sin embargo, la posicin de la abertura en la energia, como puede
lO. . . fUIl:~6Il de 5U nmero de onda de acuerdo con la teora. del electrn libre verse en la grfica de la energa en funcin del nmero de onda, varia con la
direccin de movimiento del electrn en el cristal y, por lo tanto, varia con el punto
Esta relacin parablica entre la energa y el nmero de onda se muestra en forma
+k,
,, "Dl.Jecci6n 3
diagramtica en la Fig. 3.33, Y est basada en la suposicin de Sommerfeld de
que los electrones se mueven en un potencial constante. Cuando consideramos el +: /
k ,
movimiento de los electrones en un potencial peridico, la Fig. 3.33 representa /
/
todavia una buena aproximacin de la relacin nmero de onda-energia sobre la / ..... Din=ccl6n '1
mayoria del espectro energtico. Sin embargo, segn acabamos de ver, a ciertos I /
/
/
/
/

I /
/
valores critices del nmero de onda se rompe el movimiento normal del electrn, //
/ /
lo cual tiene el efecto de introducir discontinuidades dentro de la curva nmero de
-- /
/ .........
/
*1
onda-energfa. As, para electrones que viajan normales a planos (100), tenemos d
----7~,
-k
Dlreccl6n 1
n.
k =+
x - dsenO
aqu S es 90 y por lo tanto el sen s = 1, de manera que ke = n-rr/d, donde n
es un entero y d es el espaciamiento interplanar de los planos (lOO). De consiguiente, 1
las discontinuidades en la relacin nmero de onda-energa ocurren a intervalos
de .,,/d a 10 largo del eje ks. como se muestra en la Fig. 3.~. Obsrvese que segn -~
se acerca k a un mltiplo de 'lTld, la energa se desvia desde la parbola simple 1

I Direeci6n 1 Direccin '1 DI.Jecci6n 3


I
I
I
I

I
I
I
I
I

~
- I
I -" I -
I
1 -" I
I
I Il I
I " ~
I
I I
I
I ~ ~
I I I
I I I I
I I I
I I I
I b
I I
I
l'
I
o "
o o
"
N6mero de OIlda--'
-; o
Nmero de onda, h
,~
d
Nmero de onda _'0 NlDero de onda_o
,.,
de 10l dec~
Fto. 3.34. Variacin la direCcl6n del IIlOV~=-: de onda-enuia.)
L bertura en la energ1a "Varia con d. la parbola del 11 .......
de b . enera ra con el n/mero de onda de los electronea movindO$e en una I Fle. 3.35. a a 1 mitad po$itiva
lola direccin de acuerdo con la teora de :roDa. (Ntele que Illo s.e mue$tra a

I
-
108 Principios de Mdalurgia Fsica

Teora Elemenlol de lo. Mefalea 109
1 limite de la zona. Esto se debe a la magnitud absoluta d
donde se c.r~za e 1 . ero de onda, segn nos movemos a Jo largo del li .e los
d e num d
cambios enUcas 1 Fi 335A un vector enllCO .. e Inumero
' d e on d a tal como mUe
I
de
zona. Asi, en a gd 'los ~je5 principales del cris tal , ( lOO), corresponde at l ' qUe
es paralelo ~ uno d e da al cual sern reflectados los e lectron es en la red ~alor
menor del numero e on .. d 1 d . . cubica
, 1 b'd ' en,,'ona! ba,'o cOnsideraclOn. To os os emas numeros de onda er,','
Slmpe 11m k ' 1 k leos
,
para la primera zona son mayores que 1 como, por e!emp' 0, ~ y k ,,, los Cuales Ener:b
c trones que se mueven en otras dIreCCIOnes que las no
correspon d en a 1os e le k rmales ,~

efecto se ve fcilmente que ;; representa al nmero de


1
a! pano ( '00) En ' . d B 'U ' onda
crtico mayor para una reflexin de pnmera zo?~ e n OUIn El nmero de -----
'h o por tanto aumenta desde un valor mIJumo en el centro de uno d 1
ond a crluc " , . 1 e Os
lados de la zona bidimensional hasta un valor ~aXlmo en as esquinas de la zona
Correspondiendo a este cambio en el va.J~r, del numero de onda a lo largo del Imit~
de una zona hay un cambio en la poslcl~n ~e la abertura en la energa, como se
muestra en la Fig. 3.368, don.d7' se ~a~lca la energia como una funcin del n- Ener:ia
mero de onda para las tres posICIOnes mdlcadas donde se cruza el l.mite de la z
Obsrvese, sin embargo, que en 'cada caso slo se da la mitad de la curva n;~~
'B<
de onda-energa. Estas curvas muestran claramente la fonna en que cambia la Flc. 3.36. La d ensidad de estados eomo una funci6n de la enerlia ( A ) de acuerdo a la teolla
sicin de la abertura en la energ,a segn se vara la direccin de mOvimiento ~~i del electr6n librc. (B) la tcoda de mna
electron. Las aberturas en la energIa se producen
.,a los valores energticos ms b aJOs,
.
cuan do 1os e1ectrones se mueven en una dneCClOn normal a los planos {lOO} , varios puntos de inters. Primero, para pequeos valores de energa, la curv a de
los valores ms altos cuando los electrones viajan a 45 en relacin a estos pl~ nos.
0
y a la teora de zona es idntica a la relacin parablica de la teora del electrn
Co~o se. mencion previamente: la zona Brillouin de una red cbica simple en
libre. Segundo, segn aumenta la energa de estados, se alcanza eventualmente
tres dimenSIOnes es un cubo. AqUl, puede demostrarse tambin que las abe t un punto donde los electrones viajando en direcciones (100) comienzan a padecer
I ' ., 1 r uras las reflexiones de Bragg desde los planos {lOO}. En este momento, aumenta la
en a energla ocurnran a os menores valores de k cuando los electrones se mueve
d' ., 1 S' b n en densidad de los estados y la curva asciende sobre la relacin parablica simple.
una. uecclon (00). . m ~m argo, los valores mximos de k para el c ruce de
Sin embargo, por aumentos posteriores en la energa, la densidad de los estados
la prunera zona de Brilloum , en este caso, ocurrirn en las esquinas del cubo 1
que,. en tres dimensiones, corresponden a los electrones movindose en las :.~
disminuye y eventualmente desciende a cero. Este ltimo efecto se debe al hecho
recclOnes (111 ). 1 de que , segn aumenta la energa, disminuye el nmero de estados remanentes en
la zona.
B~23 .. La densidad de la curva de estados. Debido a que los lmites de una zona
3.24. Aplicacin de la teora de zona a las fases de aleacin. El lat6n es una alea
1 d o~m :cpresedntan una abertura en los niveles de energa permitidos para todas
das . necclones
I d e movimiento de 1os el ectrones, puede concluirse que el nmero cin de cobre y zinc. La mayoria de los latones comerciales. contienen "",:~nos d~
e ~lve es e energa dentro de una zona dada es finito o limitado, A este respecto
Pu e mostrarse realmentel ~ que e l '
, 50% atmico de zinc Y si contienen menos del 45 % de ZInc , la a1eaclon sera
cbica centrada en la cara. Sin embargo, a un 50 % atmico de zinc, se forma
d '
metal 'b' numero e estados de energa tanto en un una nueva estructura cristalina. Esta es la cbica centrada en el cuer~ y ~e .Ia
cu ICO centrado en el cuer
lamente igual a l ' d ' po como en uno centrado en las caras es exac- designa como la fase beta. Puesto que el cobre cristaliza en la estructura cubtC~
zona de estos me~aulme~b' e atomos en el metal. Por el principio de PauH, cada centrada en la cara y el zinc en la hexagonal compacta, la estructura beta es .~l
doble de electrones q '
es cu ICOS deber en e .
,onsecuencla, ser capaz de contener el ferente -de la de cualquiera de los dos metales puroS. En el sis~m~ de ~leaclo~
ejemplo, oro, plata /~o~!~m'::a hay en el met~. E~ metales monovalentes, por cobre
'ZI'nc 'e observan tambin otras importantes estructuras cn s.tahnas dlnterm -
. .. t centra o cerca
valencia suficientes para ne~ar lY e~ consecuenc~a, Justamente los electrones de ) das. Estas son la fase gamma (y). cuyo orden de composlcl~~ es a composiciones
e a mItad de la pnmera zona del 62.% atmico de zinc, y la fase psilon (d , qu~ es .esta e para cbica pero
omo resultado del hecho de ' .
en una zona dada y de h que hay un numero definido de niveles de energia cercanas al 75% atmico de zinc. La estructura ~stah~a .gam:a e~:ructura ' epsi-
mantener la simple 1 ~~e ay aberturas en la energa entre zonas no se puede es muy compleja y contiene 52. atomos por cel a unttana .
re aClon parablica , 1 d 100 es hexagonal compacta. 1 hallan estruc-
y 1a energa de estado en re a eosidad de estados en un metal riedad de otros meta es se
zonas. En la Fig. 336A ss en un metal cua n d O se considera la existencia de las Cuando el cobre es aleado con una va E observan tambien en
" f ., edias similares. stas se a!
En la Fig. 3.368 ~ mue ~ mUI estra la ley parablica pronosticada por Sommerfetd. turas cnstahnas o ases m erm d 1 mponentes es un met
zona . La u'l'tima cu ....'a :. ref'
ra a curva corres pon d'lente, d e acuerdo con la teona
' de ., d nde uno e os co
1 numerosos sistemas de aleaclOn en o
E t es particularmente cler o
. t en las aleaciones de
'b' ~ lere espe "f" cbieo centrado en las caras. s o , istemaS de aleacin en los
cu lca simple bidimensio al CI lcamente slo a la primera zona de una red
turaJeza de la forma de ~ , pero puede tomarse Como representativa de la na- oro y plata. La Tabla 3.4 enlista a la mayona de. IOSd'l 1 ,6n
. al' del upo e a .
energa para los otros CriS~ curva, de densidad de estados como una funcin de cuales se observan las estructuras cost IDas
I . beta En 19 , um
26 H e_RotherylG in-
el nmero lotal de estad des mas complejos. El rea bajo esta curva representa Considrese ahora la estructura del atan . h aleaciones corresponden
os e energa en '0<1 a 1a primera zona. Esta curva nene . diearon que las composiciones de la fase beta en mue as
-.. )'nor, C. v., An IntrodlolCUon to t~ E'-
'LlndOD. J947. ....ctron Theo~ 01 Meta". Tbe Institute of MetalS,
, ,. Hume.Rothery, W., J. Insl. Metals, 35 309 (1926) .
. " ~ .

------- -------------
Teoric Elemental de lo. Metal.. U1
enes a tomOS de 1.5. De1 esta ~
manera, den el
a una re1ael'6 n d e valencia de el ce f .
cbIca ce ntrada en e cue~y.....
. cuan o Se
les de energa no es igual en las estructuras cristalinas cbicas centradas
~ " ase
' b
SIstema ca re"n , e se observa la 'endo un el ce trn de valencIa '6 con
d un3 1tomo ve la cara y centradas en el cuerpo. Considrese primero la curva de densidad de
com bma
d '
' un to m o de cobre conteJll de va l ' . una proporcl n
enCla, e 1 e' cetro-
contero'cndo dos electrones la al eael'0"1 . De igual forma, en e SIstema
:~tados del cristal cbico centrado en las caras mostrado esquemticamente en la Flg.
e ZlDC
s de valencia por dos tomos en
ne . 'o-cobre se obtiene 1a estructura eu
al
'biea centrada en el cuerpo cerca e la
d

1 valencias respec ti'vas so n una y tres.


, 3.37A. En el cobre puro con. un solo elecn:.6n de valencia, s610 se ocupar la
itad del nmero total de mveles de .energla ( dos por tomo). Esto se indica
Umt.nl Al en donde as Final e t en este diagrama, por el rea sombreada. La aleacin de cobre con un zinc biva.
ro
frmula estequimtrica 3CU ' s oden a cuatro tomos. m. n e, en l nte eleva el numero de electrones por tomo y causa que se llene una mayor
Aqu sus electrones de valencIa corre posponde a Cu~Sn, o a un~ relaCIn de 6
el s~tema cobtc-estao, la fase ~ta t~=do la valencia del estano como 4.
aCCin de los niveles de energa disponibles en la primen zona. Cuando la re.
tomos a 9 electrones de valencia, lacin de electrones a tomos es alrededor de 1.5, las "ZOnas llenas ocuparn un

TABLA 3,4, ALGUNOS COMPUESTOS ELECTRONICOS,

Lat6n tipo beta Lat6n tipo gamm.il Latn tipo psilon


(electrones a (electrones a (electrones a
ttnnos ::::: 3/2) tamos ~ 21/13) tomos::::: 7/4)

Ag-Al Ag-Cd Ag - Al
Ag -Cd Ag-Hg Ag - Cd ,Al
Ag - Jn Ag-In Ag - ln Energa
Ag -Mg Ag-ln Au- Al
Ag - Zn Au-Cd Au - Cd
Al-Co Au-I n Au -S n
Al -Fe Au-ln Au - Zn Estados nenas
Al - Ni Cu-AI Cu -Cd
Au-Cd Cu-Cd Cu - Si
Au - Mg Cu-Ca Cu - Sn
Au- Zn Cu-Hg
Cu - A1 Cu-In
Cu-Be Cu-Si
Cu-Ca Cu-Sn , el
Cu-In Ni - Be
Cu-Si Ni-Cd
Cu-Sn Ni -lo 1.36 electrones por tomo ,-- 1.48 electrones por tomo
Ni - In Pb -Na
Pd - In Pd - Zn I Cbica centrada-~ .,-- Cbica centrada en el cuerpo
Pt -Be en la Cala
Pt - Zo

Para lUla lilta mil COmpleta, vaae MaJsalski, T. B., ASM Sernina.:r, Theory of AUoy Phcue.,
PiJ 70. Am. Soc. len: Metals, Cleveland, Ohio (1956).
,e 1
Energa

De manera similar, se puede demostrar que el tipo de estructura del latn


gamma (cbico complejo) corresponde a una relacin de unos 21 electrones a 13
tomos, y la estructura de latn psilon (hexagonal compacta) se obtiene cuando
Estados Uenos 'tOD'~
la relacin de electrones a tomos es cercana a 7/4. Debido a esta estrecha co- 1.5 electrones por eles de mUla
cbica centrada N lV d.i tel
uespondencia de las estructuras con la relacin de electrones de valencia a tomos, altos correspon en
estas fases cristalinas intermedias se conocen com{mmente como compuestos
= " ou t / ,m en la c6blca centtada
electrnicos. /' en las cuas

Un entendimientos racional sobre los compuestos electrnicos fue proporcio-


17
nado por Jones En l'esumen, su anlisis sobre la transformacin de la estruc-
tura alfa (e.c.ca.) a la beta (e.c.c.) en el latn (sistema Cu-Zn) se basa en ~l
'O)

hecho de que la densidad de Jos estados de energa como una funcin de los ro- cri.ullna detde la C'U'blu
-, Ca%llbio en la utructun
s en "'"' 1 tal como el latn
un. meta,
rr JODe., B., Proc. Pb,. Soc., .. 2SO ( 1937) . F!G. 3.3'1. El papel de l.as laZOc~ica centrada en el cuerpo en
centrada en la c:ua
~~-----------------------------------// -------------------
-
112 Principios de Metalurgia Fsica

, de estadOs semejante al mostrado eo, la Fig. ~.37B . A una _relaci6n de Teorig Elemental de lo. lUetolu 113
numero d 1 38 los electrones mas energticos comenzaran a Se
!ectrones a tomos e . 1 1 r re. la abertura en cualquier direCcin especifica 1 " ,
e os desde los planos {lOO}. El pico de ,3 curva, por o tanto, correSPonde segund a zona que d a muy por encima del . e 1 ruve de energta en el f on do de 1a
flecta~
aproxImadamente a es a
t relacin.'" Para relaCIOnes sobre 1.38, la energa de 1
d b "d I ""d o,
d
zona. Los niveles de energia en la 7.Ona se::::d e ene::ia superior de la primera
"d
electrones tIeo e a e levarse con rapidez e l o a que
al b a mtensl ad de estad Os altos que los de la zona primera y de ordinan. a son t Os considerablemente ms
disponibles c ae r PI'd am ente desde el pico. En .d otras p a ras, II contra menOr sea Ia
, ser capaz d e penetrar a la zona ' o
segunda , un
a menos
l
d e ecun en la zona pnmera. no
densidad de los estados, mayor ser I~ ,rapl ez en que se ene~ con electrones tacin relativamente grande. Generalmente Puede e que reciba una energia de excl-
"" al es, f o.-ando
adlclon " los electrones
' . adlclOnales a aumentar rpIdo las energas . ra es much o m as' e , eva d a, puesto que es del ord Suponerse
d que la energl, ne, esa-
" " b 1 curva de densIdad de estados para la 1 estructura cbica ""
serian sununlStra d os gen eralmente por vibracione en t e. varios electrn-volUos , que
Conslderese
"
3 ora a
centrada en e1 cuerpo q ue se muestra esquem tlcamente
"
. en1 a
b puesta sobre la curva correspondiente p ara a estructura cbica
F"
Ig. 3.37C' en normal. Esta condicin se debe al hecho de que
voltios ( temperatura ambiente). En la Fig 338B s ro
k;
esn;:c~ c:alqUier temperatura
,amdenle lJ.&o electrn
donde esta so , re 'd'" d b .. ' . , e muestra a ems un mtodo
centrad a en as c a "as ~ . El que esas curvas_ . no sean d 1 enocas se
Ie " e a que la PO. alternativo para d escnbu la relacin del nivel de enerola "on
. de estados en funcin de la ene ... I respectoIi a las dos
mera zona B n"11 oum " para el cristal CUbICO centra o en e cuerpo' b"no es Igual que zonas, Aqu , la densldad
parae , cnsac
"1 1 bico centrado en las caras . En la estructura 1 cu ICa centrada en . rg a se gra ca para las
dos zonas pnmeras, y se muestra claramente la separacin entre las dos zonas.
,
el cuerpo, as p n"mecas reflexiones de . Bragg . de los e ectrones 1"ocurren desde los
Ahora, supongamos .qu~ estamos interesados en un metal monovalente y que
"' (1I0) Y la primera zona Brillouln es por tanto un po ledro de 12 lados.
seIS p anos B ill" b" 1 " d cada una de las zonas Indicadas es capaz de mantener, a lo sumo, dos electrones
E t diferencia en las formas de las zonas r oum cam la e pICO e densidad
d s :a curva de estados a una energa ms elevada en el caso del cbico centrado por tomo. Co~o ,los tomos del metal slo contienen un electrn de valencia sim-
e~ el cuerpo. Esto quiere decir que el piCO de densidad en la curva de estados
ple por tomo, UnIcamente hay electrones suficientes para llenar la mitad de la zona
primera. Al cero absoluto puede suponerse que 105 electrones ocuparn la mitad del
aparece a una energa mayor en el caso del cristal c~bico centrado en el :uerpo
fondo de los niveles energticos de la zona Primera. Esto se da a entender en la
que en el cristal cbico centrado en las caras. Este piCO corresponde aproxlmada_
mente 10 a la relacin de electrones a tomos de 1.48. Fig. 3.38B, donde est sombreada la mitad inferior del rea, representando los
estados de energa llenos.
La caracterstica importante de la Fig. 3.J.7C es que cuando los niveles de
energa en la zona cbica centrada en las caras se . llenen has ta la extensin
mostrada en la Fig. 3.37B, un llenado correspondiente de estados en la zona c-
bica centrada en el cuerpo ( mostrada en la Fig. 3.3 7D ) dar como resultado un
descenso del nivel de energa de los electrones en los niveles de energa ms altos.
Esto significa que la estructura cubica centrada en el cuerpo se c onvertir ener- Densidad de De.n$h1ad de
, geticamente ms favorable a una relacin de electrn a tomo de unos 1.5.
En realidad , la teora de zona muestra que la relacin de electrn a tomo,
Nivel inferio'r
.!! en la zona 2;
(....-estados [lOO]
, estadO, [ 110 ]

donde la estructura cbica centrada en el cuerpo se vuelve la estructura ms ~ I


~
estable, no es exactamente 1.5. El hecho de que empricamente se observe esta
fase a una composicin cercana a CuZn condujo a los investigadores originales en
I
I
'-----.:~t=------/~I '-Nivel superior
I Abertura en la en la zona 1
este campo a suponer que la relacin 3 / 2 era la caracterstica importante de esta
fase. entre la lona

Las otras dos fases, gamma y psilon, pueden ser explicadas tambin median-
te la teora de zona , y para un mayor estudio en esta rea se recomienda revisar o o ,tilO
el artculo de Massalski.~o
I Nmero de onda
~.25.
Conductores y aisladores. Ahora estamos en una posicin donde podemos I lA'
apl~carlos principios de la teora de zona para explicar las diferencias entre
vanos de Jo Td b" " Estados lleno!!
s so I os len conOCIdos. Consideremos primero el caso donde la aber-
tura de energa entre las zona d " " ( l electrn por :itomo)
s pnmera y segun a es 10 suflclentemente grande para
que no haya sobreposicin de los niveles de energa en las dos primeras zonas .
Con el prop6 . to d il z
,. . SI e ustrar nuestro punto, utilicemos una vez ms el caso de la
red cubica Simple bidimensi 1 d ' d
d ona y, a em S, supongamos que las curvas numero e
on a en~rga correspondientes a las POsiciones inferior y superior de las aberturas
de energla son como se muestran en la Fig. 3.38A. Aqu, debido al gran tamao de

lO Raynor.
ol Metal G. V . ( 1947).
. London An lntrodu.ction lo t~ Euctron TI leOry o, MetoJ.., Pg. 55. The IJ'lstitute Energa

b Raynor. C.V., An Infrodu cti- .- t L


Metal., London 0941}. ..... .... ..... E'-~""""" ...... _
""~,,y, ,...,0""
." o, M"-cJb, Pg. 55. The
1 til ,_ "'
ns u ~
lB'
se mueven etl una sola di
Flc. 3.38. Cuando la abertura de la energl.a para elecr:nt:'aq~: lo. niveles de ellMela entre
)ti Ma lla''':I. T. B., ASM Seminar, Thzory 01 AUoN Pha.el, Pllie. 63. Arn. Soc. tor Metals, reccln es grande (como en [A]), puede 'resultar una,;" ,
Cleveland, Ohlo (956).
las lonas {como en
, I
-
114 Principios de Metalurgia Fsica
T..,.., '"-
.I:o<emenCol de lo, Melale. us
Carnpo elctrico
ky


-;, Nivel elJ.erl~ttco
t lnferlor en I ~ I
~ la zona 2. 1 - - ' - - -- __ /.j.-..Nh-et eru:f1~t1c:o .... penor
etl la _ a 1
I
I t I
Supuposict6n de niveles
--- 1 enerdtic:o. I
I I
-Ay
<.
(A) (B, Nmero de onda
(Al
De. 3.39. Efecto de un campo elctrico sobe la distribucin de estados de energa en la pri.
mera zona de BrilJouin (red cbica simple bidimenSional)

Cuando una zona s610 est llena parcialmente, como se muestra en la Fig. 3.38
el slido es un metal normal o conductor elctrico. Para que una corriente elctric~
pueda moverse a travs de un slido, los electrones deben ser capaces de moverse
dentro de los niveles de energa ms altos. Este es ciertamente el caso en el ejemplo
presente donde estn desocupados la mitad de los niveles de energa y cualquier
potencial elctrico aplicado puede ocasionar que se aceleren los electrones dentro
de niveles de energa ms altos.
Energfa
Tambin podemos visualizar la zona parcialmente llena de un conductor met-
lico en la forma de la Fig. 3.39A, donde el rea circular en el centro de la zona (Bl
, de Brillouin. representa todos los estados de energa llenos. El significado de esta FlG. 3.40. 'Zonas sobreimpuutu
rea es como sigue. Recordando que estamos tratando con un ejemplo bidimensio-
nal, el crculo muestra que los electrones poseen todos los valores posibles de k
hasta k", que corresponden al radio del crculo y al nivel de Fermi. Como la di- ser dos elec trones por tomo. Aqu, si todava suponemos una ampli~ separacin
reccin de un vector k es la misma que la direccin de movimiento de un electrn entre los niveles de energfa de la primera banda y los de la segunda, el slido cons-
la simetra de la distribucin de los valores k significa que los electrones se mue: ,
tituye un aislador. Los electrones no se pueden mover dentro de niveles de energia
ven en todas direcciones en tal fonna que no hay un flujo neto de carga. ms altos en la primera banda porque todos los estados estn llenos. Adems, nin-
~ora supongamos que se aplica un campo elctrico sobre nuestro metal bidi- gn potencial elctrico normal es capaz de elevarlos a travs de la abertura en l a
mensIOnal. El efecto de este campo ser acelerar algunos de los electrones y mover- energa desde la primera zona a la segunda. Si no es posible cambiar los estados
los dentro de niveles de energa ms altos en la direccin del campo. As si se supone de energa de los electrones, no ser posible entonces cambiar la velocidad prome-
re el campo es dirigido en la direccin positiva x, los electrones' con vectores
e onda que queden al lado derecho de la Fig. 3.39A se movern hacia niveles de ,
,
dio de los electrones, por lo tanto, no puede haber corriente elctrica neta.
La simple explicacin anterior muestra que la teora electrnica, que se fund
energa con componentes ms grandes de k en la direccin x como se muestra en el concepto de electrones libres en un metal, tambin es capaz de explicar por qu
en al Fig. 3.39B. Los estados que desocupan estos electrones se 'llenarn a su vez, ciertos slidos son aisladores. Estos materiales son, en general, los que poseen
por e ectrones en los estados con valores k justamente inferiores al gru~o primero. electrones que llenan completamente una zona de Brillouin y, al mismo tiempo, tie-
E ste proceso de promocin de 1 t d
d k e ec rones entro de los estados de energa con valores nen amplias aberturas en la energa entre las zonas llenas y las zonas qUe. quedan
le ., m s grandes, puede considerarse que se extiende por toda la distribucin de .
dltectamente .
sobre ellas. Un excelente eJemp Io 1o proporCiona
. Ia forma de diamante
e ecrrones ': el espaCio k. Como resultado, se cambia toda la distribucin en la for- d el carbono que tiene cuatro electrones d e val enCla por a. tomo en cada zona. Este
:~ moshtra . a eln d1a Fig. 3.39B. Lo que sucede efectivamente es que el ' crculo se .
es Justamente el nmero de electrones de v al eDCla
'
Decesanos. para lleDar por como
d bI
eve aCla a erecha . En esta nueva d'Isposicin para cada electrn con un
al . d k . O hay una COOSI era e
pleto la primera zona en la estructura de diamante . amo .I d
~ or e aumentando en la direccin del campo (~obre la derecha del circulo) abertura en la energa entre las zonas primera y segund a, el dlam ante es un a15 a oro
n~ys~tr? ~on ::n v1 0r menguado ( sobre la izquierda del crculo). Esta distribucin
cee .:re~~a e ve ocidades de electrones resulta en un flujo neto de carga en di-
II
Cuando un slido contiene electrones suficientes para eDar pod
r completo una
tli ca
. d d de un COD uctor me
el n e campo y constituye una COrriente elctrica. zona de Brillouin. puede poseer todava las prople a es .ci puede ser expli-
Provisto Que baya en una sobreposicin de zonas. Esta sabreposl n num
' ero de
Considrese ahora un slido que contiene justamente. los electrones suficientes
cada con la ayuda de la Fig. 3.40A, la cual muestra de n uevo las curvas
para llenar por completo la primera banda. En el ejemplo presente, esto podra
I
-
116 Principios de Metalurgia Finca
I
. para diferentes direcciones de movimiento
ond a-energl3 I en
b un cristal cbico s'ltnple
" " "al . E n el caso presente se .supone
bu!imenSlon d que a a -ertura en la energia Para do los movimientos sucesivos de los electro
e Iectrones qu e se mu even en una direccIn da a es pequena,
. al y que los estados e n Ia " fluid os por e 1 campo aplicado. En gene
son. m nesal dentro
1 de 1os estados deSOcupados

parte supenor
. de la primera zona tienen energa mas ta que la de los estados d
OB tr las n d el electrones se muevan dentro de los estados v:c~ne campo tiende a .causar que los
fondo de la segunda zona. La Fig. 3.4 mues a zo ~s corresPo,n ientes traza. tribuya como un elemento de corriente en la di~: e~ una direcclon tal que con.
das sobre un diagrama de densidad de estados. En esta fIgura, la lmea de Puntos embargo, para cada m ovimiento que hace I CCln del campo aplicado Sin
" di
direCCIn e campo aphcado,' un eectrn
hay un moVlIni t dent ro de un agujero en " la
que que d a so bre la recrin donde se sobreponen las zonas representa la Suma de Ias
I

t
...
cun'3S de densidad individual.
S upongam os ab o," que hay electrones .
.
suficientes
' para llenar la Primera lOn a,
I " Por lo tanto es POsibleen o inverso
desocupa d o o aguJero.
' e mueve
id
de un con d u ctor de carga POsitiva' porque s cons eraraun agujero
en
Correspon d"lente del esta.do

di '6
" en el sentido
un electrn cargado negativamente Con freco ' reCCI n OPuesta a la de
entonces de) b "do al solapamiento en los nlveles de energ13, algunos. de los electrones "
de Jos agujeros en l a b "mferior a la COndenC1a
anda ti :d sed describe 1a contnbucln .
pasarn a la segunda zona, resultando q~e ambas zonas estaran llenas al mismo trminos del movimiento de estas partculas f' utic . '0'1 a de un semiconductor en
nivel de energa. Esto se muestra en la FIg. 3.40, donde el rea sombreada indica IC Clas cargadas en fa .
En un semtcOnductor intrnseco la conducti . d d fina POsitiva.
los estados llenos. la temperatura porque con ello au~enta el nm: a aumdenta con la elevacin en
ro de con Uctores de ca
Es posible la conduccin elctrica en un slido del tipo indicado en la. Fig. 3.40 I
mero de e ectrones que se mueven a la banda s pe . rga ; el nu
'
porque hay estados de energa desocupados en ~bas zonas directamente sobre los . u nor crece Con la eleva " 1
temperatura. E I numero de electrones que SOn excitad ' clan en a
electrones en el nivel Fenni ( estados llenos mas altos). Otro hecho que debe ser la banda superior, o banda de conduccin como se le Ila os t n;nicamente dentro de
con un f actor BoI tzmann d e I a fonna e -!J.I>kT donde Al:'ma , vana
21 aproximadament
mencionado es que los electrones pueden cambiarse fcilmente de una zona a la I _
otra en este tipo de slido. Un electrn que ocupa un nivel alto en la primera , k I ' <U:. es e tamano de la abertura
de la energ13 y es a constante de Boltzmann Esta clas d 1 "6
zona puede cambiarse a un estado de energa equivalente en la segunda zona, sin un . . . . e e re aCI n funcional
aparecera en seCClOnes POstenores de este libro en cone"6 . .
..... n Con Cierto numero
gran cambio en energa, si slo se cambia la direccin de su movimiento, esto es, de otros f en 6menos que ocurren en los metales. Por abara es f" Id"
desde (100] a fUO]. Tales cambios en la direccin del movimiento pueden ser oca- '" d I ., su le ente ecrr que
representa una rapl a e evaClOn en la conductividad con la temperatura. Adem.1s,
sionados fcilmente por el efecto dispersor de las vibraciones reticulares. debe record.arse que, en general, las conductividades de los semiconductores son
muy pequen as cuando se las ;ompara c\Jn las conductividades de los metales. Slo
3.26. Semiconductores. En la seccin precedente se mostr que los aisladores
si kT es del orden de ~E podna esperarse que un semiconductor tenga una conduc-
poseen zonas llenas separadas de las zonas desocupadas por aberturas en la ener- tividad comparable a la de un meta] normal. pues si suponemos que .lE es alrededor
ga relativamente grandes. Al mismo tiempo se indic tambin que si las zonas de % electrn voltio ( un valor razonable para un semiconductor), se requiere una
se sobreimponen (abertura de energa cero) el slido tiene las propiedades asocia- temperatura del orden de 6 OQQ"K para hacer kT igual a este valor de l1.E. Es-
das normalmente con un metal, aun cuando tiene electrones suficientes para ta temperatura , sin embargo, es suficiente tanto para fundir como para vaporizar
llenar la primera zona. Los slidos semiconductores representan un caso interme. todos los elementos conocidos.
dio, uno entre estos dos tipos elementales.
Una caracterstica interesante de los semiconductores intri:nsecos es que su
Los semiconductores toman dos formas bsicas: intrnseca e impura .. conductividad aumenta con la elevacin de la temperatura. Esto es opuesto a la va-
Un semiconductor intrnseco, del cual nos ocuparemos primero, tiene la dispo- riacin de la conductividad en los metales, donde el aumento en la temperatura de
sicin de zona de un aislador tpico, slo la abertura en la energa es de menor crece normalmente la conductividad. En el caso de conductores metlicos, una red
magnitud que en un aislador tpico. As, refirindonos a la Fig. 3.38, un semicon. pedecta no deber ofrecer resistencia al movimiento de electrones al cero absoluto.
ductor intrnseco tendr una primera zona llena con una abertura angosta entre A una temperatura elevada sin embargo, las vibraciones tnnicas de la red cambian
la primera zona y la segunda. Al cero absoluto esta clase de slido tiene las pro- constantemente a los electr~nes de un estado a otro en los estados cercanos al nivel
Fenni. Esto tiene el efecto de tender a destruir el movimiento ordenado de los elec-
.
piedades .de un aislador tpico. Sin embargo, segn se eleva la temperatura, la
"

e?ergl a tenmca petnute a los electrones saltar sobre la angosta abertura en la ener trones impartido por un campo elctrico y conduce a una resIstencia al flujo de la
gla y entrar en la zona desocupada. Cuando esto sucede el slido se vuelve un corriente elctrica. Las vibraciones trmicas, en consecuencia, aumentan la resis-
dbil conductor de electricidad. La habilidad de un semic~nductor intrinseco para tencia de un metal, mientras que la hacen decrecer en un semiconductor.
conducir corriente elctrica depende de dos factores . As, cada electrn que se mueve 3.21. Semiconductores impuros. Al ha bl ar d e semlcon . d uctores . es prctica usual -
a J~ banda supe~or deja un estado energtico vacante, o agujero, en la banda in. llamar banda de valencia a la banda inferior y a la superior banda d~ con~,~cc en "
fenor , y la habilIdad de un semiconductor para conducir electricidad depende de . t er niveles energucos UL3cte tos
Los semiconductores impuros se caractenzan por en 1 d duc
Jos electrones. que. son eleva~os a la banda superior y de los agujeros dejados atrs que quedan en la abertura de la energa entre la banda de valencdia Ytoa e ~.~
en la banda mfenor. Es eV1dente el hecho de que los electrones pueden conducir .. . . ' . dos con la presencia e mos ... ,....~-
Clan. Estos niveles energeticos estan aSOCIa I sili"cio y el
corriente cuando se les eleva a una zona de Brillouin que de otra forma estara . d tares impuros son e
desecu pad a. . en la red. Los ms importantes de los semlC:~n uc de la tabla peridica que
gennanio. Ambos elementos pertenecen al IlUsmo grupo e resultado tieneo
. La contribucin de los agujeros a la corriente puede ser explicada en la forma si- el carbono y cristalizan en la red covalente del diamante. bemturas en la 'energia
guIente. En general, cuando hay un estado desocupado en una zona que de otra
una estructura .
de zona similar a Ia d eI d"lam ante " pero las a r~ as que la abertura
founa es.tara llena , este estado puede ser llenado casi a voluntad por electrones entre la banda de conduccin y I a d e v ale n cia. son mas dpequen
alrededor de 0.74 eleco
de energJa casi igual en estados adyacentes. Sin embargo, cuando un electrn se del diamant~. Los tamaos en abertura respectlvos son e
mueve dentro de un estado desocupado, se forma el estado que deja dentro d~l Hill Book ComPaoY, lile New York,
.,
21 SI.ter, J. C., Qua1ltum Th~OTJI of MatteT. McGraw
e5tado desocupado. Ahora, cuando se aplica un campo elctrico a esta fonna de sli 1951. PAr. 292.
I
-
118 PriIlCipiol de MetAlurgia Fieo

_ ara el getmanio,::!' :u 1.10 electr6n-vo~~os para el Sil!cio,u y 7 elecb:6


uoo:-volcos Pel diamante.u El diamante est claSIficado como alSlador debido a Q..
voltios para tica mientras que el tamao moderado en las aberturas ~
el :1~~ el' .....nnanlO hace posible clasificar a estos elementos co e
gran abertura
energia en
. .
ClO Y
semIconductores Ul__
0--
trlnsecoS. A temperatura
; am
b' te '
len1 , SIn em
b
argo,
. bl su
m.
CODductiU-;d
intrnseca es extremadamente baja y solo se vue VC aprec,. be. cuando se les ca.
T ad I
.... u de
. _. de varios cientos de grados sob re a am lente. En efecto 1a r -~-
lienta a tempera..........
d '"d d asociada normalmente con estOS elementos a temperatura ambiente
con U CbVl .3 .. _ como debida primordialmente a la plesencia de tomos im:..... -... -+
puede conSld er..... __
en estos elementos.
r ........." Nivele
~ptan ...
~
Abonun m
En total, hay cuatro elementos que crist~Iizan .en la estructura de diamante : la m.,.a
carbono ( diamante ), silicio, germanio y estano ( gns). Cada uno de estos elemen_ 77
tos posee cuatro electrones de valencia. Hay d.os formas de interpretar sus estruc-
turas cristalinas. Primero, desde el punto de VISta covalente, podemos SUponer que v., Ba..odt; de
cada tomo est enJazado a sus cuatro vecinos ms cercanos por enlaces covalentes r/ valmrla.
couespondiendo cada enlace a un par de electrones compartidos. Alternativamente:
de la teora de zona, sabemos que los enlaces poseen suficientes electrones para I
llenar la primera zona y que en el diamante, silicio y germanio hay una abertura F:w. 3.41. Nivele. aceptantes en UD __
"""conductor b:nPIUO
energtica que separa la zona de valencia de la zona de conduccin. Es interesante
observar, sin embargo, la creencia de que estas zonas se sobreponen en el estao medio alternativo para que los tomos impuros Puedan c trlb 1
gris; un efecto que da a esta estructura las propiedades de un conductor metlico. de semiconduccin. 00 Ulr a as propiedades
Ahora consideremos especficamente los elementos silicio y gennanio. Supngase Supngase un tomo con cinco elecUones de valencia (P, As, Sb, Bi) que es
que un tomo con una valencia de tres (B, Al, Ga, In) es sustituido en el cristal sustituido dentro de la ~ de un cristal de gennanio o de silicio. En cualquiera
de uno de estos elementos por uno de los tomos del silicio o del germanio. Se de los casos, cada tomo ltnpuro contribuir con un elecno ms de los neoesarlos
supone as que uno de los tomos impuros ocupa una de las posiciones de la red para formar los cuatro enlaces covalentes por tomos en el slido. Desde la zona
que normalmente sera ocupada tal vez por un tomo de silicio (o de germanio). o teoa de banda, este electrn extra quedar en un nivel energtico que est muy
Como el tomo impuro slo contribuye al cristal con tres electrones de valencia, por encima de los niveles asociados con la banda de valencia J que, en general,
habr UD electrn menos en el slido que el nmero requerido para dar a cada cae justamente debajo de la banda de conduccin. En la Fig. 3.42 se muestra la
tomo cuatro pares de elecuones compartidos. Como resultado, un enlace covalente posicin de estos niveles energticos, donde se les designa como niveles donadores.
del slido debe tener slo un electrn de valencia simple. Partiendo del concepto de En la Tabla 3.4 se da la diferencia energtica entre el fondo de la banda de con-
zona, esto tiene el efecto de crear tm nivel energtico desocupado, el cual, en duccin y los niveles donadores para algunos de los elementos con una valencia
general, queda ligeramente sobre el estado energtico ms alto en la banda de va-
lencia. La posicin de este nivel energtico relativo a la banda de valencia se TABLA 3.5. ABERTURAS DE LA ENERGIA EN SEMICONDUCTORES
muestra esquemticamente en la Fig. 3.41. La magnitud de 1~ abertura en la IMPUROS
energia entre la parte SUperior de la banda de valencia y este nivel desocupado,
que gleneralmente se conoce como un nivel aceptante, se da en la Tabla 3.5 para
un numero de elementos trivalentes. La tabla muestra que la magnitud de las En el gellltanio En el silicio
Impuro
aberturas es alrededor de 0.01 elect:r:n-voltios, la cual es del mismo orden que el
:!or de hT a ~~tura ambiente alrededor de Y40 electrn-voltios. Como el l-
o da una estimaCIn de la energa que las vibraciones trmicas pueden impartir
AbeltuTa de la eneTga entre el nivel aceptante
a un electrn' es evidente que 1a energa " . . . elec- y la banda de valencia
te.II!lca puede rPIdamente excitar 0.0104 0.045
B
tr"':-es desde la banda de valencia dentro de los niveles aceptantes a temperatura 0.057
amUfente Cuando esto sucede d . . Al 0.0102
detrs d 1 ,se eJa un nivel de energa vacante o agujero 0.0108 0.066
e a banda de valencia. Como los agujeros en la banda de valencia son G.
0.0112 0.16
capaces In
los 've! de conducir corrientes e1ctricas, 1a eXCItacin
' de electrones dentro de
~ des aceptantes da a los slidos la habilidad para conducir comente. Un de la ener-ga entre el nivel dCruldor
seUllcon uctor que exhibe conductividad causada por los movimientOs de los aguje-
y la banda de conducci6n
~ en la ban~a de valencia .se denomina semicoitductor tipo p, en el supuesto 0.0120 0.044
e que se conSidere a los agujeros como cargas positivas. Debe indicarse aqu un P
As 0.0121 0.049
0.0096 0.039
Korin, F. J. F M"lta, J, P., Ph". Ikv. t( lSU: (1955) Sb
:10;
I hn son, E. Lo 7 Chrbtlan. S. M... Pltp. Rn. t5 seo (1954)
.. 1", F. J. y Kaita, J. P., PIt. Ikv.. ti t8 (1954).
.

I[h.Wen, G .L
. . ] otU". C '-
_ . Plt.... J S60 (U"'i). J. A., Phytff:4. Vol. " (1954), P,," 845-
Segdn Hob.letter, 1. N., Datos de BwlOD,
f~. -------------------

Principien de Metalurgia Fwa I


, ,
Teora Elemenlal de lo, Metate.
comparables tambin al valor de kT a temper ,
d e e neo. Estas aberturas sondemos suponer que 1os e 1ee trones que ocuparana Uta ~etizados espontaneamente y sOn capaces d
rna~. , e retener un
ambiente, de manera que POexcitados en gran cantidad a temperatura amb' nOr_ manen te. Cuando se reUca el campo H de esto momento magntico
al t estos nive les son l b d d lente pero necesanamente.
. E sto no es CIerto
' s materiales ' M no deSClende
en el caso dI ' a
m men e . 1 banda de conduccin. En a ah a e conduccin 1
dentro de los nl\/eles de ala terial la habilidad de conducir una comente elctri'. Os aramagnticos. E n este caso, cuando se retira el cam
ce< e os materiales d'lamagntlcos y
I
e ectrone
s excitados dan roa . d b'
b biJidades conductoras de corrIen te e Idas prirnord' I
Los semiconductore,s, ~:n ele~trones excitarlos desde niveles ~onadores dentro de l~ .
Ca. , p.
cln.
La susceptibilidad magntica de un material es
PO, desaparece la magnetiza.
d'

I
3
mente a la pre sen':l se conocen como de tipo n , o semIconduc tores negativo a
banda de cond UCCI n , s. I ter
.
izar su comportamIento
. d'
.
magntlco. Un material un
biUdad negativa hen e a redUCir su flujo magntico B
d' me la. convenic
.
lamagnettco con
.
n t e de carac.
una Suscepti.
de campa H, en tanto que una susceptibilidad POsitiva Uasocdlado con una Intensidad
.
3 Z8 Magnetismo, . metales
El fenmeno magntico en d t yd'aleaciones
. tiende a ser
" 1 a mayor a d
.. d
ti onstituye justamente una area e es u 10 Importante. Conside- 36 se claSifica e i os elementos metlic. eneaelevarloEnl. a Tbl
a a
muy
raciones de ca
comp o ~ c no nos penniten ms que indicar la naturaleza del fenmen o
espacIo
c~n sus susceptibilidades, os ImpOrtantes , de acuerdo
Hay tres forma s importantes en las que se produce I
bsico. . l ' ' " U n e1ectrn que se encuentra ne os 'b'
momentos magntico,
La prople, da d mas' peculiar de cualquier matena magnetIco
bl es su
l momento mag'
en una escala atomlca.
ncleo tiene un momento magnetico , n or'OtIta alrededor
dipolar, El movimiento I d de un
" E l mom en'o magntico es una cantidad mensura
netico. . , e y se d a designa
d .por el
I smbolo p. Cuando se consideran los efectos magnetIcos qU,e proce en e los atamos
' d o con el momento magntico dipolar F' ac
trn esta, asocIa I ona e un .elec-
' . un momento angular y produce un mamen,
mismo posee tam b len . lOa mente,' ti el nudeo
'
y eI ectrone,S que se encuentran apilados, como. . . en un 'dcnstal,
d d resulta
I conveniente
.
pensar en enn . inos de un momento magnetico porl um a '1e vaMumen. Esta can. Los momentos magnticos nucleares son mucho menores queo lo magne 1ca dlpolar '
. . . s resu tantes del
tidad es dada por el smbolo M. En la mayoria de os matena es, , es cero cuando movimiento . rotaCIOnal electromco o del movimiento orbital de los electrones, El
no hay campo magntico. Sin embargo, si se colocan esas sustancIas en un campo momento angular en todos estos casos es del mismo orden. Sin emba,
magntico, se encuentra que mento angular varia" "101 d ande ./U
segun.,m
es una masa generalizada (por ej.g,emo-
, momento
M=XH l de inercia en un sistema giratorio) de la partcula , y 101 es su velocidad angular.
Debido a que la masa del neutrn es del orden de 103 mayor que la del electTn ,
la velocidad angular asociada con el movimiento de las cargas sobre el ncleo tiene
donde se conoce al factor de proporcionalidad x como la susceptibilidad magntica
por unidad de volumen, y H es la intensidad del campo magntico. La literatura que ser mucho menor, Como resultado, no podemos considerar ms el momento

I creada en el campo del magnetismo tiende a usar la unidad gaussiana o gauss


tanto para M como para H2fl.
magntico nuclear,
El diamagnetismo es producido por un efecto anlogo al que ocurre en un trans-
fonnador de ncleo de aire cuando se cambia la corriente en la bobina primaria.
La susceptibilidad X puede ser positiva o negativa. Si es negativa se clasifica
I al material' como diamagntico, Las susceptibilidades diamagnticas son normal. El cambio efec tuado en la intensidad del campo magntico H produce una corrien.
te en la bobina secundaria que se opone al cambio de flujo (ley de Lenz ), Cuando
mente pequeas, Si son positivas y pequeas, el material es paramagntico. Unos
cuantos materiales, tales como el hierro, tienen susceptibilidades muy grandes y los electrones en movimiento son sometidos a un campo magntico, sus momentos
se clasifican como fenomagnticos. Adems, los materiales ferromagnticos son angulares pueden ser cambiados de tal manera como para que se produzca un
componente de campo que se oponga al campo aplicado. Este efecto produce
una fuerza que acta para mover un material diamagntico afuera de una regin
donde el campo magntico es fuerte y adentro de una regin donde el campo es
ms dbil. Una varilla delgada de un mateTial diamagntico, tal como bismuto,
cuando se suspende en un campo magntico, tiende a fijarse a travs de las lneas
Banda de de fuerza. Fue por esta razn que Faraday llam d~amagnticos a los materia-
conducci6n les de este tipo (del griego dia que significa a travs de),
, Hay dos fuentes bsicas de diarnagnetismo en los metales . Primero, un cam~
,
aplIcado 'b
puede inducir un cambiO le en el mame nto dipolar de un electron
observa _ '
Niveles
donadoru
Y' Abertura en
que orbita en un ncleo causando que la or
del campo. Esto equivale a un cambIO
'b',
1 a d e l e lectrn preceda a la dlreccl nl
. en su mamen to angular . Segundoosenelectrones
un meta
la enerRi a
'
Con electrones hbres el campo magne','ICO aplicado puede causar que producir
'/ en el gas electrnico' alteren sus mOVlrnlen
, ' , os de tal manera como para
V
Etlados ~ ,
un efecto diamagntico.
, d o con 1os momentos
., de una clase
UenOl ~ Banda de El para magnetismo est asocia . . magneticos
licado y los mamen.
'/ valencia dlstmta.
' 'l ica una interaccIOn
Imp "t en re el campo magnetlco ap vimiento de rotaclon .'
:. '/~
tos magnticos que posee un electrn como resultado de su mo Jos magnetos ele-
o de su movimiento orbital alrededor d e su n cleo
En este cas ,
agntico. De esta roa-
Flc. 3.42. Niveles donadores en un semicondUCtor impuro mentales tienden a alinearse por SI, mIsmo
' s con el campo m rbita Si el cam po
nera considrese un tomo con un e1ec ron viaJ ando en d' una<mtico' . en tanto que
:11 XJttel, e.. 1--04"'" I aplicado causa que el electrn preced a, e" I res ultado es lama....ponente de, su mamen lo
$0 id Sta~ PhM.ic.,
1966, PA,. 429.. 'O.' .... 1m ....
10bn Wiley ud Son" Ne" york, SI'1 a orblta
' . atmica gira de tal manera que aumente la com
I

I Principios de Met4lurgia Fisica


1
, Teora Elemental de lo. Meta'e. UJ
TABLA 3.6. PTmlUDADES DE MASA DE ALGUNOS ELEMENTOS MEr
SUSCE IJCOS, x X 106 UNIDADES c.g.s. A.. e mo se puede deducir de la Tabla 3.6, debido a que el po' __'
. ola mayor contrlbuc1
. 6n dI ....... o ea
e POtasio al magnetismo es el .",ama ..Plltaman~
ti
nco, d d 6 La magnitud de eate ef-- e lInO a">
Param.agn,ticOs Diamagnticos Fet'T07nagnhico - d Con los electrones e con UCCl n.
a da o h ..... .., PUaIDagDetlco
'n embargo, muc o menor que el que se podria P.edecir sobre la b d l
E/emenW Susceptibilidad E/ementO EIe=nto SusCeptibilidad: I
~is~~a teoa del electrn libre. Pauliu ha mostrado que la disbibuci:~~
_. de los electrones en los estados de energia da una respuesta
Cobre -0.09 de FellLU 1 al que et~ en
0.22 }fiena cho mejor acuerdo con e v or observado. Como esto representa atta apll 160
::cUla pero significativa de la teona de banda, ser considerada brevemen:~
Cesio

I TungsteDO
PotasiO
Magnesio
0.32
0.53
0.54
Silicio
Plomo
Oro
-0.11
-0.13
-0.14
Cobalto
Niquel El momento dipolar magntico de un solo electrn es
Aluminio 0.61 Mercurio (s6li do) -0.17 en
Torio 0.66 Zlllc -0.18 JJ.8 = 2mc = 0.93 x lO-lO erglo / gaussio
Sodio 0.70 Plata -0.18
Platino 1.04 Cadmio -0.31 donde 11 es h/2-rr, e y m son la c.arga y la mas~ del electrn , respectivamente, y e
Circonio 1.30 Indio -0.56 es la velocidad de la luz. La cantidad di /2mc SltVe como una unidad de fuena di-
Uranio 1.7 Antimonio -1.10 polar magntica y se la conoce como el magnetn de Bohr. En un campo magntico,
I Molibdeno 1.8 Bismuto -1.30 do el vector de rotacin es paralelo al campo magntico, la energa del electrn
Niobio 2.20 ~s~uye en una cantidad Jl~,
donde H es la intensidad del campo magntico.
Tecneclo 2.9 Cuando un vector de rotaci~n es antiparalelo al campo. magntico, la energa di$-.
Titanio 3.0 . uye en una cantidad eqUlvalente. En un gas electrruco conteniendo N e1ecttones
Cromo 3.1 UU;;oK los electrones ocuparn los estados de energia N12 de la energa mAs baja.
Vanadio 5.0 ~ mitad de estos electrones tendrn movimiento de rotacin negativo, y la otTa
Paladio 5.3 . d tendr movimiento de rotacin positivo. Ef:te hecho se representa en la Fig.
Manganeso 11.50 taA donde el rea sombreada sobre el eje horizontal repre;enta los estados acu.
3. 43
nll

Estados ocupados por


electrones con rotaCin Electrone. con
Datos compendiados del Handbooh of Phyricochemical Propetle, of the Elemenb. editado
negativa ,.-_ rotaci6n negativa
por Sam.onov, G. V. Plenum PublUhmg Corp., New York. 1968, Pi.... 338-353.

angular a lo largo de la direcci6n del campo, el resultado es paramagntico. Ambos


efectos pueden ocurrir simultnemente. En la ausencia de un campo magntico,
t
~
t
el momento dlpolar paramagntico neto es cero debido a que los magnetos elemen-
tales tendrn una orientacin al azar. La aplicacin del campo tiende a aUnear los
'"
magnetos elementales en la direccin del campo, aumentando con esto el flujo.
Electrones con
Es bastante posible para un tomo en un estado slido no tener componente Estados ocupados por rotaci6on positiva
dipolar paramagntico neto. Asi, considrese un elemento ga.s noble, tal como el electrones con rotaCin
, B)
argn. En este tomo con capas compactas, los electrones en sus rbitas producen positiva
momentos magnticos que se cancelan uno al otro. Al mismo tiempo, el componen-
Electrones cob
te paramagntico debido al movimiento rotatorio de los electrones es tambin
rotacin D"~
cero. Esto es porque en las capas llenas hay igual nmero' de electrones con dos
tipos posibles de vectores rotacionales. En consecuencia, tal tomo es diamagntico,
como se puede ver al examinar la Tabla 3.6. t
El tomo prximo despus del argn en la tabla peridica es el del potasio, el
cual tiene un simple electrn de valencia afuera de la capa compacta caractenstica
del argn. En la forma sllda, los electrones de valencia fonnan un gas electr6-
~co que ocupa el espacio entre los iones de POtasio. En este caso, la susceptibi-
lidad ~s el re.sultado neto del paramagnetismo de la conduccin o electrones de ::~::':~va
~alencta. el diamagnetismo de estos mismos electrones el diamagnetismo de los ,e)
Iones y o~ varios efectos. u Es obvio que aun en este ~etal tan simple, se agrande -"_,, da:tIO de 1M
la compleJidad del fenmeno magntico. 1 distrlbuci6n de 101 eJec:U'd''''
FuI. 3.43. Efecto de un campo magDtico sobre a t i6n po.i.tivo ., BefaUYO

,....
estados con lDOV;mi...,tos de ro ac

PanU, W., PhttzUr.. 4J 81 (1~").


-
I

124 PriRCipioa de Mdalurgia Fico


Teori4 EI~menlQI de 101 U elalu 125
pados por electrones con rotacin negativa, y el rea correspondiente por debajo tatono. Esle problema ha sido resuelto en forma eXperim tal .
del eje representa los electrones con rotacin ~sitiva. ~n presencia de un campo ~~6n del mom~nto dipolar ma~tico al momento angular d:nlOS midiendo la rela-
magntico estos electrones con rotacin nega.t~va s~. almear.n paralelos al cam_ les en matenales fenomagnncos. Esta relacin se Con....... magn~tos elemen_
po magntico, mientras que los que tienen TotaclOD pOSltl~a se alm.earn de ~na. direc- tatica y es da d a por e l s imbol o p . L a teona
' predice que""'"
pata I tr giro ,t.ag
como relactlt ,-
cin antiparalela. La energa de cada electtn con rotacIn negatIva ser dlsmmuida n _ m / e y para un electrn en rbita , p = 2mle En los mate ~aln e lec n rotatorio,
as por H y la energa de cada electrn positivo ser aumentada por ~HH. Esto se p -, nf" bl d . n es enomagnticos
1a s mediciones ro s co la es an un valor de relaci6n ~- ti '
ilustra :~I la Fig. 3.43B por el desplazamiento de dos reas, representando los esta_ di.
-le de manera q ue se pue e conc UlI' que el ferromagneti--o
s .... umagn ca cercana a
ult "
dos de energa de los electrones con rotaciones negativa y positiva en relacin de ". , de los momentos d"lpo1ares d e los electrones rotatorios.
mente ".... res a primordial
unos con otros , por una cantidad de 2p"H. La situacin representada
. .
. . por la Fig.
3.43B es ines table, porque hay algunos electrones con rotaclOn positiva ocupando
A una temperatuTa dada, la magnetizaci6n que se puede oht
. ener aumentando
la fuerza ~el campo tiene. un .valor mximo .. Este se conOCe como la magnetizacin
niveles de energa que quedan sobre el nivel de energa ms alto ocupado en los de saturacin. La magnetizaCIn d_e saturacl6n es tambin una funci6n de la tero.
estados de energa asociados con los electrones de rotacin negativa. Esta situacin peratura, como se muestra en la Flg. 3.44, Y alcanza un valor m4ximo al cero abso-
es rectificada por algunos de los electrones con rotacin positiva c ambiando sus luto. Con el aumento e n la temperatura, la magnetizacin de saturacin disminu .
nmeros cunticos de rotacin y movindose dentro de los niveles de energa dis- " " " 6n se vue1ve progresIvamente
y esta dismmucl "s ro rpida segn la temperatura ye ,
ponibles en la banda superior de la Fig. 3.43B. La distribucin resultante de los se acerca a una temperatura Te' conocida como la temperatura de Curie. Sobre la
electrones en los estados de energa se muestra en la Fig. 3.43C. Ntese que co- temperatura de CUrie el metal ya no es ferromagntico, sino paramagntico.
rresponde a un exceso de electrones con rotacin negativa; esto es , con vectores La Tabla 3.7 enlista algunos datos magnticos pertinentes para los tres e!emen-
de rotacin alineados en la dJeccin del campo magntico. Para cada electrn que tos ferromagn ticos: hierro, cobalto y nquel. Incluye la magnetizacin de satura-
cambia su vector de rotacin bay un cambio en el momento dipolar magntico cin (a OOK ya temperatura ambiente), el momento magntico por tomo expresado
de 2,u/l' = { - (-,uo) + ,uu} y el cambio total en el momento dipolar magntico en trminos del magnetn de Bobr (a OOK) , y la temperatura Curie. Ntese que
es igual a 2,uun", donde n " es el nmero de electrones que alteran sus rotaciones . cuando se magnetiza completamente al hierro, cada tomo tiene un momento dlpolar
Por un tratamiento ms comprensible2 9 de este problema puede demostrarse que, magntico equivalente al debido a las rotaciones de 2.2 electrones. Estos elementos
en el c~o de un gas electrnico, la teora de la banda produce una susceptibilidad ferromagnticos son m etales de transicin y poseen un juego de estados de energb.
paramagntica dada por la ecuacin terceros cuyos niveles de energa traslapan con los de los estados cuartos. Como
resultado los elec trones tienden a entrar en los niveles cuartos antes de llenar
los estados terceros . Esto resulta en una estructura at6mica que es mucbo mb
compleja que la de un tomo ordinario. El ferromagnetismo es una consecuencia
directa de esta estructura compleja , y las teoras que tratan con el ferromagnetismo
donde N es el nmero de electrones por unidad de volumen , Ilo es el momento mag.
son tambin complejas y ms all de nuestra consideracin presente .
ntico de un electrn, k es la constante de Boltzmann, y T p la temperatura de Fermi.
Esto resulta en buen acuerdo con las mediciones experimentales. Predice tambin No es difcil de entender la gran diferencia en el comportamiento roa~~co
una susceptibilidad que es independiente de la temperatura debido a que T,'es una entre los metales ferrom agnticos y los que se comportan de forma paramagneuca.
constante. En un metal que muestra paramagnetismo, un campo aplicado, como se. muestra
Se puede derivar una ecuacin correspondiente usando las estadsticas clsicas en la Fig. 3.43, invierte los momentos dipolares de s610 un nmero relabvamente
de Boltnnann para el gas electrnico. Esto da la susceptibilidad paramagntica como

X=NMB'lkT 2000

La diferencia en estas ecuaciones corresponden primordialmente al hecho de que el


resultado de Pauli implica a TI" la temperatura de Fenni , en tanto que el modelo ,
'500
o
electrnico clsico libre implica una temperatura a la cual se mide la susceptibilidad.
La temperatura de Fenni en muchos metales es del orden de 105 K, mientras que la
!,Dayori~ de los experimentos han sido realizados a temperaturas del orden de 10'
K. ASI , la respuesta de la teoria clsica del' electrn libre es unas 100 veces mayor
~
"

' 000 r
que ~a de PauH. Adems, el modeJo clsico predice una susceptibilidad que es de. "-
u "

JJ:Clldiente de la temperatura. lo cual no est de acuerdo con observaciones expe.


nmentaJes .
~
1\"
:E
500
3.28. Ferromarnetismo. El ferromagnetismo es un fenmeno muy remarcable en
el cual, como resultado del alineamiento espontneo de los momentos dtpolares se 1.
~ucen efectos magnticos muy grandes. Estos son de gran significado tcnico . 600
1
800 1000
o 200 400
magnetos elementales que son responsables para el magnetismo podrian ser
los electrones en sus rbitas o, alternativamente, los electrones con movimiento Temperatut . ' K
de ,a "lIIJIal uta
JaUd, C.. ',.,oductlon lo Sol'" sear.e- Phl/rie., Job llIld SoD', New York, 1966. Fre. 3.44. La magnetb.acill de saturacin
del hierro c01ll0 un
funcin
I

Teora Elemental de lo. Meta1u


126 Principios de Melalurgia Fica 127

TABLA 3.7. DATOS CONCERNIEN lES A LOS ELEMENTOS FERROMAGNETICOS


FE. ca, y NI

MagentiUJCi6n de Temperatura Cune


Elemento saturacin M,
en gauss
ne(OOK) (" K)
t t 1t
O" K Temp. ambiente

1740 1707 2.22 1043


Hierro
1446 1400 1.72 1400
Cobalto
Nquel 510 485 0.61 631
F'IG. 3.45. Representa cin csquCnlttie a de los dominio! magn~ tiCO$ en un cristal limpie de
~ SegUn Kiue l, e., Introducfion ro Solid State Ph y. ics, J ohn Wiley a nd 50ns, New York, 1966.
un metal ferromagn tico. Las direccion e. de la magnetizaein en las :urnas est:l.n Indicadas
por las flechas

pequeo de electrones de conduccin. Esto llega a ser un momento dipolar efectivo


por tomo que es una fraccin muy pequea de un magnet6n de Bobr. Por otra tura de zona ~esulta en ~l .desarrollo d~ un. momento dipolar magntico neto. Bajo
parte, en un metal tal como el hierro, cuando se satura su magnetizaci6n, el mo- un campo dbil, los dornImos, cuyas duecclOnes de magnetizacin estn favorable_
mento dipolar puede ser tan grande como 2.2 magnetones de Bohr. La vista acep- xnente alineadas con respecto al campo tienden a crecer a expensas de los dominios
tada del ferromagnetismo eS que cada magneto elemental en el material est ali- vecinos cuyas direcciones de magnetizacin estn menos favorablem ente orientados.
neado parale10 a todos los otros magnetos elementales vecinos. Esto quiere decir Segn se hace ms fuerte el campo, se produce tambin una rotacin de la direc-
que todos los momentos dipolares magnticos son completamente ordenados. Re- cin de magnetizacin dentro de los dominios hacia la direccin del campo. Ambos
sulta implcita una fuerte interaccin cooperativa entre un gran nmero de mag- efectos aumentarn el momento magntico de la probeta.
netos elementales. Sup6ngase que un pequeo magneto en tal estructura fuese a 3.30. Antiferromagnetismo y f,.ehimagnetismo. En un material ferromagntico los
invertir su orientacin. Esta accin sera contrarrestada por la fuerza impulsora dipolos magnticos elementales dentro de un dominio estn orientados todos en una
que cau~a el ordenamiento. Las vibraciones tnnicas, sin embargo, tienden a des- direccin paralela de uno con el OtIO, como se muestra esquemticamente en la fig.
truir esta disposicin ordenada de los magnetos elementales. El que la magnetizaci6n 3A6A. En la Fig. 3.4GB se muestra otra posibilidad. Aqu los magnetos elementales
de satwacin disminuya con el aumento en la temperatura es un resultado directo de son antiparalelos. Cuando esto sucede, se dice que existe antiferromagnetismo. En
este hecho. A cualquier temperatur2. dada, el grado de orden representa un balance un material antiferromagntico el momento dipolar magntico neto. es ce~o. Un
entre la tendencia de los iones para formar una estructura magntica ordenada, y material antiferromagntico caracterstico es el FeO. En esta sustanCla los a.tomos
las vibraciones trmicas que tienden a destruir el orden. Por encima de la tempe- de oxigeno, que no tienen un momento ma~tico, act_a~ para mantener unldos a
ratura Curie, las vibraciones tlmicas son tan fuertes que permiten la existencia del los tomos de hierro en una disposicin antierromagnetica.
ordenamiento de magnetos elementales asociados con el ferromagnetismo. En la Fig. 3.46C se muestra una tercela disposi~i~n ordenada. posible de los
De acuerdo a Jo anterior, a temperaturas muy bajas los magnetos elementales dipolos magnticos. En este caso, los dipolos magneticos son antiparal:los, .pero
en una sustancia ferromagntica estn completamente alineados sobre una escala existe una diferencia en las magrutu . des de 1os momen 'o s. que tienen dIrecClones
atmica. Sin embargo, existe el becbo de que an es posible desmagnetizar un metal . .
opuestas Esta SItuacIn se presenta como re sultado de vanas causas. En-'_un caso,
d
tal como el hierro. Esto significa que en una escala macrosc6pica, el momento . d " de dipolo puede ser m<il> gran e
el tamao de un momento magn tico e un PO tura cristalina el
magntico por unidad de volumen puede ser reducido grandemente por abajo de que el de OtIO. Existe tambin la posibilidad de que en ;na estruc direcci6n pueda
su valor de saturacin. Una exp!icaci6n de esta anomala aparente fue propuesta nmero de iones con un momento magntico apuntan o en una
primero por WeisS,30 quien sugiri que seria posible un momento magntico cero
sobre una escala macroscpica si un material ferromagntico consistiese realmente
tltlllll I I I
!
de cierto nmero de regiones separadas, llamados dominios, en los cuales la mag-
I I I I I I I I I ! I
netizacin fuese saturada, pero tambin que en ellos la direccin de la magnetiza-
cin no fuese la misma. El alineamiento de la direcci6n de magnetizacin en estas tlttlltt Itl!lll! ! I
zonas seria entonces tal que sus campos se cancelaran uno al otro afuera de la
t I I : I I I I I ! !
probeta. Se dispone de tcnicas experimentales para mostrar los dominios en un tttttl I t ! ! !
metal ferromagntico, y es posible racionalizar la estructura del dominio en com-
I!t!tl!t I!I!I!II ! ! I
pleto acuerdo con la hiptesis de Weiss. En la Fig. 3.45 se muestra una ilustra-
I 1I 1 ! I ! I
cin esquemtica de los dominios segn podran aparecer en un simple cristal. !I!!!t!! ( Bl
(el
Cuando se aplica un campo magntico a un material ferromagntico, la estruc- (A l
magnticos. (A'
tura de dominio resulta alterada en respuesta al campo. Este cambio en la estrUc- . de los InOInentos
dipola%e'
F'lo. 3.46. Varias diSposiciones ordenadas pOSibles . (e) ferrlraagn~tico
Wel..,. P., I,.H/IJlOth-eu du Champ Mo/.l!cuLaL,.e et la p,.O'J'rieU' Ferromagnetique, ]. de ferromagntico, (B) antiferrornagnticO,
Ph,.,ique. fa . km, 661-90 (lo(7 ) .
128 Principios de Melalurgia Fsica Teora Elemen.tal de W3 Melolu
1Z9
, de iones con un momento magntico apuntado en otra J)10S es pequea, e ignorando los efectos de la sobreconductivid
s~r m~.yor qu~ el num::~ e
tructura que se describe se dice que es ferrimagntica independ;ente de l a temperatura. Esto se conoce como la re la ad , entonces PJ es
duecClon. El upo dgend , , de e~o anterior una sustancia ferrimagntica Posee u~ arte PT se acerca normalmente a cero segn la te 9 de Matthfessen. Por
Como se puede e UCLr e
. .
' . "
neto. Un material fernmagn neo caracter Stica es el
. otra P '. d b 1 mperatura se ace
La dependenCia e PT so re a tempera,tura es casi lineal sobre un rca a cero.
momento dIPOJ~r magn ~~o o forma magntica del xido d e hierro. En este mate 'o de esta temperatura P vara segun T~. La Fg 347 os 100 R, pero por
~eP I' ~st~ es la m,agneu 3de hierro para formar iones de Fe++ y de Fe- . La dis~ b
amtica
aJ . '6 n d
la vanaCl e aI ' ti 'd d
reSts Vl a
. . muestra de manera
p can la temperatura . esque.
nal se IOnIza n os tomos . I . ,

poSlelon .....1
Oruena d <1. d e e stas tipos de tomos
.' de . hIerroI en a 'al estructura cnstalina del atura ambiente. A temperaturas muy bajas tal com 1 d POI 'H debaJO de la tem-
Fe O es responsa bl e d eI ca rcter fernmagnet:lco de maten . . 1 resistividad de t al meta1 ser determinada' mayonnente
per o a e e Jiquido ( 42.-
. K) .
'E n 'anos
TeCle ' ntes, las ferritas se han convertido en. lDlportantes . .sustancias elec_ t amperatura ambiente ser ante todo una medida de pepo.! P" en tanto que a
' d b'do a que son ferromagnticas , pero al mIsmo tlempo tienen una gran e , d' T' mo PI depende de la
tr 6meas e 1 iJj' 'al f ' . P ureza de una muestra y PT es ID epenruente de ella la relacin dI ' ,
' te a 1a que h ay a 4 0K" SlIVe con mClle . e a reSistividad
, , 'd
I'eSlStlVl a . d Esto quiere decir que cuando se ut za un
. maten , . ernmagn tico en t emperatura aro blen
el ncleo de un transformador, las prdidas por comentes parasltas son pequeas. a ' d 1 . nCla como una buena
medida prctica e a pureza y perfeCCIn de un metal. En un metal
Como consecuencia, los materiales ferrimagnti~os. se emplean. como n.cl~os en . a Te la el'6n d e TeSts
libre de distorsl'6n ,. e st ' ti VI'dod Puede ser tan elevada como muydepuro
10t
transfonnadores de radiofrecuencia, donde las perdIdas por comentes parasltas es a 1{)5 En metales Impuros puede quedar por debaio de 10.
un problema serio. Las ferritas se utilizan tambin como magnetos en las coro.
putadoras. 3.32. Superconductividad. En 1911, KamerlinghOnnesS1 hicieron el sorprenden_
te descubrimiento de que, hasta donde pudieron determinar experimentalmente la
3.31. La resistividad elctrica (:omo una funcin de la temperatura. De acuerdo a
resistividad del mercurio sli~o descenda a cero cuando se le enfriaba por abajo
la teora del electrn libre de Sommerfeld, un material simple tal como el sodio o de unos 4.2K. Muchos expenmentos desde entonces han verificado este becho. El
el cobre deben tener una resistencia cero. Esto implica que la resistividad elctrica fenmeno en cuestin se conoce como superconductividad. Se le ha observado en un
resulte del fenmeno que disturba 105 movimientos nonnaIes de los electrones. gran nmero de elementos, como se puede ver en la Tabla 3.8. Las excepciones
Estos disturbios pueden proceder de dos fuentes bsicas. Estas son (1) colisiones notables son los metales monovalentes y los ferromagnticos. En unas 1000 alea-
de electrones con (anones (energa vibracional cuantizada de la red), y (2) colisio.- ciones y compuestos intermetlicos se ha observado tambin que se tornan super-
nes de electrones con tomos del soluto e imperfecciones mecnicas en una red conductores a temperaturas muy bajas.
cristalina. Comnmente escribimos
E! inters en la superconductividad es grande U puesto que se obtienen impor
P=PT+PI tantes ventajas tcnicas de un material en el que pueda fluir la corriente sin prdida
de energa debida a la resistividad. Como ejemplo, resulta seductora la posibilidad de
do~de P es la resistividad, PT es el componente tnnico ( fonn) de la resistividad, tram:mitir energa elctrica mediante cables superconductores. Otro uso de los su-
y Pf es la parte de la resistividad debida a imperfecciones en la estructura. Supo-
perconductores que se hace en la actualidad es en los solenoid~s de los m~gnet~ de
niendo que las imperfecciones son tomos impuros y la concentracin de estos lti. gran potencia de campo. Se necesitan fuertes campos magnticos para dispoSItivos
tales como detectores de maseT, laser e infrarrojos. Los magnetos permanente.s
son con frecuencia demasiado voluminosos y pesados para algunas de estas a~li
caciones. Por otra parte, los magnetos con ncleo de hierro son limitados tamb~~~
por la magnetizacin de saturacin que pueden soportar. Para m~gnetos ~
de gran potencia de campo es obliga ' do emp1ear m agnetos con Dueleo. de aueal a
cuyo travs se hacen pasar comentes, e1evad as. La prdida de potenCla en t es_
t ' d los superconductores en estos mag
magnetos puede ser considerable. La ven aja e l ' _ "caciones que ban
, d' 1 teriores no son as umcas apu
netos es obVIa. Los os eJemp os an . h sido cubiertas en varios

,; sido ideadas para Jos superconductores. Estas matenas an
libros 38, 8-fo d
~

>
~pO<.T
. . l ' vestigaci6n sobre los con uctores
Debido a estas aplicaciones comerCIales, a lO bsicos inherentes en los
'; ha sido intensiva. Sin embargo, hay varios pro~lemas temperatura fija T o sobre
~ superconductores. El primero es el hecho de que ay u~~ctividad Y acta como un
la cual un metal pierde sus propiedades de supe~on 3.48. El valor ms alto que
metal resistivo nonnal, como se puede ver. ~ la J~ unos M-K, y en la mayora
Re5istivid.ad
relidual se ha logrado de esta temperatura de tranSICIn eals p razones econmicas, es
de los materiales T e queda por abajo de este v oro peor raturas crticas ms ele-
deseable encontrar, materiales supereon ductores con tem
~ -'den. Ntim. lZ2b (1911).
Ph Univ. of ~
Lab
100 200 " Kamerlingh-<hmes, B., Commun. ys. ., . of
E 1 2 (1966). stilnula,ed EJD,ISliGD
Temperatura, 0K a Dew-Hugbes, D., MateT. SCt- 1$9, . wave AmpliJicstion by . n ( N. del T.)
Maser, contraccin del nombre MIcro "6n estrlulada de radiad6). d; 1964.
Fc. 3.47. Variacin de la Radiation (Amplificacin de microondas por enu SI Wiley and SOn'_ Ne,., Yo
resistividad con la temperatura de un metal simple por abajo de Newbouse, V. L., Applt.d Supetconductivit!l, John Htll Book Co., Ne"II' york, 1962
la teDIPlUatura ambiente . McGraw-
J. W., SupeTConductin9 D nrlce,
.. I

139 Principio" de Metalurgia F8ie4


Teora Elemental de lo. Metal.. III
ERATURAS CRlTICAS. Te y cAMPO CRITICO Ha PARA
TABLA 3.8. TEMP LEMENTOS SUPERCONDUCTORES se le nombra estado McissneT. Aunque la superconductividad fue descubierta en
ALGUNOS E
1911, no fue basta 1957 que se desarroll una teora aceptable3e para este fen-
meno. Esta teora queda fuera de nuestra esfera de accin, pero una interpretacin
Tc(K) Ho (Oersteds)
Elemento elemental. es que por abajo de T a UDa pequea fraccin de los electrones de con-
19 duccin, con energas a o cerca del nivel Fermi, entran en un estado ordenado que
Iridio 0.14
100 implica pares de electrones correlacionados. Asociado con esta correlacin bay una
Titanio 0.39
29 pequea abertura de la energa del sistema que es del orden de kT C' A la tempera-
Cadno 0.54
47 tura cntica T c' la energia tnnica se vuelve lo bastante fuerte como para romper
Circonio 0.55 completamente este ordenamiento de los pares de electrones.
Zinc 0.86 53
Si se hace demasiado grande el campo magntico aplicado a un metal en el
Molibdeno 0.92 98
estado de superconductividad, destruir al mencionado estado. En la Fig. 3.49A se
Aluminio 1.18 99
162 muestra esquemticamente esta destrucci6n del estado de superconductividad, en
Torio 1.37
donde se g:rafica la densidad de flujo B como una funci6n de H, la intensidad
Indio 3.40 293
del campo magntico. Ntese que B es cero hasta que el campo alcanza He' el valor
Estao 3.72 309
critico, pero sobre este punto el metal pierde sus propiedades de superconductividad
Mercurio 4.15 412
y el flujo penetra al material de manera que hace contacto con la corriente de su-
Vanadio 5.30 1020
perconductividad. Se debe mencionar que la Fig. 3.49A es aplicable estrictamente
Plomo 7.19 803 al interior de una muestra delgada y larga de un superconductor del TIpo l. En
Tecnecio 8.22 - realidad, hay una delgada capa de transicin en la superficie de la muestra deno-

Datos extractados del Handbook 01 Chemistry and Physjcs, SOa. Edicin, Pg . E-93-106.
The Chemical Rubber eo., Cleveland., Omo, 1964.

vadas. Se est haciendo un gran esfuerzo en esta direccin. pero no se considera


que las petspeco.vas sean favorables.
Segundo, el fenmeno magntico asociado con la superconductividad debe ser
considerado. Hay varios problemas serios asociados con el uso indushial de super- /

conductores que se relacionan directamente con este hecho. Cuando un simple /
/

superconductor tal como el mercurio. al cual se le denomina superconductor de /


/
/
Tipo 1, es colocado en un campo magntico, se inducen corrientes en el material /
/
produciendo un campo magntico que cancela completamente el campo aplioado /
/
dentro de la probeta. Un superconductor de Tipo 1 es por lo tanto un diamagntico /
pedecto, y la densidad de flujo B dentro de la muestra es cero. Esto se conoce como /
l' 8=0
el efecto Meissner, y al estado de diamagnetismo perfecto dentro de la muestra lA)
H,
Intensidad del campo Illagn~tico. H

0,15 V
prxT5 -
~
>
I q
I

i
o
-i
1

A
o 0,10
ti -- -' -
~
~


~ a
0,05 ~
~

lB' H,
~
pO Intensidad del caropo magn Etico, H
,ro
O 1 2 . fueru. del CaII11O roagnEtleo H en
'., SUlercoaduct1vidad
3 4
.1.
5
Metal normal
6

- 3.9
...e. . . (A) Variacin de la densidad de flUJO con la
un superconductor de tipo l. ( B )
VariaciD de la magne1i1lllC
d
un 8UperCon uctor
de Tipo 1
In ,on la fuena del caJIlPO en

IW. 1..48, La. reatA llda d


(,- 6a e una mue.tra ele mercurto I6Hdo cOmo funci6n de la temperatura.
'El d'lo de Y'mmftUn, ~- H
-v.... e.. " Commun. Phll"
122b 1911),
Lob., UDiv. de Leiden, N{un Barden, J., Cooper, N. L. y Scbrieffer, J.
R., Ph.y . Ret' . 108 1175 (1957).
I

, "o. tU Mel4lurgia Fsico


132 PrmC1pl

mlidad de pe!le tra "'.6n'


M
&.. dentro .
de la cual desciende el flujo desde su
minada prol" .. h as la el valor cero en el intenor de la muestra. La COl'tiente
I superficie En la Fig. 3.51 se muestra la curva, de magnetizacin de un Superconductor
valor en a f didad de penetracin.S6 de Tipo 11 representativo. En esta forma el COmportamiento del maleJial es eRo.
fluye en esta Pf04; ; se muestra UD mtodo alternati~o
de representar los COOcep. cia1mente el del superconductor de Tipo 1 ~asta UDa fuena de campo H~" Cuan-
En la ~g. ~.49A. Aqu Ja magnetizacin se grafica. como una funcin de H, do se aumenta e l campo sobre HI;' el flUJO comienza a penetrar en la muestra.
tos de la Fig. . Sin embargo, esta penetracin es slo parcial y se puede pensar como que ocune
usando el parmetro - 4'11' M para representar la magnItud
'6 de la magnetizacin .
a lo largo de cierto nmero de caminos cilndricOs o tubulares, como se indica en
En general, la d eOSI'd a d de flujo es dada por la relael Q.
la Fig. 3.52. El material entre estos tubos mantiene sus PlOpledades de lupe:rcon.
B = H + 41l'M ductividad basta que el campo alcanza He' en cuyo Punto se pierde la .uper_
,
conductividad para todos los propsitos prcticos.
En consecuencia,, con B igual a cero en el estado 1de superconductividad,
n' '6n H debe
Debido a que los superconductores son capaces de soportar campos magnticos
ser igual a - 4wM. Ntese que a He se desvanece a magne zac1 asOCiada con
mucbo ms elevados, se les emplea casi exclusivamente en la manufactura de
el d de superconductividad y en el estado normal la magnitud de la magneti_
~sta
zaCI n eso d emaSl'ado pequea para que se muestre con la escala utiHzada e n el magnetos con bobinas superconductoras. Est~ Son algunos buenos articuJos re-
visados concernientes a este tipo de Superconductor los cuales debe COD.u1tar el
dibujo.
El valor crtico de H es una funcin de la temperatura. Esto se muestra en la
Fig. 3.50. A la temperatura crtica T~, He es cero pero se eleva con la disminucin
de la temperatura. Asi, para que la probeta soporte un valor de H razonable, se
debe bajar la temperatura por abajo de T C' Sin embargo, a una diferencia de -,
~
temperatura de unos cuantos grados es importante a temperaturas cercanas al cero
absoluto. Es significativo que el campo magntico, producido por una COrriente -, , ,
, ,
,,
,
fluyendo en un superconductor, pueda actuar como un campo aplicado externa_
mente y destruir el estado de superconductividad. Esto significa que un supercon_
ductor de Tipo 1 tiene una habilidad limitada para pasar una corriente elctrica.

~

~
~
Por esta razn, se centra el inters ahora sobre un tipo de superconductor dile-
rente denominado Tipo n, O superconductor de tipo dUTo. Estos son capaces de
a
~
soportar campos magnticos mucho mayores y conducir corrientes mucho ms
fuertes. En general este tipo de superconductor es o una aleacin o un compuesto
intermetlico.
Intensidad del campo mag:n~t1co. H

ne. 3.51. RepresentadD esquemtica de la ClUVa de macneti:u.cl6n de UD l uperecmdu ctoT


de Tipo II
'00
I1
600 Lineas de flujo

"
~
400
o ,

200
I RepOlles normales

Rep6p de I"upereooducdvidad

OL-----t2-----4----~6~-~~8---
Fle. 3.50. El cazupo mamElico cnt1co H
(Ser6n datos de Bremer 1. W ELee ~fcolIl/) l.Ina funcin de la
temperatura para el plomo
' " g., Feb. 1958, Pg. 78.
dUJtria} Research Inc.) Derechos reservados ltI.

Dtw,Uulhes, D., Matn. Set. Eng., 1 2 (1966).


/
I

I
lad (naonal y de sUpeiconductividad) Calcular un valor para ~ .... Cmo se compara este valor con , __
lector.n,n,n, En resumen, el e5~ado m:zc . o de accl6n sujetadora para mantener ha sido estimado en el texto? -
'0", ~&--
_',"
que existe entre He y He reqUlere algun npo .
I 2 d flujo en su Jugar. SI se pierde esta 7. Suponiendo que la mxima frecuencia vibracional es 1013 c alcul
las "uneas de flujo" o manojo de linead' e la Fig 352 se desintegrar. Hay en calorlas por mol para la energa de punto """ d '. ar un valor
. . 1 rura rnostra a en .' ...... ro e Wl cnstal Comprese
aCCln sUJetadora, a estruc t accin sujetadora. Se cree que una 1a respues t a a este problema con las energias d ..
cierto nmero de maneras e~ q.ue e~~~a e:O~posicin qunica de estas aleaciones I Tabla 3.2.. e punto cero enlistadas en la
de eUas es el resultado de vanaCl~ la distribucin no uniforme de los
toras. Otra est relacIonada con 8. La temperatura
~ d de Debye (vase el Prob . 6) p ara e1 ne 6n es 63-K. Calcular
sUpe1con d uc dIestra 1a eneJ..b'a e punto cero para el nen slido y comparar con el al d -~ 1
erectos de la defonnactll plstica e a rou . Sec. 3.10. v or <mO en a

PROBLEMAS 9. Si se acelera a un electr6n desde su estado de reposo mediante un potencial de


50000 voltios, cul ser su
erza entre dos cargas elc':ricas es (a) energa cintica en ergios y en calorlas por mol.
1
1. La ecuacin general de a fu
(b) la velocidad y el momento, '
e] e2 (e) la longitud de onda de DeBroglie en A; y
1= k ,
r" (d) el nmero de onda k?
, "on unidades de fuerza X distancia 2
cargaz. En
-:- ID. Cuando la suma de los cuadrados de los nmeros cunticos ( n 2 + n. 2 + n 2)
donde Ir. es una cons an te ... 2
. es 50, cul ser la degeneraci6n en el problema de un electr6~ en ~a caja?
el sistema electrosttico, k = 1 dina/cm /(estatoculomblOs)2. . .
(Vase la Tabla 3.3.)
( ) Calcu1ar la fuerza. entre un par de iones, uno con carga ~S1ti~a y otro
C:n carga negativa, separados por una distancia igual al espaclaIDlento pro-
medio de los tomos en un cristal, o unas 3 .
, f, 11. Desde cules planos cristalogrficos corresponde la segunda zona a las refle-
xiones en una red cbica simple? Hgase un bosquejo de la segunda zona de
( b) Calcular la energia potencial f de estas cargas. Expresar la respuesta
Brillouin de esta estructura.
en ergios, en electrn-voltios, Y en calorlas por mol. . 12. (a) Cules planos determinan la primera zona de Brillouin de una estructura
cristalina cbica centrada en el cuerpo? Suge"Iencia: vase el Apndice C.
2. Calcular la energa de interacci6n coulombialla para la red KC1 (sta ritiene la
misma estructura que la red NaCl). Expresar la respuesta en calo as por (h) Cules planos deben formar la zona segunda?
mol y comparar con los valores dados en la Tabla 3.2.. Supngase que T = (e) Hay correspondencia entre las zonas cbicas centradas en el cuerpo y
las zonas cbicas simples?
3.15 A.
13. Calcular la energa de un electr6n viajando paralelo al eje x en un cristal c-
3. Calcular la energfa de repulsi6n en caloras por mol para la red KCl suponien"
bico simple si tuviese una energa equivalente a la del centro de la primera
do que el exponente de Boro es 8.75, B puede ser determinado tomando la
derivada de la ecuacin de Boro con respecto a T y suponiendo que aro las fuer abertura de la energa. Sup6ngase que d es 2..5 A.
zas de los iones son cero. (Fuerza. de Coulomb igual a fuerza. repulsiva.) 14. Dado un dimetro de tomo de 3 A,
4. Probar que la fuerza de un dipolo simple sobre una carga elctrica e es dada (a) Calcular el parmetro de la red a c.c.".. si este tomo forma un cristal c-
po, bico centrado en las caras.
(h) Calcular el parmetro de la red correspondiente si el tomo forma un cfis..
le] a cos Be
1= tal cbico centrado en el cuerpo.
r' (c) Calcular la energa correspondiente al centro de la abertura de la prime-
Nota: respecto a la Fig. 3.6, puede suponerse que si r a, entonces ra energa si se mueve un electr6n a lo largo de [lOO] en la red cbica centrada
Q Q en las caras.
1] ~r+2cosO, y 12 ~r- 2cosO. (d) Calcular la energa correspondiente si un electr6n se mueve a lo largo de
I [110J en la red cbica centrada en el cuerpo.
5. Calcular la fuerza ejercida entre un ion Con una carga simple y un dipolo (e) Comparar los resultados con la Fig. 3.38.
simple. Supngase que T = 3 X IQ-8 cm y a = 10-10 cm. Hgase 8 = O". Coro 15. Sup6ngase un metal simple con electrones libres a los cuales se apll;.a ' :
prese la respuesta a este problema con la del Prob. lo campo magntico cuya fuerza es de 1 000 oersteds. Calcular el cam 10
6. Se supone que la temperatura de Debye representa la temperatura donde la energia en eV asociado con el reverso del movimiento de rotacin de un elec-
energfa vibracional de la red, segn la da "-T, es igual a la energia asociada ,, trn bajo la acci6n de este campo.
con el modo vibracional ms alto, o cuando ItT D =- h" m' donde k. es la constante 16. Calcular la susceptibilidad paramagntica del potasio debi~a a sus ~lectro:esk~e
de Boltzmann, T D es la temperatura de Debye, h es la constante de Planck, conduccin. La temperatura de Fermi se puede determmar hacrendo t6mic~
y ".. es la frecuencia vibracional mxima del cristal. La temperatura de igual a la energa de Fenn, (vase la Seco 3.19). Tomar el volumen a
Debye para el cobre, segn ha sido detenninada por ca1orimet:ria, es de 315 K. G
del potasio como 45 cms/mol y la energa de Fenni como 2..1 eVo
. 'dada por la ecuacin F:;:::
17 . La fuerz.a entre dos polos magnetIces m y m es d tos dos polos
mm' Ir2, de manera que ~ potencial ,o enerJia ~sodas adee~ ~lo magnti~
.. Dew-HuPes, D., Mak"T. Scl. Eftg . 1 2 (1966).
8etpr, A., Met. TT-aM., 1 2.981 (1970).
U"riDptoD, J. D., .,. Sebad1m, H. W. PTOg Hat. id., U 183 (19$4). separada por una distancla r, es mm Ir. Las UDldade
I

136 Principin de Metalurgia; FirietJ I

se pueden expresar as como ergsl/2 x cm1/2. Al mismo tiemPO. la intensidad


de campo magntico H. debida al polo de fuerza m, es m/r4.
(a) Expresar las unidades de H en trminos de ergios Y centmetros.
(b) Probar que JI tiene las unidades de ergios ..
(e) Demostrar que H y M tienen unidades idnticas. I
18. La magnetizacin de saturacin del hierro a O"K es 1 740 gauss. Demostrar
que este valor corresponde a un momento dipolar de 2.2 magnetones de Bohr por Dislo S Y Fenmenos
tomo.
19. (a) Calcular la magnitud de la susceptibllidad de un metal cuando se en
cuentra en el estado de superconductividad (estado de Meissner).
de Deslizamiento
(b) Cuntas veces mayor es sta que la susceptibilidad observada normalmen-
te con materiales diamagnticos?


'.1. La discrepancia entre el lmite de Ouenda terico y el observado en los
cristales. En la Fig. 4.1 se muestra la curva tensi6n-deformaciD de un cristal
tpico de magnesio simple, orientado con el plano basal inclinado a 45 del eje
de tensin y deformado en tensin. Al bajo esfuerzo de tensin de 100 lb/plg'l
(7 kg/cm), el cristal se defonna plsticamente y entonces se alarga con facilidad
en forma de una cinta angosta que puede ser cuatro o cinco veces ms larga que
el cristal original. Si examinamos la superficie del cristal deformado, podremos
ver m~lrcas que corren ms o menos continuamente alrededor de la probeta en
forma de elipses (vase la Fig. 4.2). Estas marcas, si se las observa a muchos
aumentos, se reconocen como manUestaciones visibles de una serie de finos esca-
lones que se han formado sobre la superficie. La naturaleza de estos escalones se
mu~stra de manera esquemtica en la Fig. 4.3. Evidentemente, como un resultado
de la fuerza aplicada, los cristales han sido cizallados en cierto nmero de planos
paralelos. Adems, el anlisis cristalogrfico de las marcas muestra que stas son
planos basales (0002) Y. por lo tanto, los planos ms compactos del cristal. Cuan-
do ocurre este tipo de deformacin, se dice que el cristal experimenta un "desli-

I
~
~ ...
"-
~.

ae
- ~ ~:;::==::::::::::::;::::::;::--
100 lb/plg' ~
Alargamiento en tensin. pIg/pIg

FtG. 4.2. Lineas de desllzamienlo $Obre el ,,,


FlG. 4.1. Curva de tensi6n-defonnaci6n para lal de magnesio
un cristal de magnesi o simple
,- - - - - -
DislocuciOReS y F enom.eT\.OS
.
de Deslu:amienlo 139
138 Principios de Metalurgia F8!a
es del orden de dos radios . at6micos, 1a d efounaci6n por esfuerzo cortante en el
punto de caballete es apro:x:unadamente igual a una mitad. Esto es ,

t a 1
-y :::=: - :::.: - -
ill 2
, en donde y = deformacin por esfuerzo cortante. En un cristal perfectamente
elstico. la relaci6n del esfuerzo cortante a la defonnacin por challamiento es
igual al m6dulo de corte:
T
-=~
1
en donde y es la deformacin por cizallamjento' .,. es el es fu en.o cortante y " es
ed roodtu 1o d e1 corte.
I al 2.Sustituyendo
50 O el valor lh para y' 1a d e f onnaCl6n por ' esfuerzo
e c r e, y e v or O 00 Ib/plg2 para /l. que es del orden de la magnitud del

I caballete,de corte para el magnesio, obtenemos para .,. e1 esfu erzo en el punto de
m6dulo

Fu.= F"~
2.5 x 106 6
(A) (B)
l' = 2 :::=: 10 lb/plg 2
Fig.4.3. (A) Vista e$quemtica aumentada de Fre. 4.4. Posicin inidal de los tomos sobze
Imeas de desliUl. miento (vista lateral). (B) un plano de deslizamiento esfuerzo terico para comenzar el corte del cristal al observado
Vista es quem .,lea aumentada de lineas de
La relacin del
desliumie nto (vista frontal)
t en un cristal real
es, por lo tanto, aproximadamente
lO'
10' = lO,OOO
miente, o hueIlt1s de clesUzamiento y el 1 ele s~ enominan lineas de desliza-
um! en to"1as marcas visibles sobre la superfi . d
En otras palabras, el cristal se deforma plsticamente a tensiones de l/lO 000 de
ocurrido el cjzaJlado se llama p/a ' de de p. ano. cnstalogrfico sobre el cual h su resistencia terica. En forma similar con otros metales. los cristales reales se
El esfuerzo no sltzamtento. a deforman a pequeas fracciones de sus resistencias tericas 0/1000 al / la 000).
cortante al cual comienza 1 f l ' 1
asombrosamente pequeo cuand 1 e UJO p stico en un cristal simple es
4..2. Dislocaciones. La explicaci6n de la discrepancia entre las cargas de deforma
de un cristal peedo (calculadO se e co~para con la resistencia al corte te6ri
m",): Se puede obtener una es'::~~ ,~~mos de fuerzas cohesivas entre '':

las
ci6n aparente y real descansa en el hecho de que los cristales reales no son per
fectos sino que contienen defectos. Con la ayuda de un microscopio electrnico
:::::ee~:
La Fig. 4.4 muestra dos planos d esta reslStencia en la siguiente se pueden obtener pruebas experimentales sobre la existencia de estos defectos
cortante, actuando como se indi a yacentes de un cristal hipottico. Un As, supngase que un cristal ha sido deformado de manera que forme lineas de

~lano
a la izquierda los tomos d 1 lea por los vectores marcados T tiende a
eleva a su poslci6n mxim
de abajo. Esta posicin
;Fi
p ano superior. Cada tomo del
m~
rlmover
g. 4.5) segn se desliza sobre su vecino supe or se
r
des .amento visibles. como se indica en la Fig. 4.3. Supongamos que es posible
H7
cortar del cristal deformado una hoja microscpica de electrn conteniendo una

~
porcin de un plano de deslizamiento. Al preparar tal hoja, se requiere normal
promover un movimi representa un punto de caball en el plano

:~~ l:m~~~c:.a !:I ca~::dC:7::'n'!~ ~:ci:o~e j:":~ad~:r la.:';~e~::: qa::r~r:


mente mucho cuidado de manera que la preparacin de la probeta no introduzca
deformacin adicional en el metal. Una mquina conveniente para este propsito
es una unidad de maquinado por chisporroteo la cual puede cortar rebanadas
equivalente I p ano superior en la Fig 44 tancla atmica requiere con la ayuda de un alambre rebanador. En este caso, las descargas p.lctricas entre
bada la si a. a de la Fig. 4.5, despus de l~ c sean llevados a una posicin
requiere U::::=:~i6n ~e equilibrio. Para al:a:!z: ~lUeven
espontneamente I un alambre y la probeta se utiljzan para cortar el metal quitandO pequeas part
culas de metal de la superficle de la probeta segn desciende el alambre a naves
la Fig 46 honzontal de cada , punto de caballete se de la misma. Esto deja una delgada capa mUy distorsionada cerca de la superfi
. . se muestra e s tmovuniento.
e. COmo omo
la igual .a un ra di'0 atmico. ' En cie cortada que se puede eliminar posteriormente puliendO por medos qumiCOS
separaCIn entre los dos planos o electroquimico . En este tipo de mquina de chisporroteo se puede obtener una
s
seccin de unas 0.2 mm de grueso. Esta es demasiado gruesa para ser transparente
a los electrones en un microscopio electrnico. Por lo tanto, es necesario adelgazar
I la probeta al espesor deseado de varias milesimas A utilizando una tcnica de
pulido quimico o electroquimico. Los detalles del procedimiento se 1
pueden obtener
en los textos estndar que tratan sobre la microscopia electrnica.
Si la hoja de transmisin ha sido prepaxada de manera apropiada Y contiene
, , una secci6n de un plano de deslizamiento, cuando se la examina en el microscopio

Fu;. ;.5.El punto de cabaUete para el corte I Thomas. G. ~mil:rion E/.ectTon MicTOScopy uf MetdI. Jobn WUey and SOns. ~.,
e un plano de tomol sobre otro Fle. 4.6. El COMe
apro.d d en el punto de caballete es f New York, 1962.
ma amente o./b o Ih.
----------------------------------------------------------,----------
- - - ;;;;;;::
148 Principios de Metalurgia Fska

o b

/
/ ,,
o
i ,
--------
/ /
/ /

:,;~::::~bZ-p-'-an-.-Jde deSli!iLZa~m; ; ' ' ; ;(_-''b~/-----


..
, (A) (B) "
1 Fle. 4.7. (A) Repre&entacl6n esquemtica de una fotografa de microscopio electrnico mos-
I

trando una nccl6a de un plllDo de deslizamiento. (B ) Vista tridimensional de la millDla !lee-


e160 del plano de rieslizamiento
FIC. 4.9. Micrografia de un electrn de una b oja para microl!Coplo n:movldll d , u . _,
. .
d e a 1unum o. N6 1 na pro"" a
tense as dislocaciones que quedan a lo largo de un plano de dCllizlU21lento d
se puede obtener una fotografa del tipo mostrado esquemticamente en la Fig. acuerdo con la Fig. 4.7. (Fotografa cortesla de E. J. Jenkin ., J. Hren ) e
4.7A. En esta fotografa se puede ver tUl juego de lneas oscuras que comienzan
y teulIJnan en las dos lneas de trazos a.-a y b-b. Estas ltimas han sido trazadas i las fotografas que muestran las picaduras del ataque qumico asociadas con las
sobre la figura para indicar las posiciones donde el plano de deslizamiento m- dislocaciones.
tersecta a las superficies de la hoja. Debe observarse que el dibujo en la Fig. 4.7 A En la Fig. 4.9 se muestra una fotograffa real de microscopio electrnico. Esta
es una proyeccin bidimensional de una probeta tridimensional. Para que se puedan fotografa muestra una parte de la hoja de una probeta de aluminio con un
comPlender mejor las relaciones geomtricas implicadas en esta figura, se mues- grano que contiene un plano de deslizamiento con dislocaciones. La probeta era
tra en la Fig 4.7B un bosquejo tridimensional de la probeta. Este diagrama de- policrlstaUna. La. regin oscura en la esquina superior derecba representa un
muestra que las lneas oscuras en la fotografa corren a travs del plano de des- segundo grano. Su orientacin fue tal que no difract tan fuertemente como el
lizamiento desde la .~perficie superior a la inferior de la hoja. El hecho de que grano ms grande. Como consecuencia, este cristal aparece negro. Ntese que en
estas lneas sean VlSlbles en una fotografa de microscopio electrnico implica apariencia las dislocaciones son originadas en los limites de grano entre los dos
que zeplCsentan defectos en la estructura del cristal. cristales.
De lo anterior podemos concluir que en un cristal que ha sufrido deslizamiento El becho de que las dislocaciones son visibles en un microscopio de emisi6n
l~ defectos de la red tienden a acumularse a 10 largo de los planos de desUz.a: electr6nica, y que tambin se las puede revelar por el ataque qumico de una
mlfrnto. Estos defectos se denominan diswcaciones. La pzesencIa de dislocaciones superficie de probeta, est de acuerdo con la suposicin de que representan dis-
puede evidenciarse de otra manera. Los puntos donde stas intersectan a la 8U- turbIos en la estructura cristalina. La mejor evidencia indica abara que son lmites
pedide de la pro~:a se pueden hacer visibles con frecuencia atacando la super- sobre los planos de deslizamiento donde ha terminado una operacin de cizalla-
~cie CaD una soluClon de ataque qumico apropiada. El hecho de que 1 di 1 miento. Miremos dentro de la naturaleza de estas pequeas cort~duras. La Fig.
Clones son d f, tos 1 as s oca- 4.10 representa un cristal cbico simple que se supone est some.tido a es~erzos
. te e lec en ~ estructura del cristal tiende a convertir los lugares donde
:Iftn~~o~oa :e~~~:e en pOsidciones preferidas para el ataque de una solucin ctzallantes '1' sobre sus superficies superior e inferior, como se indica :n el diagra-
ma. La Ifuea' SP representa un posible plano de deslizamiento en el cnstal. Sup6n-
se 1 di o, se pue en formar picaduras por ataque qumico Esto
n ca esquem.ticamente en la Fig. 4.8. En las Figs. 4.25 y 5.23 pueden' verse ,
I

, o
, 1 1 ,

" " "
"
\\\\\\', 1 I I

Picadura. del ataque qufrn1co
,\I'I",'
~
I'
,, " " " " " ,

S---o.-.~.~.~.~.~.~.~.~.~._;.-.;_-p s--ii-i
~-i;-i;-i-~
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. .:;:;,
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I,,\IIIIJI
, , ( Bl
(Al
(B) CUando el crittal es el%a
F!:c. 4.10. UDa dislocacin de balde. (A) Un aittal pel,;eto. Ir a una dlslocacill de bonle
PIaDO de delUzamiento Dado un.a distancia at6m1ea tobre parte de l a distancia So ..e ,,1m f
1'1;. 4.8. Lu dl""..adDnes R pueden revelax tambl
n por picaduru del ataque qunico
I

Dislocacione, 11 F mmen.o
, de De,lizflmim~ 143
142 Principios de Metalurgw Firica ,
La Fig. 4 .12 ilustra cmo se mueve la di,1 ocaCI6n anteno
gase que como resultado del esfuerzo cizallante aplic ado, la mitad de la parte ',a,'Oun esfuerzo de corte aplicado que se indica por I r a travs del cristal
os vectore
del cristal a mano derecha se desplaza a lo largo de SP de manera que la parte so- del esfuerzo ap ti cad o, el tomo c p uede moverse 1 s T. Como resultado
bre el plano de deslizamiento es movido a la izquierda con re~pecto a l a p~ por Fig. 4 .12B. Si lo hiciese, la dislocacin se mOverl~ ~:Osicin marcada c en la
L

debajo del plano de deslizamiento. Se supone que la cantl~ad ?e este clzalla- la izquierda. El plano x, en la parte superior d 1 fi distancia atmica hacia
miento es igual a un espaciamiento interatmico e~ una dileccin paralela al mente de arriba has ta el fondo del cristal , mi.n:" .. asa quegura, Corre ahora continua
el pla
,
plano de deslizamiento. El resultado de tal cizaUarruento ~e mues tra e~ la Pig, tamente en e I p Iano d eslizante. La aplicacin contln d no !I tennina abru~
4 .IOB. Como se puede ver en la figura esto dejar un medio plano. verDea] extra .6 ua a del esfu
la dlslocacl n se mueva a pasos repetidos a lo 1 d ene causar que
cd por debajo del plano de deslizamiento a la derecha y afuera d~l cn~tal. Formar del cristal. El r esultado i inal es que el cristal se argo el plano de deslizamiento
tambin un medio plano vertical extra ah sobre, el plano de .deslizanuento y en el zaII1iento por una distancia atmica com o se muecs~rta a tr i avs del plano de desli-
centro del cristal. Todos los dems planos veJ:ticales se realInean de manera que , .. a en a Fig 412C
Cada paso en el movimiento de la dislocacin ".
corren continuamente a travs del cristal. . 4.12A Y B. requiere slo una ligera redisposicin d~ l:~topUede vene en la F1g.
Consideremos abora el medio plano ab extra que queda dentro del cnstal. Un plano extra. Como resultado una fuerza muy pe mos en la vecindad del
examen de la Fig. 4.10B muestra claramente que e~ cri~tal est muy dist~rsionado Clcu1~S tericos muestran q~e esta fuerza es de l:u:..:~:ver una dislocaci6n.
donde este medio plano termina en el plano de de~lizanuento. Pue~e deducltse tam , las baJas cargas de defonnacin de los cristales. d conecta que motiva
bin que esta distorsin decrece en intensidad segun se mueve aleJndose del borde
de este medio plano. Esto es porque a grandes distancias desde este borde ms La existencia . de las dislocaciones fue admitida como postulado hace al
bajo del plano extra, los tomos tienden a disponerse como si estuviesen en un un cuaIto de SlglO antes de que se dispUSiese de tcnic menos
cristal perfecto. Asf, la distorsin en el cristal se centra alrededor del borde del cedas visibles. En 1934, Orowan 2 Polanyil y Taylo.... as experimentales para ha
> ~. presentaron articulos de los
plano extra. Este Hmite del plano adicional se denomina dislocacin de borde. Esta cuales se dice. que han sentado .las..bases para la moderna t eori a d eIdeslizatlUento
.
dislocacin representa una de las dos orientaciones bsica s que pueden tomar este debido. tal
a dislocaciones. G
Este pnrrutivo trabajo en el cam po de Ias lU:>
. '-1ocaclones en
li
tipo de distorsin. La otra se conoce como dislocacin helicoidal y se la describir los cns es met cos tuvo como base un esfuerzo p.,a x pli car I a gran discre- .
en breve. pancia entre las fue~ de corte tericas y observadas de los cristales metMicos
La Fig. 4.11 representa un bosquejo tridimensional de la dislocacin de borde
Se crey que las baJas resistencias de alargamiento observadas e I cristal
de la Fig. 4.10. La figura muestra claramente que la dislocacin tiene las dimen- " li d . n os es
re al es podJan ser exp . ca as meJor sobre la base de que el cristal contiene defectos
siones de una linea, de acuerdo con nuestra discusin de la Fig. 4.10. Otro hecho
en f orma d e dil s ocaClOnes
Importante que se muestra en la Fig. 4.11 es que la linea de la dislocacin marca
el limite entre la parte chaJlada y la no cizallada del plano de deslizamiento. ,
Esta es una caracterstica bsica de una dislocacin. En efecto, se puede definir
. . .'. . . .
~ ~
,
. .. ~ . . . . .
- .~-"'-
a una dislocacin como UDa linea que forma un lmite sobre un plano de desliza

miento entre una regin que se ha corrido y atta que no lo ha hecho.
.. .. ,._

., . . . .

..... .

.. " .....

.


,,"'. . . ' .... . . ..-

I
,
I


I
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-':..... '"
:=::;t:=:.::::.
I












I I
I

I
I
____ L_
/- - - o~- _oc --~-::
" Linea de dislocacin- - -- '01
I dislocacin de borde , tTa ... ~' de un aistal
FIo. 4.12. Tres fases en el movilniento de una

, Orowan, E., Z. Phy'" 89 634 (l934).


a Polanyi, Z . Phy'" S9 660 (1934).
Pm. 4.11. Vhta tridimensional de . Taylor, G. l . Proc. Roy. Soc., A 145 362 ( 1934 ) .
4Ge la dl'locaci6ll forma un lmite un benstal conteniendo una dialocacin de borde tnOstran do Nabarro, F. R. N., Theory of Cr-ystdL Di,Wcation., Pi,. 5, Oxlord University Pru"
lldo challAd &o re el plano de deslizamiento entre una regin Que hA tnndon, 1967.
, y UDA re16n que DO lo ha sido
I

Oislocacione, 11
144 Principios de Metalurgia Fiaka
'"
El movimiento de una dislocacin simple a travs d e un cristal produce un
escaln sobre la superficie cuya profundidad es de una dis tancia atmica. Como
una distancia atmica en un cristal metlico es del orden de unas cuantas unida \ 1I J I ,I I I I 4,
des Angstrom, tal escaln no ser visible ciertamente a simple vista. Para poder 1 1I , J 1I J
I I I I \ I !
producir una linea de deslizamiento visible se debern producir muchos cientos I I I I I
o miles de dislocaciones a travs de un plano de deslizamiento. Jnmediatarnente 1 I I J \ ' I ,
se proporcionar un mecanismo para mostrar cmo es posible producir este nme- '-'-
ro de dislocaciones sobre un plano de deslizamiento simple dentro de un cristal.
Primero, sin embargo, es necesario definir una dislocacin helicoidal, la cual se , ,,
muestra esquemticamente en la Fig. 4.13A donde puede considerarse que cada
pequeo cubo representa un tomo. La Fig. 4.13B representa al mismo cristal con la
,, I I \
J
,
,,
I , I , ,
I I I
pOSicin de la linea de dislocacin marcada por la lnea De. El plano ABen es el Ilil(\
, , I I I ,
plano de deslizamiento. La parte frontal superior del cristal ha sido cizallada por i I II\ , , , I
una distancia atmica a la izquierda relativa a la porcin frontal inferior. La ',
definicin "helicoidal" para este defecto reticular se deriva del hecho de que los
planos reticulares del cristal forman una espiral en la Hnea de dislocacin De.
'"
Esta afinnacin se puede probar comenzando en el punto x de la Fig. 4.13A, si
guiendo entonces hacia arriba y alrededor del cristal en direccin de las flecbas.
-+' 1'--- ,
Un circuito del cristal termina en el punto y; los circuitos continuados tenninarn
finalmente en el punto z. ,
La Fig. 4.13B muestra claramente que una dislocacin en una orientacin he-
licoidal representa el limite entre una rea deslizada y una rea sin deslizar. Aqu '01
la dislocacin, centrada a Jo largo de la linea De, separa el rea deslizada ABen
del resto del plano de deslizamiento en la parte posterior de la dislocacin.
La dislocacin de borde ~ostrada en la Fig. 4.10B tiene un plano incompleto que
queda s~bre el plano deslizante. Es posible tambin tener el plano incompleto ,
por debajO del plano deslizante. Los dos casos son diferenciados llamando al .
:ero dislocacin. de bar.de positiva y al ltimo, dislocacin de borde negativa. D~~
otarse que la diferencIa entre las dos dislocaciones es puramente a,b- . '01
un . 1 ' d I ' luana, pues
di a sl.ID~ e rotaCl n e .cnstal de 180 convertir una dislocacin positiva en una
0

slocacion negativa y VIceversa. Los smbolos que representan a estas dos fonn
"o. 4.14. Sentidos en que se
bajo la misma ca-rga aplicada:
mueven lu cuano orientaciones bsicas de UD a dlslocaci6n
(A) Bo-rde positivo, (B) BOIde ne gativo, ( C ) Helieoidal 1l la
son .l y respectivam.ente, donde la linea borizontal representa al plano deslizan~:
! i:tquietda, y (D) Helicoidal a la derecha
~~a ve;::c~s~ pl~o lD~m~leto. Hay tambin dos fonnas de dislocaciones belicoi-
u es. ocacln beliCOldal mostrada en la Fig. 4.13 tiene planos reticulares previamente, la Fig. 4.14 muestra que una dislocacin de borde positiva se mueve
q e fonnan. un~ espiral sobre la lnea De en forma semejante a un tomillo
;;:=~e f~~~q~~r~a U~a ~:
a la izquierda cuando la mitad superior de la red se cizalla a la izquierda. Por
a .. hdis.locacin helicoidal igualmente probable es donde otra parte una dislocacin de borde negativa se mueve bacia la derecha, pero
Ambas formas de d~~~cio:~~ad~\ d~recb~ ~lrededor de la lnea de dislocacin produce idntico corte del cristal. La figura muestra tambin que la helicoidaJ
La figura ilustra tambin 1 OI e y e coidales se ~uestran en la Fig. 4.14. a la derecha se mueve bacia adelante y la helicoidal a la izquierda hacia atrs,
mismo esfuerzo de corte ap:c;;an(e!a endque los cuatro tipos se mueven bajo el produciendo tambin el mismo corte de la red.
o ID di ca o por los vectores T). Como se mencion En los ejemplos anteriores, se ha supuesto que las lineas de dislocacin corren
como lineas rectas a travs del cristal. Es una consecuencia de la naturale::a
bsica de las dislocaciones que DO puedan terminar en el interior del cristal. Asi,
Dislocacin el plano extra de una dislocacin de borde puede extenderse slo parte del camino
belicoidal a travs del cristal como se muestra en la Fig. 4.15 , Y su borde trasero b forma
o
e entonces una segunda dislocacin de borde. Los dos segmentos de dislocacin
a y b forman de esta manera un paso continuo a travs del cristal desde la su-
A 8
perficie frontal a la superior.
Tambin es posib:e para los cuatro bordes de un plano incomplelo quedar en el
interior de un cristal formando una dislocacin compacta de cuallO lad~s en
( A) bo d una onenta-
(81 l ~s limites del plano. Adems. una dislocacin qu~ es de re . en 16 La Fi .
Fr,. 4.13. Do. reprelentadones de cln puede cambiar a belicoidal en otra, como se ilustra en la Flg . 4.. g
una dislocacin helieodial Obs
e.ta dl.l.oc:a.c1L.. "'-- . ",ese que 106 planos eJ1 4 17 d d 'ba Los crculos representan
uu : urman lUla espual alreded
Ol'
d i '
e a dislocacin en la forma de UD tomUlo de
-rosca ala izquierda
, . muestra
. la misma dislocacin vista
. es et arob-,Iplano
. de des fu a mlento
_ ,
al os atomos que quedan en el plano Justamen e so ~ ...
I

I 116 PriftCipioa de Metalurgi4 F8ica


Dislocacione8 lJ
De.!luomienlo H7



Plano extra

sombteado fOnDa
J'Ie:. 4.15. La. cl1slocacionn puedeII variar en direccin. Este plano extra
una dialocaciJ> con componentes de borde a Y b

Dislocacin
heUcoidal
/ --;; FrG. 4.18. DIIloeaci6n que cambia IJU orientacin de helicoidal a de borde lal
desde arriba mirando hacia abajo de su plano de deslh.amlento
como ~ ...
/ k ___
Dillo~aci6n Considrese la dislocacin rectangular cerrada de la Fig. 4.19, consistente en
de borde /'
los cuatro tipos elementales de dislocaciones mostradas en la Fig. 4.14. Los ladOl
a y e Eon dislocaciones de borde positiva y negativa. respectivamente , en tanto que
b y d son helicoidales derecha e izquierda, respectivamente. La Fig. 4.14 muestra
Flc. 4.16. Una dislocacin de dos componentes formada por un componente de borde
y uno hecOidal
que, bajo el sentido del esfuerzo cortante indicado, las dislocaciones a y e se mue-
ven a la izquierda y a la derecha respectivamente, en tanto que b y d se mue..-eD.
h acia adelante y bacia atrs. respectivamente. As, el anillo de dislocacin se abre,
o se agranda, bajo determinados esfuerzos. ( Sin embal"go, se cerrada si se in-
virtiese el sentido del esfuerzo.) Debe observarse que el circuito de dislocacin

abcd no necesita ser rectangular para abrirse bajo el esfuerzo cortante dado. Una
curva cerrada, tal como un crculo, se expandira tambin en forma dmila.r y
cortarla al cristal del mismo modo.
_ _ Dislocacin Se ha mencionado que una dislocacin no puede terminal" en el in~r de WD
I . bellcoidal cristal. La razn para esto es fcil de entender. Se debe a q~e un~ dis.locad~
representa el lmite entre una rea deslizada y una rea sin desbzar. Sl el area des- ,
lizada sobre el plano de deslizamiento no toca a la superficie de la muestra, """'" ,

"
en la Fig. 4.20, su limite es continuo ocaCl n ti" ene que ser un aomo cenado.
y la dis!"6 en la
~_____ Plano extra de la Slo cuando el rea deslizada se extiende a la superficie de la mue~tra , como
dislocacin de borde Fig. 4.15, es posible para una dislocacin simple tener un puntO final
Fu;, 4 .1,.
Configuracin atmica couespondlentt! a la dislocacin de la F 4.16, vi~ta
dw. arriba. Los circulos SOD los tomos $Obre el plano de desl1%amiento, 101 pW::;;s lIOD 'tomo.
por debajo del plano de desljzamiento

en tant? que los puntos representan a los tomos justamente debajo del plano
"
de deshzamiento. Obsrvese que la red est cizallada por una distancia atmica Esta rea cortada por b
en la regin del ~uarto inferior derecho de la figura confinada por los segmentos Plano de ,.L--t-
de dislocacin. Finalmente, una dislocacin no necesita ser puramente helicoidal deslizamiento
A
o de borde, sino que puede tener orientaciones intermedias a ambas. Este hecho
significa que las lneas de dislocacin no tienen que ser rectas, sino que pueden
ter curvas. En la Fig. 4.18 se muestra un ejemplo. El dibujo, como en la Fig. 4.17,
.. u!.tra un cambio en orientacin de borde a heliCOidal, pero aqu el cambio no (S) JklI,U1
en (A) Borde poddva,
.. abrupto. ... us. DI.locacin de drcu1to cerrado consistente
Belicofdal lzquJerda
derecha, (e) Borde negativa, (D)
I

Dislocaciones 11 Fenmeno
148 Principios de II-fefaLurgia Fsica de Deali.tamienlo 1~9
to final con el inicial es el vector de Burgers El r
el pun hall
ar 1os vectores d e Burgers para
. p ocedl.m1ento
'!izarse para cu 1 anterior puede
utl ~'an las reglas siguientes : a qu1er dislocacin 11 se
~_ Ella.!"'a cortada obse
porb
1- El circuito es atravesado
dI'
en la misma fonna
que un tornillo d
derecha avanzan o en a direccin positiva de 1 disl e d.ro a la
en UD plano de deslizamiento
FIl<. 4.20. Anillo de dislocacin curvo que que d. 2. El circuito debe cerrar en un cr1stal perfecto y :ebe ocacln
alrededor de la dislocacin en el cristal real. puar completamente
El rea dentro del rectngulo abcd de la Fig. 4.19, 3. El vector que cierra el circuito en el cristal imperre 1 (
4.3. El vector ~e B~;~~~ de una dislocacin curvada ms general, tal como el to final con el punto inicial) es el vector de Burgets~ o cOneclando el puno
o dentro del anillo e d za ll ada en una distancia at6mica, esto es, dentro de. esta
de la Fig. 4.20, est l I d deslizamiento (ABen) se ha deslizado La Fig. 4 .22 muestra un circuito de Burgers a1rededo d
1 red que queda sobre e p ano e . . ui ro E l Fi r e una dislocacin he-
rega n a . mi 1 '-quierda en relacin a la red por debaJo del plano licoidal a la lFz~ e a - n a g. 4122~, est. indicado el cl.rculto para el cristaJ
una distanCIa at ca a a u. <f-
perfecto. La Ig.. 422 B muestra e mismo circuito transferido
,,__ - t L ... ' -.......6n de este corte est indicada por el vector b, cuya contiene una dislocacin helicoidal. a un Cristal que
de d eSLU.<1nuen o. a UJ..I."'........ 6
longitud es una distancia atmica. En el exterior del anillo de dislocac~ n mostra- Ahora es posible bacer un resumen de ciertas caractersticas de ambas dislo-
do en la Fig. 4.19, el cristal no est cortado. Por lo tanto, la dislocac16n es una caciones, tanto de borde como helicoidal.
discontlnuidad en la cual la red se desplaza des~e el estado sin cortar al e~tado
cortado. Aunque la dislocacin varia en orientaCIn en el plano de desUzanuento 1. Dislocacicmes de borde:
ABCD. la variacin en el corte a travs de la dislocacin es en todas partes la
. <- (a) Una dislocacin de borde queda perpendicular a su vector de Burgen.
misma, y el vector de deslizamiento b es, en consecuencia, una propiedad carac- (b) Una dislocacin de borde se mueve (en su plano de deslizamiento) en
terlstica la de dislocacin. Por definicin, este vector es conocido con el nombre la direccin del vector de Burgers (direccin de deslizamiento). En el
de vector de dislocacin de BUTgers. sentido de un esfuerzo cortante ~ una dislocacin positiva .1 se mueve
El vector de Burgers de una dislocacin es una propiedad importante de sta
a la derecha, una negativa T a la izquierda.
porque, si se conocen el vector de Burgers y la orientacin de la lnea de disloca-
cin. se describe completamente la dislocacin. La Fig. 4.21 muestra un mtodo 2, Dislocacianes heliccidales:
de determinar el vector de Burgers aplicado a una dislocacin de borde positiva.6
Primero, es necesario elegir arbitrariamente una direccin positiva para la disl(}. (a) Una dislocacin helicoidal queda paralela a su vector de Surgen.
catin. En el caso presente, supongamos que la direccin est. fuera del papel. (b) Una dislocacin belicoidal se mueve ( en el plano de deslizamiento) en
En la Fig. 4.21A se cierra un circuito con pasos de tomo a tomo bacia la iz- una direccin perpendicular al vector de Burgers (direccin de desli-
quierda en un cristal perfecto, pero cuando el mismo circuito de paso a paso se zamiento).
hace alrededor de una dislocacin en un cristal imperfecto (Fig. 4.21B) el punto
final del circuito falla en coincidir con el punto inicial. El vector b que conecta Una relacin que es til recordar es que el plano de deslizamiento es el que
contiene tanto el vector de Burgers como la dislocacin. El plano de deslizamiento
de una dislocacin de borde se define as nicamente debido a que el vector de
Burgers y la dislocacin son perpendiculares. Por otra parte, el plano de desUza
Punto inielal PUntO nlelal IDiento de una dislocacin belicoidal puede ser cualquier plano que contenga la
Punto final Punto final dislocacin porque el vector de Burgers y la dislocacin tienen la mtsma direccin.
0000000000 o 0,0 O O O O O O
O 00 O O ,
O 00000 00 O 00000 o
(Al O 00000 00 (B) O O 000 O O
O 00000 00 00O O O O
O 00 00
0000000000 000000000
0000000000 000000000
FJt:. 4.21. Circuito de Burgen pua una dislocaci6n de botde: (A) CrttW pettecto ., (B)
CJUtal can dlslocad6n
Punto. inicial Pullrottnal
y tinaI
Ha,. yana. ocmven.donea para definir el v~ de Butgttl. Elto da lo que se cono<:e como IBI
el yalor de Burrera: local. Para una dUcuai6n ms detaD..ada de 101 vectores de Bmren vase lA) orlentaci6n bd.lcoidaL ( A)
J. P. HI.rth ., 1. Lothe, TMOTy ot DU!ocat'iolu. Pg. 1B.22, MeG:raw.Bill Book Co., New York, 1968. Flc. 4.22. El circuito de Burilen para una di,locacl6t1
CrVtal perfecto Y Crlitat
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150 principwa de Metalurgia Fsica


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