You are on page 1of 57

G Elektronii

Ders 03
Ders Notlar Ege niversitesi retim yesi Yrd.Do.Dr. Mehmet Necdet YILDIZa aittir.

zer ENYURT Ekim 15 1


zer ENYURT Ekim 15 2
ift Ynl Tristr (Triyak), Temel Yaps ve almas;
ift ynl tristrler (Triac- Triyak), Triyak, her alandaki endstriyel
aslnda aadaki ekilde elektronik uygulamalarnda, AC
grld gibi birbirine ters gerilimin anahtarlamas ve kontrol
paralel balanm iki adet tristr edilmesi amacyla ok youn olarak
gibi dnlebilmektedir. kullanlan bir g yariletken elemandr.

Yapsndan da anlalabilecei gibi


tristr (SCR) ile ayn zellikleri
gstermektedir. Tristrden tek fark, her
iki ynde de rahatlkla iletime
geebilmesidir.

Triyak, tpk SCR gibi sadece iletime


gemesi kontrol edilebilen bir
anahtardr.

zer ENYURT Ekim 15 3


Triyakn yaltma geebilmesi iin ise Triyaklar, ift ynl olmalar nedeniyle,
iinden gemekte olan akmn sfra genel amal tristrler gibi, ok yksek
dmesi veya drlmesi akm ve gerilimlerde kullanlamamaktadr.
gerekmektedir. Ancak 1200V-300A civarna kadar olanlar
bulunmaktadr.
Triyak, iletimde olduunda tam iletim,
yaltmda olduunda ise tam yaltm Ayrca triyaklarn iletim i direnleri de
durumunda bulunur, gei an SCRler gibi ok dk deildir. Bu
dnda herhangi ara durumu yoktur. nedenle ok yksek akml
uygulamalarda genellikle triyak yerine
Triyakn, genel amal tristrler birbirine ters paralel balanm olan
(SCR) gibi en nemli zellii dk SCRler tercih edilmektedir.
frekanslarda almak iin imal
edilmi olmalardr ki ideal alma Bu zellikleri ile triyaklar, ebeke
frekanslar 50-60Hz, max. frekanslar geriliminde kontroll anahtar ve ebeke
ise 1kHzdir. deitirici olarak alabilen ok kullanl
yariletken elemanlardr.

zer ENYURT Ekim 15 4


ift Ynl Tristrn (Triyak) altrlmas;
ekilde triyakn alstrlmas Triyakn almasn grebilmek iin ekilde
yariletken yap zerinde grlen balant yaplr. Butona baslmad
grlmektedir. Burada Vac srece triyak, doru ve ters ynde blokaj
kayna, yk beslemekle grevli (yaltm) durumunda kalacaktr.
olan ana kaynaktr. VG ise tristr
uyarmada kullanlan kaynaktr. Triyak iletime geirebilmek iin butona
basldnda triyakn G-A1 terminalleri
arasndan ok ksa bir sre iin IGK akm
dolar.

Bu durumda G-K arasndaki P-N maddeleri


iletken haline gelir ve A2-A1 arasnda sadece tek
P-N birleimi kalaca iin triyak iletim on
durumuna geer ve yk zerinden IA akm akar.

Triyak iletime getikten sonra alternans


deiiminde susaca iin butona srekli
basmaldr.

zer ENYURT Ekim 15 5


Triyakn Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekilde triyakn temel Aadaki ekilde ise triyakn temel
karakteristik erisinin karld temel karakteristik erilerinden akm-gerilim
test devresi grlmektedir. (Ia-Va1a2) erisi (k karakteristik
Aadaki balant ekli ile Triyakn erisi) grlmektedir.
doru yn almas, devredeki Vs
bataryas ters evrilerek de ters yn
alsmas test edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 6


Karakteristik eriden grld gibi Bu durumda, triyakn, doru ynl (A2+,
diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra A1-) gerilimde uyarlmaz ise blokaj
kendiliinden iletime geerken, triyak yapan, uyarld taktirde ise tam iletime
ancak Vmax. gerilimine ulasldnda geen, doru ynl gerilim altnda kontrol
kendiliinden iletime gemektedir. edilebilen,
Ters ynl (A2-, A1+) gerilimde ise yine
Bu sekilde iletime geme istenmeyen uyarlmaz ise blokaj yapan, uyarld
bir durumdur. Triyakn her iki ynde de taktirde ise tam iletime geen, hem doru
normal olarak iletime geebilmesi iin hem de ters ynl gerilim altnda kontrol
uyarlmas gerekmektedir. edilebilen, bir yariletken g anahtar
olduu grlmektedir.
Triyakn uyarlmas G-A1 terminalleri
arasndan yaplr. Triyak, bu zellikleriyle ACde
altrlmak iin uygun bir anahtar
Ters ynde ise triyak yine Vmax. gerilim durumundadr.
deerine kadar gvenle yaltmda
kalacak (blokaj yapacak), bu deer Fakat, triyak da SCR gibi iinden geen
aslrsa ise iletime geecektir. Tabii ki bu akm sfra dmedike yaltma
ekilde iletime geme asla istenmez. geememektedir.

zer ENYURT Ekim 15 7


Triyakn uyarlma yntemleri;
Triyakn G-A1 arasndan uyarlmas srasnda 4 farkl
durum bulunmaktadr.
1- A2(+) A1(-) olmas durumunda, G(+) A1(-).
2- A2(-) A1(+) olmas durumunda, G(-) A1(+).
3- A2(+) A1(-) olmas durumunda, G(-) A1(+).
4- A2(-) A1(+) olmas durumunda, G(+) A1(-).
olmas durumlardr.

1. Durum 2.Durum 3.Durum 4.Durum


ekillerden grld gibi 1. ve 2. durumlarda triyakn gate (Ig) ve anot (Ia) akmlar ayn ynl
olarak, 3. ve 4. durumlarda ise bu akmlar birbirlerine ters hareket etmektedir.
Her durumda da triyakn uyarlmas mmkn olmaktadr. Fakat, triyak 1. ve 2. durumlarda daha
dk uyarma akmyla ve daha kolaylkla uyarlabilirken, 3. ve 4. durumlarda ise daha yksek
uyarma akmyla (yaklak 2 kat) uyarlabilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 8


Bu durumda triyakn AC kaynakta
altrlrken uyarlabilmesi iin farkl
farkl uyarma yntemi kullanlmasna
imkan tanmaktadr. Buna gre
triyakn uyarlmas ekilden grld
gibi,

1- ift ynl ine pals kullanlarak


uyarma,
2- Tek ynl ine pals kullanlarak
uyarma,
3- Dk frekansl kare dalga
kullanarak uyarma,

olmak zere 3 farkl ekilde


yaplabilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 9


Uygulamada, yukarda belirtilen kinci uyarma yntemi zel uyarma
uyarma yntemlerinin hepsi de triyak entegreleri veya analog-lojik devre
uyarmak iin kullanlabilmesine elemanlar yardmyla oluturulup
ramen, triyakn kullanld yere ve profesyonel uygulamalarda
yapaca ise gre en uygun yntem kullanlmaktadr.
seilerek kullanlmaktadr.
nc yntem ise kare dalga
Bu yntemlerden birincisi, triyak reteleri veya mikroilemci
uyarmak iin, daha sonra ayrntsyla yardmyla oluturulmakta ve hem
tantlacak, zel olarak retilmi olan basit hem de profesyonel
Diyak isimli uyarma eleman ile uygulamalarda kullanlmaktadr.
oluturulmakta ve basit
uygulamalarda kullanlmaktadr. Bu uyarma sinyallerinin retilmesi ve
triyaka uygulanmas daha sonra
ayrntsyla aklanacaktr.

zer ENYURT Ekim 15 10


Triyakn alma Dalga ekilleri; ekilde ise triyak devresinin AC kaynakta
Yariletken g anahtarlarnn alma almas srasndaki dalga ekilleri
durumlarnn grlmesi iin aktif grlmektedir.
alma srasndaki akm-gerilim dalga
ekillerinin incelenmesi gerekmektedir.

Triyakn doru ve ters polarmada


davranlarn inceleyebilmek iin
ekildeki balant yaplabilir.

zer ENYURT Ekim 15 11


ekilden grld gibi 0-180 Triyaklarn Seri Balanmas;
aralnda triyak istenirse uyarlarak
zellikle yksek gerilim altnda
iletime (on) geirilebilir, k gerilimi
altrlacak olan triyaklarda
triyak iletime gemesinden itibaren
triyak, uyarlmadnda zerine gelen ok
grnmeye baslar. Bu srada triyak
yksek doru ve ters gerilimleri bloke
zerindeki gerilim sfr (iletim gerilim
etmesi gerekir.
dm ihmal ediliyor), triyak zerinden
geen akm ise kaynak veya yk akm
Bu durumda retici tarafnda belirtilen
ile ayndr.
triyakn alma gerilimi, uygulamada
zerine gelecek olan gerilimden en az
180-360 aralnda ise triyak istenirse
%30 daha fazla olmas gerekmektedir ki
uyarlarak iletime (on) geirilebilir, k
salkl bir alma salanabilsin.
gerilimi triyak iletime gemesinden
itibaren grnmeye baslar. Bu srada
Uygulama srasnda mevcut triyaklarn bu
triyak zerindeki gerilim sfr (iletim
art salayamamas durumunda daha
gerilim dm ihmal ediliyor), triyak
nce aklanan kurallara uygun olarak
zerinden geen akm ise kaynak veya
seri balama yoluna gidilir ve istenilen
yk akm ile ayndr.
alma gerilimine ulalabilir.

zer ENYURT Ekim 15 12


Triyaklarn Paralel Balanmas; Triyaklarda dv/dt ve di/dt korumasnn
zellikle yksek akm altnda salanmas;
altrlacak olan triyaklarda, triyakn Bilindii gibi ani deien akm ve
zerinden gemesi gereken ok gerilimde yariletken g anahtarlar
yksek seviyeli akma dayanabilmesi istenmedii halde zerlerinden akm
gerekir. geirmekte ve yanmaktadrlar.
Triyak iin de bu olay tamamen geerlidir
Bu durumda retici tarafnda belirtilen ve bu i iin mutlaka nlem alnmaldr.
triyak alma akm, uygulamada
zerinden geecek olan akmdan en az dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk
%30 daha fazla olmas gerekmektedir diyot ve tristrde olduu gibi, elemana
ki salkl bir alma salanabilsin. paralel olarak uygun bir R-C devresinin
balanmasdr.
Uygulama srasnda mevcut triyaklarn
bu art salayamamas durumunda di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine
daha nceden akland gibi paralel diyot ve tristrde olduu gibi, elemana
balama yoluna gidilir ve bu sayede seri olarak uygun bir endktansn (L)
istenilen alma akmna ulalabilir. balanmasdr.

zer ENYURT Ekim 15 13


Triyakn Kontrol D letime Gemesi; Triyakn Yaltma Geirilmesi;
Triyaklarn kontrol d olarak iletime
gemesine, dolaysyla da bozulmasna Triyak, genel amal tristr (SCR)
neden olan 4 durum vardr. Bu gibi iletime gemesi kontrol
durumlar; edilebilen fakat yaltma gemesi
kontrol edilemeyen bir yariletken
1- Yksek scaklk, g anahtardr.
2- Yksek voltaj,
3- Hzl gerilim deiimi, Triyakn yaltma geebilmesi iin
4- Hzl akm deiimidir. diyotlarda olduu gibi ters polarma
altna girmesi yeterli deildir.
Triyakn bu durumlarda kontrol d Triyakn yaltma geebilmesinin tek
olarak iletime gemesini engellemek art, A2-A1 arasndan akmakta olan
iin genel amal tristrde (SCR) akmn ok ksa bir sre iin sfra
akland gibi alnan tm nlemlerin ekilmesidir. ACde alma
ayn ekilde alnmas srasnda bu olay kendiliinden
gerekmektedir. gerekleir.

zer ENYURT Ekim 15 14


Kapsndan Tkanabilen Tristr (GTO), Yaps ve almas;

Bilindii gibi genel amal tristrler te GTO bu eksiklii gidermek


ve triyaklarda sadece iletime amacyla yaplan almalar sonrasnda
geme isi kontrol terminalleri ortaya kan bir g anahtardr. Sekil-
zerinden kontrol edilebilmekte, 2.42de sembol grlen GTO, gate
yaltma gemeleri ise kontrol (kap) terminali ile katod terminali
terminalleri zerinden kontrol arasndan, pozitif pals ile uyarldnda
edilememektedir. iletime, negatif pals ile uyarldnda ise
yaltma gemektedir.
Bu olay zellikle DC kaynakta
alma srasnda bu ok kt bir
zellik ve eksiklik olarak karsmza
kmakta ve eleman yk altnda
susturabilmek iin baka ilemler
gerekmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 15


GTOnun kontroll olarak iletime Bu zellikleri nedeniyle kapsndan
geirilebilmesi iin SCR ve triyakta tkanabilen tristr(GTO), DCde
olduu gibi ok ksa sreli (1-2ms) altrlan bir SCRye gre aadaki
bir pozitif pals uygulanmas ve avantajlara sahip olunmaktadr.
Gden Kya doru kk bir uyarma
akmnn aktlmas yeterli 1- Tristr susturma dzeneklerinden
olmaktadr. kurtulma,
2- Daha temiz, kk, ucuz dzenekler
Yine GTOnun kontrollu olarak elde edilmesi,
yaltma geirilebilmesi iin ise ok 3- Hzl susturulabildii iin yksek
ksa sreli fakat bu defa GK arasna frekansta alma,
negatif bir palsin uygulanmas ve 4- Devre veriminin artmasdr.
Kdan Gye doru daha byk
negatif bir susturma akmnn Bu durumda zellikle yksek gl DC
aktlmas gerekmektedir. devrelerde uygundur.

zer ENYURT Ekim 15 16


1200V-500A seviyelerine kadar Aadaki ekilde bir GTOnun yariletken
versiyonlar olan GTOlar zellikle ok katman yaps grlmektedir. ekilden
yksek gl DCDC dntrclerde grld gibi tek gate (kap) terminali
ve yksek gl dk frekansl olduu halde ama ve kapatma isi farkl
invertr uygulamalarnda tercih tabakalardan yaplmaktadr.
edilmektedirler.

zellikle metro, elektrikli tren gibi toplu


tasm aralarnda DC motor
kullanlmas durumunda GTOlar ok
yksek gl olan bu motorlarn
kontrolnde vazgeilmez hale
gelmektedir.

rnek olarak, 750Vdc ile alsan zmir


metrosunun aralardr.

zer ENYURT Ekim 15 17


Kapsndan Tkanabilen Tristrn altrlmas;

Aadaki ekilde GTOnun altrlmas ekilden grld gibi GTO pozitif


grlmektedir. Burada Vs kayna, yk akmla (gateden katota) veya negatif
beslemekle grevli olan ana kaynaktr. VG akmla (katottan gate) uyarlabilmekte
ise GTOyu uyarmada kullanlan kaynaktr. fakat yk akm olarak (IA) sadece
pozitif ynde (anottan katota doru)
akabilmektedir.

GTO iletime geirilmek istendiinde


ok ksa bir sre iin butona
baslarak G-K arasndan dz (pozitif)
bir akm akmas salanr.

GTO yaltma geirilmek istendiinde


ise G-K arasndan ters (negatif) akm
aktlr.

zer ENYURT Ekim 15 18


GTOnun Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekilde GTOnun temel Aadaki ekilde ise GTOnun temel
karakteristik erisinin karld karakteristik erilerinden akm-gerilim (Ia-Vak)
temel test devresi grlmektedir. erisi (k karakteristik erisi)
ekilde verilen balant ile grlmektedir.
GTOnun doru yn almas,
devredeki Vs bataryas ters
evrilerek de ters yn almas
test edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 19


Karakteristik eriden grld gibi Bu durumda GTOnun, doru ynl (A+, K-
diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra ) gerilimde uyarlmaz ise blokaj yapan,
kendiliinden iletime geerken, GTO uyarld taktirde ise tam iletime geen,
ancak Vmax. gerilimine ulaldnda doru ynl gerilim altnda iletimi ve
kendiliinden iletime gemektedir. yaltm kontrol edilebilen,

Bu ekilde iletime geme istenmeyen Ters ynl (A-, K+) gerilimde ise yine
bir durumdur. GTOnun doru ynde de uyarlmaz ise blokaj yapan, uyarld
normal olarak iletime geebilmesi iin taktirde ise bozulma ihtimali yksek olan
pozitif akmla, yaltma geirilebilmesi tek ynl akm aktan bir yariletken g
iinse negatif akmla uyarlmas anahtar olduu grlmektedir.
gerekmektedir.
GTO, bu zellikleriyle DCde altrlmak
Ters ynde ise GTO yine Vmax. gerilim iin ok uygun bir anahtar durumundadr.
deerine kadar gvenle yaltmda
kalacak (blokaj yapacak), bu deer GTOnun bu zellii sayesinde SCRde
aslrsa ise iletime geecektir. Tabii ki bu kullanlan zorla susturma dzenekleri
ekilde iletime geme asla istenmez. kullanlmaz.

zer ENYURT Ekim 15 20


Aadaki ekilde GTOnun DC
almasn izleyebilmek iin
kurulan devre grlmektedir.

Yandaki ekilde ise GTOnun DC


kaynak altnda iletim ve yaltmnn
kontrol edilmesi, devrenin alma
dalga ekilleriyle birlikte verilmitir.

zer ENYURT Ekim 15 21


ekilden grld gibi 0-t1 aralnda GTOlarn Seri ve Paralel Balanmas;
herhangi bir uyar verilmedii iin GTO
yaltmda bulunmaktadr. GTOlar zellikle DCde yksek
akm ve gerilimlerde almak iin
t1 annda GTOnun G-K arasna pozitif bir imal edilmi yariletken g
uyarma (tetikleme) palsi uygulandnda anahtarlar olduu iin pek fazla
eleman hemen iletime gemektedir. seri ve paralel balamaya ihtiya
olmaz.
t1-t2 aralnda iletimde kalan GTOya t2
annda daha byk ve negatif bir tetikleme Buna ramen ok daha yksek
palsi uygulandnda eleman hemen akm ve gerilimlerde allmas
yaltma gemektedir. gerektiinde tpk tristrlerde olduu
gibi seri veya paralel balanma
t3 annda eleman tekrar pozitif pals ile prosedr uygulanr.
uyarldnda yine iletime gemektedir.
Tabii ki kontrol devresi de tm
Ksacas hem iletime hem de yaltma elemanlar iin yaplandrlr.
gemesi G-K arasndan rahatlkla kontrol
edilebilir ve bu islem istenilen sklkta yaplr.

zer ENYURT Ekim 15 22


GTOlarda dv/dt ve di/dt korumasnn GTOnun Kontrol D letime Gemesi;
salanmas;
Bilindii gibi ani deisen akm ve GTOnun kontrol d olarak iletime
gerilimde yariletken g anahtarlar gemesine, dolaysyla da bozulmasna
istenmedii halde zerlerinden akm neden olan 4 durum vardr. Bu durumlar;
geirmekte ve yanmaktadrlar.
1) Yksek scaklk,
GTO iin de bu olay tamamen geerlidir 2) Yksek voltaj,
ve bu is iin mutlaka nlem alnmaldr. 3) Hzl gerilim deiimi,
4) Hzl akm deiimi.
dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana GTOnun bu durumlarda kontrol d
paralel olarak uygun bir R-C devresinin olarak iletime gemesini engellemek iin
balanmasdr. diyotlarda ve genel amal tristrde
(SCR) akland gibi alnan tm
di/dt iin alnmas gereken nlem ise nlemlerin ayn ekilde alnmas
yine diyot ve tristrde olduu gibi, gerekmektedir.
elemana seri olarak uygun bir
endktansn (L) balanmasdr.
zer ENYURT Ekim 15 23
G TRANSSTRLER:
G transistrleri, kontroll g ift Polariteli Transistr (BJT), Temel Yaps ve
anahtarlardr. temel yapda almas:
bulunan bu transistrler; Elektronik alannda ilk gelitirilen ve ok
kullanlan elemanlardan birisi olan BJT, bu
1- ift polariteli, genel amal gne kadar pek ok alanda youn bir
transistr (BJT), ekilde kullanlm ve kullanlmaktadr. Bu
2- Metal oksitli, alan etkili alanlardan bazlar;
transistrler (MOSFET),
3- Yaltlm kapl transistrler Ykselte olarak,
(IGBT), Sinyal reteci (osilatr) olarak,
Alc-verici olarak,
Bu trlerin kendilerine ait Mantk ilemcisi olarak,
zellikleri ve buna bal olarak da Anahtarlama eleman vb. olarak.
kullanm alanlar bulunmaktadr.
Simdi bu trleri ayrntsyla
inceleyelim.

zer ENYURT Ekim 15 24


Bu kadar fazla is iin kullanlan BJT, Grld ve nceden de bilindii gibi
g elektronii devrelerinde ve yariletken katmanlarn sralansna gre
endstriyel elektronikte de anahtar NPN ve PNP olmak zere iki tr
olarak kullanlmaktadr. transistr (BJT) bulunmaktadr.

ekilde temel taransistr (BJT)nin Transistr (BJT), su ana kadar tantlan


yariletken yaps ve sembolleri elemanlarn aksine, sadece on ve off
grlmektedir. olmak zere iki durumu olan bir
yariletken anahtar deildir.

BJTnin on ve off arasnda bir de


amplifikasyon (ykseltme) durumu
(blgesi) bulunmaktadr.

zer ENYURT Ekim 15 25


BJT bu sayede ok farkl G elektronii uygulamalarnda
uygulamalarda kullanlabilmektedir. daha ok DC-DC dntrc (DC
kyc) ve DC-AC dntrc
Fakat g elektronii uygulamalarnda (nvertr) devrelerinde tercih edilen
transistrn (BJT) bir anahtar gibi transistr (BJT), ok dk
almas ve sadece on ve off frekanslardan (1-2Hz), yksek
durumlarnda olmas istenmektedir. frekanslara (20-30kHz) kadar
kontroll anahtar olarak
Bu nedenle g elektroniinde kullanlabilmektedir.
transistrn (BJT) kullanlmas
srasnda anahtar olarak alacak BJT, tpk tristr, triyak ve GTO gibi
ekilde kontrol edilir. akm kontroll bir yariletken
anahtardr. Fark ise uyarld
Ayrca g elektronii uygulamalarnda srece iletimde olmas uyar
daha ok NPN transistr tercih edilir. kesildiinde ise yaltma gemesidir.

zer ENYURT Ekim 15 26


ift Polariteli Transistrn (BJT) altrlmas;
Aadaki ekilde ift polariteli ekilden grld gibi, uyarma
transistrn altrlmas yariletken butonuna baslmad srece BJT,
yap zerinde grlmektedir. Burada kollektr ile emiteri arasna gelen
Vs kayna yk beslemekle grevli doru ynl gerilime blokaj
olan ana kaynaktr. VB ise transistr yapacak ve yaltmda kalacaktr.
uyarmada kullanlan kaynaktr.
BJT iletime geirilmek istendiinde
ise uyarma butonuna baslarak
beyz (base)den emitere doru bir
uyarma akm (IBE) akmas
salanr ve bu sayede BJT iletime
geerek kollektrden emitere
doru yk akmn (IC) aktmaya
baslar. IBE akm kesildiinde BJT
susar.

zer ENYURT Ekim 15 27


Yalnz burada ok nemli bir ayrnt G elektronii uygulamalarnda
vardr. BJTnin sadece on ve off transistr tek olarak kullanlabildii gibi,
durumlar olmad ve ara yksek akm seviyelerine kabilmek iin
durumlarda da yar geirgen olarak genellikle retici tarafndan veya
alabildii iin, g elektronii kullanc tarafndan aadaki ekilde
uygulamalarnda BJTyi uyaracak grld gibi darlington balanarak
olan akmn (IBE), eleman tam olarak kullanlmaktadr.
iletime geirebilecek akm
seviyesinde olmas gerekmektedir.

BJTyi tam iletime geirecek olan


uyarma akm (IBE) seviyesi, retici
tarafndan elemann bilgi
yapraklarnda ayrntl olarak
verilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 28


BJTnin Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekilde BJTnin temel Aadaki ekilde BJTnin temel
karakteristik erisinin karld karakteristik erilerinden akm-gerilim
temel test devresi grlmektedir. (IC-VCE) erisi (k karakteristik
erisi) farkl bir ekilde grlmektedir.
ekildeki balant sekli ile BJTnin
doru yn almas, devredeki Vs
bataryas ters evrilerek de ters yn
almas test edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 29


Karakteristik eriden grld Bu durumda BJTnin, doru ynl (C+, E-)
gibi diyot, doru ynde 0,7Vdan gerilimde, uyarlmaz ise blokaj yapan, tam
sonra iletime geerken, BJT ancak uyarld taktirde ise tam iletime geen,
Vmax. gerilimine ulaldnda doru ynl gerilim altnda iletimi ve
iletime geer fakat bu ekilde yaltm kontrol edilebilen,
iletime geme istenmeyen bir
durumdur. BJTnin doru ynde de Ters ynl (C-, E+) gerilimde ise asla
normal olarak iletime geebilmesi alamayan, altrld taktirde bozulan,
iin uyar verilmesi, yaltma tek (+) ynl akm aktan bir yariletken g
geirilebilmesi iinse uyarnn anahtar olduu grlmektedir.
ekilmesi gerekmektedir.
BJT, bu zellikleriyle DCde altrlmak
Ters ynde ise BJT asla iin uygun bir anahtar durumundadr.
alamaz, yani BJTnin ters
gerilim blokaj kabiliyeti yoktur. BJTnin bu zellii sayesinde SCRde
kullanlan zorla susturma dzenekleri
kullanlmaz.

zer ENYURT Ekim 15 30


BJTlerde elemann hangi durumlarda ekilden grld gibi BJTnin kollektr
tam iletim veya tam yaltm, hangi akmnn (IC) miktar, tamamen B-E
durumlarda da amplifikasyon arasndan aktlan akmn (IB) deerine
(ykseltme) modunda olduunu baldr.
gsteren ok nemli bir karakteristik
eri daha vardr, bu eri aada Bu balant retici tarafndan bir
ekilde grlmektedir. parametreyle () verilmekte olup,
aadaki gibi gsterilir;

rnek, = 150 (= Ic / IB)


Ic= .IB veya IB= Ic /

Grld gibi kollektr akm beyz


akmnn katdr.

Anahtarlama uygulamalarnda beyz


akm (IB), ya max. yada 0 seilerek
kontrol yaplr.

zer ENYURT Ekim 15 31


Aadaki ekilde BJTnin DCde
almasn izleyebilmek iin kurulan devre
grlmektedir.

Yandaki ekilde ise BJTnin dc kaynak


altnda iletim ve yaltmnn kontrol
edilmesi, devrenin alma dalga
ekilleriyle birlikte verilmitir.

Zaten BJT, AC kaynakta asla altrlamaz


nk ters gerilimi bloke edemez ve yanar.

zer ENYURT Ekim 15 32


ekilden grld gibi 0-t1 aralnda BJTlerin Seri ve Paralel Balanmas;
BJT yaltmda bulunmaktadr. t1 annda BJTler, sadece DCde alabilen
BJTnin B-E arasna pozitif bir uyarma yariletken elemanlar olduu iin daha
gerilimi uygulandnda IB akarak ok dc-dc dntrc ve
eleman hemen iletime gemektedir. invertrlerde eskiden youn olarak
kullanlmak idi.
t1-t2 aralnda iletimde kalan BJTnin t2
annda uyarma gerilimi dolaysyla da IB Gnmzde pek fazla
akm kesildiinde, eleman hemen kullanlmamasna ramen yksek
yaltma gemektedir. akm ve gerilimlerde allmas
gerektiinde darlington balant
t3 annda eleman tekrar pozitif gerilim ile yaplr veya dier elemanlarda olduu
uyarldnda yine iletime gemektedir. gibi seri veya paralel balanma
prosedr uygulanabilir.
Ksacas hem iletime hem de yaltma
gemesi B-E arasndan rahatlkla kontrol
edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 33


BJTlerde dv/dt ve di/dt korumasnn BJTnin Kontrol D letime Gemesi;
salanmas;
BJTnin kontrol d olarak iletime
Bilindii gibi ani deien akm ve gerilimde
gemesine, dolaysyla da
yariletken g anahtarlar istenmedii
bozulmasna neden olan 4 durum
halde zerlerinden akm geirmekte ve
vardr. Bu durumlar yine;
yanmaktadrlar.
1) Yksek scaklk,
BJT iin de bu olay tamamen geerlidir ve
2) Yksek voltaj,
bu is iin mutlaka nlem alnmaldr.
3) Hzl gerilim deiimi,
4) Hzl akm deiimi.
dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana
BJTnin bu durumlarda kontrol d
paralel olarak uygun bir R-C devresinin
olarak iletime gemesini engellemek
balanmasdr.
iin diyotlarda ve dier g
elemanlarnda ayrntsyla akland
di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine
gibi alnan tm nlemlerin ayn
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana seri
ekilde alnmas
olarak uygun bir endktansn (L)
gerekmektedir.
balanmasdr.
zer ENYURT Ekim 15 34
Metal Oksitli Alan Etkili Transistr (Mosfet) Temel Yaps ve almas;

Elektronik alannda ok kullanlan Mosfetin temeli alan etkili transistre


elemanlardan birisi olan Mosfet, bu (FET) dayanmaktadr. Alan etkili
gne kadar pek ok alanda youn transistrler analog elektroniin temel
bir ekilde kullanlm ve elemanlarndan birisi olup zellikle
kullanlmaktadr. Bu alanlar; ykseltme ve osilasyon retme islerinde
youn olarak kullanlmaktadr.
Ykselte olarak,
Sinyal reteci (osilatr) olarak, Mosfetler FETin bir ileri versiyonu olup,
Reglatr olarak, transistr gibi kontrol edilebilme zelliine
Alc-verici olarak, sahip elemanlardr.
Mantk ilemcisi olarak,
Anahtarlama eleman olarak. Mosfetler D ve E-Mosfet olarak ikiye
ayrlmaktadr.

zer ENYURT Ekim 15 35


Bunlardan arttrmal Mosfet olarak bilinen ekilden grld gibi yariletken
E-Mosfetler g elektronii devrelerinde katmanlarn sralanna gre
yar iletken anahtar olarak Nkanal ve P-Kanal olmak zere iki
kullanlmaktadr. tr E-Mosfet bulunmaktadr.

Aadaki ekilde E-Mosfetin yariletken E-Mosfet, tpk transistr (BJT) gibi,


yaps ve sembolleri grlmektedir. sadece on ve off olmak zere iki
durumu olmayan, ara durumlara da
sahip olan bir yariletken anahtardr.

E-Mosfetin on ve off arasnda bir de


amplifikasyon (ykseltme) durumu
SiO2 (blgesi) bulunmaktadr.

zer ENYURT Ekim 15 36


E-Mosfet, bu sayede ok farkl G elektronii uygulamalarnda daha
uygulamalarda kullanlabilmektedir. ok DCDC dntrc (DC kyc) ve
DC-AC dntrc (nvertr)
Fakat g elektronii devrelerinde tercih edilen EMosfetler,
uygulamalarnda E-Mosfetin bir ok dk frekanslardan (1-2Hz),
anahtar gibi almas ve sadece yksek frekanslara (80-100kHz) kadar
on ve off durumlarnda olmas kontroll anahtar olarak
istenmektedir. kullanlabilmektedir.

Bu nedenle g elektroniinde E- E-Mosfet, tpk MCT gibi gerilim


Mosfetin kullanlmas srasnda kontrollu bir yariletken anahtardr.
anahtar olarak alacak ekilde Fark ise uyarld srece iletimde
kontrol edilir. olmas uyar kesildiinde ise yaltma
gemesidir.
Ayrca g elektronii
uygulamalarnda daha ok N Kanal
E-Mosfet tercih edilir.

zer ENYURT Ekim 15 37


Metal Oksitli Fet Transistrn (E-Mosfet) altrlmas;

Aadaki ekilde N-kanal E- Sekil-2.60dan grld gibi, uyarma


Mosfetin altrlmas yariletken butonuna baslmad srece E-
yap zerinde grlmektedir. Burada Mosfet, Drain ile Source arasna
Vs kayna yk beslemekle grevli gelen doru ynl gerilime blokaj
olan ana kaynaktr. VG ise transistr yapacak ve yaltmda kalacaktr.
uyarmada kullanlan kaynaktr.
E-Mosfet iletime geirilmek
istendiinde ise uyarma butonuna
baslarak Gate (kap) ile Source
arasnda bir uyarma geriliminin
olusmas salanr ve bu sayede E-
Mosfet iletime geerek Drainden
Sourcee doru yk akmn (ID)
aktmaya baslar. VGS gerilimi
kesildiinde E-Mosfet susar.

zer ENYURT Ekim 15 38


Yalnz burada ok nemli bir ayrnt Buraya kadar aklananlardan yola
vardr. E-Mosfetin sadece on ve karak E-Mosfet ile transistrn (BJT)
off durumlar olmad ve ara ayn mantkla altklar yani uyarld
durumlarda da yar geirgen olarak srece iletimde olduklar, uyar
alsabildii iin, g kesildiinde ise baka bir isleme gerek
uygulamalarnda E-Mosfeti kalmakszn yaltma getikleri
uyaracak olan gerilimin (VGS), grlmektedir.
eleman tam olarak iletime
geirebilecek gerilimin seviyesinde Peki ikisi arasndaki fark ne?
olmas E-mosfet ile BJT arasndaki fark, BJTnin
gerekmektedir. akmla (IBE), EMosfetin ise gerilimle
(VGS) kontrol edilmesidir ki bu sayede E-
E-Mosfeti tam iletime geirecek Mosfet BJTe gre daha hzl
olan uyarma gerilimi (VGS) seviyesi, anahtaranabilir.
retici tarafndan elemann bilgi
yapraklarnda verilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 39


E-Mosfetin Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekilde EMosfetin temel Aadaki ekilde ise EMosfetin temel
karakteristik erisinin karld temel karakteristik erilerinden akm-gerilim
test devresi grlmektedir. (IDVDS) erisi (k karakteristik erisi)
Asadaki balant sekli ile EMosfetin grlmektedir.
doru yn almas, devredeki Vs
bataryas ters evrilerek de ters yn
alsmas test edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 40


Karakteristik eriden grld gibi Bu durumda E-Mosfetin, doru ynl (D+,
diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra S-) gerilimde, uyarlmaz ise blokaj yapan,
kendiliinden iletime geerken, E- tam uyarld taktirde ise tam iletime
Mosfet ancak Vmax. gerilimine geen, doru ynl gerilim altnda iletimi ve
ulaldnda kendiliinden iletime yaltm kontrol edilebilen,
gemektedir.
Ters ynl (D-, S+) gerilimde ise asla
Bu ekilde iletime geme istenmeyen alamayan, altrld taktirde bozulan,
bir durumdur. EMosfetin doru ynde tek (+) ynl akm aktan bir yariletken g
de normal olarak iletime geebilmesi anahtar olduu grlmektedir.
iin uyar verilmesi, yaltma
geirilebilmesi iinse uyarnn ekilmesi E-Mosfet, bu zellikleriyle DCde
gerekmektedir. altrlmak iin uygun bir anahtar
durumundadr.
Ters ynde ise E-Mosfet asla
alamaz, yani E-Mosfetin ters gerilim E-Mosfetin bu zellii sayesinde SCRde
blokaj kabiliyeti yoktur. Ters gerilim kullanlan zorla susturma dzenekleri
verildiinde BJT blokaj yapamayarak kullanlmaz.
yanar.

zer ENYURT Ekim 15 41


E-Mosfetlerde, elemann hangi ekilden grld gibi E-Mosfetin Drain
durumlarda tam iletim veya tam yaltm, akmnn (ID) miktar, tamamen G-S
hangi durumlarda da amplifikasyon arasndaki kontrol geriliminin deerine
(ykseltme) modunda olduunu baldr.
gsteren ok nemli bir karakteristik eri
daha vardr, bu eri aada ekilde Bu balant retici tarafndan
grlmektedir. parametreyle (gm) verilmekte olup,
aadaki gibi gsterilir;

rnek, gm= 50 (gm= ID / VGS)


ID= gm.VGS veya VGS= ID / gm

Grld gibi Drain akm VGS


geriliminin gm katdr.

Anahtarlama uygulamalarnda VGS


gerilimi ya max. yada 0 seilerek
kontrol yaplr.

zer ENYURT Ekim 15 42


Aadaki ekilde E-Mosfet DCde
almasn izleyebilmek iin kurulan
devre grlmektedir.

Yandaki ekilde ise E-Mosfetin DC


kaynak altnda iletim ve yaltmnn
kontrol edilmesi, devrenin alma dalga
ekilleriyle birlikte verilmitir.

Zaten E-Mosfetler ac kaynakta asla


altrlamaz nk ters gerilimi bloke
edemez ve yanarlar.

zer ENYURT Ekim 15 43


ekilden grld gibi 0-t1 aralnda E-Mosfetlerin Seri ve Paralel
E-Mosfet yaltmda bulunmaktadr. Balanmas;

t1 annda E-Mosfetin G-S arasna pozitif E-Mosfetler, sadece DCde


bir uyarma gerilimi uygulandnda alabilen yariletken elemanlar
eleman hemen iletime gemektedir. olduu iin daha ok DC-DC
dntrc ve invertrlerde youn
t1-t2 aralnda iletimde kalan E- olarak kullanlmaktadr.
Mosfetin t2 annda uyarma gerilimi
kesildiinde (sfra dtnde), eleman Gnmzde olduka fazla kullanlan
hemen yaltma gemektedir. E-Mosfetlerin yksek akm ve
gerilimlerde allmas gerektiinde
t3 annda eleman tekrar pozitif gerilim ile diyot, tristr ve dier elemanlarda
uyarldnda yine iletime gemektedir. olduu gibi seri veya paralel
balanma prosedr uygulanabilir.
Ksacas hem iletime hem de yaltma
gemesi G-S arasndan rahatlkla
kontrol edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 44


E-Mosfetlerde dv/dt ve di/dt korumasnn E-Mosfetin Kontrol D letime
salanmas; Gemesi;
Bilindii gibi ani deisen akm ve gerilimde E-Mosfetin kontrol d olarak iletime
yariletken g anahtarlar istenmedii halde gemesine, dolaysyla da
zerlerinden akm geirmekte ve bozulmasna neden olan 4 durum
yanmaktadrlar. vardr. Bu durumlar;

E-Mosfetler iin de bu olay tamamen geerlidir 1) Yksek scaklk,


ve bu is iin mutlaka nlem alnmaldr. 2) Yksek voltaj,
3) Hzl gerilim deiimi,
dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk diyot ve 4) Hzl akm deisimi.
tristrde olduu gibi, elemana paralel olarak
uygun bir R-C devresinin balanmasdr. E-Mosfetin bu durumlarda kontrol d
olarak iletime gemesini engellemek
di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine diyot iin diyotlarda ve dier g
ve tristrde olduu gibi, elemana seri olarak elemanlarnda ayrntsyla akland
uygun bir endktansn (L) balanmasdr. gibi alnan tm nlemlerin ayn ekilde
alnmas gerekmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 45


Yaltlm Kapl Transistr (IGBT), Temel
Yaps ve almas;
Gnmzde g elektronii E-Mosfetlerde ise BJTye gre tam
uygulamalarnda en fazla tersi durum sz konusudur. Yani
kullanlan elemanlardan birisi olan Mosfetin kt taraf, iletim i direncinin
IGBT, transistr (BJT) ile Emosfet yksek dolaysyla da iletim kayplar
karm zel bir elemandr. transistre gre daha fazla olmasdr.
yi taraf ise anahtarlama sresinin
Bilindii gibi BJTnin iyi taraf iletim dk, dolaysyla da anahtarlama
i direncinin dolaysyla da iletim kayplarnn transistre gre daha az
kayplarnn dk olmasdr. Kt olmasdr.
taraf ise anahtarlama sresinin
uzun olmas dolaysyla da ste her iki elemann iyi zellikleri
anahtarlama kayplarnn yksek alnarak yeni bir eleman gelitirilmitir.
olmasdr. Bu eleman girii mosfet gibi
yaplandrlm ks ise transistr gibi
yaplandrlm olan IGBTdir.

zer ENYURT Ekim 15 46


IGBTer kontrol srasnda mosfet gibi
alma srasnda ise transistr gibi
davranan ve sadece anahtar olarak
kullanlan elemanlardr.

ekilde IGBTnin yariletken yaps ve


edeer devresi grlmektedir. Edeer
devreden grld gibi IGBT yaps,
giri terminalleri arasna N-Kanal E-
Mosfet balanm bir PNP transistr
gibidir. Bu sayede Mosfet gibi hzl
anahtarlanan, transistr (BJT) gibi iletim
i direnci dk olan yeni bir eleman
oluturulmutur.

zer ENYURT Ekim 15 47


IGBT, bu sayede son G elektronii uygulamalarnda daha
zamanlarda daha nceden ok DC-DC dntrc (DC kyc) ve
transistr ve E-Mosfetin DC-AC dntrc (nvertr)
kullanld tm anahtarlama devrelerinde tercih edilen IGBTler, ok
uygulamalarnda ok yaygn dk frekanslardan (1-2Hz), orta
olarak kullanlmaktadr. frekanslara (20kHz) kadar kontroll
anahtar olarak kullanlabilmekte olup,
Pratikte dk gerilimli 1200V-400A seviyelerine kadar olan
uygulamalarda daha ok versiyonlar bulunmaktadr.
EMosfet, yksek gerilimli (400V
ve zeri) daha ok IGBT tercih IGBTler, tpk E-Mosfetler gibi gerilim
edilmekte olup sembol ekilde kontroll bir yariletken anahtardr ve
grld gibidir. kontrolnde Emosfet prosedr
uygulanr.

zer ENYURT Ekim 15 48


IGBTlerin altrlmas;
Aadaki ekilde IGBTnin altrlmas ekilden grld gibi, uyarma
sembol zerinde grlmektedir. Burada butonuna baslmad srece IGBT,
Vs kayna yk beslemekle grevli olan kollektr ile emiter arasna gelen
ana kaynaktr. VG ise transistr doru ynl gerilime blokaj yapacak
uyarmada kullanlan kaynaktr. ve yaltmda kalacaktr.

IGBT iletime geirilmek istendiinde


ise uyarma butonuna baslarak Gate
(kap) ile Emiter arasnda bir uyarma
geriliminin olumas salanr ve bu
sayede IGBT iletime geerek
kollektrden emitere doru yk
akmn (IC) aktmaya baslar. VGE
gerilimi kesildiinde IGBT susar.

zer ENYURT Ekim 15 49


Yalnz burada ok nemli bir ayrnt Buraya kadar aklananlardan yola
vardr. IGBTnin sadece on ve off karak IGBTi ile EMosfetin ayn
durumlar olmad ve ara durumlarda mantkla altklar yani uyarld
da yar geirgen olarak alabildii srece iletimde olduklar, uyar
iin, g elektronii uygulamalarnda kesildiinde ise baka bir isleme
IGBTyi uyaracak olan gerilimin (VGE), gerek kalmakszn yaltma getikleri
eleman tam olarak iletime grlmektedir.
geirebilecek gerilimin seviyesinde
olmas gerekmektedir. Peki ikisi arasndaki fark ne?

IGBTyi tam iletime geirecek olan IGBT, zellikle yksek gerilim ve akm
uyarma gerilimi (VGE) seviyesi, altnda hzl olarak anahtarlanabilecek
retici tarafndan elemann bilgi ekilde imal edildiinden, yksek
yapraklarnda ayrntl olarak gerilim ve akmda E-Mosfete gre
verilmektedir. avantajl durumdadr.

zer ENYURT Ekim 15 50


IGBTnin Temel Test Devresi ve Karakteristik Erisi;
Aadaki ekilde IGBTnin temel Aadaki ekilde IGBTnin temel
karakteristik erisinin karld temel karakteristik erilerinden olan akm-
test devresi grlmektedir. gerilim (IC-VCE) erisi (k
karakteristik erisi) grlmektedir.
Aadaki balant sekli ile IGBTnin
doru yn almas, devredeki Vs
bataryas ters evrilerek de ters yn
almas test edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 51


Karakteristik eriden grld gibi Bu durumda IGBTnin, doru ynl (C+,
diyot, doru ynde 0,7Vdan sonra E-) gerilimde, uyarlmaz ise blokaj yapan,
kendiliinden iletime geerken, IGBT tam uyarld taktirde ise tam iletime
ancak Vmax. gerilimine ulaldnda geen, doru ynl gerilim altnda iletimi
kendiliinden iletime gemektedir. ve yaltm kontrol edilebilen,

Bu ekilde iletime geme istenmeyen Ters ynl (C-, E+) gerilimde ise asla
bir durumdur. IGBTnin doru ynde alamayan, altrld taktirde
de normal olarak iletime geebilmesi bozulan, tek (+) ynl akm aktan bir
iin uyar verilmesi, yaltma yariletken g anahtar olduu
geirilebilmesi iinse uyarnn grlmektedir.
ekilmesi gerekmektedir.
IGBT, bu zellikleriyle DCde altrlmak
Ters ynde ise IGBT asla alamaz, iin uygun bir anahtar durumundadr.
yani IGBTnin ters gerilim blokaj
kabiliyeti yoktur. Ters gerilim IGBTnin bu zellii sayesinde SCRde
verildiinde IGBT blokaj yapamayarak kullanlan zorla susturma dzenekleri
yanar. kullanlmaz.

zer ENYURT Ekim 15 52


IGBTlerde, elemann hangi durumlarda ekilden grld gibi IGBTnin
tam iletim veya tam yaltm, hangi Kollektr akmnn (IC) miktar,
durumlarda da amplifikasyon tamamen C-E arasndaki kontrol
(ykseltme) modunda olduunu geriliminin deerine baldr.
gsteren ok nemli bir karakteristik eri
daha vardr, bu eri aada ekilde Bu balant, retici tarafndan
grlmektedir. parametreyle (gm) verilmekte olup,
aadaki gibi gsterilir;

rnek, gm= 50 (gm= IC / VGE)


IC= gm.VGE veya VGE= IC / gm

Grld gibi kollektr akm VGE


geriliminin gm katdr.

Anahtarlama uygulamalarnda VGE


gerilimi ya max. yada 0 seilerek
kontrol yaplr.

zer ENYURT Ekim 15 53


Asadaki ekilde IGBTnin dcde almasn
izleyebilmek iin kurulan devre grlmektedir.

Yandaki ekilde ise IGBTnin dc kaynak


altnda iletim ve yaltmnn kontrol edilmesi,
devrenin alma dalga ekilleriyle birlikte
verilmitir.

Zaten IGBTler ac kaynakta asla altrlamaz


nk ters gerilimi bloke edemez ve yanar.

zer ENYURT Ekim 15 54


ekilden grld gibi 0-t1 aralnda IGBTlerin Seri ve Paralel Balanmas;
IGBT yaltmda bulunmaktadr.
IGBTler, sadece DCde alabilen
t1 annda IGBTnin G-E arasna pozitif bir yariletken elemanlar olduu iin daha
uyarma gerilimi uygulandnda eleman ok DC-DC dntrc ve
hemen iletime gemektedir. invertrlerde ok youn olarak
kullanlmaktadr.
t1-t2 aralnda iletimde kalan IGBTnin t2
annda uyarma gerilimi kesildiinde (sfra Gnmzde olduka fazla kullanlan
dtnde), eleman hemen yaltma IGBTlerin yksek akm ve gerilimlerde
gemektedir. allmas gerektiinde diyot, tristr ve
dier elemanlarda olduu gibi seri
t3 annda eleman tekrar pozitif gerilim ile veya paralel balanma prosedr
uyarldnda yine iletime gemektedir. uygulanabilir.

Ksacas hem iletime hem de yaltma


gemesi G-E arasndan rahatlkla kontrol
edilebilmektedir.

zer ENYURT Ekim 15 55


IGBTlerde dv/dt ve di/dt korumasnn IGBTnin Kontrol D letime Gemesi;
salanmas;
Bilindii gibi ani deisen akm ve gerilimde IGBTnin kontrol d olarak iletime
yariletken g anahtarlar istenmedii gemesine, dolaysyla da
halde zerlerinden akm geirmekte ve bozulmasna neden olan 4 durum
yanmaktadrlar. vardr. Bu durumlar;

IGBTler iin de bu olay tamamen geerlidir 1) Yksek scaklk,


ve bu is iin mutlaka nlem alnmaldr. 2) Yksek voltaj,
3) Hzl gerilim deiimi,
dv/dt iin alnmas gereken nlem tpk 4) Hzl akm deiimi.
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana
paralel olarak uygun bir R-C devresinin IGBTnin bu durumlarda kontrol d
balanmasdr. olarak iletime gemesini engellemek
iin diyotlarda ve dier g
di/dt iin alnmas gereken nlem ise yine elemanlarnda ayrntsyla akland
diyot ve tristrde olduu gibi, elemana seri gibi alnan tm nlemlerin ayn ekilde
olarak uygun bir endktansn (L) alnmas gerekmektedir.
balanmasdr.
zer ENYURT Ekim 15 56
zer ENYURT Ekim 15 57