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Observar el funcionamiento del amplificador BJT en baja frecuencia por divisor de tensin

Comparar con los clculos tericos

BJT : Transistor bipolar de unin.


Es aquel dispositivo electrnico que est constituido por tres materiales semiconductores extrnseco, de
forma PNP o NPN, es decir, porcin de material N, seguido de material P, luego otra porcin de material N,
en el tipo NPN, y de forma anloga en el PNP, pero con los materiales semiconductores inversos. El transistor
BJT se conoce tambin como transistor bipolar, porque la conduccin es a travs de huecos y electrones.
La zona central se denomina base, las otras dos se denominan colector y emisor. El emisor se construye
estrecho y muy dopado, la base es estrecha y menos dopada y el colector es la zona ms ancha. Para proteger
el material semiconductor, se emplean el encapsulado, que puede ser plstico, de baquelita o metlico. A
pesar de la poca disipacin de energa que tienen los transistores en determinadas ocasiones es necesario
el empleo de disipadores de calor para favorecer la ventilacin del transistor.

Polarizacin del transistor


El transistor sin polarizar se puede considerarse como dos diodos contrapuestos, con una barrera de
potencial de 0,7 V para cada diodo. Si se polariza ambos diodos directa o inversamente, se comportarn
permitiendo o no el paso de la corriente como se sabe. El efecto de amplificacin en el transistor se crea al
polarizar directamente la unin base-emisor e inversamente la unin colector-base.
Al estar la unin de emisor polarizada directamente, permite el paso de huecos (Ipe) del emisor a la base,
as como de electrones (Ine) que pasan de la base al emisor. La relacin entre la corriente de huecos y la
corriente de electrones es proporcional a las conductividades de los materiales P y N; en los transistores
comerciales el dopado del emisor es mucho mayor, por lo que la corriente en un transistor p-n-p est
practicamente constituida por huecos.
La polarizacin de la unin de colector hace que los huecos que atraviesan la unin de emisor se vean
atrados por el potencial negativo del colector y a la vez repelidos por el potencial positivo de la base, no
todos los huecos que cruzan la unin de emisor llegan a la de colector, ya que se produce la recombinacin
de algunos de ellos en la zona de la base.

El anlisis de esta seccin emplear la configuracin de polarizacin por medio del divisor de voltaje para
el BJT, aunque los resultados se pueden aplicar a cualquier configuracin de BJT. Basta encontrar la
resistencia equivalente apropiada para la combinacin RC. Los capacitores Cs, CC y CE determinarn la
respuesta en baja frecuencia de la red de la figura:

Cs Como este capacitor por lo comn est conectado entre la fuente aplicada y el dispositivo activo, la red
de la figura:

Aplicando la regla del divisor de voltaje


=
+ 2

Para las frecuencias de banda media, la red aparecer como:


= =
+

FCS:
FCE:
FCC:
Se puede concluir que el amplificador BJT 2N2222A , posee un buen rendimiento tanto en bajas frecuencias,
como en altas frecuencias, haciendo que este sea lo suficientemente comercial
Concluyo que el amplificador diseado, se posee una impedancia de salida muy alta, con una corriente de
base pequea, lo que hace que las ganacias de voltaje que se pueden obtener con el amplificador sin que se
sature el transistor son muy altas.
Los materiales que se utilizaran son los siguientes:
Multimetro
Resistencia
Cables de conexin
Protoboard
Transistor 2N2222
Capacitores de diferentes valores
Fuente
Generador de Seales

o Energas renovables aproximacin a su estudio, ; Ordad Oviedo, F. Salamanca : Amar Ediciones,


2010
o https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-electronicos-analogicos/transparencias/tema-
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