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TEMA 1 : Introduccin a los Sistemas de Potencia

TEMA 1: Introduccin a los Sistemas de Potencia


ndice

1.1.- Introduccin. ....................................................................................................................................................... 1


1.2.- Clasificacin de los Sistemas de Potencia. ........................................................................................................ 3
1.3.-Campos de Aplicacin......................................................................................................................................... 5
1.4.- Diferentes visiones de la Electrnica de Potencia ............................................................................................. 6
1.5.- Componentes de base en la Electrnica de Potencia...................................................................................... 13

1.1.- Introduccin.

Cada vez son ms los dispositivos y sistemas que en una o varias de sus etapas son
accionados por energa elctrica. Los accionamientos consisten, en general, en procesos que
transforman la energa elctrica en otro tipo de energa, o en el mismo tipo, pero con diferentes
caractersticas. Los encargados de realizar dichos procesos son los Sistemas de Potencia.

Las aplicaciones de la electrnica estuvieron limitadas durante mucho tiempo a las tcnicas de
alta frecuencia (emisores, receptores, etc.). En la evolucin de la electrnica industrial, las posibilidades
estaban limitadas por la falta de fiabilidad de los elementos electrnicos entonces disponibles (tubos
amplificadores, tiratrones, resistencias, condensadores). Esta fiabilidad era insuficiente para responder
a las altas exigencias que se requeran en las nuevas aplicaciones del campo industrial.

Gracias al descubrimiento de los dispositivos semiconductores (transistores, tiristores, etc.) en


la dcada de los 60, que respondan a las exigencias industriales (alta fiabilidad, dimensiones
reducidas, insensibilidad a las vibraciones mecnicas, etc.), la electrnica industrial hizo progresos
increbles, permitiendo la realizacin de procesos cada vez ms complejos, destinados a la
automatizacin de procesos industriales.

En general, cualquier conversin de energa elctrica se puede realizar por procedimientos


electromecnicos o por procedimientos electrnicos. Los convertidores electrnicos disponen de las
siguientes ventajas frente a los electromecnicos:

1. Mayor flexibilidad y ms posibilidades de control.


2. Mayor estabilidad y mayor rapidez de respuesta, gracias a las caractersticas elctricas.
3. Menor mantenimiento al no disponer de partes mecnicas.
4. Mayor vida media y mayor fiabilidad.
5. No produccin del arco elctrico.

Como inconvenientes se pueden destacar:

Menor robustez elctrica, al disponer de menor capacidad para soportar sobretensiones y


sobrecorrientes.
Mayor coste para algunas de sus aplicaciones.

La mayor flexibilidad y controlabilidad de los dispositivos electrnicos, hace que se apliquen


para resolver procesos cada vez ms complejos. Un equipo electrnico de potencia consta
fundamentalmente de dos partes, tal como se simboliza en la siguiente figura :

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Introduccin a la Electrnica de Potencia

Energa Elctrica
de entrada CIRCUITO DE
POTENCIA carga

Alimentacin Informacin Seales


gobierno
CIRCUITO AUXILIAR

Circuito Disparo Circuito de Control


y Bloqueo

Figura 1.1.- Diagrama de bloques de un Sistema de Potencia.

1. Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y elementos pasivos, que liga


la fuente primaria de alimentacin con la carga.

2. Un circuito de mando, que elabora la informacin proporcionada por el circuito de potencia y genera
unas seales de excitacin que determinan la conduccin de los semiconductores controlados con
una fase y secuencia conveniente.

Antes de pasar al estudio de la electrnica de potencia, interesa resaltar su principal


caracterstica, mostrar sus particularidades y situar el campo de aplicacin.

En la Electrnica de Seal se vara la cada de tensin que un componente activo crea en un


circuito habitualmente alimentado en continua. Esta variacin permite, a partir de una informacin de
entrada, obtener otra de salida modificada o amplificada. Lo que interesa es la relacin entre las
seales de entrada y salida, examinando posteriormente la potencia suministrada por la fuente auxiliar
que requiere para su funcionamiento. La funcin de base es la amplificacin y la principal
caracterstica es la ganancia.

Potencia
Seal Seal tratada Potencia modificada

Entrada Salida Entrada Salida

Fuente auxiliar
de potencia Seal de cebado

Electrnica de Seal Electrnica de Potencia

Figura 1.2.- Caracterstica fundamental de un Sistema electrnico de Seal y de Potencia.

En la Electrnica de Potencia, el concepto principal es el rendimiento. El elemento de base no


puede trabajar en rgimen de amplificacin pues las prdidas seran elevadas, es necesario trabajar en
rgimen de conmutacin, siendo el componente de base el semiconductor quien trabaja como
interruptor. Este componente trabajando en conmutacin deber cumplir las siguientes caractersticas:

- Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja
impedancia (conduccin).
- Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con pequea potencia de
control.
- Ser capaz de soportar altas tensiones cuando est bloqueado y grandes intensidades, con
pequeas cadas de tensin entre sus extremos, cuando est en conduccin.
- Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

As podemos definir la Electrnica de Potencia de la siguiente manera:

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Electrnica de Potencia es la parte de la Electrnica encargada del


estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el
procesamiento, control y conversin de la energa elctrica.

Por tanto la Electrnica de Potencia se ha introducido de lleno en la industria en aplicaciones


tales como las fuentes de alimentacin, cargadores de bateras, control de temperatura, variadores de
velocidad de motores, etc. Es la Electrnica Industrial quien estudia la adaptacin de sistemas
electrnicos de potencia a procesos industriales. Siendo un sistema electrnico de potencia aquel
circuito electrnico que se encarga de controlar un proceso industrial, donde interviene un transvase y
procesamiento de energa elctrica entre la entrada y la carga, estando formado por varios
convertidores, transductores y sistemas de control., los cuales siguiendo hoy en da evolucionando y
creciendo constantemente.

El campo de la Electrnica de Potencia puede dividirse en grandes disciplinas o bloques


temticos:

Electrnica de Potencia
Electrnica
Convertidores de
Industrial Electrnica de Potencia
Regulacin y Control
Aplicaciones a Componentes
Procesos Industriales Electrnicos de Potencia

Figura 1.3.- Bloques temticos que comprende la Electrnica de Potencia

Nosotros trataremos el estudio de los convertidores de potencia y la apropiada seleccin de las


seales de gobierno que deben proporcionar el circuito de mando.

1.2.- Clasificacin de los Sistemas de Potencia.

Los sistemas electrnicos de potencia consisten en uno o ms convertidores de potencia, que


gobiernan la transferencia de energa. El convertidor es el mdulo bsico en un sistema de potencia. En
general, un convertidor controla y moldea la magnitud elctrica de entrada Vi, frecuencia fi y nmero de
fases mi, en una magnitud elctrica de salida Vo, frecuencia fo y nmero de fases mo. La potencia
puede fluir de forma reversible, intercambindose los papeles entre la entrada y la salida.

Es un hecho que la Electrnica de Potencia es una disciplina emergente dentro de la


Electrnica. Su utilizacin se extiende de forma amplia en sectores tales como el residencial, la
industria, sector aerospacial o militar. Recientemente el papel de la electrnica de potencia ha venido
ganando con un especial significado en relacin a la conservacin de la energa y el control del medio
ambiente. La realidad es que la demanda de energa elctrica crece con relacin directa a la mejora de
la calidad de vida.

La concepcin de esta asignatura est basada en la descripcin de los principales sistemas


que se encargan de procesar la energa elctrica. Dado que el desarrollo de esta disciplina es
constante, debido fundamentalmente a que est ligada al crecimiento del campo de aplicacin y a la
mejora de las prestaciones de los semiconductores de potencia, nuestro objetivo es presentar las
estructuras de los convertidores estticos, sus caractersticas y sus campos de aplicacin. De esta
forma se pretende ser capaz de determinar la manera de transformar la presentacin de la energa
elctrica y por tanto, de seleccionar y disear la estructura de potencia ms conveniente para cada

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caso. De manera que se realice, mediante el citado sistema de potencia, la conversin energtica de la
manera ms eficaz posible.

De manera general se puede abordar el estudio de los distintos convertidores en funcin de los
cuatro tipos de conversin posibles:

1. Conversin alterna-continua.
2. Conversin alterna-alterna.
3. Conversin continua-alterna.
4. Conversin continua-continua.

Desde el punto de vista real, dado que el funcionamiento del sistema encargado de transformar
el tipo de presentacin de la energa elctrica viene condicionado por el tipo de energa disponible en
su entrada, hemos adoptado como criterio para la estructuracin del programa de la asignatura :
Clasificar los convertidores estticos de energa en funcin del tipo de energa elctrica que los
alimenta, tal y como se muestra en la siguiente figura:

Alimentados
desde alterna
Rectificacin

Cicloconversin
Reguladores AC Troceadores
Reguladores DC

Inversin Alimentados
desde continua

Fuente 1 Carga1 a V1

Convertido
r1
(AC/AC)
Bus DC Carga2 a V2
Convertidor2 Convertidor
(AC/DC) 4
Fuente 2 (DC/DC)

Carga3 a V3
Convertidor
3 Convertidor
(DC/DC 5
bidirec.) (DC/AC)

Figura 1.4.- Clasificacin y ejemplo de los convertidores estticos de energa elctrica.

Existen muchos tipos de clasificaciones, las cuales incluyen como caractersticas


determinantes :

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El tipo de semiconductor utilizado.


El modo de conmutacin
El tipo de aplicacin.

Ahora, atendiendo al tipo de conmutacin se obtiene la siguiente clasificacin de


convertidores de potencia:

Conmutacin natural: Cuando la fuente de tensin primaria, presente a uno de los lados del
convertidor, facilita el paso a corte de los semiconductores. Adems dichos semiconductores
pasan a conduccin en fase con la frecuencia de la tensin de entrada. (Rectificadores,
Reguladores de corriente alterna y Cicloconvertidores.

Conmutacin forzada: Cuando los conmutadores controlables son llevados a corte y a


conduccin a frecuencias mayores que la frecuencia de la red. (Troceadores, Inversores y
Onduladores autnomos).

De las clasificaciones anteriores se pueden extraer las caractersticas bsicas de cada uno de
los convertidores mencionados:

a).- Rectificador no controlado: Transforma la corriente alterna de voltaje constante en corriente


continua de voltaje constante. Formado por diodos, constituyen montajes irreversibles.

b).- Rectificador controlado: Transforma la corriente alterna de voltaje constante en corriente continua
de voltaje variable. Formado por tiristores. El montaje puede ser reversible, denominndose inversor
no autnomo.

c).- Reguladores de AC: Transforman la corriente alterna de voltaje constante en corriente alterna de
voltaje variable y de la misma frecuencia

d).- Cicloconvertidores: Reguladores de alterna o convertidores directos alterna/alterna de distinta


frecuencia.

e).- Ondulador autnomo o Inversor: Transforman una corriente continua en corriente alterna de
frecuencia fija o variable.

f).- Troceador o "chopper": Transforma corriente continua de voltaje constante en corriente continua
de voltaje variable.

1.3.-Campos de Aplicacin.

En general los sistemas de potencia se utilizan para accionar cualquier dispositivo que necesite
una entrada de energa elctrica distinta a la que suministra la fuente de alimentacin primaria. Veamos
a continuacin algunas de las aplicaciones industriales de cada uno de los convertidores:

Rectificadores:
- Alimentacin de todo tipo de sistemas electrnicos, donde se necesite energa elctrica en
forma de corriente continua.
- Control de motores de continua utilizados en procesos industriales: Mquinas herramienta,
carretillas elevadoras y transportadoras, trenes de laminacin y papeleras.
- Transporte de energa elctrica en c.c. y alta tensin.
- Procesos electroqumicos.
- Cargadores de bateras.

Reguladores de alterna:
- Calentamiento por induccin.

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- Control de iluminacin.
- Control de velocidad de motores de induccin.
- Equipos para procesos de electrodeposicin.

Cambiadores de frecuencia:
- Enlace entre dos sistemas energticos de corriente alterna no sincronizados.
- Alimentacin de aeronaves o grupos electrgenos mviles.

Inversores:
- Accionadores de motores de corriente alterna en todo tipo de aplicaciones industriales.
- Convertidores corriente continua en alterna para fuentes no convencionales, tales como la
fotovoltaica o elica
- Calentamiento por induccin.
- SAI

Troceadores:
- Alimentacin y control de motores de continua.
- Alimentacin de equipos electrnicos a partir de bateras o fuentes autnomas de corriente
continua.

Aplicaciones de baja potencia (< 10 kW) Aplicaciones de media potencia (10-1000 kW, bajo
voltaje)

Domsticas Industriales

Equipos de Oficina Telecomunicaciones

Industriales y comerciales Accionadores

Aplicaciones de alta potencia (> 1000 kW, alto voltaje)

Transmisin Traccin

Figura 1.5.- Aplicaciones de los dispositivos de potencia.

1.4.- Diferentes visiones de la Electrnica de Potencia

Visin Histrica.
Veamos un resumen de los hitos histricos que han marcado la evolucin de la electrnica.
Ciertamente hay un enorme espectro de ellos pero todos tienen un factor comn: todos los equipos,
sistemas, etc., procesan seales elctricas que pueden ser analgicas o digitales, de baja o alta
frecuencia etc., pero siempre seales elctricas. Segn comentbamos en pginas anteriores, el concepto
de Electrnica distingua dos ramas: La primera estudiaba el procesamiento de seales elctricas y los
dispositivos asociados y la segunda estaba dedicada al estudio del procesamiento de la potencia elctrica
y los dispositivos asociados (concepto de Electrnica del primer nmero de la revista "Radiactividad y
Electrnica", era la primera vez en la historia en la que la palabra Electrnica daba ttulo a una revista).

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La electrnica de potencia representa alrededor de un 15% de la totalidad del mercado electrnico


y un 35% del consumo de energa elctrica en EE.UU. es procesada mediante circuitos electrnicos de
potencia y un 25% en la RFA. La Electrnica de potencia se desarrolla fundamentalmente a partir del
nacimiento del tiristor. A partir de esa fecha los conceptos electrotcnicos se convierten en electrnicos.
Se desarrollan entre los aos 1965 y 1980 gran cantidad de convertidores para el procesamiento de la
potencia elctrica basados en este dispositivo. Cabe agrupar los desarrollos en este sentido en
convertidores AC/DC (rectificadores controlados), convertidores DC/AC y AC/AC (inversores), y
convertidores DC/DC (choppers de potencia).

A partir de los aos 1980 se produce un fuerte incremento de la penetracin en el mercado de


equipos de potencia debido fundamentalmente a la incorporacin por parte de estos de otros nuevos
elementos de potencia como el transistor, MOSFET, IGBT, que permiten mayores frecuencias de
conmutacin y consecuentemente la reduccin del tamao de los equipos. El tiristor sigue ocupando a
pesar de todo un lugar preferente para las altas potencias (mayores de 500 KW).

La siguiente figura muestra un resumen de la evolucin histrica de la Electrnica de Potencia.


1800 Electricidad terica.

1900 Electricidad aplicada

ELECTRNICA

Electrnica de vaco Electrnica de gas


Transmisin elctrica de informacin Transmisin de energa elctrica

1904 vlvula diodo 1901 campana de vapor de mercurio


rectificacin
1906 triodo 1902 Rectificadores CA
1920 tiratrn 1912 Tesis rectificadores de vapor de mercurio
1927 tetrodo 1928 tiratrn de potencia con lmparas de vapor
de mercurio.
1928 pentodo

bases tericas y desarrollos industriales


integracin de componentes y sistemas
productivos
1948 Transistor (elemento semiconductor)
1952 ideas bsicas de C.I. 1952 JFET
1958 1 C. I. de Texas 1956 TIRISTOR
1971 desarrollo P 1960 MOSFET
1973/75 desarrollo tcnicas VSLI
1977 P 16 bits. evolucin semiconductores
1981 Sistemas de control numrico (PLC)
1982 P 32 bits. 1985 Th-RTL, Th-ASCR, GTO
1987 Control numrico computerizado con 1987 SIT
inteligencia artificial IGBT
1988 MCT
1990 Mdulos inteligentes

Power Electronics Building Block (PEBB)

Figura 1.6.- Sntesis histrica de los dispositivos semiconductores para tratamiento de seales y para el procesamiento de
la potencia elctrica

Visin Actual.
La industria de electrnica ha jugado un importante papel en el desarrollo industrial desde la II
Guerra Mundial. Los sistemas electrnicos se utilizan en un amplio abanico de aplicaciones. Desde las
telecomunicaciones y el procesamiento de informacin en medicina a los sistemas de transporte, en

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realidad tienen el potencial de impactar en cualquier rea de la industrial mundial y de la actividad


social.
En las puertas del siglo veintiuno, las tecnologas asociadas con la manipulacin y
conservacin de las fuentes energticas son de vital importancia, para asegurar un estndar de vida
confortable. La electrnica de potencia se refiere, generalmente, a la utilizacin eficaz de la energa
elctrica. La industria de electrnica de potencia ofrece una importante oportunidad de integrar las
tecnologas para la conservacin de la energa con el progreso de nuestro entorno, tanto en los
procesos de fabricacin como en los de aplicacin de los productos electrnicos de potencia.

La variacin de la velocidad en los motores elctricos puede ser lograda sin una prdida
apreciable de eficiencia mediante la utilizacin de un inversor electrnico de potencia de frecuencia
variable. Esta tecnologa es emergente actualmente ante la necesidad de proporcionar potencia y
control a los motores en los futuros coches elctricos. Sistemas de control de velocidad variable son la
razn del ahorro energtico y deben jugar un importante papel en la manipulacin en la demanda de
energa, de diversos sistemas industriales. La llave que posibilita dicha tecnologa es la utilizacin del
transistor bipolar de puerta aislada IGBT.

Aunque el control de motores es una aplicacin importante, el impacto de la electrnica de


potencia puede verse en el da a da de la sociedad. Algunas de las principales aplicaciones de la
electrnica de potencia son: las fuentes de alimentacin, procesos electro-qumicos, control de calor y
de iluminacin, conversin foto-voltaica, aplicaciones mdicas, etc.

El crecimiento de la microelectrnica en las ltimas tres dcadas ha sido un fenmeno a


destacar. Hoy en da, el mercado comercial para los circuitos integrados con una muy alta escala de
integracin (VLSICs) es mayor de 1000 millones de dlares, y constituye ms del 80% del total de la
venta de semiconductores. Las emergentes aplicaciones en comunicacin y en procesamiento de
potencia van a revolucionar los medios de transporte, las comunicaciones, el procesamiento de la
informacin, el acondicionamiento de potencia y las industrias de computacin. Para restringir la
disipacin de potencia, estos chips debern trabajar con tensiones de alimentacin muy reducidas, en
el rango de 1V. La electrnica de potencia, debe jugar un importante papel en la consecucin de la
prxima generacin de convertidores de muy baja potencia y muy alto rendimiento que acompaaran a
las tecnologas emergentes de computacin, comunicaciones y procesamiento de la potencia.

Ante la expectativa creada en la actualidad, dada la necesidad de avance tecnolgico, la


electrnica de potencia junto con los rpidos sistemas de control proporcionan una oportunidad de
crear un sistema flexible que pueda responder al amplio espectro de aplicaciones en los sistemas de
potencia. Los sistemas electrnicos de potencia pueden utilizarse para regular tensin, adecuar las
exigencias de potencia para controlar cargas, alimentar motores, as como para muchas ms
aplicaciones actuales y futuras. Para conseguir este objetivo, se necesitan desarrollos futuros en
componentes de conmutacin, circuitos y sistemas de control. En la siguiente figura se muestran las
principales tecnologas emergentes y sus aplicaciones.

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EFICIENCIA ELECTRNICA
ENERGTICA PORTTIL

Controles de velocidad variable.


HVAC y Flexible AC Transm.
Balastos electrnicos Comunicacin sin cable
Propulsin : Mass Transist. ELECTRNICA DE Equipos con bateras
Almacenadores magnticos POTENCIA

MEDIO-AMBIENTE 2 REVOLUCIN
INDUSTRIAL

Control de emisiones Automatizacin de empresas


Calidad de la Potencia consumida. Control de procesos
Vehculos elctricos / hbridos Control de velocidad variable

Figura 1.7.- Tecnologas y aplicaciones emergentes, donde interviene la electrnica de potencia.

A continuacin expondremos algunos de los criterios ms relevantes de varios autores


especializados en la disciplina de la Electrnica de Potencia. Ello permitir contrastar diferentes criterios
que sobre esta materia se tiene en la actualidad con objeto de identificar ms el concepto de
Electrnica de Potencia.

Muhammad H. Rashid en su libro Power Electronics Circuits, Devices and Applications (Prentice
Hall 1993) considera que la Electrnica de Potencia combina potencia, electrnica y control. El Control
se ocupa de las caractersticas estticas y dinmicas de los sistemas en lazo cerrado. La Potencia se
encarga de los sistemas de potencia mviles y estticos para la generacin, transmisin y distribucin
de la potencia elctrica. Por ltimo la Electrnica trata con los componentes de estado slido y circuitos
para el tratamiento de seales con el objetivo de obtener el control necesario. Por tanto Electrnica de
Potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y
conversin de la potencia elctrica.

Ned Mohan, Tore M. Undeland y William P. Robbins en su libro Power Electronics. Converters,
Applications and Design ( Johm Wiley & Sons, 1995) definen la tarea de la Electrnica de Potencia al
procesamiento y control de la energa elctrica suministrando voltajes y corrientes en la manera ms
ptima para ser utilizada por diferentes cargas. Con esta visin, se consigue dar cuenta de los
diferentes procesos a los que puede verse sometida la energa elctrica en funcin de las exigencias
de las diferentes cargas que necesiten de dicha energa para realizar un trabajo.

Joseph Vithayathil en su libro Power Electronics. Principles and Applications, (McGraw-Hill 1995)
define a la Electrnica de Potencia como la tecnologa que liga la potencia elctrica con la electrnica.

Bimal K. Bose en la introduccin del texto Power Electronics and Variable Frequency Drives(IEEE
Press 1996) menciona como la Electrnica de Potencia combina la conversin y el control de la
potencia elctrica para diversas aplicaciones, tales como fuentes de alimentacin reguladas AC y
DC, control de iluminacin y calefaccin, soldadura elctrica, procesos electroqumicos, calentamiento
por induccin, control de mquinas DC y AC, etc.

La evolucin en Electrnica de Potencia a travs de los aos, ha desembocado en el concepto


actual de la disciplina Electrnica de Potencia como la sntesis de mltiples disciplinas tecnolgicas, tal
como aparece en la siguiente figura.

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Introduccin a la Electrnica de Potencia

Electrnica Analgica y CAD


Componentes
Digital Semiconductores
de Potencia

Micro-Computadores ELECTRNICA DE Convertidores


POTENCIA Circuitos

Teora de Control Mquinas


Elctricas
Figura 1.8.- Electrnica deCircuitos
Potencia una tecnologa interdisciplinar.
VLSI

Visin Interdisciplinar
Veamos a continuacin cual es la relacin de la Electrnica de Potencia con las principales
reas que forman la Electrnica. Para ello realizaremos esta visin interdisciplinar empezando por
definir los distintos niveles estructurales que comprende la Electrnica.

El estudio de la Electrnica pretende alcanzar, como objetivo final, los conocimientos


necesarios para poder realizar e interpretar sistemas electrnicos. Estos ltimos debern realizar unas
funciones especficas en un proceso determinado. Para alcanzar dicho objetivo, es decir, realizar e
interpretar un sistema, la Electrnica se subdivide en niveles estructurales o bloques fundamentales que
se sustentan cada uno de ellos sobre el anterior, dichos niveles se muestran en la siguiente figura.

ELECTRNICA DE
ESTADO SLIDO

ELECTRNICA DE LOS DISPOSITIVOS


Transductores Componentes Componentes Dispositivos Dispositivos
Pasivos Activos Optoelectrnicos de Potencia

CIRCUITOS
Circuitos Integrados ELECTRNICOS

Analgicos Digitales

Circuitos Circuitos
Analgicos Digitales
Circuitos de
Convertidores Potencia
A/D y D/A

SUBSISTEMAS ELECTRNICOS
Subsistemas de
Subsistemas Subsistemas Potencia
Analgicos Digitales

SISTEMAS ELECTRNICOS
Fig. 1.9.- Niveles estructurales de la Electrnica.

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1.5.- Componentes de base en la Electrnica de Potencia.

Los componentes semiconductores de potencia que vamos a caracterizar se pueden clasificar


en tres grupos de acuerdo a su grado de controlabilidad:

Diodos : Estado de ON y OFF controlables por el circuito de potencia.


Tiristores: Fijados a ON por una seal de control pero deben conmutar a OFF mediante el
circuito de potencia.
Conmutadores Controlables: Conmutados a ON y a OFF mediante seales de control.(BJT,
MOSFET, GTO, IGBT's)

Veamos las principales caractersticas de cada uno de estos conmutadores de estado slido.

DIODO:

Es el elemento semiconductor formado por una sola unin PN. La figura siguiente muestra el
smbolo y la caracterstica esttica i-v de dicho componente.

Figura 1.10.- Smbolo y caracterstica principal de los diodos.

Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular corriente en sentido contrario al de


conduccin. El nico procedimiento de control consiste en invertir la tensin nodo ctodo, no
disponiendo de ningn terminal de control. En rgimen transitorio cabe destacar dos fenmenos:

Recuperacin Inversa: El paso de conduccin a bloqueo no se efecta instantneamente. Pues cuando


el diodo conduce una corriente directa I, la zona central de la unin est saturada de portadores
mayoritarios, y aunque un circuito externo fuerce la anulacin de la corriente aplicndole una tensin
inversa, cuando la corriente pasa por cero an existe una cantidad de portadores que cambian su
sentido de movimiento y permiten la conduccin de una corriente inversa durante un tiempo de
recuperacin inverso (trr), tal como se muestra en la figura 1.11.

Los parmetros definidos en el proceso de corte dependen de la corriente directa, del dI/dt y de
la tensin inversa aplicada. El tiempo de recuperacin de un diodo normal es del orden de 10us, siendo
el de los rpidos de 0.5 a 2 us.

Recuperacin Directa: Es otro fenmeno de retardo de menor importancia que el anterior, cuando el
diodo pasa de bloqueo a conduccin, y cuyo efecto se muestra en la siguiente figura.

En el proceso de paso a conduccin la respuesta del diodo es inicialmente de bloqueo a la


corriente. Siendo esta respuesta quien provoca una sobretensin VFP , ocasionada por la modulacin
de la conductividad del diodo durante la inyeccin de portadores minoritarios. As el diodo se asemeja a
una resistencia donde su valor decrece con el tiempo. Esta resistencia equivalente est ligada a la
concentracin de portadores minoritarios inyectados. Por tanto VFP depende de la anchura y
resistividad de la zona central del diodo.

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trr

Depende
de la
tensin

Figura 1.11.- Caracterstica de conmutacin de un diodo con carga resistiva

Dependiendo de las aplicaciones, existen varios tipos de diodos:

1. Diodos Schottky. Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin directa muy pequea
(0.3 V tpicos) para circuitos con tensiones de salida pequeas. Tienen limitada su capacidad
de bloquear tensin a 50 - 100 V.

2. Diodos de Recuperacin rpida. Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en


combinacin de conmutadores controlables, donde se necesitan tiempos de recuperacin
pequeos. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de
amperios, estos diodos poseen un trr de pocos microsegundos.

3. Diodos de frecuencia de Lnea. La tensin en el estado de ON de estos diodos es la ms


pequea posible, y como consecuencia tienen un trr grande, el cual es nicamente aceptable
en aplicaciones de la frecuencia de lnea. Estos diodos son capaces de bloquear varios
kilovoltios y conducir varios kiloamperios. Pudindose conectar en serie y/o paralelo para
satisfacer cualquier rango de tensin o de corriente.

TIRISTORES.

Dentro de la denominacin general de tiristores se consideran todos aquellos componentes


semiconductores con dos estados estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentacin
regenerativa de una estructura PNPN. Existen varios tipos, de los cuales el ms empleado es el
rectificador controlado de silicio (SRC), aplicndole el nombre genrico de tiristor.

Dispone de dos terminales principales, nodo y ctodo, y uno auxiliar de disparo o puerta. En la
figura siguiente se muestra el smbolo y la caracterstica I-V esttica de dicho componente. La corriente
principal circula del nodo al ctodo. En su estado de OFF, puede bloquear una tensin directa y no
conducir corriente. As, si no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo
independientemente del signo de la tensin Vak. El tiristor debe ser disparado a ON aplicando un pulso
de corriente positiva en el terminal de puerta, durante una pequeo instante, posibilitando que pase al
estado de bloqueo directo. La cada de tensin directa en el estado de ON es de pocos voltios (1-3V).

Una vez empieza a conducir, es fijado al estado de ON, aunque la corriente de puerta
desaparezca, no pudiendo ser cortado por pulso de puerta. Solo cuando la corriente del nodo tiende a
ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, se cortar el tiristor

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Figura 1.12.- Smbolo y caracterstica principal de los tiristores.

Si un tiristor est polarizado en


directa, la inyeccin de una
corriente de puerta al aplicar un
voltaje positivo entre G y K
activar al tiristor. Conforme
aumenta la Igate, se reduce el
voltaje de bloqueo directo, tal
como se muestra en esta figura.

Figura 1.13.- Caracterstica I-V de un tiristor en funcin de la corriente de puerta.

En rgimen esttico, dependiendo de la tensin aplicada entre nodo y ctodo podemos


distinguir tres regiones de funcionamiento:

1. Vak < 0 zona de bloqueo inverso. Dicha condicin corresponde al estado de no conduccin en
inversa, comportndose como un diodo.

2. Vak > 0 sin disparo zona de bloqueo directo. el tiristor se comporta como un circuito abierto
hasta alcanzar la tensin de ruptura directa.

3. Vak > 0 con disparo zona de conduccin Se comportar como un cortocircuito, s una vez
ha ocurrido el disparo, por el SCR circula una corriente superior a la corriente de enclavamiento.
Una vez en conduccin, se mantendr si el valor de la corriente nodo ctodo es superior a la
corriente de mantenimiento.

En rgimen transitorio cabe destacar dos fenmenos:

Transitorio a conduccin: La evolucin temporal de las seales se muestra en la figura siguiente, donde
se observa que desde el momento en que se aplica el impulso de puerta hasta que la intensidad del
nodo empieza a subir, transcurre un tiempo denominado de retardo a la excitacin (td(on)). Despus
la intensidad sube hasta su valor final en un tiempo tr. La suma de los tiempos tre y ts se denomina
tiempo de disparo td.
Durante el td(on), el tiristor permanece en el estado de bloqueo. Sin embargo la corriente de
puerta est inyectando portadores mayoritarios en la unin p cercana al terminal de puerta hasta que

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Introduccin a la Electrnica de Potencia

aumenta la concentracin, momento en que empieza a fluir la corriente de nodo. Llegando a la


corriente Io despus del intervalo tr.

Igate

Io
Iak

Vak

td(on) tr tps

Figura 1.14.- Curvas caractersticas del proceso de puesta a conduccin.

Transitorio a corte: Si el circuito externo fuerza una reduccin muy brusca de la intensidad del nodo e
intenta la conduccin en sentido inverso, los portadores de las uniones no pueden reajustarse, por tanto
hay un tiempo de retraso por almacenamiento donde se comporta como un cortocircuito conduciendo
en sentido contrario al estar polarizado positivamente, produciendo un pico de corriente IRRM,, tal
como se muestra en la siguiente figura. Las restantes cargas se recombinan por difusin. Cuando ha
disminuido la concentracin, la puerta recupera su capacidad de gobierno, pudiendo aplicar tensin
directa sin riesgo de cebado. A este tiempo se le denomina tiempo de recuperacin de puerta tgr. La
duracin del proceso de corte es t OFF t g = t RR + t GR . Tg suele ser del orden de 5us para los tiristores
rpidos y 50us para los de red.

I
Tq=Toff

t3 t4
t1 t2
t5 t6
Irrm
tgr
V trr

Figura 1.15.- Curvas caractersticas del proceso de corte del tiristor.

De esta forma tq es el menor tiempo que debe transcurrir entre que se invierte la intensidad por
el nodo y el instante en que aplicamos tensin nodo-ctodo positiva sin que entre en conduccin. El
tiempo tq depende de varios factores:

a).- Aumenta con la Temperatura.


b).- Disminuye con la tensin inversa aplicada.
c).- Aumenta con la intensidad directa del estado de conduccin.

Dependiendo de la aplicacin, existen diversos tipos. Adems de parmetros de tensin y


capacidad de corriente, el tiempo de turn-off (tq), la cada directa de tensin, el di/dt en el turn-on y el
dv/dt en el turn-off son caractersticas determinantes ante la eleccin de uno u otro tipo.
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TEMA 1 : Introduccin a los Sistemas de Potencia

Conmutadores Controlables

En esta categora se incluyen diversos dispositivos semiconductores de potencia, incluyendo


BJTs, MOSFETs, GTOs e IGBTs, los cuales pueden ser conmutados a conduccin y a corte mediante
seales de control.

Un conmutador ideal controlado tiene las siguientes caractersticas:


Bloquea cualquier tensin directa o inversa sin que circule a traves suyo ninguna corriente.
Conduce cualquier corriente con cero voltios de cada entre sus terminales.
Conmuta de conduccin a corte o viceversa instantneamente cuando es disparado.
No consume potencia para su control.

Sin embargo los componentes reales no disponen de todas esas caracterstica: bloquean voltajes
finitas, disipan potencia, conmutan en tiempos finitos y no son capaces de bloquear voltajes inversos
(dependiendo del dispositivo). Estas limitaciones llevan al conmutador real a su destruccin si no se
utiliza correctamente. Para considerar la disipacin de potencia en un semiconductor, consideremos el
circuito de la figura siguiente:

Figura 1.16.- Curvas caractersticas del proceso de conmutacin en un conmutador real.

Las caractersticas deseables en un conmutador controlable se pueden resumir en los


siguientes apartados:

1. Pequea corriente de fugas en el estado de OFF.


2. Pequea tensin en el estado de ON para minimizar las prdidas por conduccin.
3. Cortos tiempos de turn-on y turn-off. Esto posibilitar su utilizacin a frecuencias elevadas.
4. Gran capacidad de bloquear tensin directa e inversa.

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Introduccin a la Electrnica de Potencia

5. Gran capacidad de conducir corrientes elevadas. As no se necesitarn paralelizar


componentes.
6. Coeficiente de temperatura positivo en la resistencia del estado de conduccin. Esto
asegura que al paralelizar componentes, estos compartan la corriente.
7. Pequea potencia para el control.
8. Capacidad para resistir tensin y corriente simultneamente durante las transiciones de los
estados. As se eliminar la utilizacin de redes de ayuda a la conmutacin (snubber).
9. Grandes di/dt y dv/dt. Esto minimizar la necesidad de utilizar redes externas de
proteccin.

Veamos a continuacin de forma muy breve la caracterstica V-I en estado estacionario para
los conmutadores controlables ms usuales:

Bipolar Junction Transistor (BJT):

Figura 1.17.- Smbolo y caracterstica V-I de los transistores bipolares

La figura anterior muestra el smbolo y caracterstica esttica de un transistor bipolar NPN. Tal
como se muestra en su caracterstica V-I, una corriente de base suficientemente grande IB>IC/hfe (dep.
de la I colector) llevar al componente a la plena conduccin. En el estado de conduccin la tensin
Vce(sat) est normalmente entre 1-2V.

En un transistor bipolar existen tres regiones de operacin: de corte, activa y de saturacin. En


la regin de corte el transistor est desactivado o la corriente de base no es suficiente para activarlo
teniendo ambas uniones polarizacin inversa. En la regin activa, el transistor acta como un
amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante la ganancia y el voltaje Vce
disminuye con la corriente de base: la unin CB tiene polarizacin inversa y la BE directa. En la regin
de saturacin el transistor acta como interruptor teniendo una corriente de base lo suficientemente
grande para disminuir la Vce: ambas uniones estn polarizadas directamente. La caracterstica de
transferencia se muestra en la siguiente figura:
Corte Activa Saturacin
Vcc

Vce(sat)
Ib

Figura 1.18.- Caractersticas de transferencia en un transistor bipolar.

Manejan menores voltajes y corrientes que el SCR, pero son ms rpidos. Fciles de controlar
por el terminal de base, aunque el circuito de control consume ms energa que el de los SCR. Su
principal ventaja es la baja cada de tensin en saturacin. Como inconvenientes destacaremos su
poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria.

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TEMA 1 : Introduccin a los Sistemas de Potencia

Gate-Turn-Off Thyristors (GTOs):

Figura 1.19.- Smbolo y caracterstica V-I de los tiristores controlados a corte.

Funcionamiento muy similar al SCR pero incorporando la capacidad de bloquearse de forma


controlada mediante una seal de corriente negativa por puerta. Mayor rapidez frente a los SCR,
soportando tensiones y corrientes cercanas a las soportadas por los SCRs. Su principal inconveniente
es su baja ganancia de corriente durante el apagado, lo cual obliga a manejar corrientes elevadas en la
puerta, complicando el circuito de disparo.

Metal-Oxide-Semiconductior Field Effect Transistors (MOSFET):

El control del MOSFET se realiza por tensin, teniendo que soportar solamente un pico de
corriente para cargar y descargar la capacidad de puerta. Como ventajas destacan su alta impedancia
de entrada, velocidad de conmutacin, ausencia de ruptura secundaria, buena estabilidad trmica y
facilidad de paralelizarlos. En la siguiente figura se muestra el smbolo, caracterstica esttica V-I y
caracterstica ideal de un MOSFET de canal N.

Figura 1.20.- Smbolo y caracterstica V-I de los transistores


MOSFET

Veamos a continuacin el circuito equivalente,


donde se indican los componentes que tienen un mayor
papel en el proceso de conmutacin.

La capacidad Gate-to-drain,CGD, se comporta


como una funcin no lineal con la tensin, siendo uno
de los parmetros ms importantes al representar un
lazo de realimentacin entre la salida y la entrada del
circuito. CGD se suele llamar Capacidad de Miller debido
a que causa que la capacidad de entrada dinmica sea
mayor que la suma de las capacidades estticas. Turn-
on delay, td(on), es el tiempo que se tarda en cargar a la Figura 1.21.- Circuito equivalente de un MOSFET
capacidad de entrada del componente antes de que la corriente por del drenador comience.
Similarmente, turn-off delay, td(off), es el tiempo que necesita para descargar dicha capacidad

Comparacin entre Bipolares y Mosfets:

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Introduccin a la Electrnica de Potencia

BJT MOSFET
CORRIENTE BIPOLAR. CORRIENTE UNIPOLAR
Portadores minoritarios determinan la No hay efectos de almacenamiento.
resistencia de conduccin. .Efectos de Coeficiente de temperatura positivo
almacenamiento. No hay 2 ruptura.
Coeficiente de temperatura negativo RDS(ON) grande especialmente en MOS de
2 ruptura alta tensin.
Pequea resistencia de conduccin

CONMUTADOR GUIADO POR CORRIENTE. CONMUTADOR GUIADO POR TENSION.

APROVECHAMIENTO OPTIMO DEL Si. MAL APROVECHAMIENTO DEL Si.

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs):

En la siguiente figura se muestra el smbolo y la caracterstica V-I de funcionamiento de un


IGBT:

Figura 1.22.- Smbolo y caracterstica V-I de los transistores IGBT

El IGBT combina las ventajas de los MOSFETs y de los BJTs, aprovechando la facilidad del
disparo del MOSFET al controlarlo por tensin y el tipo de conduccin del bipolar, con capacidad de
conducir elevadas corrientes con poca cada de tensin. El IGBT tiene una alta impedancia de entrada,
como el Mosfet, y bajas prdidas de conduccin en estado activo como el Bipolar. Pero no presenta
ningn problema de ruptura secundaria como los BJT.

El IGBT es inherentemente ms rpido


que el BJT. Sin embargo, la velocidad de
conmutacin del IGBT es inferior a la de los
MOSFETs. Veamos a continuacin una grfica,
donde se compara la cada directa de tensin
respecto a la corriente entre un Mosfet y un
IGBT de similares caractersticas:

Figura 1.23.- Comparacin de la cada de tensin


directa en un MOSFET y un IGBT.

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TEMA 1 : Introduccin a los Sistemas de Potencia

Ventajas del IGBT comparado con el MOSFET y con el Transistor Bipolar respecto de la Resistencia de
ON (Over Junction Temperature) y del Fall Times (Resistance Values at 10 Amps of Current)

Destacamos que los componentes de la tabla anterior son de niveles de V/I comparables, sin
embargo el transistor Bipolar necesita 1.2 veces ms rea de Silicio que el IGBT, y el MOSFET
necesita 2.2 veces ms rea de Si que el IGBT para conseguir los mismos niveles de V/I, lo cual incide
en el coste del semiconductor. Para corrientes elevadas y temperaturas altas, el IGBT ofrece una baja
cada de tensin directa con unos tiempos de conmutacin similares al Bipolar sin complicaciones en el
circuito de disparo.

Mos-Controlled Thyristors (MCT):

Su smbolo y caracterstica esttica se muestra a continuacin.

Figura 1.24.- Smbolo y caracterstica V-I de los transistores MCT.

De la caracterstica se observa que el MCT tiene muchas de las propiedades del GTO,
incluyendo su baja cada de tensin en su estado de ON para corrientes relativamente grandes, junto a
su caracterstica de latch (el MCT permanece a ON incluso si la seal de puerta desaparece). El MCT
es un dispositivo controlado por tensin, y dispone de dos ventajas principales respecto al GTO:
Circuito de disparo ms simple al no necesitar corrientes negativas grandes para el turn-off y mayor
velocidad en las conmutaciones. Adems dispone de una cada de tensin en ON menor que el IGBT.

Finalmente
veamos un grfico
que compara las
capacidades de
tensin, corriente y
frecuencia de dichos
componentes
controlables.

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