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UNIVERSIDAD TECNOLGICA EQUINOCCIAL

CAMPUS ARTURO RUZ MORA


FACULTAD DE CIENCIAS DE LA INGENIERA

ESCUELA DE INGENIERA ELECTROMECNICA

INFORME PRCTICA #5:

El transistor bipolar de unin: Circuitos de polarizacin

ELECTRNICA BSICA
GRUPO #2:

BERMAN CRDOVA
GINNA OBREGON
FERNANDO QUIONEZ
FERNANDO BRAVO

INGENIERO CHRISTIAN MACAS C.

PERIODO ABRIL-AGOSTO 2015


1. Tema:

El transistor bipolar de unin: Circuitos de polarizacin.

2. Objetivos:

Comprobar en la prctica el cumplimiento de las ecuaciones que rigen la


operacin de un transistor bipolar de unin.
Determinar el punto Q de funcionamiento.
Determinar prcticamente el Beta del BJT empleado en un circuito de
polarizacin por divisor de voltaje.

3. Marco terico:

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas ya sea dos capas de


material tipo n y una capa tipo p, denominado transistor npn o bien de dos capas de
material tipo p y una tipo n denominado transistor pnp. Este dispositivo permite
controlar y regular una corriente grande mediante una seal muy pequea. Existen
dos tipos transistores que son los mencionados anteriormente: el NPN y el PNP, y
la direccin del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
grfico de cada tipo de transistor.

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los diodos, puede


ser de germanio o silicio. El transistor es un dispositivo de 3 terminales con los
siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el
emisor, con el terminal que tiene la flecha en el grfico de transistor.

Ingeniera Electromecnica IV Nivel Ing. Christian Macas C. Pg. 2


APLICACIONES DEL TRANSISTOR

Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)


Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de
radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin
conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM)
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores)

ZONAS EN DONDE OPERA EL TRANSISTOR

CORTE Y SATURACIN: Conmutacin (Corte abierto y Saturacin cerrado).

Zona de Corte: No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de


Colector y Emisor tambin es nula. La tensin entre Colector y Emisor es la de la
batera. El transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor
abierto.
= = = 0; =

Zona de Saturacin: Cuando por la Base circula una intensidad, se aprecia un


incremento de la corriente de colector considerable. En este caso el transistor entre
Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. De esta forma, se
puede decir que la tensin de la batera se encuentra en la carga conectada en el
Colector.

; =

La operacin en las regiones de corte, de saturacin y lineal de las caractersticas


del BJT se proporcionan a continuacin:

1. Operacin en regin lineal:


Unin base-emisor en polarizacin directa
Unin base-colector en polarizacin inversa
2. Operacin en regin de corte:
Unin base-emisor en polarizacin inversa
Unin base-colector en polarizacin inversa
3. Operacin en regin de saturacin:
Unin base-emisor en polarizacin directa

Ingeniera Electromecnica IV Nivel Ing. Christian Macas C. Pg. 3


Unin base-colector en polarizacin directa

Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturacin se dice que trabaja en


conmutacin. En definitiva, como si fuera un interruptor.

Zona Activa: Acta como amplificador. Puede dejar pasar ms o menos corriente.

ACTIVA: Amplificadores y dems Circuitos Lineales

Para que un BJT pueda polarizarse en su regin lineal o activa, deben cumplirse las
siguientes condiciones:

1. La unin base-emisor debe estar en polarizacin directa (voltaje de la regin p


ms positivo), con un voltaje resultante en polarizacin directa entre 0.6 y 0.7 V.

2. La unin base-colector debe estar en polarizacin inversa (voltaje de la regin n


ms positivo), con el voltaje de polarizacin inversa dentro de los lmites mximos
del dispositivo.

TIPOS DE POLARIZACION DEL TRANSISTOR

CIRCUITO DE POLARIZACIN FIJA


=

Malla colector-emisor
=
+ = 0
=
=
=
Malla Base-Emisor
= 0 =
=

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Nivel de Saturacion Malla Base-Emisor
0 = 0
= = = 0
= ( + 1)
( + ) = 0
=
( + ( + 1) ) + = 0
( + ( + 1) ) + = 0
( + ( + 1) ) =

=
+ ( + 1)
= ( + 1)
Malla colector-emisor
+ + = 0
+ ( + ) = 0
= ( + )
=
Voltaje del colector a tierra
CIRCUITO DE POLARIZACIN =
ESTABILIZADO EN EMISOR = +
=
Voltaje en la base con respecto a tierra
=
= +
Nivel de saturacin

=
+
= |=0

POLARIZACIN POR DIVISOR DE VOLTAJE


Existen dos mtodos que pueden aplicarse para analizar la configuracin por
divisin de voltaje.
El primero que se demostrar es el mtodo exacto que puede aplicarse en cualquier
configuracin por divisin de voltaje. El segundo se denomina mtodo aproximado
y puede aplicarse solamente si se satisfacen condiciones especficas. El mtodo
aproximado permite un anlisis ms directo que ahorra tiempo y energa.

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Configuracin de polarizacin por medio Nuevo trazo del lado de entrada
de la red de la figura del divisor de voltaje.

Anlisis exacto Anlisis aproximado


Determinacin de R Th
= 1 ||2

2
=
Determinacin de ETh 1 + 2
102
2 =
= 2 =
1 + 2
=


=
= 0
= ( + )
=
+ ( + 1)
= ( + )
Insercin del circuito equivalente de
Thvenin.

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4. Herramientas y equipos:

1 fuente de voltaje DC
1 protoboard
1 multmetro
Cables de conexin

5. Materiales e insumos.

Transistor BC547 equivalente


1 resistencia (R1) de 6,8 k (1/2W)
1 resistencia (R2) de 2,2 k (1/2W)
1 resistencia (R2) de 4,7 k (1/2W)
1 resistencia (Rc) de 220 (1/2W)
1 resistencia (Re) de 100 (1/2W)
Manual ECG

6. Esquemas

7. Procedimiento

7.1. Mediante el uso del Manual de Semiconductores ECG buscar la disposicin


de terminales del transistor BC547 anotndolos en un cuadro grfico.

7.2. Elaborar una tabla que incluya la nomenclatura del transistor, la disposicin
de terminales y las caractersticas tcnicas de funcionamiento.

7.3. Mediante el uso del Multmetro Digital, utilizando la escala de prueba de


diodos medir la resistencia entre las terminales del transistor BC547 a fin de
determinar el estado del transistor. (Procedimiento similar a la deteccin del
estado de un diodo).
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7.4. Armar en protoboard el circuito de la figura 1 y obtener, tanto terica


(clculos) como prcticamente (mediciones directas), los parmetros
principales del circuito: Ib, Ic, Vce, , etc. Tomar en cuenta que para algunos
parmetros deber emplear mtodos indirectos como los aprendidos (ley de
Ohm) en las prcticas anteriores.

7.5. Obtener el valor aproximado de la ganancia DC () del transistor empleado


y compararla con el valor terico especificado para dicho dispositivo. En qu
regin de operacin se encuentra el transistor?

7.6. Repetir los pasos 7.4 y 7.5 para una R2=4,7 k. Puede emplear un
potencimetro.

7.7. Simular en Workbench (o cualquier otro software) el circuito de la figura 2.

7.8. Verificar el funcionamiento del mismo, realizando las mediciones de las


corrientes respectivas (de ser necesarias) empleando para ello los
instrumentos del software.

7.9. Funciona correctamente la lmpara? Justifique su respuesta con los


clculos respectivos.

7.10. Si no funcionara correctamente, indique cmo solucionara el


problema (2 soluciones: las ms convenientes y sencillas).

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8. Grficas y/o Anlisis de Resultados

8.1. Mostrar los parmetros solicitados en los puntos 7.1 y 7.2.

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TRANSISTOR BC547 DISPOSICIN DE TERMINALES


POLARIDAD: NPN EMISOR (3)
ENCAPSULADO: TO92 BASE (2)
VOLTAJE MXIMO VBC = 75 V COLECTOR (1)
DE RUPTURA: VCE = 40 V
CORRIENTE MXIMA DE IC = 0,6 A
COLECTOR:
POTENCIA MXIMA DE
DISIPACIN DE PD = 0,625 W
COLECTOR:
GANANCIA TPICA (BETA): hFE = 200 (min)
FRECUENCIA: f = 300 MHz (min)

8.2. Muestre los valores obtenidos en el punto 7.3 en una tabla y genere su
conclusin del estado del transistor en base a stos.

Punta roja Punta negra Medida del hmetro


Colector Emisor 120 k
Emisor Colector 90 k
Emisor Base 78 k
Base Emisor 7,7 k
Base Colector 10,3 k
Colector Base 51,2 k

Condiciones a cumplirse de existir operacin correcta del transistor:

Baja resistencia entre Base y Emisor.


Baja resistencia entre Base y Colector.
Alta resistencia entre Emisor y Colector sin importar la polaridad del
multmetro digital.

De acuerdo con los valores tabulados y comparndolos con los valores calculados
se puede establecer que nuestro transistor est en un estado de funcionamiento
estable ya que los terminales base emisor y base colector, que les aplicamos
polarizacin directa, presentan una resistencia menor en comparacin con los
dems terminales.

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8.3. Mostrar los clculos tericos, segn lo solicitado en el punto 7.4 y los valores
prcticos obtenidos. Contrastarlos finalmente mediante una tabla.

Datos:
Vcc= 12V
R1= 6,8 k
R2= 2,2 k
Rc= 220
Re= 100
typ= 200

Simulacin

Determinacin de

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= 1 ||2
1 2
=
1 + 2

(6,82,2) 2
= = ,
(6,8 + 2,2)

Determinacin de

2
= 2 =
1 + 2

2,2(12)
= 2 = = ,
(6,8 + 2,2)

Mall Base-Emisor

= 0

=
+ ( + 1)
(2,93 0,7)
= =
(1,66 + (200 + 1)100)

= =200(101 A)= 20.22 mA

Malla Colector-Emisor

= ( + ) = 12 18.66(220 + 100) = , ; .

= = 20.22(100) = ,

=
= + = (5,53 + 2.02) = 7,55
= + = (0,7 + 2.02) = 2,8
= = (2,8 7,55) = , ;

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VALORES Vce Vbc Ic VE VC IE


TEORICA 5,53 V -4,83 v 20,22 mA 2,02 V 7,55 V 20,22 mA 200
PRACTICA 5,4 V -4.6 v Sin calc. 1,96V 7,53 V Sin Cal. 200

8.4. Realizar lo solicitado en el punto anterior para R2.


Datos:
Vcc= 12V
R1= 6,8 k
R2= 4,7 k
Rc= 0,22 k
Re= 0,1 k
typ= 200

Simulacin

Determinacin de

= 1 ||2
1 2
=
1 + 2

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(6,84,7) 2
= = ,
(6,8 + 4,7)

Determinacin de

2
= 2 =
1 + 2

4,7(12)
= 2 = = ,
(6,8 + 4,7)

MBE

= 0

=
+ ( + 1)
(4,9 0,7)
= =
(2,78 + (200 + 1)100)

= =200(183 A)= 36,6mA

MCE

= ( + ) = 12 36,6(330)
= 0,27 ( < )

= = 36,1(0,1) = ,

=
= + = (0,27 + 3,67) = ,
= + = (0,7 + 3,67) = ,
= = (4,37 3,94) = , ( , )

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VALORES Vce Vbc Ic VE VC IE


TEORICA 0,27 V O,43 V 36,6 mA 3,67 V 3,94 V 36,6 mA 200
PRACTICA 0,7 0,02 V SC 3,6 V 4,4 V SC 147

8.5. Detalle los resultados de los puntos 7.7 al 7.10

P=V.I

I=P/V

I=10W/12

Imax=0.83A

Como se observa en los ampermetros la corriente que fluye a travs de


la lmpara es de 0.83 A.

Ic= .IB

IC=(150)(11.3mA)

Ic=1,695A

Ic > Imax

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Por medio de los debidos clculos podemos concluir que la lmpara no


funcionara correctamente porque la corriente de colector es mayor que la
corriente mxima que puede soportar la lmpara, y evidentemente esto
ocasionara que se queme

Las soluciones ms convenientes son:

Colocar una resistencia mayor que 2,2 k, ya que con una resistencia mayor
la corriente de base Ib va a disminuir y esta a su vez va a disminuir el valor
de la corriente de colector Ic, ya que ambas tienen una relacin directamente
proporcional.
Utilizar una lmpra de mayor de 21 W, ya que soportara una corriente
mxima Imax= 1,17 A, y esta corriente es mayor que la corriente de colector
Ic.

P=VxI

P=12V*1,695 A

P=20,34 W

9. Cuestionario

a) Qu diferencia encuentra entre el obtenido en el primer circuito y el del


segundo? Compare ambas, son iguales? Explique.

En nuestra prctica al obtener los valores medidos y los calculados nos podemos
dar cuenta que el beta no vara con mucha importancia, es ms, se podra decir que
se acercan al beta tpico del transistor BC547.

Esto nos muestra que nuestro circuito es una polarizacin por divisor de voltaje lo
que implica una no dependencia de beta por parte del circuito. Y ese es
precisamente el propsito de la prctica, comprobar que la teora est en lo cierto y
que nuestros valores ya no dependen en demasa de la ganancia beta

El primer circuito est trabajando como un amplificador, en este circuito la corriente


est siendo amplificada 200 veces como estn las especificaciones del catlogo,
mientras que en el segundo circuito se nota que el transistor no est trabajando
como un amplificador. Esto se demuestras tambin, mediante el clculo del voltaje
de Colector-Emisor en cada uno de los circuitos, en el primero es mayor a 1 y en el
segundo es menor.

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b) Justifique matemticamente el valor de Ic en el segundo circuito. Depende


del valor de Ib? De dnde se obtiene dicho valor? Explique.

En el anlisis matemtico se depende de Ib, ya que sabemos que en la resolucin


Vce es menor que 1V, asi estamos demostrando que nuestro transistor esta
trabajando en zona de saturacin y no como amplificador por lo tanto trabaja como
un interruptor cerrado y el valor se lo obtiene de la malla de salida, y nos damos
cuenta que al saber que estamos en la zona de saturacin se hace un corto entre
el colector y el emisor e Ic ya no depende de Ib, sino que se lo calcula directamente
de la MCE malla de salida de la siguiente manera


=
+

12
= = 37,5
0,22 + 0,1

37,5 38,1

c) Justifique las diferencias entre los valores calculados tericamente y los


prcticos. Por qu se dan estas diferencias?

Los valores calculados son diferentes a los prcticos debido a que los
componentes reales siempre tienen una tolerancia de error, al igual que los
instrumentos que usamos para medir. Lo cual nos genera un porcentaje de
error con los valores calculados, en los cuales usamos componentes ideales.

d) Defina el concepto de recta de carga y muestre la correspondiente al


circuito estudiado, ubicando los puntos de operacin para los 2 diferentes
valores de R2.

La recta de carga es un grfica que se utiliza para observar los puntos de


operacin Q mximos de un transistor, es decir la mxima corriente que
puede soportar el transistor (corriente de saturacin) y tambin el voltaje
mximo que soporta dicho dispositivo para que no pierda sus propiedades
tanto fsicas como electrnicas (VCE de ruptura). Adems refleja todos los

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posibles puntos de funcionamiento que pueden darse para unos valores


determinados de VCE y las corrientes del colector (Ic).
Esta recta se realiza sobre las curvas caractersticas de un transistor,
tomando como un punto inicial de trazado a la intensidad de colector mxima
(corriente de saturacin) y como un punto final a la tensin colector-emisor
mxima que viene a ser el mismo valor de la fuente de alimentacin (Vcc).

Estas condiciones se obtienen igualando a cero la corriente de colector (IC) y


el voltaje colector-emisor (VCE):

= ; =
= . .
= . . ;
= . .
=

= ; =
= . .
= . . ;
= ( + )
( + ) =

=
( + )

Con nuestros datos se daran los siguientes valores:



= =
( + )
12
= 12 =
(216,5 +99,88)
= 37,92

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10. Conclusiones

Mediante la finalizacin de la prctica y los clculos de las corrientes nos damos


cuenta q podemos aumentar y disminuir la corriente de Ib por medio de la
resistencia lo cual hace que entre en la zona de saturacin o la zona activa.

Al terminar la prctica determinamos que trabajar con los datos reales de los
elementos podemos tener clculos ms exactos tericamente ya q el multmetro
no mide corrientes muy bajas.

Se logr comprobar las ecuaciones que rigen la operacin de un transistor


bipolar de unin mediante el anlisis de cada circuito, tanto de manera terica
como prctica, con lo cual se obtuvo una aproximacin buena entre estos dos
ltimos casos mencionados.

Al medir el valor de VCE del segundo circuito tenemos un voltaje menor a 1, lo


que estable el funcionando del transistor BC547 en el circuito 2 de la fig1 como
si fuera un conmutador, entonces podemos concluir el dicho transistor est
operando en la zona de saturacin.

Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic) mxima y una


tensin colector emisor (VCE) casi nula (cero voltios), en los clculos decimos
que es menor a 1 V, por lo cual se considera que los terminales colector y emisor
estn en cortocircuito, de esta manera se aplica la formula ICsat=Vcc/RC.

Una de las conclusiones que se debe rescatar es que en el circuito por


polarizacin de divisor de voltaje, el valor de ganancia beta no va a tener mayor
trascendencia, ya que este es el propsito de este tipo de configuracin,
independizar a nuestro circuito de beta, y los valores que van a tener mayor
importancia los valores de R1 y en especial el valor de R2.

Tambin se pudo entender como era el objetivo de la prctica que al cambiar el


valor de R2 nuestro circuito cambia totalmente sus caractersticas y nuestro
punto de operacin Q se movi de la zona lineal a la zona de saturacin con tan
solo subir la resistencia, esto se debe a que en el circuito de polarizacin por
divisor de voltaje, el valor de la resistencia R2 va a determinar la cada de

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resistencia es decir Rth y es el valor que ahora comanda la fuente de control de


nuestro transistor.

11. Recomendaciones

Tomar en cuenta la disposicin de los terminales del transistor al momento de


realizar la prctica.
Asegurarse que el instrumento de medida este en ptimas condiciones, con la
prueba del multmetro.
Realizar las mediciones de manera reiterada si es necesario ms de dos veces
con la intencin de estar seguros de los datos.
Investigar ms sobre este tipo de laboratorios para tener una base en que
apoyarse antes de hacer la prctica.

12. Bibliografa

- Manual ECG
- Texto: Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos/Boylestad-
Nashelsky (Octava edicin)
- http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-4-
teoria.pdf
- http://quegrande.org/apuntes/grado/1G/TEG/teoria/10-11/tema_7_-
_transistores_bipolares.pdf
- http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/curvascaracteristicas.html
- DataSheet
- Apuntes

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