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Amplificateur distribu en technologie HEMT


mtamorphique sur GaAs large bande
passante et faible bruit pour...

Article January 2005

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7 authors, including:

H. Happy
Universit des Sciences et Technologies de Lille 1
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Amplificateur distribu en technologie HEMT mtamorphique sur GaAs
large bande passante et faible bruit pour rcepteur optolectronique
40 Gbits/s

G. Wolf1, H. Happy1, S. Demichel2, R. Leblanc2, F. Blache3, R. Lefvre3 and G. Dambrine1


1
Institut dElectronique de Microlectronique et de Nanotechnologie (IEMN), dpartement Hyperfrquences et
Semiconducteurs, U.M.R. C.N.R.S. 8520, BP69 F-59652, Villeneuve dAscq Cedex, France,
e-mail : Guillaume.wolf@iemn.univ-lille1.fr
2
OMMIC, 22 avenue Descartes, BP11, F-94453 Limeil Brevannes Cedex, France
3
OPTO+, Alcatel R&I, route de Nozay, F-91461 Marcoussis, France

Rsum : Nous montrons la ralisation dun amplificateur distribu prsentant un gain de 12,5 dB0,45 dB et
une bande passante de 50 GHz, dans une technologie HEMT mtamorphique sur substrat GaAs. Ce circuit est
ralis dans la filire technologique D01MH de OMMIC (grille de longueur 0,1 m). Lamplificateur a un
facteur de bruit minimum sur 50 de 2,5 dB dans la bande passante. La variation du temps de propagation de
groupe est de 7,5 ps dans la bande 9-40 GHz et la consommation du circuit est de 0,4 W.
Cet amplificateur a t intgr avec une photodiode de forte responsivit pour raliser un
photorcepteur. La mesure du diagramme de loeil montre les potentialits dun tel photorcepteur pour une
liaison 40 Gbits/s.

I. Introduction
Depuis quelques annes, le dveloppement des communications multimdia a gnr une demande
importante pour des systmes haut dbit et fortes capacits. Si le 10 Gbits/s est devenu le standard, le 40
Gbits/s sera indispensable pour rduire les cots et augmenter les capacits par canal. Les systmes de
transmission sur fibre optique haut dbit ncessitent des amplificateurs hautes performances : bande passante
allant de quelques Hz jusqu la frquence correspondante au dbit, des variations minimales du temps de
propagation de groupe pour viter de dformer les signaux ainsi quun faible bruit pour garantir une forte
sensibilit.
Laccroissement des dbits est donc un vritable challenge pour les concepteurs de circuits analogiques.
Les amplificateurs distribus ont dmontr quils taient particulirement bien adapts pour de telles
applications [1], aussi bien en mission (drivers) qu'en rception (amplificateurs transimpdance). Jusqu
prsent, les amplificateurs distribus sur substrat InP ont montr de meilleures performances que ceux sur
substrat GaAs [1-2]. Toutefois, les HEMT mtamorphiques offrent des performances quivalentes aux HEMT
sur InP en conservant les avantages de cot et de fabrication des technologies GaAs [3]. Il nous a ainsi sembl
judicieux d'valuer les performances de ces composants dans une configuration circuit, d'autant plus que du point
de vue de la consommation, cette filire prsente des avantages par rapport la filire HEMT pseudomorphique.
Cette communication dcrit la conception, la fabrication et la caractrisation dun amplificateur trans-
impdance en technologie HEMT mtamorphique pour les communications optiques 40 Gbits/s ainsi que son
intgration dans un module photorcepteur 40 Gbits/s.

II. Procd technologique


Les circuits ont t fabriqus dans une technologie disponible en fonderie chez OMMIC (filire
D01MH). Le procd est bas sur une technologie HEMT mtamorphique faible bruit, de longueur de grille 0,1
m, caractrise avec une frquence de transition FT de 150 GHz, une transconductance de 750 mS/mm, une
tension de claquage de 8V et une tension de pincement de 0,8 V. La technologie micro ruban sur un substrat
aminci de 100 m a t utilise pour la fabrication des amplificateurs.

III. Conception de lamplificateur distribu


Lamplificateur distribu prsent ici est bas sur l'utilisation de cellules cascodes. Cette architecture,
utilise en lieu et place de transistors monts en source commune, prsente les avantages dun gain plus lev,
dune bande passante accrue grce la compensation des pertes sur la ligne drain et une amlioration de
lisolation entre/sortie par rduction de leffet Miller [4].
Toutefois, la rsistance ngative, induite par lutilisation de cellules cascodes, doit tre attentivement
contrle pour viter dventuelles instabilits. Pour rduire ce risque on insre une inductance entre la source
des transistors source commune et la masse comme illustre sur la figure 1.
Fig.1. Schma de principe de lamplificateur distribu
La stabilit des circuits a t tudie en utilisant la mthode de la fonction du dterminant normalis
(NDF) approche particulirement bien adapte lanalyse des systmes boucls [5].
Le circuit est polaris au travers des rsistances de charge de la ligne drain Rd et de la ligne grille Rg.
Des plots permettent de polariser le drain (Vd) et la grille (Vg2) des transistors grille commune ainsi que la grille
des transistors source commune (Vg1). Le circuit est ainsi parfaitement adapt un montage en botier.
Lamplificateur comporte 8 tages et une taille de 3,2x1,2 mm. Une photographie du circuit ralis
est prsente sur la figure 2.

Fig.2. Photographie de lamplificateur distribu

IV. Caractrisation de lamplificateur ralis


La mesure sur tranche a t ralise sur analyseur vectoriel de rseau HP8510XF dans la bande de
frquence 0-110 GHz au moyen dun calibrage LRRM (Line Reflect Reflect Match). Les paramtres S mesurs
sont illustrs sur la figure 3.
Lamplificateur prsente un gain de 12,5 dB pour une bande passante de 50 GHz et un gain trans-
impdance de 48 dB.. Les conditions de polarisation sont Vdrain= 6V, Vgrille_source_commune= -0,3 V et
Vgrille_grille_commune= 1,4 V. Dans ces conditions de fonctionnement, la consommation du circuit est de 0,4 W et
londulation du gain est de 0,45 dB entre 5 et 40 GHz.
Le paramtre S21 montre une surtension en basse frquence due une rsonance entre la capacit,
utilise pour dcoupler la rsistance de charge de la ligne drain, et linductance ramene par les aiguilles de
polarisation DC. Nous lavons vrifi par simulations en modlisant les aiguilles de polarisation et en mesurant
lamplificateur directement polaris au travers de Te de polarisation intgrs aux pointes hyperfrquences de
mesure. Dans ces conditions particulires, la consommation peut tre rduite 0,17 W.
La rflexion en entre est infrieure 15 dB et la rflexion en sortie infrieure 10 dB jusque 65
GHz.

Fig.3. Paramtres S mesurs de lamplificateur


Le temps de propagation de groupe, calcul entre 0,5 et 50 GHz, est reprsent sur la figure 4. La
variation maximale entre 9 et 40 GHz est de 7,5 ps. Londulation observe aux plus basses frquences est lie
au dcouplage insuffisant des aiguilles de polarisation.

Fig.4. Temps de propagation de groupe fonction de la frquence

La figure 5 reprend la figure de bruit sur 50 mesure dans les bandes 6-20 GHz et 26-40 GHz et
simule dans la bande 6-40 GHz. Le facteur de bruit tient entre 2,5 dB et 4,5 dB dans la bande passante avec un
facteur de bruit moyen de 3 dB. On constatera un bon accord entre mesure et simulation.

Fig.5. Facteur de bruit sur 50 Ohms mesur (V) et simul (trait continu)

En se basant sur le bon accord entre mesure et simulation du bruit, nous calculons la densit de courant
de bruit dentre. La densit de courant de bruit dentre, reprsente sur la figure 6, est infrieure 20 pA/Hz
dans la bande utile.

Fig. 6. Densit de courant de bruit dentre et sensibilit optique dentre fonction de la frquence

V. Module photorcepteur
Un amplificateur quivalent prsentant une bande passante de 55 GHz et un gain trans-impdance de
45,6 dB. a t intgr avec une photodiode prsentant une responsivit de 0,7 A/W dans un module
photorcepteur. La connexion entre les puces est assure par des fils de liaison.
La rponse du photorcepteur est prsente sur la figure 7. La bande passante mesure atteint 35 GHz
avec un gain de conversion electro-optique de 130 V/W. Les perturbations basses-frquences sont rduites par
lutilisation de circuits de dcouplage externes.
La mesure du diagramme de lil NRZ 40 Gbits/s est aussi illustre sur la figure 7. Malgr un lger
bruit sur les niveaux d aux perturbations basses frquences, on remarque que le diagramme de l'il reste ouvert.

Fig. 7. Rponse lectro-optique et diagramme de lil du photorcepteur

VI. Conclusion
Nous rendons compte de la ralisation dun amplificateur trans-impdance en technologie HEMT
mtamorphique sur GaAs qui prsente un gain de 12,5 dB avec une ondulation de 0,45 dB, une bande passante
de 50 GHz et un bruit minimum de 2,5 dB.
Cet amplificateur a t intgr avec succs dans un photorecepteur 40 Gbits/s.

VII. Remerciement
Les auteurs tiennent remercier Sylvie Lepilliet de lIEMN pour la caractrisation hyperfrquence des
amplificateurs.
Ce travail a t soutenu par le ministre de lconomie, des finances et de lindustrie dans le cadre du
projet RNRT HEMERODE.

Rfrences
[1] S. Masuda, T. Takahashi, and K. Joshin, An over 110 GHz InP HEMT flip-chip distributed amplifier
baseband amplifier with inverted microstrip line structure for optical transmission system, IEEE
Journal of Solid State Circuits, vol. 38, no. 9, pp. 1479-148, Sept 2003.
[2] H. Shigematsu, M. Sato, T. Hirose, and Y. Watanabe, A 54-GHz distributed amplifier with 6-Vpp
output for a 40-Gb/s LiNbO3 modulatour driver,IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 37, No. 9,
pp.1100-1105, Sept 2002.
[3] M.S. Heins, C.F. Campbell, M-Y. Kao, M.E. Muir, and J.M. Caroll, A GaAs MHEMT distributed
amplifier with 300 GHz Gain-Bandwidth Product for 40 Gb/s Optical applications,IEEE MTTs
Digest, Vol.2, pp. 1061-1064, June 2002.
[4] S. Kimura, Y. Imai, Y. Umeda, and T. Enoki, Loss-Compensated distributed baseband amplifier ICs
for optical transmission systems, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 44,
No. 10, pp.1688-1693, Oct. 1996.
[5] M. Campovecchio, J.C. Nallatamby, S. Mons, R. Qur, and G. Pataut, Stability analysis of millimeter-
wave circuits. Application to DC-40 GHz PHEMT amplifier and Ku-band HBT power amplifier, 30th
European Microwave Conference. Paris 2000. pp 294-.297.

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