INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA

UNIDAD ZACATENCO

INGENIERIA EN COMUNICACIONES Y ELECTRNICA

ACADEMIA DE COMPUTACIN
LABORATORIO DE MICROCONTROLADORES
PRCTICA No. 1.

MODULOS DE MEMORIA

ALUMNO: LPEZ CUEVAS LEONARDO

PROFESOR: BRAVO LEN JOS LUIS

GRUPO: 6CM3 SEMESTRE: 6

OBJETIVOS:
OBJETIVO GENERAL: Utilizar los elementos que intervienen en el diseo de mdulos de memoria.
OBJETIVO ESPECIFICO: que el alumno aprenda a construir y disear un modulo de memoria de 4
bits, para despus realizar una memoria de 8 bits con dos
modulos de memoria de 4 bits.

EQUIPO Y MATERIAL:
Fuente de Voltaje
2 CI 74LS244
1 CI 7404
1 CI 74LS139
16 Resistencias de 220
4 Resistencias 330
2 Displays 7 Segmentos nodo Comun
2 CI 7447
1 Header Hembra
Juego de Jumpers Hembra-Hembra
Cable UTP
1 Tablilla Protoboard
INTRODUCCION
La ampliacin de componentes es una caracterstica del diseo y en el caso de las memorias tiene
dos objetivos:
Incrementar el tamao de las palabras.
Incrementar el nmero de palabras de memoria.

Un sistema basado en microprocesador tiene una capacidad de direccionamiento y

anchura de palabra en funcin de las caractersticas del microprocesador de acuerdo al bus
de direcciones y del de datos respectivamente. Siendo el bus de control, especfico al
microprocesador. De esta manera, la capacidad del sistema depende de:

Direccionamiento del sistema 2n siendo n el nmero de bits del bus de direcciones del
microprocesador
Ancho de palabra m siendo m el nmero de bits del bus de datos del microprocesador
Bus de control depende del microprocesador, siendo las seales tpicas para la memoria
la de lectura (R) y la de escritura (W)

ANTECEDENTES IMPORTANTES
Las computadoras porttiles utilizan el mismo tipo de memoria que se encuentran en las
computadoras de escritorio, pero en una forma ms compacta. El factor de forma de los mdulos
utilizados en las porttiles se llama Doble Mdulo de Memoria en Lnea de Contorno Pequeo (SO
DIMM por sus siglas en ingls de Small Outline Dual In-line Memory Module). Es un factor de forma
que principalmente determina el tamao de los mdulos de memoria. Los mdulos estn conectados
a la placa base del equipo mediante un nmero de pines. El nmero exacto de piness est
determinado por el factor de forma y tipo de memoria. Dado que la memoria porttil y de escritorio
son de diferentes tamaos y nmeros de pines, no son intercambiables. Las porttiles ms
modernas utilizan memoria DDR2 o DDR3 DIMM en el factor de forma SO con 200 o 204 pines.

Las computadoras de escritorio son

compatibles con el uso de la RAM usando el
factor de forma DIMM en lnea. En general,
los nuevos tipos de memoria tienen un mayor
nmero de pines diseados para proporcionar
una mayor velocidad y ancho de banda. La
mayora de los mdulos DIMM de escritorio
utilizan una configuracin de 240 pines,
aunque los modelos ms antiguos utilizan 184
pines. Las computadoras modernas de
escritorio y ordenadores porttiles suelen tener memoria Double Data Rate utilizando el estndar de
memoria DDR, DDR2 o DDR3. Los mdulos DDR de PC utilizan una configuracin de 184 pines
mientras que ambos mdulos DDR2 y DDR3 usan 240 pines. Puesto que los mdulos DDR2 y
DDR3 no son compatibles -a pesar de que son los mismos de tamao- se diferencian por una
pequea muesca entre los pasadores conocidos como tecla de tensin. Esta muesca evita que los
usuarios inserten mdulos de memoria RAM en una placa elctricamente incompatible.

Memoria DDR

El tipo ms antiguo de la memoria Double Data Rate utiliza una configuracin de 184 pines en los
mdulos de escritorio y de 200 pines en los mdulos mviles. La memoria DDR utiliza la
especificacin Memoria de Acceso Aleatorio de Dinmica Sincrnica (o SDRAM por sus siglas en
ingls de Synchronous Dynamic Random Access Memory). Las tres generaciones de memoria DDR
tienen una velocidad efectiva dos veces mayor que su velocidad real. La velocidad de reloj real de la
memoria es siempre la mitad de su valoracin DDR. Un mdulo DDR nominado DDR266 tiene una
velocidad real de memoria de 133 megahertz. La primera generacin de memoria DDR tiene entre
DDR200 y DDR400 con el nmero que representa la velocidad efectiva de la memoria en
megahertz.

Memoria DDR2

La segunda generacin de mdulos de memoria DDR

utiliza una mayor cantidad de pines y proporciona
velocidades de transferencia ms rpidas en los
equipos mviles y de escritorio. Los mdulos SO DIMM
DDR2 tienen un esquema de 200 pines mientras que
los modelos de escritorio utilizan 240 pines. La
memoria DDR2 tiene velocidades entre DDR2-400 y
DDR2-1066.

Mdulos DDR3

La ltima generacin de memoria DDR funciona a velocidades de entre 800 y 1600 MHz.
Generalmente la memoria DDR3 es fsicamente del mismo tamao y tiene el mismo nmero de
pines que los mdulos DDR2. A pesar de que son fsicamente similares, la llave de voltaje de los
mdulos DDR3 DIMM impide su uso en placas base DDR2 y viceversa. Esta caracterstica es
necesaria, ya que los mdulos DDR3 funcionan generalmente en una configuracin de baja tensin
que los mdulos DDR o DDR2. La mayora de los mdulos DDR funcionan a 3,3 voltios, mientras
que los mdulos DDR2 requieren 1,8 voltios y la mayora de los mdulos DDR3 funcionan a 1,35 o
1,5 voltios.
Procedimiento para el diseo de un mapa de memoria de un sistema basado en
microprocesador: 1. Detallar las necesidades del sistema en cuanto a direccionamiento, anchura
de palabra y tipo de memoria a utilizar (RAM/ROM).

2. Determinar los circuitos integrados de que se dispone, tanto en longitud como en anchura de
palabras y definir los que se necesitan.
3. Construir el mapa de memoria.
4. Determinar el tamao de pgina y disear la tabla de direcciones y ocupacin de cada circuito
integrado.
5. Determinar la circuitera auxiliar necesaria para el control del circuito.
6. Dibujar el circuito completo de la memoria.

PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS

Como se puede observar en el circuito, existen 4 memorias, de las cuales van direccionadas a un
selector. Estas memorias guardaran un valor, un nmero que depender a su cdigo binario que se
le proporcione al canal de datos. Esto llevara a una habitacin del circuito en un multiplexado, esto
es lo que nos ayudara a decidir que memoria se elegir.
Se tienen 4 memorias, por lo que se tienen 4 direcciones (000, 001, 010, 011), de los cuales se
tienen guardados los datos en binario de 1, 3, 5, 9 respectivamente.
Esto se podr observar gracias al circuito previamente fabricado de un decodificador de binario a
decimal, lo que para nosotros ser de gran ayuda. Primero se observara una memoria de 4 bits con
el cicuito ya hecho anteriormente.

Con ayuda de un compaero que previamente hizo su circuito, se elaborara una memoria de 4x8, de
tal manera que se aunemtara el doble de valores almacenados con el mismo numero de direcciones
(4), en optras palabras, se mostrara dos nmeros distintos en nuestro circuito decodificador, de tal
manera que este se acople a la tabla de
direcciones proporcionadas en la practica.

CONCLUSIONES:
Cuando se ha de disear una
memoria principal cuyas dimensiones
(nmero de bits y nmero de palabras)
exceden a las de una memoria, se tienen
que disponer varios chips en para alcanzar
las dimensiones requeridas.
Se disponen 2 memorias en
paralelo a los que se llevan las mismas m
lneas de datos, las mismas n lneas de
direccin menos significativas y la misma
lnea de lectura/escritura (R/W).
Las k lneas de direccin ms
significativas se decodifican para activar con
cada salida del decodificador el selector de
chip (SC) de cada uno de los 2 memorias