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Capítulo 12 Diodos 1

Capítulo 12

Diodos

Capítulo 12 Diodos 2

12.1.1 Introducción

Para el estudio de la teoría de funcionamiento de los diodos, transistores, y
circuitos integrados, es necesario comprender las características básicas de los
semiconductores. En este capítulo se discutirán los conceptos básicos de la
teoría atómica, y luego se presentará paso a paso la operación de los diodos.
Además, se presentarán algunos principios básicos, símbolos y aplicaciones de
semiconductores específicos.

12.1.2 Semiconductor Intrínseco

Todos los materiales están formados por átomos, que a su vez están
compuestos de electrones, protones y neutrones. Para comprender mejor un
semiconductor, en esta sección veremos la constitución de los átomos y dos de
los principales materiales semiconductores: el silicio y el germanio.
Un átomo es la partícula más pequeña que tiene las características originales
del elemento al cual pertenece. Para los diferentes elementos debe haber
diferentes átomos, lo que significa que cada elemento posee una constitución
única y específica de sus átomos.

Electrón en órbita

Núcleo

Fig. 12.1 Modelo atómico de Bohr

Capítulo 12 Diodos 3

Según el modelo atómico clásico de Bohr, la estructura de un átomo es como
un sistema planetario. El centro del sistema es el núcleo, y los planetas son los
electrones que giran alrededor del núcleo en órbitas, como se ve en la Fig. 12.1
El núcleo está compuesto de protones, con carga positiva y neutrones, que no
tienen carga. El electrón es la partícula básica con carga negativa. Los átomos
de cada elemento tienen un cierto número de electrones y protones. No
obstante, la cantidad de electrones es siempre igual al número de protones
para cada átomo. Esto permite que el número de cargas positivas sea igual al
número de cargas negativas, y se mantiene en estado neutral. Por ejemplo, el
átomo más simple que existe es el de Hidrógeno, que posee un protón y un
electrón, como se muestra en la Fig. 12.2(a). En la Fig. 12.2(b) e aprecia el
átomo de helio, que tiene dos protones, dos neutrones y dos electrones que
giran alrededor en órbitas.

Un electrón en órbita
Dos electrones en
órbita

Dos protones y dos
neutrones
en el núcleo
Un protón

(a) Átomo de Hidrógeno (b) Átomo de Helio

Fig. 12.2 – Átomos de Hidrógeno y de Helio

Un semiconductor es un elemento con 4 electrones de valencia. Esto significa
que existen 4 electrones en la órbita exterior de los átomos del material
semiconductor, y se llaman electrones de valencia. La cantidad de electrones
de valencia es el punto clave en la conductividad de un elemento. Un conductor
tiene un electrón de valencia, el semiconductor tiene 4 electrones de valencia y
el aislador tiene ocho electrones de valencia.

Tanto el silicio como el germanio tienen cuatro electrones en su órbita exterior,
como se muestra en las Fig. 12.3 y 12.4. Por lo tanto, generalmente se usa
silicio o germanio como materiales semiconductores. El átomo de germanio se
muestra en la Fig. 12.3, y tienen 32 protones en el núcleo. Sus electrones se
distribuyen en órbitas según el siguiente orden: dos electrones en la primera
órbita, ocho electrones en la segunda órbita, dieciocho electrones en la tercera
órbita, y cuatro electrones en la quinta y última órbita.

Capítulo 12 Diodos 4

El semiconductor más común es el silicio o sílice. Tiene 14 protones y 14
electrones. Como se muestra en la Fig. 12.4, dos electrones en la primera
órbita, ocho en la segunda, y los restantes cuatro en la órbita exterior.
No importa si se trata de silicio o de germanio, la cantidad de electrones es
igual a la cantidad de protones; por lo tanto, el átomo es neutro. Esto significa
que no existe carga adicional en el átomo. Si se pierde un electrón de valencia,
entonces la cantidad de electrones será menor que la cantidad de protones y
se convierte en un ión positivo, con una carga positiva.

Fig. 12.3- Átomo de germanio Fig. 12.4 – Átomo de silicio

Electrón de
valencia
compartido

(a) El enlace covalente se forma al
Compartir un electrón de valencia (b) Diagrama de enlaces covalentes

Fig. 12.5 – Enlaces covalentes en átomos de Si

Cuando los átomos de silicio se conectan entre sí como material sólido, se
convierten en una estructura cristalina, y la conexión la forman los enlaces

Capítulo 12 Diodos 5

covalentes. Estas fuerzas de unión son establecidas por electrones de valencia
de cada átomo. El silicio o sílice se asemeja a un trozo de material cristalino.

En la Fig. 12.5, cada átomo de silicio tiene cuatro átomos similares que lo
rodean. Los átomos adyacentes de silicio comparten los electrones de valencia
de los demás. Por lo tanto, se tienen ocho electrones de valencia para cada
átomo, lo que hace que el átomo de silicio adquiera un estado de estable.

Fuerzas iguales de los átomos adyacentes atraerán a estos electrones
compartidos, y por lo tanto, se forman los lazos covalentes entre estos
electrones de valencia y los átomos. Los lazos covalentes que existen en el
cristal intrínseco de silicio se muestran en la Fig. 12.6. El germanio tiene
también cuatro electrones de valencia, por lo tanto tenemos la misma situación
de enlace que con el silicio.

Fig. 12.6 – Enlaces covalentes en cristales intrínsecos de silicio

A temperatura ambiente, el silicio obtiene energía del ambiente mismo. El
electrón de valencia que tenga suficiente energía escapará del enlace con el
núcleo y se convierte en un electrón libre, como se muestra en la Fig. 12.7.

Electrón libre

Energía térmica
Agujero

9. Se tiene también otra corriente inducida por los agujeros en el nivel de valencia. Este movimiento causado por el flujo de electrones libres inducirá una corriente en el semiconductor. moviéndose en el material intrínseco. De manera igual. se generará un agujero. 12. por lo que no se pueden mover libremente. llamada “flujo de electrones”. Los agujeros en esta órbita todavía están atados a los átomos del cristal. . 12. y por lo tanto. siendo una de las razones que se puede usar bajo condiciones de alta temperatura. Este espacio vacío se llama “agujero”. Sin embargo. se le aplica un potencial (polarizado) para liberar los electrones y que sean atraídos hacia el terminal positivo. A esto se le llama “flujo de agujeros”. tal como la que proviene de la luz. excepto a temperaturas de cero absoluto.Capítulo 12 Diodos 6 Fig. Por lo general se forman pares de electrones – agujeros. se excita y se escapa de la órbita. calor. 12. como se puede ver en la Fig. cuando el electrón de valencia adquiere fuerza externa. y una vez que el electrón libre pierde la energía. Tiene una mayor cantidad de aplicaciones. Este electrón de valencia se convierte en un electrón libre.7 – Generación de un electrón libre Cuando el electrón escapa de su posición original y se convierte en un electrón libre. El germanio es muy parecido al silicio. se combina con el agujero y de nuevo se convierte en un electrón de valencia. Sin embargo. excepto que tiene una conductividad más alta puesto que tiene una mayor cantidad de electrones libres. 12.8. Da la apariencia que el agujero se ha movido de su posición. se debe tomar notar que la cantidad de electrones y agujeros en el trozo de silicio es la misma a temperatura ambiente y por lo tanto no posee ninguna carga. o potencia eléctrica.8 – Flujo de corriente inducida por el movimiento de los electrones libres (excitados por calor). un electrón puede “dejarse caer” a un agujero en su vecindad y dejar un agujero en su sitio original. dejará un espacio vacío en la covalencia. En la Fig. Fig.

el material de silicio (o de germanio) es generalmente contaminado con electrones libres y agujeros para mejorar su conductividad y que sean útiles para efectos eléctricos.3 Semiconductores Tipo n y Tipo p En la banda de conducción no existen suficientes electrones libres ni suficientes agujeros en la banda de valencia de un trozo intrínseco de silicio. Por lo tanto. El procedimiento de “contaminación” (dopaje) le suministrará corriente a los conductores (electrones y agujeros).9 – Flujo de agujeros en la masa de silicio 12.3. La cantidad de estos electrones libres .10. de tal forma que se reduce la resistencia en la sustancia y se mejora su conductividad. 12. dependiendo de las impurezas en el semiconductor. fósforo y antimonio. Si se puede controlar adecuadamente la concentración de impurezas. Estas impurezas pueden ser de arsénico. y el electrón que sobra no está atado a ningún átomo. 12. En la Fig. cada átomo (en la figura se trata de antimonio – Sb) con cinco electrones de valencia. Estos materiales se pueden dividir en materiales tipo n y tipo p.Capítulo 12 Diodos 7 Electrón de valencia Agujero Agujero Fig. que tienen todos cinco electrones de valencia.1. Cuatro electrones de valencia del antimonio se utilizan en los enlaces covalentes. Este se puede considerar como un electrón libre.1 Semiconductores Tipo n Al contaminar el silicio puro con materiales impuros que tengan cinco electrones de valencia se aumentará la cantidad de electrones en la banda de conducción. entonces se puede controlar la conductividad. 12. forma enlaces covalentes con cuatro átomos vecinos de silicio.

Sin embargo.10 – Átomo impuro con 5 electrones de valencia en cristal de silicio. En los semiconductores de tipo n. boro. Estas impurezas son tales como el aluminio. En el centro hay un átomo de boro. Al dopar el silicio puro con materiales impuros con tres electrones de valencia. 12. los electrones entonces son los principales portadores. 12. Estos agujeros en los materiales de tipo n se llaman portadores minoritarios. y galio. 12.11. y se requiere un electrón libre adicional. A pesar de ello.3. Los principales portadores de corriente son los electrones. cada átomo con tres electrones de valencia tratará de formar enlaces covalentes con cuatro átomos vecinos de silicio. se aumentan los agujeros en el silicio. Los electrones libres donados por el material impuro no dejan agujeros en los átomos. Capítulo 12 Diodos 8 se puede controlar agregando la cantidad adecuada de impurezas. por lo que llamamos a este tipo de semiconductor como tipo n. 12. La letra n implica que se trata de electrones con carga negativa.10 – Átomo impuro con tres electrones de valencia en cristal de silicio. En el centro hay un átomo de antimonio. solamente hay tres electrones de valencia en el átomo de boro que se pueden usar en los enlaces covalentes. con tres electrones de valencia. y no son producidos por elementos con cinco electrones de valencia. El electrón sobrante es un electrón libre.2 Semiconductor Tipo p Agujero Fig. Electrón libre (conductor) Fig. todavía se genera una cantidad de agujeros por ionización térmica. Por lo . En la Fig.

sino que también es la estructura principal de los transistores y otros tipos de dispositivos de estado sólido. Existen muchos electrones (portadores mayoritarios) y pocos agujeros (portadores minoritarios) inducidos por la ionización térmica en la región de tipo n. los electrones en el material tipo n se desviarán sin control.12 se muestra un cristal de silicio. minoritario: Unión p-n agujero electrón Tipo Tipo p n Agujero Electrón Fig. A pesar de ello.. 12. 12.4. como se muestra en la Fig. se forma un agujero debido a la carencia de electrones libres. En el momento de contacto. minoritario: agujero. 12. Hay muchos agujeros (portadores mayoritarios) y muy pocos electrones (portadores minoritarios) inducidos por ionización térmica en la región tipo p.2 Región de Agotamiento Si no existe polarización externa. por lo que llamamos a este tipo de semiconductor como tipo p.12 – Estructura p-n en el momento de contacto. Los principales portadores de corriente son los agujeros.Capítulo 12 Diodos 9 tanto.12.1 Unión p-n En la Fig. 12.4 Unión p-n Bajo Condición de no bias 12. La cantidad de agujeros se puede controlar agregando una cantidad adecuada de impurezas. 12. Por lo tanto se forma una unión p-n. Portador principal: Portador principal: electrón.4. La unión p-n no es solamente la estructura básica de un diodo. Esta es la construcción básica de un diodo. hay algunos electrones cerca de la unión que se difundirán dentro del material tipo p y se combinarán con los agujeros cerca de la unión. Una mitad está dopada como tipo n y la otra como tipo p. . y no son producidos por elementos con tres electrones de valencia. todavía se genera una cantidad de electrones por ionización térmica. Estos electrones en los materiales de tipo p se llaman portadores minoritarios. La letra p implica que se trata de agujeros con carga positiva.

uno de los lados de la unión se convertirá en una región sin suficientes electrones. los átomos con electrones de valencia tres cerca de la unión se convertirán en iones positivos debido a que han obtenido un electrón adicional. 12.Capítulo 12 Diodos 10 Cuando los electrones se mueven a lo largo de la unión y se combinan con los electrones. 12. los átomos con electrones de valencia cinco cerca de la unión se transformarán en iones positivos. la barrera de tensión para el silicio es de 0. La tensión de barrera determinará la tensión aplicada en los dos terminales para iniciar la conducción de corriente en el diodo. Por lo tanto. 12.5 Unión p-n Bajo Condición Polarizada 12. Estas regiones desprovistas de portadores se llaman regiones agotadas. y de 0. Estas parejas de electrón-agujero se generan por ionización térmica. Estos son portadores minoritarios. Regiones Iones negativos agotadas Iones positivos Fig.1 Polarización Directa . Cuando aumenta la temperatura en la unión. deberán vencer la fuerza de atracción de los iones positivos y la fuerza de repulsión de los iones negativos. Para más detalles. hay muy pocos electrones (puntos negros) en la región p. A 25ºC.13. El ancho de las mismas aumentará hasta que los electrones ya no se mueven a través de la unión p-n en equilibrio.5. leer la siguiente sección. se disminuye la tensión de barrera. En este tipo de fenómeno. y pocos agujeros (círculos) en la región n. Los iones positivos y negativos formarán una barrera de tensión a través de las regiones agotadas.13 – En estado de equilibrio.7 V. y viceversa. si los electrones en el material tipo n tienden a difundirse en la región de material tipo p.3 V para el germanio. y la otra más bien con suficientes electrones. como se muestra en la Fig. A la vez. una vez que las capas ionizadas se forman.

En este caso se usa una resistencia para limitar la corriente y proteger el diodo. se convierten en electrones de valencia. La teoría básica de la polarización directa es la siguiente: El terminal negativo de la batería repele a los electrones en la banda de conducción de tipo n. la corriente en la región p es el resultado de que los huecos se muevan hacia la unión. Por lo tanto. 12. Se mueven en la región de agujeros uno por uno. 12. El terminal negativo de la batería repondrá los electrones que se van de la región n. 12. En la Fig. La Fig. la tensión directa se conecta en al diodo a manera de polarización directa. y el terminal positivo repele a los huecos en la región p de la unión (similar a las cargas diferentes que se repelen).14 – Conexión con polarización directa. Región agotada . hacia el terminal positivo de la batería. Estos electrones pasarán a través de la región agotada y de la unión para combinarse con los agujeros de la región p.15 muestra a un diodo bajo polarización directa.Capítulo 12 Diodos 11 Bias (polarización) es la tensión constante aplicada en un semiconductor para que funcione bajo ciertas condiciones. la corriente en la región n es el resultado de que los electrones en la banda de conducción se muevan hacia la unión. Los electrones de valencia que se mueven dan la apariencia de que el agujero se mueve en la dirección opuesta. Por lo tanto.14. El terminal negativo de la batería se conecta a la región de tipo n (cátodo). Una vez que los electrones ingresan a la región p y se combinan con los agujeros. La polarización directa (hacia delante) permite que la corriente pase a través de la unión p-n. Ánodo Cátodo Fig. la tensión externa suministrará la energía suficiente para los electrones en la región n. y el positivo a la región p (ánodo). Cuando tratan de superar la tensión de barrera.

15 – Flujo de electrones en la unión p-n de un diodo Nota: La tensión de barrera no es la tensión de la fuente. 12. No conducción Conducción Flujo de huecos Flujo de electrones Fig. por lo que no es posible medirla con un voltímetro.7V para un diodo de silicio y de 0. como se muestra en la Fig.3V para uno de germanio. La tensión de barrera es de 0.2 Polarización Inversa Polarización inversa es la resistencia al paso de la corriente por la unión p-n. En la Fig. Una vez que la corriente de polarización pasa por el diodo. la tensión directa se conecta al diodo a manera de .16. la tensión en los dos terminales mantendrá la magnitud de la tensión de barrera. El diodo conducirá corriente solamente cuando la tensión externa supera a la tensión de barrera. 12.Capítulo 12 Diodos 12 Resistencia para limitar la corriente Flujo de agujeros Flujo de electrones Fig. 12.5.17. 12.16 12. La corriente directa (IF) cambiará ligeramente debido a la influencia de la resistencia total del semiconductor.

17 – Conexión con polarización inversa El principio básico de la polarización inversa es la siguiente: El terminal negativo de la batería atrae a los huecos en la región p de la unión p-n. la corriente no fluye.Capítulo 12 Diodos 13 polarización inversa. 12. Esta capacitancia interna se llama “capacitancia de agotamiento”. la región agotada se hará más ancha. Como se muestra en la Fig.19. la zona agotada se convierte en una capa aislada de iones positivos y negativos. Cátodo Ánodo Fig. Fig. 12. la unión p-n muestra un efecto capacitivo. 12. habrá más iones positivos en la región n agotada y más iones negativos en la región p. y el terminal positivo a la región n. El terminal negativo de la batería está conectado a la región p. Región agotada ancha que actúa como capa de aislamiento .18 – Polarización Inversa Cuando el diodo se conecta con polarización inversa. la capacitancia es menor y viceversa. El terminal positivo atrae a los electrones de la región n de la unión p-n. (a) La corriente de transición fluye y la (b) Cuando la tensión de barrera es igual a región agotada se hace más ancha la de polarización. Conforme los electrones y los agujeros dejan la unión p-n. La región agotada se hace más ancha debido a una mayor polarización inversa.

sucede un efecto de avalancha. Básicamente. Esto significa que la resistencia es un dispositivo lineal común. Aspecto y Medición de un Diodo. y es independiente de la magnitud de la polarización inversa. Esta última es del orden de los A o nA. encontramos que habrá más electrones generados mediante colisiones. Supóngase que tenemos un electrón en la banda de conducción. Este diodo en particular lo veremos en la Sección 12. v es una línea recta en el plano de coordenadas planas. que trabaja en la región de avalancha inversa. Si la corriente en un dispositivo es proporcional a la tensión. el dibujo de la curva de corriente vs. Placas polares Fig. Se acelerará hacia el terminal positivo del diodo una vez que reciba suficiente energía del exterior. existe un diodo en particular – el diodo Zener. Cuando la polarización inversa externa es lo suficientemente alta. Por ejemplo. En la región agotada todavía quedan “pares electrón – hueco” generados por ionización térmica.6 Símbolo. tensión de una resistencia es una línea recta. la corriente inversa de fuga depende únicamente de la temperatura en la unión. ya que se dañarían debido a la alta disipación de potencia. si este electrón colisiona con el átomo y empuja el electrón de valencia fuera de la banda de conducción. 12.8. 12. Sin embargo todavía quedará una pequeña corriente fluyendo. y por lo tanto. Cada uno de ellos chocará con un átomo y se tendrá un electrón libre. y si la curva de i vs. Aunque en pequeña cantidad. Este proceso producirá los portadores minoritarios en los materiales. dos electrones libres producirán cuatro.19 – Región agotada que se aumenta debido al aumento de la polarización inversa. A mayor temperatura la fuga será mayor. todavía hay algunos electrones bajo la polarización inversa en la unión p-n antes de combinarse con los agujeros. esto implica que el dispositivo es lineal. se tendrán dos electrones libres. A este efecto se le llama “efecto acumulado de avalancha”. Sin embargo. Utilizando el mismo mecanismo. En la senda de movimiento.Capítulo 12 Diodos 14 Regio-nes de iones. y aumentará súbitamente la corriente inversa. La mayoría de los diodos no pueden funcionar en la región de avalancha inversa. La corriente inversa del germanio es más alta que la del silicio. . Se sabe que la mayor parte del flujo de portadores tendrá valor cero poco después de aplicar la polarización inversa en el diodo.

12. La flecha va del terminal p hacia el n. del ánodo al cátodo.21 se muestran varios diodos comunes. (a) Diferentes tipos de diodos (b) Identificación de los terminales de un diodo Fig. En la Fig. donde el terminal p es el ánodo y n el cátodo. El flujo de electrones es de n hacia p. 12. Fig. 12. o sea.21 – Algunos diodos corrientes . Algunos tienen barras o anillos en el terminal n.Capítulo 12 Diodos 15 Debido a la tensión de barrera en el diodo. 12. Por lo tanto el flujo de corriente en el diodo se puede expresar como una flecha que va de p hacia n.20 – Símbolo del diodo rectificador. éste posee una relación no lineal entre la corriente y la tensión. El símbolo del diodo rectificador se muestra en la Fig.20. La mayoría de ellos traen impreso la dirección p-n.

12. de unos 100 (o aún más bajo). Esta función puede usarse fácilmente para probar la polarización de la unión p-n. como se muestra en la Fig. . mostrará resistencia bajo polarización inversa mostrará el voltaje directo baja con polarización directa del diodo bajo condición de polarización directa (el volta- je directo es igual a la suma del voltaje de barrera y de la caída de tensión en la resistencia. Por otro lado. el diodo ya está bajo circuito abierto.Capítulo 12 Diodos 16 La batería en un ohmímetro analógico puede proporcionarle al diodo polarización directa o inversa. y la punta negativa (roja) al cátodo. Algunos de los multímetros digitales tienen también la función para probar diodos.22(c).22(b). Por lo tanto. (c) Usando un multímetro de tipo analógico para probar mostrará resistencia muy alta digital para probar el diodo el diodo. 12. Si el medidor muestra una resistencia baja en ambas direcciones. su resistencia interna es muy baja. entonces la batería interna del medidor pondrá al diodo bajo polarización inversa. mostrará siempre la tensión directa del diodo. Si los cables del probador se invierten. como en la Fig. si el medidor muestra una resistencia muy alta en ambas direcciones. la punta positiva (negra) del medidor se debe conectar al ánodo del diodo. si éste funciona. (a) Al usar un multímetro (b) Bajo polarización inversa. 12.22(a). el medidor mostrará una resistencia muy alta (idealmente es infinita). Cuando el diodo está bajo polarización directa. Para medir un diodo bajo condición directa. esto implica que el diodo ya ha sido cortocircuitado. En caso de un medidor digital para la prueba de diodos. El método se muestra en la Fig.

y como aislador (resistencia infinita) bajo polarización inversa. En la Fig. el diodo ideal actúa como conductor (resistencia cero) bajo polarización directa.23(b).Capítulo 12 Diodos 17 12. En este dibujo se puede ver que las características de un diodo ideal son resistencia cero bajo polarización directa y resistencia infinita bajo polarización inversa. Por lo tanto. Diodo ideal Polarización inversa Polarización directa (a) Curva de un diodo ideal (b) Un diodo ideal actúa como interruptor ¿Qué tipo de dispositivo se puede considerar como diodo ideal? De manera ideal. la resistencia es infinita.7 Forma Aproximada de Expresar un Diodo 12.23 se muestra la corriente y la tensión para un diodo ideal. funciona como si estuviera cerrado. sabemos que el diodo será conductor bajo polarización directa. actúa como si estuviera abierto. Por lo tanto. Los conceptos se describen también en la Fig. la resistencia es cero. Cuando el diodo es conductor (polaridad directa). De lo que hemos discutido con anterioridad. pero no lo hará bajo polarización inversa. Cuando no conduce (polaridad inversa). 12. . Cuando el interruptor está abierto (OFF). cuando el interruptor está cerrado (ON).1 Diodo Ideal Existen diversas formas aproximadas de expresar las características de un diodo bajo diferentes condiciones. En realidad. no es posible fabricar un diodo ideal.7. el diodo ideal se puede considerar como un interruptor. 12.

lo que permite que VL = 10V. la potencia del diodo y la potencia total en el circuito de la Fig. Respuesta: La fuente de tensión coloca al diodo bajo condición de polarización directa.24. 12. la carga de la tensión.1 Use el modelo de un diodo aproximadamente ideal para calcular la carga de corriente. del producto de VI conocemos la potencia: Fig. 12. la Ley de Ohm determina la corriente: I = 10V / 1 k = 100 mA Como el interruptor está cerrado. por lo que se le puede considerar como un interruptor cerrado. En segundo lugar.24 – Ejemplo Ejemplo 12.Capítulo 12 Diodos 18 Fig. Por lo tanto. El circuito actúa como si la fuente de tensión de 10V estuviera conectada directamente a la resistencia de 1 k. toda la tensión caerá en la resistencia de carga.24 – Ejemplo La potencia total es igual a la suma de las potencias individuales: . la carga de la potencia. 12.

7 V.7.7V. 12. con direcciones opuestas. Por otro lado. 12. lo que significa que el diodo conduce bajo esta condición.7V. el interruptor se cierra y el potencial en el diodo es de 0. La Fig.7 V. Respuesta: Reemplace el diodo por un interruptor cerrado y una tensión de barrera de 0.Capítulo 12 Diodos 19 12. el diodo es considerado como un interruptor con un potencial de barrera de 0. Por lo tanto.7 V o tiene un valor negativo.2. la carga de tensión. si la fuente de tensión es menor de los 0. 12. la potencial del diodo y la potencia total en el circuito de la Fig. Esto sucede porque la tensión de barrera del diodo es de 0. No importa cuál sea la magnitud de la corriente. el interruptor de polaridad inversa actúa como un interruptor abierto. habrá dos fuentes de tensión en serie.25 se muestra una segunda aproximación del diodo V-I.7V y es independiente de la magnitud de la corriente.2. (a) Curva del diodo para 2ª aproximación (b) La 2ª aproximación hace que el diodo funcione como un interruptor más una batería Fig. Hay que restar una de otra y luego usar la Ley de Ohm: El potencial de la carga es: . y el diodo estará bajo un estado de circuito abierto. 12. la caída de tensión del diodo se mantiene constante en 0. Por lo tanto.25 Ejemplo 12. la potencia de la carga.7V.7V.26. Segunda Aproximación En la Fig. Esta figura muestra que la corriente de diodo existe únicamente cuando la tensión es mayor de 0. Si la fuente de tensión es de más de 0. Use la segunda aproximación para calcular la carga de la corriente.7V. Aquí. el potencial en el diodo es de 0.25(b) muestra el circuito equivalente de la segunda aproximación.

7.26 – Ejemplo 12. del diodo La potencia se obtiene mediante V x I La potencia total es igual a la suma de las potencias individuales: Fig. En la Fig. 12.Capítulo 12 Diodos 20 Otra forma de calcular el potencial de carga: fuente de tensión – tens. El potencial IR de r0 debe ser sumado a la tensión total del diodo. Tercera Aproximación La tercera aproximación consiste en considerar la resistencia interna r0 del diodo. se muestra el efecto de la r0 en el diodo. Tercera aproximación . Entre mayor sea la corriente.27. más alta será la tensión.2 12. 12. el potencial se aumentará linealmente o proporcionalmente con la corriente. Una vez que el diodo de silicio comienza a conducir.3.

como se ve en la Fig. 12.7V y una resistencia de 0.27 El circuito equivalente basado en la tercera aproximación se puede considerar como un interruptor. El potencial total en el diodo es: Ejemplo 12. Cuando la tensión suministrada es mayor que los 0. Utilice la tercera aproximación para calcular la carga de corriente.Capítulo 12 Diodos 21 Polarización inversa Polarización directa (a) Curva del diodo basada en la tercera (b) Circuito equivalente basado en la aproximación tercera aproximación Fig. Se restan las tensiones opuestas y se suman las dos resistencias.28 – Circuito en serie Respuesta: El diodo puede considerarse como un interruptor cerrado (ON). Nota la resistencia básica 1N4001 es de R b = 0. la carga de tensión.3.23 conectados en serie.7V y una resistencia r0 conectada en serie.28. la potencia. el diodo comienza a conducir. la potencia del diodo y la potencia total en el circuito de la Fig. una tensión de barrera de 0.23 - Fig. Se usa luego la Ley de Ohm: . una tensión de barrera de 0.27(b). 12. 12. 12.7V.

12. Diodos Especiales El diodo rectificador es uno de los diodos más comunes.12. 12. Los que no son de rectificación los clasificamos como de tipo especial. y diodos Varactor.29.23 es mucho más pequeña que la carga de 1 k. tales como diodos Zener. La característica de este diodo es que la tensión permanece casi constante aún cuando la corriente cambie súbitamente con la disrupción.8. En el siguiente capítulo estudiaremos la teoría de operación de los mismos. Las características de tensión y corriente se muestran en la Fig. fotodiodos. Está hecho con material de silicio con una unión p-n. Puede usarse en un circuito rectificador para convertir tensión AC en tensión DC. .1. La tensión de disrupción de un diodo Zener depende de la concentración de impurezas. Más tarde nos referiremos a ellos. La razón es que la caída de tensión en la resistencia interna del diodo hará que el potencial en el mismo sea ligeramente mayor.8. Existen tantos tipos de diodos como se quiera y sus funciones no se limitan solamente a rectificación. La diferencia entre un diodo rectificador y un diodo Zener es que este último trabaja en la región de disrupción inversa.Capítulo 12 Diodos 22 En vista de que la resistencia interna de 0. se puede ignorar la resistencia interna. Por lo tanto el resultado es muy parecido al de la segunda aproximación. las cuales deben ser muy bien controladas durante su fabricación. diodos Schottky. 12.30. Diodos Zener El símbolo del diodo Zener se muestra en la Fig. Existe solamente una pequeña diferencia en la potencia del diodo.

Cuando la tensión inversa aumenta permitirá que los conductores minoritarios tengan energías suficientes y se muevan más rápido.31 muestra la curva de características inversas del diodo Zener. y es inducida principalmente por la ruptura. Las tensiones de disrupción de los diodos Zener comerciales están entre 1.2 Características de Disrupción La Fig.8.1.8. Al diodo se le agregan gran cantidad de impurezas para bajar la tensión de disrupción.12.12. Al principio habrá únicamente una pequeña cantidad de corriente inversa. Si la tensión de ruptura es mayor de 5V. Por ejemplo. un electrón libre colisiona con un átomo y produce otro electrón libre. La corriente inversa (IR) es un valor pequeño antes de alcanzar el “codo” de la curva. Estos conductores minoritarios colisionarán con los átomos y hará que los electrones de valencia se vayan lejos de los átomos. Esto hará que la región agotada se convierta en un fuerte campo eléctrico y cuando la polarización inversa se aproxima a la tensión de disrupción (Vz). La ruptura por avalancha generalmente sucede a tensiones de disrupción inversa.29 – Símbolo de diodo Fig. entonces la ruptura por avalancha se convertirá en un asunto serio. el campo eléctrico será lo suficientemente fuerte como para expulsar a los electrones hacia fuera y formar una corriente. 12.30 – Curva característica de Zener un diodo regular 12. Estos electrones de valencia se convierten en electrones libres.8V y 200V. En este punto el diodo Zener comienza a mostrar disrupción.1 Disrupción del Diodo Zener Existen dos situaciones de disrupción en un diodo Zener: La disrupción por avalancha y la disrupción Zener. Estas colisiones suceden en forma continua. la . Estos dos producirán a su vez otros dos electrones libres al colisionar con sendos átomos por lo que ahora se tienen cuatro electrones libres.Capítulo 12 Diodos 23 Polarización directa Polarización inversa Fig. los conductores minoritarios originales y estos electrones libres continuarán con su acción y producirán más electrones libres.1. 12. Esta última sucede bajo condiciones de baja polarización inversa. A continuación. La tensión de disrupción de un diodo Zener es menos de 5V.

desde IZK hasta IZM. Existe también una limitación en cuanto a la corriente máxima IZM. debe suministrarse un mínimo de corriente inversa IZX. si la corriente es mayor que este límite.1. el potencial de terminal de un diodo Zener permanece constante para la corriente inversa. 12. de ajustar la tensión. como se muestra en la Fig. La curva de tensión no es como las líneas verticales ideales. donde se incluye la resistencia Zener R Z. la tensión de disrupción permanece casi constante. Esta es la principal característica del diodo Zener.32(a) muestra el diagrama aproximadamente ideal de un diodo Zener en la región de disrupción inversa. 12. donde el diodo se comporta como una batería. Circuito Zener Equivalente La Fig. Pequeños cambios en la corriente inversa cambiarán ligeramente la tensión Zener. La relación de VZ a IZ es la resistencia. 12. 12.3. codo Fig. el diodo se daña. De la curva de características. Puede mantener una tensión constante entre los dos terminales dentro de una región particular de corriente inversa.32(b) es el diagrama equivalente para el diodo Zener real.32(c). 12. VZT es la tensión inversa cuando la corriente inversa es IZT. aumentando solamente cuando hay un incremento de IZ. En la hoja de datos. y la ecuación es la siguiente: . la tensión ha cambiado en forma obvia y el diodo perderá su función de ajuste.8.31 – Curva de características inversas de un diodo Zener. vemos que la corriente inversa es más baja que el punto de inflexión (codo). A partir del codo. Para mantener funcionando un diodo Zener. Por lo tanto.Capítulo 12 Diodos 24 resistencia Zener (ZR) disminuye y la corriente aumenta muy rápido. VZ (o VZT) es la tensión en IZT. La Fig.

por lo tanto la tensión en IZ = 30 mA será: .33 vemos el circuito equivalente de ese diodo. Se tiene un diodo Zener con 2 mA de corriente. Respuesta: En la Fig. 12.Capítulo 12 Diodos 25 (a) Ideal (b) Real Fig. y el correspondiente cambio V Z es de 50 mV. está 10 mA más alto que cuando IZT = 20 mA. R Z es constante en la región de corriente inversa. Por lo general.4 . sabemos que IZT = 20 mA. Respuesta: RZ = VZ / IZ = 50 mV / 2 mA = 25 Ejemplo: Un diodo Zener tiene 5  de resistencia. ¿Cuál es la tensión del diodo cuando la corriente es igual a 30 mA?. 12. llamada “corriente Zener de prueba”. e IZM = 50 mA. IZK = 1 mA. Determine la resistencia Zener. RZ se determina mediante la corriente inversa específica IZT . De la hoja de datos. Cuando IZ = 30 mA. que cambia de IZK a IZM en la región lineal.32 – Circuito equivalente de diodo Zener En general.8 V. Determine también la tensión del diodo cuando la corriente es de 10 mA. IZ = +10 mA VZ = IZ RZ = (10 mA) (5) = + 50 mV Como la corriente es más alta que IZT. VZT = 6. la tensión Zener se aumentará. Ejemplo 12.

12. el potencial en los dos terminales del diodo Zener permanece constante.Capítulo 12 Diodos 26 VZ = 6. Estabilización de Tensión con Diodo Zener El diodo Zener se usa corrientemente para rectificar la tensión.1. entonces el potencial en la resistencia de 1 k para la corriente mínima es de: . Por ejemplo.8.50 mV Como la corriente es más baja que IZT.8 V + VZ = 6.4. Sin embargo.34. es 10 mA menos que con IZT = 20 mA IZ = +10 mA VZ = IZ RZ = (-10 mA) (5) = .23 12.8 V + VZ = 6. por lo tanto la tensión en IZ = 10 mA será: VZ = 6.50 mV = 6. y el rango de entrada se limitará a las corrientes altas y bajas (I ZK e IZM) del diodo. V IN se cambia con IZ. si el rango ajustable es de 4 ma a 40 mA para el diodo Zener de la Fig. Cuando la tensión de entrada se cambia (en el límite).8 V + 50 mV = 6. la tensión Zener se disminuirá.75 V Fig.85 V Cuando IZ = 10 mA.8 V . 12.

Cuando IZK = 1 mA. 12. Fig.35(b) representa el circuito equivalente de la Fig. 12. 12.35(a) Respuesta: La Fig. 12.35(a). 12.Capítulo 12 Diodos 27 Como Para la corriente mínima. el potencial en la resistencia de 1 k es: Este ejemplo demuestra que la tensión de salida del diodo puede sostener 10V (hay un pequeño cambio debido a la resistencia Zener) cuando la tensión de entrada está entre 14V y 50V. Determine los límites superior e inferior de entrada en la Fig.34 Ejemplo 12.35(a).6. la tensión de salida es: . Suponga los parámetros que se suministran a continuación: Fig.

.7V. Durante el ciclo positivo D2 funciona como diodo Zener. El circuito de la Fig. .5 Limitación con Diodos Zener En aplicaciones con AC. entonces las tensiones pico negativa y positiva están limitadas como tensiones Zener más 0.12. Sí el diodo Zener se invierte como se muestra en la Fig. el diodo Zener actúa como un diodo normal bajo polarización directa. y D1 actúa como un diodo normal bajo polarización directa. como se muestra en la Fig.1.12.35 (b) – Circuito Equivalente de la Fig.36 (a) es para limitar el pico positivo de tensión como tensión específica Zener. el diodo Zener se puede usar para limitar la amplitud de la tensión. La tensión negativa está limitada a 0. Sí se conectan dos diodos Zener en serie y espalda contra espalda.12. Para el medio ciclo.35 (a) 12.12.12.36 se muestran tres circuitos de limitación Zener. Capítulo 12 Diodos 28 Por lo tanto: Con la tensión de salida es: Por lo tanto: Fig.36 (c).36 (b).12. Los papeles se cambian durante el ciclo negativo.8. entonces el pico de tensión negativa está limitado en forma de tensión de disrupción del diodo. En la Fig.7V. limita la tensión negativa a –0.7V.

Nótese que cuando uno de los diodos Zener está en disrupción.38.12.Capítulo 12 Diodos 29 Fig. el otro debe estar bajo condición de polarización directa.12.36 – Efecto limitador de diodo Zener en tensiones de onda senoidal Ejemplo 12. y la tensión del terminal es de 0.12.37 Respuesta: Las salidas son tal como se muestra en la Fig.37 Fig.7V.12.7. Determine la tensión de salida de cada diodo Zener en la Fig. .

Capítulo 12 Diodos 30 Fig. la capacitancia de un diodo Varactor es inversamente proporcional a la polarización inversa.12.2 Diodo Varactor Básicamente.39.12. La curva de capacitancia vs.12. tensón es tal como se muestra en la Fig. Sí la polarización inversa disminuye. Por lo tanto. La región de disrupción inducida por la polarización inversa se convierte en el dieléctrico del capacitor debido a sus características de no conducción. como se muestra en la Fig. y luego ambos lados de la región de disrupción se convierten en las uniones de un capacitor. la zona de disrupción se hace más ancha. Por lo tanto el dieléctrico lo hará también. Región de disrupción placa /diel/plac Fig. Esto disminuye la capacitancia. la región de disrupción se hace más angosta y la capacitancia aumenta. Se aplica la polarización inversa en la unión p-n. 12. Las regiones de tipo p y de tipo n se convierten en las placas del capacitor. el diodo Varactor es una unión p-n bajo polarización inversa. como se muestra en las Fig. .38 12.39 – Un diodo Varactor bajo polarización inversa se puede convertir en un capacitor variable Cuando la polarización inversa aumenta.40 (a) y (b).12.40 (c).8.

y el tamaño y forma del diodo mismo. según la fórmula: La capacitancia del diodo Varactor se controla mediante la concentración de dopaje. la constante dieléctrica . y el ancho del dieléctrico.41(a) a continuación es el símbolo de un diodo Varactor y la Fig. La capacitancia del diodo puede ir desde pF hasta cientos de pF.12. Por ejemplo. . todos los moduladores de equipos de televisión y radio utilizan diodos varactores. La Fig.12.41 – Diodo Varactor El propósito principal de un diodo Varactor reside en los circuitos de modulación.40 Capacitancia del Varactor depende de la tensión inversa La capacitancia la determina el área de la placa A.Capítulo 12 Diodos 31 (a) VR aumenta. (a) símbolo (b) circuito equivalente Fig. y Cv es el capacitor variable.12. (b) VR disminuye.41(b) es el circuito equivalente donde R s es la resistencia en serie inversa.12. capacitancia disminuye capacitancia aumenta tensión inversa Fig. (c) Capacitancia vs.

El rango de capacitancia de un varactor es desde 5 pF hasta 50pF.12. dos diodos Varactor constituyen los capacitores variables del circuito paralelo resonante.42. Fig.42 – Diodos Varactor en circuito resonante Ejemplo 12.Capítulo 12 Diodos 32 En circuitos de modulación el diodo Varactor se puede usar como capacitor variable. Nota: Los diodos varactor se conectan en serie. determine el rango de resonancia.43.12. lo cuál significa que también pude controlar su capacitancia. Cuando L = 10 mH.12. la frecuencia máxima de resonancia es: La capacitancia total máxima es: . La tensión variable DC puede controlar la polarización inversa del diodo.8. Este diodo se puede usar en el circuito resonante de la Fig. La frecuencia resonante del circuito es: Esta aproximación puede usarse cuando Q  10. La frecuencia modulada se puede ajustar por medio de la tensión variable. En la Fig. Respuesta: El circuito equivalente es como se muestra en la Fig. La capacitancia total mínima es: Por lo tanto.12.42.

En superficies expuestas de mayor tamaño en el semiconductor. ya sea en forma de calor o de luz.43 12. los fotones se ven como luz visible. este proceso se conoce como Luminiscencia Electrónica. Energía Lumínica Fig. el electrón cede su energía. En vista de que el electrón libre en la banda de conducción tiene un nivel más alto de energía que el agujero en la banda de valencia.12. los electrones de la región n se mueven a través de la unión p-n y se combinan con los agujeros de la región p.44 – Teoría de emisión de luz de un LED y su símbolo .Capítulo 12 Diodos 33 La frecuencia mínima de resonancia es: Fig.3 Diodo Emisor de Luz (LED) La operación básica de un LED es como sigue: cuando el dispositivo está bajo polarización directa.44. cuando se recombinan.8.12. En la Fig12.

es de unos cientos de ohmios.12.45 – Operación de un LED En general la caída de tensión de un LED en funcionamiento es de unos cuantos voltios. iF debe ser de unos 20 mA.12.12. . Estos LEDs generalmente se usan en pantallas con puntos decimales.7V.45(b).44 – Aspecto de diodos LED La Fig. Por ejemplo.44(a) muestra a un LED bajo corriente directa. el TIL222 es un LED de color verde donde la caída mínima de tensión es de 1. corriente directa Fig.45(a). E=5V la caída de tensión del LED es de 1.12. productos de consumo y aplicaciones científicas. La principal aplicación de los LEDs infrarrojos es en los acoplamientos por luz. Un LED generalmente se usa para mostrar situación de encendido y en pantallas digitales.12. donde R es la corriente límite. Generalmente. Se usa ampliamente en instrumentos. La resistencia R = (5 -1. (a) Operación directa (b) Característica de luz vs. La potencia lumínica es proporcional a la magnitud de la corriente. la magnitud de la polarización directa). La magnitud de la resistencia para limitar la corriente se determina por la luminiscencia (es decir. utilizando generalmente fibras. como se muestra en la Fig.8V y la caída máxima de 3V.7)V / 20mA=165 . En la Fig.Capítulo 12 Diodos 34 Fig.

47(b). Por lo tanto la resistencia del dispositivo bajo condición no polarizada es: Para una condición de polarización inversa con 3V y una luminiscencia de 25000 lm / m2 es de unos 375 A. que corrientemente se le llama corriente oscura.12.8. y el fotodiodo tiene esa misma característica. Si se incrementa la intensidad de la luz (luminiscencia por unidad de área – lm/m2).12.47(a). A partir de la curva característica en la Fig.4 Fotodiodos Un fotodiodo es un dispositivo de unión p-n trabajando con polarización inversa. La Fig.46(a).46(b) (a) Polarización inversa (b) Otro símbolo Fig. I es la corriente inversa. Sin embargo. La resistencia bajo estas condiciones será de: . La razón es que existen más pares de huecos – electrones inducidos a alta temperatura. la corriente inversa se incrementará cuando la temperatura también aumenta. sabemos que la corriente oscura para un dispositivo es de 25 A bajo una polarización inversa de 3V. el fotodiodo es un tanto diferente del diodo rectificador.12.Capítulo 12 Diodos 35 12.47(b) muestra la curva característica de un fotodiodo bajo polarización inversa.12.46 – Fotodiodo Recuérdese que siempre habrá una pequeña corriente de fuga en el diodo rectificador bajo polarización inversa. Casi puede ignorarse la corriente I.12. En el diodo rectificador. El símbolo se muestra en la Fig.12. cuyo símbolo se muestra en la Fig. entonces la corriente inversa se aumenta en la forma en que se muestra en la Fig. En el fotodiodo se dispone de una pequeña ventana transparente para dejar pasa la luz a la unión p-n.

48 explica que en un fotodiodo no existe corriente inversa bajo condiciones nulas de luz. Luz apagada Luz encendida . 12. 12. corriente Corriente oscura Corriente inversa (b) Corriente Inversa Fig. (a) Luminiscencia vs. Cuando la luz brilla sobre el fotodiodo.Capítulo 12 Diodos 36 A partir de este cálculo sabemos que un fotodiodo se puede considerar como una resistencia variable controlada por la luminiscencia. la corriente inversa es proporcional a la luminiscencia.47 – Características de un fotodiodo típico La Fig.

49. no hay corriente (b) cuando hay luz la resistencia disminuye y hay corriente inversa Fig. En el diodo Schottky existen solamente portadores mayoritarios. El símbolo se muestra en la Fig. y por lo tanto puede dar una respuesta muy rápida bajo tensión. En la bande de conducción existen muchos electrones pero solamente unos pocos están dopados en el semiconductor de tipo n. plata o platino). Por lo tanto. los electrones en el material tipo n se moverán hacia la región metálica y dejarán escapar inmediatamente un tanto de energía. También se llaman diodos de difusión en caliente. se puede usar en rectificación de señales de alta frecuencia. así como en circuitos digitales para reducir el tiempo de conmutación.8. 12. ya que no hay portadores minoritarios. Unión silicio .48 – Operación de un fotodiodo 12. 12.metal (a) Símbolo (b) Estructura interna de un diodo Schottky Fig. 12.49 El diodo Schottky se fabrica conectando un semiconductor dopado ( generalmente es del tipo n) con un metal (oro. Una vez que se aplica la tensión directa al diodo. . 12. y no hay minoritarios. El diodo Schottky es diferente de un diodo tradicional. La Fig. la unión no es del tipo p-n. Por lo tanto.5 Diodos Schottky Los diodos Schottky se usan en alta frecuencia y en circuitos de conmutación de alta velocidad.49(b) muestra la forma de la unión metal semiconductor. Es lo que se puede llamar un diodo conmutador de alta velocidad.Capítulo 12 Diodos 37 (a) No hay luz.

Siendo la región de agotamiento más angosta. . En ese diodo se tienen concentraciones más altas en las regiones n y p que en los diodos corrientes. actuando como conductor.8.Capítulo 12 Diodos 38 12. esto hará que el diodo sea conductivo bajo polarización inversa. Como una alta concentración hace más angosta la región agotada. Región de resistencia negativa Región de tensión normal (a) Símbolos para el diodo túnel (b) características del diodo túnel Fig. Una vez en el punto B. la cual es importante en la amplificación de microondas de osciladores. la tensión directa generará el efecto de barrera y por lo tanto la corriente disminuirá cuando la polarización se aumenta. como se muestra en la Fig. sin producir el efecto de disrupción.50(b).6 Diodos Túnel El diodo túnel tiene características de “resistencia negativa”. 12. según se muestra en la los puntos de A a B en la curva. Esta región es la región de resistencia negativa. 12. 12.50 muestra los símbolos de los diversos diodos túnel. los electrones en esta región tendrán que pasar a manera de túnel hacia la unión p-n mediante polarización directa baja. La Fig.50 – Características y símbolo del diodo túnel Los diodos túnel se fabrican de germanio o de arseniuro de galio.

R p es la resistencia equivalente en paralelo. Esto se opone o se resiste a la oscilación continua. entonces la oscilación se mantendrá en la salida (onda senoidal constante). 12. Una vez que el circuito produce resonancia. Esto significa que contiene un color único y ninguno otro dentro de la luz.51(a) .52.8.51(b). 12. Si el diodo túnel se conecta en serie con el circuito resonante. Circuito Punto de resonante bias Fig.7 Diodo Láser La luz de láser es monocromática. Esta condición de atenuación es causada por la resistencia en el circuito resonante debido a que debe haber disipación de potencia cuando la corriente fluye a través de la resistencia. y se mantiene la polarización en la región de resistencia negativa. un inductor y una resistencia en paralelo.52 – Oscilador de diodo túnel 12. 12. y la corriente también. como se muestra en la Fig. generará una onda senoidal atenuada. actúa como un diodo normal. como se muestra en la Fig.Capítulo 12 Diodos 39 El efecto es opuesto a lo que indica la Ley de Ohm: la tensión aumenta. Una vez alcanzado el punto C. 12. Un circuito resonante en paralelo se puede expresar mediante un capacitor. La luz de láser también se llama luz coherente . En la Fig. La razón es que el efecto de resistencia negativa cancelará la resistencia positiva del circuito resonante.

Lado Superficie Superficie parcialmente altamente Lado altamente reflectivo reflectiva parcialmente reflectiva reflectivo Región Unión p-n agotada Fig.53 – Estructura básica y operación del diodo láser La operación básica es la siguiente: Se aplica una polarización directa a la unión p-n.52(a) muestra la estructura básica del diodo láser. Por lo tanto. Los diodos láser y los fotodiodos generalmente se usan en sistemas de lectura de señales de equipos CD (disco compacto). se induce la recombinación y se libera un fotón. La unión p-n la forman dos capas de arseniuro de galio dopado (contaminado). o un rango de longitud de onda muy reducido. 12. Cuando la corriente es más baja que este valor.Capítulo 12 Diodos 40 porque tiene una única onda. con un amplio espectro de longitud de onda. 12. Este fotón liberado colisiona con un átomo y produce otro fotón. Cuando un electrón cae dentro de un agujero. liberando más fotones. Este proceso es igual que en un diodo normal. Uno de los lados de la unión es una superficie altamente reflectiva. siendo la luz que emite no coherente. el diodo láser actúa como un LED normal. se forma un fuerte haz de luz láser. Los fotones generados mediante este procedimiento tienen la misma energía. lo que hace que pasen electrones a través de la unión. Toda esta acción aumenta la corriente directa. la luz del diodo láser es de una única longitud de onda. Habrá más electrones ingresando a la región agotada. cuando hay suficientes fotones. pero la luz de un LCD (pantalla de cristal líquido) es no monocromática. Existe un valor crítico de corriente para este diodo. La señal de audio se almacena en . La Fig. y el otro lado es parcialmente reflectiva. y algunos de ellos colisionan en forma directa con la superficie reflectiva. Finalmente. y el tamaño de la unión p-n afectará la longitud de onda de la luz emitida. En el exterior se encuentran pines del ánodo y el cátodo. La luz del diodo láser es luz monocromática. Es diferente de la luz no coherente. la misma relación de fasor y frecuencia. y que haya una recombinación en la región agotada. inyectados de la superficie parcialmente reflectiva de la unión p-n. Estos se diseminan al azar en la región agotada.

12. Con el fin de mejorar la confiabilidad y la vida del diodo. Es igual al valor PIV. Nota: en la línea continua inferior. el valor de la corriente para diez ciclos es de 15 A. Las líneas a puntos implican los valores de falla de los dispositivos. características eléctricas. En esta sección vamos a tomar un ejemplo para explicar la Hoja de Datos. N4001 es 50V e IN4007 es 1000V. Tabla 12. Una temperatura más alta podría disminuir su valor especificado. éste siempre opera por debajo del valor máximo especificado.9 Hoja de Datos de Diodos La mayoría de los fabricantes de diodos suministran la información de sus productos en una hoja de datos. Este valor máximo por lo general se base en la operación a 25 º C. el diodo se daña. Bajo esta situación. VRSM Tensión inversa de pico máxima discontinua en el diodo. como referencia para su aplicación. Estos son valores máximos seguros. características mecánicas y parámetros variables.1 es la siguiente: VRRM Tensión inversa de pico máxima constante en el diodo. La luz del diodo láser puede enfocarse mediante una lente y luego dirigirla hacia la superficie del disco compacto. Una especificación típica debe incluir el valor máximo. pero la misma para 1 ciclo es de 30 A. 12. Una vez que la corriente sobrepase estos valores. En la Tabla 12.Capítulo 12 Diodos 41 el CD en forma digital. se tiene una lista de las capacidades máximas de una serie de diodos rectificadores (IN4001 – IN4007). La Fig. Cuando el disco rota. IFSM Corriente directa máxima no repetible (1 ciclo). La explicación de la Tabla 12.54 muestra los valores de corriente no repetible que exceden en más de 1 ciclo para 25 y 175 grados Centígrados. la lente y el haz de láser se activan y la señal almacenada cambia debido a los “baches y partes “planas” en la superficie. La señal reflejada por la pista del disco se proyecta a través de la lente en el diodo infrarrojo.1. y luego la señal se recupera en forma de señales digitales de audio por el fotodiodo.1 . IO Corriente directa máxima promedio para rectificador de 60 Hz de onda completa.

TA = 75 ºC) Corriente directa máxima IFSM 30 A de pico no repetible Rango de temperatura de Tj . 12.Capítulo 12 Diodos 42 Valor Símbolo IN4001 IN4002 IN4003 IN4004 IN4005 IN4006 IN4007 Unidad Valor de pico inverso VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V continuo máximo Valor de pico inverso VRMS 60 120 240 480 720 1000 1200 V discontinuo máximo Valor del efecto de tensión VR(rms 35 70 140 280 420 560 700 V inversa ) Corriente directa promedio I0 A (60 Hz.54 – Corriente directa de pico máximo no repetible .65 +175 ºC operación en la unión Corriente de pico directa máxima no repetible para descarga Corriente de pico no repetible según diseño Corriente de pico directa máxima no repetible para carga específica Corriente de pico no repetible según diseño Fig.

Un cristal es un material sólido compuesto de átomos que se unen entre sí mediante uniones llamadas “enlaces covalentes”. Cuando se aplica una tensión a un semiconductor. los electrones se asemejan a planetas moviéndose alrededor de un núcleo en diferentes órbitas. 9. en el material siempre habrá electrones libres. La distancia del electrón al núcleo depende de su nivel de energía. M. Esta corriente es intrínseca al conductor. El silicio (sílice o silicón) es el material semiconductor más corriente. El silicio y el germanio tienen cuatro electrones en sus bandas de conducción. 10. 3. El núcleo está compuesto de protones y neutrones.10 Resumen 1. Se llaman “capas”. puede conducir pequeñas cantidades de corriente. Por lo tanto. Bajo estado neutro. 5. llamados parejas electrón – agujero. L . los electrones libres se generan por ionización térmica. La conductividad de un conductor intrínseco está entre la de un conductor y la de un aislador. . y se denominan como K. por lo tanto no puede conducir la corriente a temperatura ambiente. La cantidad de protones y neutrones depende del peso atómico. los pares electrón – hueco se generan en cualquier momento debido a la ionización térmica.Capítulo 12 Diodos 43 12. Los electrones en la banda de valencia la abandonarán si obtiene suficiente energía del exterior. se formarán al mismo tiempo agujeros (huecos). El aislador tiene solamente unos pocos electrones. 4. 8. Sin embargo. Estos electrones se mueven todos hacia una misma dirección y se convierten en una corriente. A esto se le llama recombinación. Los electrones tienen carga negativa y se mueven alrededor del núcleo en diferentes órbitas. En una estructura cristalina. Un conductor tiene una gran cantidad de electrones. Estos electrones libres se mueven libremente dentro del material. 2. Cuando los electrones abandonan los lazos covalentes y se convierten en electrones libres. por lo que es fácil que la corriente transite. Los electrones libres pierden su energía y ocupan los agujeros. Poseen más energía que los electrones en los lazos covalentes. Otra corriente es la de huecos. Los electrones de valencia llenan los agujeros y generan nuevos huecos. 7. Los protones tienen carga positiva y los neutrones no poseen carga. 6. Cada capa tiene una cantidad máxima permisible de electrones. los electrones de valencia que abandonan su átomo original se convierten en electrones de conducción o electrones libres. Según el modelo tradicional del Átomo de Bohr. que actúan como electrones moviéndose en dirección opuesta. el átomo es neutro también debido a que tiene un número igual de protones y de electrones. Las órbitas de los electrones en el átomo son bandas discontinuas de energía. La capa exterior del átomo se llama banda de valencia. por lo tanto. Estas parejas de electrón – hueco se generan por ionización térmica debido a que los electrones ganan su energía del exterior y rompen luego los lazos covalentes.

Estas impurezas son átomos con cinco electrones de valencia. la disrupción Zener es dominante. se forma material de tipo n.Capítulo 12 Diodos 44 11. Cuando VZ < 5V. La zona de agotamiento se forma por ionización. 13. Su principal aplicación es en circuitos ON / OFF de mucha rapidez. Este proceso se llama dopaje o contaminación. La tensión de barrera para un diodo de silicio bajo polarización directa es de 0. Un material tipo n con otro material tipo p puede formar una unión p-n. Al agregar impurezas con tres electrones de valencia a un semiconductor se forma material de tipo p. 17. 23. no hay corriente. Esta pequeña corriente por lo general se puede ignorar. Se generan por dopaje. 27. 28. . El diodo túnel se puede usar en circuitos resonantes. 16. El diodo Zener se puede usar como rectificador de tensión y como limitador del circuito. 25. La capacitancia de un diodo varactor es inversamente proporcional a la polarización inversa. 22. En un diodo Schottky se tiene una unión metal – semiconductor.8 v a 200V.7V. Entre mayor sea la luminiscencia. 19. 15. 26. la tensión en el diodo permanece constante. 12. Estas impurezas son átomos con tres electrones de valencia. y para el germanio es de 0. 21. En ella no hay portadores mayoritarios. Un diodo Zener funciona en la región de disrupción inversa. Un LED emite luz bajo polarización directa. el diodo láser emite luz monocromática (onda única). Los portadores minoritarios son electrones causados por los pares electrón – hueco generados por ionización térmica. 14. domina la disrupción de avalancha. el fotodiodo tendrá mayor corriente inversa. Los portadores mayoritarios en un semiconductor de tipo p son huecos. existen solamente pequeñas corrientes debido a los portadores minoritarios generados por ionización térmica. Una unión p-n simple puede formar un diodo semiconductor. 24. Sin polarización o bajo polarización inversa. Bajo polarización inversa. el diodo varactor funciona como un capacitor variable. 20. Cuando la corriente inversa excede el valor crítico. Los portadores mayoritarios en un semiconductor de tipo n son electrones. 18. Bajo polarización inversa. Se generan por dopaje. Estos valores varían ligeramente con la magnitud de la corriente directa. Un diodo puede conducir corriente bajo polarización directa y ser resistivo a la corriente bajo polarización inversa. Cuando V Z > 5V. La región cercana a la unión p-n se convierte en la región agotada. Al agregar impurezas con electrones de valencia en un semiconductor. La corriente solamente conduce a través de la unión p-n bajo polarización directa. La tensión de operación de un diodo Zener es de 1. En el rango de corriente Zener. Los portadores minoritarios son huecos causados por los pares electrón – hueco generados por ionización térmica.3V.

Capítulo 12 Diodos 45 12. El número de electrones del átomo de silicio es: (1) 8 (2) 2 (3) 4 (4) 14 3. El material semiconductor más común usado en electrónica es: (1) Germanio (2) Carbón (3) Cobre (4) Silicio 7. electrones y neutrones (4) (1) y (2) 2. 5. El número de electrones del átomo de germanio es: (1) 8 (2) 2 (3) 4 (4) 32 4. Electrón de valencia es: (1) El que orbita más cerca del núcleo (2) El que orbita más lejos del núcleo (3) El que se mueve alrededor del átomo y tiene una órbita variable (4) No pertenece a un átomo en particular. Forma en que se produce un ión positivo: (1) El electrón de valencia se escapa del átomo (2) La cantidad de huecos es mayor que la cantidad de electrones (3) Se combinan mediante enlaces dos átomos (4) El átomo adquiere electrones de valencia adicionales. El átomo está compuesto de: (1) Un núcleo y un electrón (2) Un núcleo y más de un electrón (3) Protones.11 Problemas 1. ¿Cómo se combinan los átomos en un semiconductor? (1) Comparten el electrón de valencia (2) Por la fuerza (3) Mediante enlace covalente (4) Todos los anteriores. Cada átomo de cristal de silicio tiene: . 6. 8.

todos los electrones de valencia son compartidos con otros átomos.¿Cuál es el portador mayoritario en un semiconductor de tipo n? (1) Un agujero (hueco) (2) Un electrón de valencia (3) Un electrón de conducción (4) Un protón 15. ¿De qué forma se induce la corriente en un semiconductor? (1) Por un electrón solamente (2) por un agujero solamente (3) Por un ión negativo (4) Por un electrón y un hueco.Capítulo 12 Diodos 46 (1) Cuatro electrones de valencia (2) Cuatro electrones de conducción (3) Ocho electrones de valencia. Agregar impurezas a un semiconductor intrínseco se conoce como: (1) Dopaje (2) Recombinación (3) Modificación de los átomos (4) Ionización. éste se convierte en: (1) Germanio (2) Semiconductor tipo p (3) Semiconductor tipo n (4) Región de disrupción 13. Al agregar tres electrones de impureza al silicio. 12. En un semiconductor intrínseco: (1) No hay electrón libre (2) El electrón libre se genera por ionización térmica (3) Hay sólo agujeros (4) Existe la misma cantidad de electrones y agujeros. cuatro individuales y cuatro compartidos. Los agujeros en el semiconductor de tipo n son: (1) Portadores minoritarios generados por ionización térmica (2) Portadores minoritarios producidos por dopaje (3) Portadores mayoritarios generados por ionización térmica (4) Portadores mayoritarios producidos por dopaje 16. ¿Cuál es el propósito de dopar con impurezas de cinco electrones de valencia? (1) Reducir la conductividad del silicio (2) Aumentar la cantidad de huecos (3) Aumentar la cantidad de electrones (4) Producir portadores minoritarios. 9. 10. 14. (4) Ningún electrón de valencia. 11. La región de disrupción contiene: (1) Portadores minoritarios .

Capítulo 12 Diodos 47 (2) Iones (3) Ningún portador mayoritario (4) (1) y (2) 17. y el cátodo con el terminal negativo. 21. cuando hay un cambio de corriente Zener de 10 mA produce un cambio de 0. ¿Cuál es la resistencia Zener de esta corriente? (1) 1  (2) 100  (3) 10  (4) 0. Aunque la polarización (bias) se resiste a la corriente: (1) Siempre se tiene una corriente de portadores mayoritarios (2) Se induce solamente una pequeña corriente por los portadores minoritarios (3) Se tiene una corriente de avalancha. la polarización: (1) Debe ser mayor de 0. (2) Se conecta el ánodo con el terminal positivo de la fuente externa de tensión.1  .7 V (3) Depende la del ancho de la zona agotada (4) Depende de la concentración de portadores mayoritarios 22.3 V (2) Debe ser mayor de 0. 23. Bias (traducido como polarización) es: (1) La relación entre portadores mayoritarios y minoritarios (2) La magnitud de la corriente a través de la unión p-n (3) Tensión directa externa para controlar el dispositivo.6 V y opera en (1) Disrupción ajustable (2) Disrupción Zener (3) Polarización directa (4) Disrupción por acumulación. En un diodo Zener de 12V. En un diodo de silicio.1V en la tensión Zener. (4) Todos los anteriores. (3) Se conecta el nodo p con el terminal positivo de la fuente externa de tensión. y el nodo n con el terminal negativo. (4) (1) y (2) 19. ¿Cómo se forma la un diodo de unión p-n bajo polarización directa? (1) Se conecta el ánodo con el terminal positivo de la fuente externa de tensión. ¿Qué sucede cuando se tiene una unión p-n bajo polarización directa? (1) Un flujo de huecos únicamente. (2) Un flujo de electrones únicamente (3) Una corriente de portadores mayoritarios únicamente (4) Se genera una corriente por los huecos y los electrones 20. 18. Un diodo Zener tiene una tensión Zener de 3. y el cátodo con el terminal negativo.

. La resistencia interna de un fotodiodo: (1) Aumenta con la luminiscencia bajo polarización inversa (2) Disminuye con la luminiscencia bajo polarización inversa (3) Aumenta con la luminiscencia bajo polarización directa (4) Disminuye con la luminiscencia bajo polarización inversa 28. En un diodo varactor: (1) La capacitancia cambia con la polarización inversa (2) La resistencia cambia con la polarización inversa (3) La capacitancia cambia con la polarización directa (4) Se tiene capacitancia constante dentro del rango de polarización inversa 26. un diodo Zener tiene IZT = 500 mA cuando Vz = 10V. ¿Cuál es el valor de RZ? (1) 50  (2) 20  (3) 10  (4) Desconocido 25. 27. El diodo con características de resistencia negativa es: (1) Un diodo Schottky (2) Un diodo túnel (3) Un diodo láser (4) Un diodo portador de calor.Capítulo 12 Diodos 48 24. De acuerdo con las Hojas de Datos. Un LED: (1) Emite luz bajo polarización inversa. (2) Es sensible a la luz bajo polarización inversa (3) Emite luz bajo polarización directa (4) Funciona como una resistencia variable.

Capítulo 12 Diodos 49 .

Capítulo 12 Diodos 50 .