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ndice

1. Introduo.................................................................................................................. 1

2. Objectivos.................................................................................................................. 2

2.1.Objectivo ................................................................................................................. 2

2.2.Objectivos Especficos ............................................................................................ 2

3. Transstor................................................................................................................... 3

3.1. Transstor JFET.................................................................................................. 3

3.1.1. Caractersticas Importantes do JFET ......... Error! Bookmark not defined.

3.1.2. Princpio de funcionamento ........................................................................ 4

3.1.3. Tenso de corte ........................................................................................... 7

3.1.4. Aplicaes de JFET .................................................................................... 8

3.2. MOSFET ............................................................................................................ 8

3.2.1. Tipos de MOSFET .................................... Error! Bookmark not defined.

3.2.1. MOSFET no modo de depleo ................................................................. 9

3.2.2. Polarizao e curvas caractersticas do MOSFET no modo de depleo . 10

3.2.3. MOSFET no modo de crescimento .......................................................... 11

3.2.4. Princpio de funcionamento do MOSFET no modo de crescimento ........ 12

3.2.5. Curvas caractersticas do MOSFET no modo de enriquecimento ............ 13

3.2.6. Aplicaes do MOSFET ........................................................................... 14

4. Referncias Bibliogrficas ...................................................................................... 27


1. Introduo

A inveno do transstor foi um marco para a engenharia eltrica e eletrnica, assim como
para toda humanidade. Com o desenvolvimento dos transstores foi possvel a construo
de equipamentos eletrnicos verdadeiramente portteis funcionando apenas com pilhas
ou baterias. Alm disso, o reduzido volume destes componentes a possibilidade de
associao para implementar funes analgicas ou digitais, das mais diversas,
proporcionou um desenvolvimento sem igual na indstria de equipamentos
eletroeletrnicos. Por tudo isso, o contato com estes dispositivos essencial para o
estudante de engenharia, alm do que, a grande maioria dos circuitos eletrnicos emprega
um ou milhares destes componentes.

O transstor um dispositivo ativo, portanto ele capaz de amplificar a potncia do sinal


de entrada necessitando de uma fonte de alimentao.

Este presente relatrio surge com finalidade de estudar os transstores de efeito de campo
(FET), na qual iremos ver amplificao com os JFET

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2. Objectivos
2.1.Objectivo Geral

Estudar amplificao com os JFET.

2.2.Objectivos Especficos

Analisar o JFET e o MOSFET.


Analisar as curvas caractersticas dos transstores FET com base nos
experimentos.
Confrontar os resultados reais com os simulados no Circuit Wizard.

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3. Transstor

O transstor um dispositivo semicondutor que consiste em duas camadas de material do


tipo e uma camada do tipo ou em duas camadas do tipo e uma camada do tipo
(Boylestad & Nashelsky, 2004). Tradicionalmente os transstores se dividem em dois
grupos a saber:

1.Bipolares (BJT);

2.Unipolares ou de efeito de campo (FET).

Existem dois tipos de FET a saber: JFET e MOSFET.

3.1.Transstor JFET

A sigla JFET significa Junction Field Effect. Transstor (transstor de juno com efeito
de campo) um tipo de transstor que usa um campo elctrico para controlar a
condutividade de um canal de um nico tipo de portador de carga no
material semicondutor.

(a) (b)

Figura 1: Smbolos do JFET do tipo n smbolo(a) e tipo p smbolo (b).

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3.1.1. Princpio de funcionamento do JFET

Figura 2: Figura 2: Transstor JFET de canal n em polarizao reversa nos terminais


porta-fonte.

A largura das regies de depleo depende do valor de tensa de polarizao reversa da


tenso porta-fonte (VGS). A medida que forma-se VGS mais negativa, as regies de
depleo expandem-se e a largura do canal diminui. A reduo da largura do canal
aumenta sua resistncia, e portanto o fluxo de corrente do dreno (ID) para a fonte diminui
(Bogart, 2001).

Para o JFET do tipo p, os sentidos das correntes so invertidos, assim como as polaridades
das tenses VGS e VDS. Para o canal p, o canal vai se contrair para tenses positivas
crescentes da porta para a fonte (Boylestad & Nashelsky, 2004).

Os transstores JFET esto divididos em 2 tipos das quais temos:

JFET do tipo n

Para explicar o princpio de funcionamento do JFET do tipo n revista estrutura do JFET


do tipo n. O dreno e fonte deste transstor so feitos com o semicondutor do tipo n e a
porta com o tipo p. A tenso de polarizao entre a porta e a fonte chamado de
polarizao de voltagem inversa ou polarizao negativa.

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Figura 3:Tenso de polarizao de um JFET do tipo n.

JFET do tipo P

Transstor JFET do tipo p tem o mesmo princpio com o JFET do tipo n, apenas os canais
utilizados um semicondutor do tipo p. Assim, a polaridade da tenso e corrente de
direo oposta, se comparado com o transstor JFET do tipo n, o smbolo do JFET do tipo
p o mesmo, apenas com diferentes setas direcionais.

Figura 3: tenso de polarizao de um JFET do tipo p

3.1.2. Polarizao do JFET

Polarizao Fixa

Quando um JFET for conectado, na configurao fonte comum, a tenso de entrada ser
VGS e a tenso de sada ser VDS. Portanto, o circuito deve ajustar os valores quiescentes
para a tenso dreno-fonte, VDS e corrente de dreno ID. Chama-se Polarizao Fixa porque
a tenso porta-fonte fixada pela tenso constante aplicada nesses terminais (Bogart,
2001).

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Figura 4: circuito de polarizao fixa.
Autopolarizao

A polarizao fixa apresenta desvantagem de exigir duas fontes de tenso C.C. A


configurao com autopolarizao requer somente uma fonte de corrente contnua (C.C)
para estabelecer o ponto de operao desejado. O capacitor Cs atravs da resistncia de
fonte representa um circuito abeto equivalente para operao C.C o que permite que Rs
defina o ponto de operao. Sob condies de C.A, o capacitor assume o estado de curto-
circuito e vai curto-circuitar o efeito de Rs. Se deixado em C.A, o ganho reduzido
(Boylestad & Nashelsky, 2004).

A tenso porta-fonte igual tenso negativa do resistor da fonte. Basicamente, o circuito


cria a sua prpria polarizao usando a tenso desenvolvida em Rs para inverter a
polarizao na porta (Malvino & Bates, Electronica, 2011).

Figura 5: circuito de polarizao automtica.

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Polarizao por divisor de tenso

Em uma polarizao com boa estabilidade contra as variaes nos parmetros do JFET
pode ser obtida fazendo inclinao das rectas as menores possveis. A inclinao da recta
torna-se menor quando forma-se Rs maior, mas valores altos de Rs podem resultar em
valores inaceitavelmente menores de ID. Uma forma de obter uma recta de polarizao,
com inclinao pequena, e ainda manter um valor aceitvel do dreno conectar uma
tenso positiva VGG com o terminal da porta no circuito de autopolarizao (Bogart,
2001).

Figura 6: circuito de polarizao por divisor de tenso.

3.1.3. Tenso de corte

A figura abaixo mostra as curvas de dreno para um JFET com uma IDSS de 10 mA. A
curva sempre para VGS=0, a condio de porta em curto-circuito. Neste exemplo, a
tenso de estrangulamento de 4 volts e a tenso de ruptura de 30 volts. A curva
imediatamente abaixo para VGS=-1 volt, a prxima para VGS=-2 volts e assim
sucessivamente. Quanto mais negativa a tenso porta-fonte, menor a corrente de dreno
(Boylestad & Nashelsky, 2004).

Figura 6: Curva de dreno.


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3.1.4. Aplicaes de JFET

aplicado como uma chave serie;


aplicado como uma chave paralela;
Chaveamento analgico;
Amplificador.

3.2.MOSFET

O nome Transstor de Efeito de Campo, ou MOS-FET, vem da sua denominao em


ingls Metal Oxide Semicondutor Field-Effect Transistor, ou traduzindo, transstor de
efeito de campo de xido de metal semicondutor (Oliveira, 1999).

O MOSFET um transstor unipolar, dependendo somente de um tipo de carga, ou as


lacunas ou os electres, comumente usado como chave ou amplificador de sinais
eltricos em projectos.

O MOSFET possui normalmente trs terminais:

Porta - G; Dreno D;
Fonte S; Substrato - B.

Figura 8- Constituio do MOSFET.

Este dispositivo controla a condutividade do canal do condutor por meio da tenso


aplicada entre o canal e a porta. Criando um caminho que conecta o dreno e a fonte com
um isolante (Pinto, 2011). O canal de superfcie formado na interface entre o corpo de
semicondutor e o isolador de porta (Dorf, 2000). Quanto ao tipo, existem dois tipos de
MOSFET, o de modo de depleo e o de modo de crescimento ou intensificao.

8
(Malvino & Bates, Electronica, 2011). Ambos so produzidos com canal N ou P (Oliveira,
1999).

3.2.1. MOSFET no modo de depleo

O MOSFET no modo de depleo considerado um dispositivo normalmente em


condio. Isto , os dois dispositivos apresentam uma corrente no dreno quando a tenso
porta-fonte VGS=0 V (Malvino & Bates, Electronica, 2011).

Neste dispositivo existe um canal na regio abaixo do dixido de silcio com o mesmo
tipo de dopagem das regies de dreno e fonte, sendo que a concentrao de dopagens no
canal um pouco menos que nas regies de dreno e fonte, conforme o esquema na figura
abaixo.

Simbologia

D D

B B
G G

S S

Figura 7: MOSFET canal n e canal p no modo de depleo.

Figura 8: MOSFET canal n no modo de depleo.

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3.2.2. Polarizao e curvas caractersticas do MOSFET no modo de depleo

Figura 9: MOSFET com negativa e positivamente polarizado no modo de depleo.

Se a tenso VGG for igual zero, ir circular uma corrente ID no circuito, uma vez que
existe canal para que essa corrente possa fluir. Sendo a porta negativa em relao fonte
tem-se que a camada de metal fica negativa e polariza o isolante. Haver um estreitamento
do canal N, diminuindo a corrente ID no dispositivo segundo a formula abaixo (Malvino
& Bates, Electronica, 2011).

2
= (1 )

Este estreitamento do canal tanto maior quanto maior a polarizao negativa da porta.

Se aplicar uma tenso positiva porta, haver um alargamento no canal, aumentando a


circulao da corrente ID (Oliveira, 1999).

5.3.3.Princpio de funcionamento

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Quando a porta positiva em relao ao canal, os electres so atrados do substrato,
aumentando a condutividade do canal. Quando a porta negativa, os electres so
repelidos para fora do canal, diminuindo a condutividade deste.
a) b)

Figura 10: a) MOSFET de canal N no modo de depleo com tenso VGS=0, b) a


reduo dos portadores livres no canal devido ao potencial negativo na porta.
Se a porta suficientemente negativa, o estreitamento do canal pode atingir o valor
mximo anulando a corrente de dreno (Oliveira, 1999).

Na figura acima, a tenso porta-fonte ajustada em zero volt devido conexo de um


terminal com o outro, e a tenso VDS aplicada atravs dos terminais dreno-fonte,
resultando em uma atraco dos electres livres do canal N para o potencial positivo do
dreno. A tenso VGS na figura b) negativa, o potencial negativo na porta tender a
pressionar os electres em direo ao substrato do tipo p e atrair lacunas do substrato do
tipo n (Malvino & Bates, Electronica, 2011).

3.2.3. MOSFET no modo de crescimento

O modo de crescimento refere-se ao aumento de portador de carga devido aplicao de


tenso de porta, este tipo de dispositivo no tem a regio do canal N, o qual produzido
por induo de portadores no prprio substrato p.

Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos electres livres da
fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos electres livres produzidos
termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado
desligado (Off). Isto totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo
depleo (Dorf, 2000).

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D D

B B
G G

S S

Figura 13: Transstor MOSFET de canal P e canal N de crescimento.

3.2.4. Princpio de funcionamento do MOSFET no modo de crescimento

Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos electres livres da
fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos electres livres produzidos
termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado
desligado (Boylestad & Nashelsky, 2004).

Quando a porta positiva, ela atrai electres livres na regio p. Os electres livres
recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso
suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas ao dixido de silcio so
preenchidas e electres livres comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo
que a criao de uma fina camada de material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa
camada chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo,
normalmente aberto, de repente conduz e os electres livres fluem facilmente da fonte
para o dreno (Oliveira, 1999).

O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar,
simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor que VGS(th), a corrente de dreno zero.
Mas quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno
e a corrente de dreno alta. VGS(th) pode variar de menos de 1V at mais de 5V
dependendo do MOSFET (Pinto, 2011).

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Figura 11: Formao de um canal em um MOSFET de canal N no modo de
enriquecimento.

3.2.5. Curvas caractersticas do MOSFET no modo de enriquecimento

A figura abaixo mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificao


e reta de carga tpica. No grfico ID x VDS, a curva mais baixa para VGS(th). Quando
VGS maior que VGS(th), a corrente de dreno controlada pela tenso da porta. Neste
estgio o MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (regio hmica) quanto uma
fonte de corrente. A curva ID x VGS, a curva de transcondutncia e uma curva
quadrtica. O incio da parbola est em VGS(th) (Boylestad & Nashelsky, 2004).

= ( () )2

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Figura 12: Caractersticas de transferncia de um MOSFET de canal n no modo de
enriquecimento.

3.2.6. Aplicaes do MOSFET

O MOSFET possui dois tipos principais de aplicaes:

Chaveamento- Se a tenso de limiar for maior que a tenso de porta-fonte, ento


o transstor conduz corrente elctrica.
Amplificadores- como amplificador, destaca-se o uso para amplificadores de
rdio frequncia de alta frequncia e amplificador de potncia.

As aplicaes de MOSFET mais comuns so:

Misturadores de frequncia;
Circuitos de comutao de frequncia;
Amplificadores em corrente contnua.

4. Amplificador operacional

um amplificador de corrente contnua de alto ganho que pode operar em frequncias


de 0 a acima de 1MHz. O termo amplificador operacional se refere a um amplificador
que realiza uma operao matemtica (Malvino & Bates, ELETRNICA, 2007).

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4.1.Amplificador diferencial

O amplificador operacional amplamente utilizado como estgio de entrada de um


amplificador operacional. No possui capacitores de acoplamento e desvio (bypass),
por isso, no tem frequncia de corte inferior. O tipo de entrada pode ser no inversora
e inversora (Malvino & Bates, ELETRNICA, 2007).

Depois que o sinal amplificado pelo amplificador diferencial, ele se dirige para o
estgio intermedirio no qual recebe mais ganho de tenso (Malvino A. P., 1997).

Figura 13: Diagrama de bloco de um amplificador operacional (Malvino A. P., 1997).

Forma geral

Figura 14: Forma geral do amplificador diferencial.

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Experincias

Material necessrio

-Kit KL-21001 Linear Circuit Lab;

-Modulo KL-23004;

-2 Multmetros;

-1 Cabo de alimentao.

Experincia 1

Objectivo

-Medio dos valores de Id (Corrente de dreno.).

Procedimentos

- fixar o mdulo KL-23004 no Kit KL-21001 bloco b;

- Montar o circuito conforme o esquema a baixo;

- Conectar o ampermetro para medir Id;

- Inserir a fonte de -12V para VGG e 12V para Vdd;

- Ajustar VR4(1M) ate que Id seja igual a zero;

- Enquanto Id = 0 medir a tenso VGS (Vp) com o voltmetro;

- Ajustar VR4 ate que a tenso VGS =0, de seguida para Vdd 3-18V ver Id.

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Figura 16: esquema do circuito simulado no circuit Wizard

Figura 17: Circuito real do Transstor JFET do tipo n.

Resultados obtidos:

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VGS Id (Simulado) Id (Real)

0v 0.14 A 4.1 mA

2.7v 0.17 A 0 mA

Vdd 3v 4v 5v 7v 9v 12v 15v 18v

Simulado Id(A) 0 0 0 0 0.11 0.14 0.17 0.20

Real Id(mA) 3.9 3.9 4 4 4.1 4.1 4.1 4.2

Tabela 2: Resultados obtidos no circuito real e no simulador.

Experincia 2

Objectivo

-Medio do valor de VGS (tenso da porta-fonte) e VD (tenso de dreno).

Procedimentos

Parte 1

1- Fixar o mdulo KL-23004 no Kit KL-21001 bloco C;

2 - Montar o circuito de acordo com o esquema a baixo;

3 - Inserir o clipe para ligar R12 e C3;

4 - Usar o voltmetro para medir VGS e VD;

5 - Conectar o Signal Generator no terminal (In) e inserir o osciloscpio no terminal


(Out);

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6 - Ajustar o out put do signal generator para 1KHz sinoidal e aumentar
gradualmente a amplitude para tirar uma onda sem distoro;

7 - Mudar R12 para R16 (6,8K) e repetir os procedimentos 4-6.

Figura 18: Transstor JFET do tipo n simulado no Circuit Wizard com fonte directa e
inversamente polarizada.

Principio de funcionamento do circuito

O circuito acima mostra um amplificador em fonte comum. Os capacitores de acoplamento e de


desvio esto em curto-circuito para corrente alternada (C.A). Por isso, o sinal acoplado
directamente a porta. Como o terminal da fonte do JFET desviado para o Ground, toda a tenso
de entrada C.A aparece nos terminais da porta e da fonte. Isso produz uma corrente no dreno.
Como a corrente C.A no dreno circula pelo resistor do dreno, obtemos uma tenso C.A
amplificada e invertida na sada. Esse sinal na sada ento acoplado no resistor de carga
(Malvino & Bates, Electronica, 2011).

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Figura 19: Transstor JFET do tipo n simulado no Circuit Wizard com fonte directa e
inversamente polarizada.

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Figura 20: Resultados obtidos no circuito real e no simulador.

5. Referncias Bibliogrficas

Bertoli, A. R. (Setembro de 2006). APOSTILA ELETRNICA BASICA.

Bogart, T. F. (2001). Dispositivos e Circuitos Electronicos (3 ed., Vol. I). (A. Pertence, Ed., & R.
Abdo, Trad.) Sao Paulo, Estados Unidos da America: Makron Books.

Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2004). DISPOSITIVOS ELETRNICOS e teoria de circuitos (8


ed.). So Paulo, Brazil.

Dorf, R. (2000). The Electrical Engineering Handbook (2 ed.). (I. Woodall, Ed.) New York: CRC
Press LLC.

Malvino, A., & Bates, D. (2011). Electronica (7 ed., Vol. I). (A. E. Ltda, Ed., & R. Abdo, Trad.)
Porto Alegre.

Neto, E. d., & Robson, R. s. (s.d.). Instrumentao Eletrnica Geral. 1999.

Oliveira, J. (1999). Electrnica Bsica- Instrumentao. Esprito Santo: SENAI.

pinto, L. F., & Albuquerque, R. O. (2011). ELETRNICA Eletrnica Analgica. Sao Paulo.

Pinto, L. T. (2011). Electronica-Electronica Analogica (2 ed., Vol. II). (F. P. Anshieta, Ed.) Sao
Paulo.

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