Eletronica de Potência - Teórica

ELETRNICA DE POTNCIA
APOSTILA TERICA
ARMS FIND COMERCIAL DE EQUIPAMENTOS DIDTICOS Ltda.

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SUMRIO
1 - DIODOS
1.1 - INTRODUO
1.2 - PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO
1.3 - CARACTERSTICAS V x I
1.4 - CARACTERSTICAS DE CHAVEAMENTO
1.5 - APLICAES
1.5.1 - RETIFICADOR DE MEIA ONDA
1.5.2 - RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA
1.5.3 - RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE
1.6 - TIPOS ESPECIAIS DE DIODOS
1.6.1 - DIODO ZENER
1.6.2 - DIODO SCHOTTKY
2 - TIRISTORES
2.1 - SCR
2.1.1 - PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO
2.1.2 - CARACTERSTICA I x V
2.1.3 - CARACTERSTICA DE CHAVEAMENTO
2.1.4 - CARACTERSTICAS DE EXCITAO DE GATE
2.1.5 - CIRCUITOS DE ACIONAMENTO
2.1.6 - REDES AMORTECEDORAS
2.1.7 - APLICAES
2.1.8 - INVERSORES
2.2 - TRIAC
2.2.2 - CURVA CARACTERSTICA
2.2.3 - APLICAES
3 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO

(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
3.1 - INTRODUO
3.3 - CARACTERSTICA V x I
3.4 - CARACTERSTICA DE CHAVEAMENTO
3.5 - CONEXO DARLINGTON
3.6 APLICAES

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4 - OPTOELETRNICA FOTODIODO, FOTOTRANSISTOR E
OPTOACOPLADOR
5 - MOSFET TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COM PORTA ISOLADA

(METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR)
5.1 - INTRODUO
(MOSFET TIPO ENRIQUECIMENTO DE CANAL N)
5.3 - CURVA CARACTERSTICA
6 - IGBT TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA

(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
6.1 - INTRODUO
6.3 - CARACTERSTICAS DE CHAVEAMENTO
6.4 - CIRCUITO EQUIVALENTE
6.5 - APLICAO
6.5.1 - CHOPPER
6.5.2 - INVERSORES
6.5.3 - PULSE WIDTH MODULATION - PWM
6.5.4 - ACIONAMENTOS DE MOTORES
7 - CIRCUITOS DE DISPARO
7.1 - TCA 785
7.2 - UJT - TRANSISTOR UNIJUNO
7.2.2 - CIRCUITO DE RELAXAO UTILIZANDO O UJT

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1 DIODOS
1.1 Introduo
Os diodos so componentes eletrnicos formados por semicondutores, tais

como o silcio e o germnio, que, em determinadas condies de polarizao,
possibilitam a circulao de corrente. Externamente, os diodos possuem dois
terminais: Anodo (A) e o Catodo (K).
O diodo a aplicao mais simples da juno PN (unio de semicondutores

tipo P e tipo N) e tem propriedades retificadoras, isto , permite a passagem de
corrente em um nico sentido (Anodo-Catodo). A figura 1 ilustra o smbolo
utilizado em eletrnica para representar o diodo, alm das polarizaes direta e
reserva, e a figura 2 mostra alguns dos encapsulamentos disponveis para diodos.
Figura 1 - Simbologia do diodo (a), polarizao direta (b) e polarizao reversa (c)

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Figura 2 Encapsulamentos para diodos
1.2 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO
A figura 3 mostra a estrutura interna de um diodo. No cristal tipo P h uma

grande quantidade de lacunas, que devem ser preenchidas por eltrons, para
garantir estabilidade ao tomo. Do outro lado da juno, no cristal tipo N, h uma
grande quantidade de eltrons livres na camada de valncia. Estes eltrons
podem receber energia (trmica, em geral) suficiente para atravessar a juno, se
difundindo no cristal P.
Ao entrar no cristal P, o eltron acaba preenchendo uma lacuna e

estabilizando a camada de valncia do tomo. Tanto o tomo que perdeu o
eltron, quanto o que recebeu, tornam-se ons, pois, apesar de estarem com as
rbitas de valncia estveis, esto eletricamente desequilibrados. Assim,
estabelece-se um campo eltrico sobre a regio da juno, que impede a difuso
de novos eltrons. Esta regio onde se localizam os ons junto juno - regio
de depleo - est sujeita a um potencial que depende do tipo de semicondutor e
da temperatura.
No silcio esta tenso de barreira de aproximadamente 0,7V e no

germnio de 0,2V. Em ambos a tenso de barreira decresce 2mV a cada grau
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centgrado de elevao da temperatura ( interessante notar que esta propriedade
permite o uso de diodos comuns como sensores de temperatura, com boa
preciso).
Figura 3 Estrutura bsica de um diodo semicondutor
Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial

aparecer na regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do
semicondutor muito maior que a do restante do componente (devido pequena
concentrao de portadores). Quando um diodo polarizado reversamente, ou
seja, aplica-se uma tenso negativa no anodo (regio P) e positiva no catodo
(regio N), mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e viceversa,
de modo que a largura da regio de transio aumenta, elevando a barreira de
potencial e levando o dispositivo ao bloqueio.
Se a tenso reversa for muito intensa, por difuso ou efeito trmico, uma
certa quantidade de portadores minoritrios penetra na regio de transio e
acelerado pelo campo eltrico, indo at a outra regio neutra do dispositivo. Esta
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corrente reversa independe da tenso reversa aplicada, variando, basicamente,
com a temperatura. Porm, se o campo eltrico na regio de transio for muito
intenso, os portadores em trnsito obtero grande velocidade e, ao se chocarem
com tomos da estrutura, produziro novos portadores, os quais, tambm
acelerados, produziro um efeito de avalanche. Dado o aumento na corrente, sem
reduo significativa na tenso na juno, produz-se um pico de potncia que
destri o componente. Este valor de tenso conhecido como tenso de ruptura.
Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio e

reduo da barreira de potencial. Quando a tenso aplicada superar o valor
natural da barreira (cerca de 0,7V para diodos de silcio) os portadores negativos
do lado N sero atrados pelo potencial positivo do anodo e vice-versa, levando o
componente conduo.
No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um

capacitor, cuja carga aquela presente na prpria regio de transio. Na
conduo no existe tal carga, mas, devido alta dopagem da camada P+, por
difuso, existe uma penetrao de lacunas na regio N-, e medida que cresce a
corrente, mais lacunas so injetadas na regio N-, fazendo com que eltrons
venham da regio N+ para manter a neutralidade de carga. Desta forma, cria-se
uma carga espacial no catodo, a qual ter que ser removida (ou se recombinar)
para permitir a passagem para o estado bloqueado do diodo.
1.3 CARACTERSTICA V X I
A figura 4 ilustra a curva caracterstica v x i. Quando polarizado

diretamente, a curva caracterstica v x i de um diodo exponencial. Quando
polarizado inversamente, circula uma pequena corrente de fuga, desde que a
tenso reversa de ruptura no seja atingida.

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Figura 4 Caractersticas V x I de um diodo
O diodo requer um tempo para mudar do estado de bloqueio ao de

conduo e vice versa. Durante as transies, tanto o tempo de transio como as
formas de onda de tenso e corrente so afetadas pelas propriedades intrnsecas
do diodo e pelo circuito no qual o dispositivo est operando. As formas de onda
tpicas de tenso e corrente no diodo durante o chaveamento so mostradas na
figura 5.

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Figura 5 Formas de onda de tenso e corrente durante o chaveamento
O transitrio para o incio de conduo acontece durante os tempos t1 e t2.

Durante estes intervalos dois processos acontecem em seqncia:
A carga armazenada na camada de depleo removida pelo aumento da

corrente de conduo do diodo. medida que esta corrente cresce, surge uma
sobretenso na juno at que a camada de depleo seja completamente
desfeita e atingida o equilbrio. As indutncias no circuito tambm contribuem para
sobretenses, devido a altos valores di/dt.
A tenso pra de crescer e diminui medida que portadores so injetados

na regio N - e a saturam. A contribuio indutiva cessa quando a corrente do
diodo se estabiliza no seu valor de conduo.
O perodo termina quando a tenso anodo catodo cai ao valor de conduo

(camada de depleo tambm saturada).
O transitrio durante o bloqueio descrito nos intervalos de t3 a t5. Ao ser
aplicada uma tenso reversa, a carga na juno deve ser removida, antes que
esta adquira o estado de bloqueio. Quando a corrente de conduo reduzida a
zero, ela se inverte, devido aos portadores minoritrios que formaro a camada de
depleo.

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Enquanto h corrente atravs da juno, isto , recombinao de cargas, a
tenso no diodo ainda permanece em seu valor mnimo de conduo. Aps a
inverso da corrente que o excesso de portadores majoritrios na juno cai a
zero. Neste ponto, a tenso na juno do diodo reverte j que a regio de
depleo se estabelece. A corrente pra de crescer negativamente e cai
rapidamente tornando-se zero aps t5. O intervalo de tempo trr = t4 + t5
chamado de tempo de recuperao reversa.
1.5 APLICAES
Os diodos possuem propriedades retificadoras, isto , s deixam a corrente

fluir em um nico sentido. Essa propriedade dos diodos largamente utilizada nos
retificadores. Os retificadores so circuitos utilizados para transformar a corrente
alternada em corrente contnua. Isso pode se dar de diversas maneiras seja
atravs de retificadores de meia onda ou de onda completa.
1.5.1 RETIFICADOR DE MEIA ONDA
O retificador de meia onda converte a tenso de entrada (USECUNDRIO)

CA numa tenso pulsante positiva UR. Este processo de converso de CA para
CC conhecido como retificao. Na figura 6 mostrado um circuito de meia
onda e suas respectivas formas de onda, considerando o diodo como ideal.
Durante o semiciclo positivo, o diodo est polarizado diretamente, agindo
como uma chave fechada e toda a tenso do secundrio aplicada ao resistor R.
Durante o semiciclo negativo, o diodo est polarizado reversamente e no

h corrente circulando no circuito. Sem corrente eltrica circulando, no h tenso
sobre o resistor e toda a tenso do secundrio aplicada ao diodo. Este circuito
conhecido como retificador de meio ciclo, porque s o semiciclo positivo
aproveitado na retificao.
O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada ao

retificador, podendo ser tanto um simples resistor como um circuito complexo e,
normalmente, chamado de resistor de carga ou simplesmente de carga. A
tenso mdia de um retificador de meia onda dada por: VCC = 0,318UP, para
um diodo ideal.

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Figura 6 Circuito retificador de meia onda e formas de onda para diodo ideal
1.5.2 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA
A figura 7 mostra um retificador de onda completa e suas respectivas

formas de onda. Pode-se observar a tomada central no enrolamento secundrio,
que faz com que o circuito seja equivalente a dois retificadores de meia onda
associados. O retificador superior (D1) retifica o semiciclo positivo da tenso do
secundrio, enquanto o retificador inferior (D2) retifica o semiciclo negativo da
tenso do secundrio. Considerando os dois diodos como ideais, temos a curva
de tenso sobre o resistor de carga mostrada na figura 7.
Figura 7 Circuito retificador de onda completa com tomada central e respectivas formas de
onda para diodos ideais

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1.5.3 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE
Na figura 8 mostrados um retificador de onda completa em ponte e suas

respectivas formas de onda. Com o uso de quatro diodos, elimina-se o uso da
tomada central do transformador.
Durante o semiciclo positivo, o diodo D1 recebe um potencial positivo em

seu anodo, e o D2 um potencial negativo no catodo. Desta forma, D1 e D2
conduzem e D3 e D4 ficam reversamente polarizados e o resistor de carga R
recebe todo o semiciclo positivo da tenso U2.
Durante o semiciclo negativo da tenso U2, o diodo D3 recebe um potencial

positivo em seu anodo, e o diodo D4 um potencial negativo no catodo, devido
inverso da polaridade de U2. Os diodos D3 e D4 conduzem e os diodos D1 e D2
ficam reversamente polarizados.
A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido.

Portanto, a tenso UR sempre positiva. Na figura 8 so mostradas as formas de
ondas sobre o resistor de carga, considerando-se os diodos como ideais. Na
tabela 1 feita uma comparao entre os trs tipos de retificadores para diodos
ideais.
Figura 8 Retificador de onda completa e formas de onda para diodos ideais

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Tabela 1 Comparao entre trs tipos de retificadores para diodos ideais
1.6 TIPOS ESPECIAIS DE DIODOS
1.6.1 DIODO ZENER
Os diodos zener so construdos especialmente para trabalhar na regio de

ruptura. Quando polarizado diretamente, comportam-se como diodos comuns,
mas, ao contrrio de um diodo convencional, suportam tenses reversas prximas
tenso de ruptura. O smbolo do diodo zener e sua curva caracterstica i x v
esto representados na figura 9.
Para valores de corrente acima da corrente de joelho IZK, a caracterstica i

x v quase uma reta. O valor de tenso no diodo VZ especificado para uma
determinada corrente de teste IZT (ponto Q na curva). A variao de corrente )I
corresponde a uma variao da tenso Zener )V dada por )V = rZ * )I, onde Rz
a resistncia incremental ou resistncia dinmica do diodo Zener e expressa
pelo inverso da inclinao da linha quase reta da curva i x v no ponto Q. Seu valor
permanece baixo e quase constante sobre uma extensa faixa de corrente,
aumentando consideravelmente nas vizinhanas do joelho.
O diodo zener ideal comporta-se como uma chave fechada e uma fonte de
tenso, para tenses positivas ou tenses negativas menores que VZ, e como
uma chave aberta, para tenses negativas entre zero e VZ e para tenses
positivas, conforme ilustra o grfico da figura 9.

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Figura 9 Diodo zener; simbologia, curva caracterstica real e ideal
A tenso reversa sobre os diodos zener apresenta pequena variao ao
longo de uma grande gama de correntes. Desta forma, a sua principal aplicao
a de conseguir uma tenso estvel que pode atuar como reguladores de tenso. O
circuito da figura 10 exemplifica uma utilizao de um diodo zener como regulador
de tenso.
Figura 10 Regulagem de tenso com diodo Zener
1.6.1 DIODO SCHOTTKY
Quando feita uma juno entre um terminal metlico e um material

semicondutor, o contato tem, tipicamente, um comportamento hmico, ou seja, a
resistncia do contato governa o fluxo da corrente. Quando este contato feito
entre um metal e uma regio semicondutora com densidade de dopante

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relativamente baixa, o efeito dominante deixa de ser resistivo, passando a haver
tambm um efeito retificador.
Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em contato

direto com um semicondutor, como indicado na figura 11. O metal usualmente
depositado sobre um material tipo N, por causa da maior mobilidade dos
portadores neste tipo de material. A parte metlica ser o anodo e o semicondutor,
o catodo. Numa deposio de alumnio (3 eltrons na ltima camada), os eltrons
do semicondutor tipo N migram para o metal, criando uma regio de transio na
juno.
Figura 11 Estrutura de diodo Schottky e formas de onda tpicas no desligamento
O chaveamento muito mais rpido do que o dos diodos bipolares, uma

vez que no existe carga espacial armazenada no material tipo N, sendo
necessrio apenas refazer a barreira de potencial (tipicamente de 0,3V). A regio
N+ tem uma dopagem relativamente alta, a fim de reduzir as perdas de conduo,
assim, a mxima tenso suportvel por estes diodos de cerca de 100V.
Na figura 11 tem-se uma forma de onda tpica no desligamento do

componente. Da figura, observa-se que, assim que a corrente se inverte a tenso
comea a crescer, indicando a no existncia dos portadores minoritrios no
dispositivo.
A aplicao deste tipo de diodo ocorre principalmente em fontes de baixa

tenso, nas quais as quedas de tenso sobre os diodos retificadores so
significativas em relao tenso retificada.

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2 - TIRISTORES
O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que

operam em regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas
semicondutoras numa seqncia p-n-p-n, apresentando um funcionamento
biestvel.
O tiristor de uso mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio),
usualmente chamado apenas de tiristor. Outros componentes, no
entanto,possuem basicamente a mesma estrutura: o LASCR (SCR ativado por
luz), tambm chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), o TRIAC (Tiristor Triodo
Bidirecional), o DIAC (Tiristor Diodo Bidirecional), o GTO (Tiristor Comutvel pela
Porta) e o MCT (Tiristor Controlado por MOS).
2.1 SCR
Os Retificadores Controlados de Silcio, ou simplesmente SCRs, so

componentes formados por 4 camadas PNPN formando um conjunto de trs
junes. Basicamente, um diodo com anodo, catodo e uma porta ou gate. A
figura 12 apresenta o smbolo do SCR e mostra alguns dos encapsulamentos de
SCRs.
Figura 12 Simbologia e encapsulamentos para SCRs

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2.1.1 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO
O tiristor formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente p-

np- n, possuindo 3 terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a corrente e a porta
(ou gate) que, a uma injeo de corrente, faz com que se estabelea a corrente
andica. A figura 13 ilustra a estrutura simplificada do dispositivo.
Figura 13 Funcionamento bsico do tiristor
Se entre anodo e catodo existir uma tenso positiva, as junes J1 e J3

estaro diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente
polarizada. No haver conduo de corrente at que a tenso VAK se eleve a um
valor que provoque a ruptura da barreira de potencial em J2.
Se houver uma tenso VGK positiva, circular uma corrente atravs de J2,
com portadores negativos indo do catodo para a porta. A chamada P ligada
porta estreita, para que os eltrons que cruzam J3 possuam energia cintica
suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo ento
atrados pelo anodo. Desta forma, a juno reversamente polarizada tem sua
diferena de potencial diminuda e estabelece-se uma corrente entre anodo e
catodo, que persistir mesmo na ausncia da corrente de porta.
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Quando a tenso VAK for negativa, J2 e J3 estaro reversamente
polarizadas, enquanto J2 estar diretamente polarizada. Uma vez que a juno J3
intermediria s regies de alta dopagem, no capaz de bloquear tenses
elevadas, de modo que cabe juno J1 manter o estado de bloqueio do
componente.
O componente se manter em conduo, desde que, aps o processo
dinmico de entrada em conduo, a corrente de anodo tenha atingido um valor
superior ao limite IL, chamado de corrente de latching. Para que o tiristor deixe
de conduzir necessrio que a corrente caia abaixo do valor mnimo de
manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira de potencial em J2.
Para a comutao do dispositivo no basta a aplicao de uma tenso negativa
entre anodo e catodo. Esta tenso reversa apressa o processo de desligamento,
por deslocar nos sentidos adequados os portadores na estrutura cristalina, mas
sozinha no garante o desligamento, at que a corrente entre anodo e catodo seja
menor que IH.
2.1.2 CARACTERSTICA I X V
A curva caracterstica i x v (corrente de anodo em funo da tenso

anodocatodo), est ilustrada na figura 14. Sob tenso inversa o tiristor comporta-
se similarmente a um diodo polarizado inversamente, que conduz pouca corrente
at que a avalanche ocorra. Nos tiristores a mxima tenso reversa denominada
VRM.
Em polarizao direta o tiristor possui dois estados estveis, conectados
por um estado instvel que se comporta como uma resistncia negativa, na
caracterstica i x v. A regio de alta tenso e baixa corrente a regio de bloqueio
em polarizao direta, ou estado desligado, e a regio de baixa tenso e alta
corrente o estado ligado. Ambos os estados podem ser vistos na figura 14.

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Figura 14 Caracterstica v x i de um SCR
A corrente IH representa a mnima corrente que o tiristor pode conduzir,
ainda mantendo o estado de conduo. Esta corrente acompanhada por uma
tenso no dispositivo chamada de VH, e representa a menor tenso durante o
estado de conduo.
Para o estado de bloqueio em polarizao direta, os valores de interesse
so a tenso mxima de ruptura VB0 (acima deste valor de tenso, mesmo para
corrente de gatilho zero, o tiristor entra na regio de conduo da curva), e a
corrente durante a ruptura chamada de IB0.
A tenso de ruptura definida para corrente de gatilho zero. Se uma
corrente positiva aplicada ao gatilho do tiristor, ento a transio do estado de
bloqueio para o de conduo ocorrer em menores valores de tenso anodo-
catodo. O tiristor comutar para o estado de conduo se a corrente no gatilho
estiver em um valor adequado.
2.1.3 CARACTERSTICAS DE CHAVEAMENTO
O tiristor inicia sua conduo depois que um pulso de certa durao

aplicado ao gatilho. As formas de onda da tenso anodo catodo e corrente de
anodo so mostradas na figura 15. Durante o tempo de retardo td (on), o tiristor
permanece no estado de bloqueio enquanto que a corrente de gatilho injeta
portadores na camada J2.
O excesso de portadores faz com que a corrente de anodo comece a
crescer na regio em torno do gatilho. Durante o tempo de subida da corrente de
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anodo, a alta densidade de portadores na regio do gatilho faz com que a corrente
cresa rapidamente at seu valor final, enquanto se espalha pela regio
transversal do tiristor. Durante o tempo de subida a tenso cai rapidamente porque
o excesso de portadores na regio do gatilho reduz sensivelmente a capacidade
de bloqueio do tiristor.
Figura 15 Formas de onda para tiristor em conduo
2.1.4 CARACTERSTICAS DE EXCITAO DE GATE
Conduo
A entrada em conduo de um tiristor controlada pela injeo de uma

corrente no terminal do gate, devendo este impulso estar dentro da rea
delimitada pela figura 16. A durao do sinal de disparo deve ser tal que permita
corrente atingir IL quando, ento, pode ser retirada.

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Figura 16 Condies para disparo de tiristor atravs de controle pela porta
Comutao
Existem trs tipos de comutao: comutao natural, comutao por

ressonncia da carga e comutao forada. A comutao natural utilizada em
sistemas de CA nos quais, em funo do carter ondulatrio da tenso de entrada,
em algum instante a corrente tender a se inverter e ter, assim, seu valor
diminudo abaixo de IH, desligando o tiristor.
Isto ocorrer, desde que num intervalo inferior a toff, no cresa a tenso
direta VAK, o que poderia lev-lo novamente conduo. A figura 17 mostra um
circuito de um controlador de tenso CA com uma carga resistiva e indutiva (RL),
bem como as respectivas formas de onda.
Da figura, pode-se observar que, quando a corrente se anula, a tenso
sobre a carga se torna zero, indicando que nenhum dos SCRs est em conduo.
Figura 17 - Controlador de tenso CA com carga RL e formas de onda tpicas

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J na comutao por ressonncia da carga, que ocorre em algumas
aplicaes especficas, possvel que a carga, pela sua dinmica prpria, faa
com que a corrente tenda a diminuir, fazendo o tiristor desligar. Isto ocorre, por
exemplo, quando existem capacitncias na carga as quais, ressoando com as
indutncias do circuito produzem um aumento na tenso ao mesmo tempo em que
reduzem a corrente.
Caso a corrente se torne menor do que a corrente de manuteno, e o
tiristor permanea reversamente polarizado por tempo suficiente, haver o seu
desligamento. A tenso de entrada pode ser tanto CA quanto CC.
Enquanto o tiristor conduz, a tenso de sada, vo(t) igual tenso de
entrada. Quando a corrente se anula e S1 desliga a tenso que imposta pela
carga ressonante, o tiristor desligado. A figura 18 ilustra tal comportamento.
Figura 18 Circuito e formas de onda de comutao por ressonncia da carga
A comutao forada utilizada em circuitos com alimentao CC nos

quais no h bloqueio natural na corrente de anodo.
A idia bsica deste tipo de comutao oferecer corrente de carga um
caminho alternativo ao tiristor, enquanto se aplica uma tenso reversa sobre ele,
desligando-o.
A figura 19 mostra um circuito para comutao forada de SCR e as formas de

ondas tpicas.

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Figura 19 Topologia com comutao forada de SCR e formas de ondas tpicas
Em um tempo anterior to, a corrente da carga passa pelo diodo de

circulao. A tenso sobre o capacitor negativa, com valor igual ao da tenso de
entrada.
Em t1 o tiristor principal, SP, disparado, conectando a fonte carga,

levando o diodo DF ao desligamento. Ao mesmo tempo surge uma malha formada
por SP, CR, D2 e LR, a qual permite a ocorrncia de uma ressonncia entre CR e
LR, levando inverso na polaridade da tenso do capacitor. Em t1 a tenso
atinge seu mximo e o diodo D2 desliga e o capacitor est preparado para realizar
a comutao de SP.
O tiristor auxiliar Sa disparado em t2, a corrente da carga passa a ser

fornecida atravs do caminho formado por LR, SA e CR levando a corrente por SP
a zero, ao mesmo tempo em que se aplica uma tenso reversa sobre ele, de
modo a deslig-lo.
Continua a haver corrente por CR, a qual, em t3, se torna igual corrente
da carga, fazendo com que a variao de sua tenso assuma uma forma linear.
Esta tenso cresce (no sentido negativo) at levar o diodo de circulao
conduo, em t4. Como ainda existe corrente pelo indutor Lr, ocorre uma pequena
oscilao na malha LR, SA, CR e D2, e, quando a corrente por SA se anula, o
capacitor se descarrega at a tenso VCC na malha formada por CR, D1, LR,
fonte e DF.

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2.1.5 CIRCUITOS DE ACIONAMENTO
Em muitas aplicaes, devido necessidade de isolamento eltrico entre o

circuito de comando e o de potncia, o sinal de disparo deve ser isolado por meio
de algum dispositivo como, por exemplo, transformadores de pulso ou
acopladores ticos, como ilustrado na figura 20.
Figura 20 Circuitos de acionamento
Transformador de Pulso
H transformadores capazes de responder apenas em alta freqncia, que

possibilitam a transferncia de pulsos de curta durao (at centenas de
microssegundos), aps o que o transformador satura.
possvel obter um pulso mais largo atravs de um trem de pulsos. Para
evitar sobretenses deve-se limitar a tenso no secundrio (onde est conectado
o gate).
Como as condies de disparo podem diferir entre tiristores, comum
inserir uma impedncia em srie com a porta para evitar que um tiristor com
menor impedncia de porta drene o sinal de disparo, impedindo que os demais
dispositivos em paralelo entrem em conduo. Esta impedncia em srie pode ser
um resistor ou um capacitor, que tornaria mais rpido o crescimento do pulso de
corrente.
Acoplamento ptico
O acoplamento tico apresenta como principal vantagem imunidade a

interferncias eletromagnticas, alm da alta isolao de potencial. Dois tipos
bsicos de acopladores so usados: os opto-acopladores e as fibras ticas. No
primeiro caso tem-se um dispositivo onde o emissor e o receptor esto integrados,
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apresentando uma isolao tpica de 2500 V. J para as fibras ticas, o
isolamento pode ser de centenas de kV.
A potncia necessria para o disparo provida por duas fontes: uma para
alimentar o emissor (em geral a prpria fonte do circuito de controle) e outra para
o lado do receptor. Eventualmente, a prpria carga armazenada no capacitor do
circuito de amortecimento (ou rede de equalizao), atravs de um transformador
de corrente, pode fornecer a energia para o lado do receptor, a partir da corrente
que circula pelo tiristor, assegurando potncia durante todo o perodo de
conduo.
2.1.6 REDES AMORTECEDORAS
O objetivo destas redes evitar problemas advindos de valores excessivos

de dv/dt e di/dt.
Como j foi visto, junes semicondutoras polarizadas reversamente

formam capacitores. Assim, valores elevados de dv/dt geram correntes que podem
provocar o disparo indesejado do dispositivo e devem ser evitados.
Quando um SCR disparado, a corrente entre anodo e catodo comea a

crescer a partir das proximidades do contato de porta, propagando-se pelo cristal.
Assim, valores pequenos de di/dt na corrente de gate podem provocar uma
expanso lenta da rea de conduo, gerando pontos quentes, chegando mesmo
a danificar o componente. Assim, para evitar danos ao SCR, a corrente de porta
deve possuir um alto valor de di/dt.
a. Reduo de efeitos di/dt
Uma medida capaz de limitar danos causados pelo crescimento da corrente

de anodo construir um circuito acionador de gate adequado, que tenha alta
derivada de corrente de disparo para que seja tambm rpida a expanso da rea
condutora. Um reator saturvel em srie com o tiristor tambm limitar o
crescimento da corrente de anodo durante a entrada em conduo do dispositivo.
Alm deste fato, tm-se outras vantagens adicionais, que a reduo da
potncia dissipada no chaveamento, pois, quando a corrente de anodo crescer, a
tenso Vak ser reduzida pela queda sobre a indutncia. O atraso no crescimento
da corrente de anodo pode levar necessidade de um pulso mais longo de
disparo, ou ainda a uma seqncia de pulsos, para que seja assegurada a
conduo do tiristor.
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b. Reduo de efeitos dv/dt
A limitao do crescimento da tenso direta Vak obtida com o uso de

circuitos RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura
21.
Em (a), quando o tiristor comutado, a tenso Vak segue a dinmica dada
por RC que, alm disso, desvia a corrente de anodo facilitando a comutao.
Quando o SCR ligado, o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de
corrente no tiristor, limitado pelo valor de R. J em (b) este pico pode ser reduzido
pelo uso de diferentes resistores para os processos de carga e descarga de C. Por
fim, em (c) o pico limitado por L, o que no traz eventuais problemas de alto
di/dt. A corrente de descarga de C auxilia a entrada em conduo do tiristor, uma
vez que se soma corrente de anodo proveniente da carga. A energia acumulada
no capacitor praticamente toda dissipada sobre o resistor de descarga.
Figura 21 Circuitos amortecedores para dv/dt
Retificadores Controlados
Os circuitos retificadores controlados constituem a principal aplicao dos

tiristores em conversores estticos. Possuem vasta gama de aplicaes
industriais, tais como acionamento de motores de corrente contnua, estaes
retificadoras para alimentao de redes de transmisso CC e acionamento de
locomotivas e podem ser classificados em: ponte semicontrolada e ponte
totalmente controlada.

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Ponte Retificadora Monofsica Semicontrolada
A principal vantagem da ponte semicontrolada monofsica o uso de

apenas dois tiristores, sendo indicadas quando o fluxo de energia ser apenas da
fonte para a carga.
A figura 22 ilustra o circuito de ponte semicontrolada e suas respectivas

formas de onda.
Neste circuito, a tenso de sada vo(t), pode assumir apenas valores
(instantneos e mdios) positivos. Sempre que a tenso de sada tender a se
inverter haver um caminho interno (D3), que manter esta tenso em zero,
desconectando a carga da rede.
Quando a carga for resistiva, a forma de onda da corrente de linha ser a
mesma da tenso sobre a carga. Com cargas indutivas, a corrente ir se
modificando medida que aumenta a constante de tempo eltrica da carga, tendo,
no limite, uma forma plana. Vista da entrada, a corrente assume uma forma
retangular. As formas de ondas tambm esto ilustradas na figura 22.
Figura 22 Ponte semicontrolada e formas de onda
Ponte Retificadora Totalmente Controlada
A ponte totalmente controlada muito utilizada no acionamento de motores

de corrente contnua. A figura 23 ilustra o circuito de uma ponte monofsica
totalmente controlada. Estes circuitos no permitem a inverso de polaridade na
corrente, de modo que no possvel a frenagem da mquina sem comutao
dos seus terminais. A tenso sobre a carga pode se tornar negativa, desde que
exista um elemento indutivo que mantenha a circulao de corrente pelos

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tiristores, mesmo quando reversamente polarizados. A energia retornada fonte
nesta situao aquela acumulada na indutncia de armadura.
As formas de onda tpicas tambm esto mostradas na figura 23. Os pares
de componentes T1 e T4, T2 e T3 devem ser disparados simultaneamente, a fim
de garantir um caminho para a corrente atravs da fonte. No caso de corrente
descontnua (corrente da carga vai a zero dentro de cada semiciclo da rede), os
tiristores desligaro quando a corrente cair abaixo da corrente de manuteno.
No caso de conduo contnua, o par de tiristores desligar quando a

polaridade da fonte se inverter e for disparado outro par de tiristores. Assim, se
houver inverso na polaridade da tenso de entrada, mas no for acionado o outro
par de SCRs, a tenso nos terminais do retificador ser negativa. Este tipo de
comutao chamado de comutao natural ou pela rede.
Figura Ponte totalmente controlada e formas de onda para carga indutiva
Retificador Hexafsico de Meia Onda Totalmente Controlado
O retificador hexafsico de meia onda totalmente controlado, usando

ligao estrela simples na alimentao est representado na figura 24, onde cada
tiristor conduz durante 60, caracterizando o circuito como um conversor de seis
pulsos. As formas de onda correspondentes a um ngulo de disparo " tambm
esto ilustradas na figura 24. Para " = 0, o circuito funcionar como se tivesse
somente diodos.
A forma de onda da tenso sobre o tiristor T1 est ilustrada na figura 24.

Quando T1 conduz, a tenso sobre ele zero e quando T4 conduz, aplica V24
sobre T1. Como V2 e V4 esto defasados entre si de 180, a tenso reversa
mxima sobre T1 2VMAX.

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O circuito ilustrado na figura 24 no muito utilizado na prtica, pois a
corrente refletida no primrio possui uma componente de terceira harmnica muito
grande. Na prtica, mais utilizada a ligao dupla estrela, ilustrada na figura 25.
Esta ligao corresponde essencialmente ligao de dois retificadores

trifsicos de meia onda independentes, operando em paralelo. Pelo fato de os dois
grupos serem independente, cada diodo do circuito conduz durante 120.
Portanto, a cada 60, dois diodos conduzem simultaneamente, cada qual no
respectivo grupo, resultando uma corrente contnua na carga, com amplitude igual
ao dobro daquela do diodo. A tenso reversa mxima sobre cada diodo igual a
2VMAX.
A figura 25 tambm ilustra as formas de onda da tenso na carga e das
correntes nos diodos.
Trocando os diodos do circuito da figura 25 por tiristores, o retificador passa
a ser totalmente controlado. A forma de onda da tenso na carga, para um ngulo
de disparo ", est ilustrada na figura 26.
Figura 24 Circuito retificador hexafsico e formas de onda

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Figura 25 - Circuito retificador hexafsico dupla estrela e formas de onda
Figura 26 - Forma de onda de tenso na carga de um retificador totalmente

Controlado
Retificador Trifsico Semicontrolado
A configurao do circuito trifsico em ponte consta de trs componentes

ligados em catodo comum (corrente da fonte para a carga) e trs componentes
ligados em anodo comum (retorno da corrente da carga para a fonte). Este
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retificador pode ser classificado em: sem controle; controlado ou semicontrolado.
A figura 27 ilustra um circuito retificador trifsico semicontrolado e a figura 28 suas
respectivas formas de onda, para um ngulo de 90.
Figura 27 - Retificador trifsico semicontrolado

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Figura 28 Formas de onda do retificador trifsico semicontrolado para = 90
Retificador Trifsico Totalmente Controlado
A ponte trifsica totalmente controlada composta de seis tiristores ligados

a um sistema trifsico para retificao em onda completa, conforme ilustra a figura
29. Os tiristores so disparados aos pares, a partir da tenso entre fases, nos
semiciclos positivos desta tenso. O cruzamento de fase define o sincronismo
para os tiristores, sendo este ponto a referncia para definio do ngulo de
disparo, ou seja, " = 0.
Cada SCR pode conduzir durante 120, a partir do cruzamento e deve

receber dois pulsos de comando separados de 60, pois que deve ocorrer a
transferncia de um tiristor do lado positivo (T1, T3 ou T5) para os tiristores do
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lado negativo (T4, T6 ou T2). Nesta transferncia necessrio reaplicar um pulso
de reforo para garantir que o par continue conduzindo. As formas de onda do
retificador trifsico tambm esto ilustradas na figura 29.
Figura 29 Retificador trifsico totalmente controlado e respectivas formas de onda

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2.1.8 INVASORES
A funo de um inversor converter uma tenso contnua de entrada numa

tenso alternada simtrica de sada, monofsica ou trifsica, com mdulo e
freqncia determinados. A freqncia da tenso de sada do inversor
determinada pelo chaveamento dos dispositivos semicondutores que formam o
inversor, dependendo, portanto, do circuito de controle.
O circuito da figura 30 apresenta um inversor monofsico e suas

respectivas formas de onda. Neste circuito, uma tenso positiva aplicada carga
quando S1 e S4 conduzem (estando S2 e S3 desligados). A tenso negativa
obtida complementarmente. O papel dos diodos garantir um caminho para a
corrente, no caso da carga apresentar caracterstica indutiva.
Figura 30 Inversor monofsico e respectivas formas de onda.
A figura 31 mostra a topologia de um inversor de corrente trifsico utilizando

SCRs e tendo como carga uma mquina de induo, representada por um circuito
RL e uma tenso E.
A operao adequada do conversor exige que, a todo instante, pelo menos

uma fase de cada semiponte (superior e inferior) esteja em conduo, para dar
passagem corrente. Em caso de necessidade, a chave auxiliar SW propicia um
caminho alternativo para a corrente.
Os capacitores e diodos so os responsveis pela comutao dos SCRs. A
seqncia dos sinais de comando dos tiristores tambm est indicada na figura
31, que mostra, ainda, a forma de onda das correntes na carga.

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Figura 31 Topologia de um inversor trifsico com comutao forada e respectivas
formas de onda de comando dos SCRs e de corrente de carga.
2.2 TRIAC
O TRIAC um dispositivo semicondutor bidirecional, contando com trs

terminais, dois de potncia (A1 e A2) e um de controle (GATE). O TRIAC
utilizado como comutador de corrente alternada, em aplicaes de baixa potncia.
O TRIAC pode ser entendido como dois SCRs ligados em antiparalelo.

Quando um SCR est em conduo, o outro encontra-se cortado e vice-versa.
Assim, o TRIAC conduzir nos dois semiciclos da tenso alternada. Entretanto, a
vantagem do uso do TRIAC em relao a dois SCRs em antiparalelo a
simplicidade do circuito de disparo. Nos TRIACs, todos os terminais, inclusive a
porta, esto conectados em ambos os tipos de cristais (P ou N). Portanto, a porta
pode ser acionada tanto por pulsos negativos como positivos. At receber um
pulso, o TRIAC est em estado de no conduo, ou seja, bloqueio. Na figura 32
so mostrados o smbolo do TRIAC, sua disposio estrutural, sua equivalncia
em SCRs e um encapsulamento.

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Figura 32 Simbologia, estrutura interna, circuito equivalente e encapsulamento de
um TRIAC.
O princpio de funcionamento de um TRIAC similar ao do SCR, isto ,

ocorre o efeito avalanche nos dois sentidos de conduo. As correntes IL e IH tm
o mesmo significado e aplicao, assim como di/dt e dV/dt, mtodos de disparo e
comutao, bem como os efeitos destrutivos.
Quando polarizao, o TRIAC pode operar nos quatro quadrantes.
Tomandose o terminal A1 como referncia, os quatro quadrantes so definidos
pelas polaridades de A2 e da porta conforme mostra a figura 33.
Figura 33 Quadrantes de operao do TRIAC
2.2.2 CURVA CARACTERSTICA
A curva caracterstica do TRIAC est ilustrada na figura 34, onde observa-

se que, independentemente da polaridade VA1A2, o TRIAC pode ser disparado
por pulsos positivos ou negativos na sua porta. As curvas so simtricas, porm,
na prtica, existem pequenas diferenas nos dois ramos do grfico.
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Enquanto no houver sinal no gate o TRIAC permanece no estado de
bloqueio, desde que a tenso em seus terminais de potncia no ultrapasse a
tenso de disparo direto do dispositivo. Ao ser ultrapassada a tenso VBO do
componente, a corrente limitada somente pela impedncia do circuito. Variando
a tenso de gate pode-se variar a tenso VBO, isto , a tenso de disparo do
TRIAC e desta maneira modular sua conduo.
Figura 34 Curva caracterstica i x v de um TRIAC.
2.2.3 APLICAES
O TRIAC, assim como o SCR, um excelente dispositivo controlador de

potncia, largamente usado no acionamento de cargas resistivas (lmpadas
incandescentes, resistncias de fornos, ebulidores, dentre outras) e de cargas
indutivas (motores universais, de induo, sistema de proteo, alarmes, etc).
Apesar da caracterstica de conduo bidirecional do TRIAC simplificar os

circuitos de acionamento, no so disponveis TRIACs de corrente nominal to
elevadas quanto as dos SCRs de grande potncia.

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A figura 35 ilustra um circuito simples com TRIAC, para controle de
comutao da corrente.
Figura 35 Exemplo de controle de comutao da corrente da fase com TRIAC

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3 BJT
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO
(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
3.1 INTRODUO
Os transistores bipolares so dispositivos semicondutores que possuem

duas junes PN e trs terminais (base, coletor e emissor). formado por duas
camadas de semicondutor tipo N, intercaladas por uma camada tipo P transistor
NPN (ou duas camadas P, intercaladas por um N - transistor PNP).
Os Transistores Bipolares de Juno (TBJ, ou em ingls BJT Bipolar

Junction Transistor) permitem o controle da corrente de coletor pela corrente de
base, de muito menor intensidade. O termo juno vem do fato de possuir duas
junes PN e o termo bipolar de que tanto lacunas quanto eltrons participam de
seus fenmenos internos.
So disponveis transistores em uma grande variedade de
encapsulamentos e de caractersticas (dentre elas, ganho de corrente, tenso
mxima entre coletor e emissor, potncia mxima dissipvel e freqncia mxima
de trabalho) e para diversas finalidades (amplificadores de udio, chaveamento,
amplificadores de RF, dentre outros). A figura 36 apresenta a estrutura bsica, os
smbolos do transistor (NPN e PNP) e alguns encapsulamentos disponveis.

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Figura 36 - Estruturas, simbologia e encapsulamentos de transistores.
A figura 37 mostra a estrutura bsica de um transistor bipolar NPN,

polarizado para estar em operao normal. Observa-se que o transistor pode ser
modelado, inicialmente, por dois diodos.
Figura 37 Modelo inicial do transistor bipolar.

Este modelo inicial permite observar apenas que, na operao normal, JBE
est polarizada diretamente e JBC est polarizada reversamente. Pode, ainda, ser
usado para realizar testes simples de funcionamento de transistores.

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Entretanto, este modelo inicial no consegue explicar o funcionamento do
transistor, pois seu funcionamento deve-se a algumas particularidades em sua
construo:
A regio de emissor fortemente dopada, ou seja, possui grande

quantidade de portadores majoritrios (eltrons, no transistor NPN);
A regio de base extremamente delgada, com dopagem fraca, ou

seja,possui poucos portadores majoritrios (lacunas, no transistor NPN);
A regio de coletor fracamente dopada, assim, a juno JBC suporta uma

tenso reversa bem superior da juno JBE.
A figura 38 mostra o funcionamento de um transistor NPN polarizado na sua

regio de operao normal.
No caso de um transistor NPN, uma grande quantidade de eltrons

atrada do emissor pelo potencial positivo da base. Esta camada central
extremamente fina e pouco dopada.
Portanto, apenas uma pequena parte dos eltrons se recombinar com os

portadores majoritrios da base (lacunas), formando a corrente de base. A maior
parte dos portadores (eltrons) permanecer livre e, atrados pelo potencial
positivo do coletor, adquire energia suficiente para atravessar a juno JBC,
formando a corrente de coletor.
Uma observao importante que a corrente de base IB determinada

pela tenso VBE. Por sua vez, IC muito pouco afetada por VCE, antes, IC tem
uma relao proporcional com IB, no que se denomina ganho de corrente do
dispositivo, denotado pelo smbolo $ ou hfe. Comumente, usamos um valor fixo
para este ganho de corrente, mas, na realidade, este ganho varia com a
intensidade da corrente e com a temperatura.

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Figura 38 Ligao bsica de um transistor bipolar e diagrama esquemtico
Deve-se notar que esta explicao bastante simplificada, deixando de

considerar diversos fenmenos que ocorrem em um transistor (tais como
correntes de fuga e efeitos trmicos).
Neste texto foi analisado o funcionamento do transistor npn, pois a anlise

do pnp similar do npn, bastando levar em conta que os portadores majoritrios
do emissor so lacunas ao invs de eltrons livres. Em termos prticos, o circuito
analisado de modo idntico, apenas com tenses e corrente invertidas, se
comparadas a um transistor npn.
Assim, circuitos com transistores npn podem sem convertidos em circuitos

com transistores pnp, bastando inverter a polaridade da fonte de alimentao, dos
diodos e dos capacitores polarizados.
3.3 CARACTERSTICA v x i
A caracterstica v x i de um transistor de NPN tpico mostrada na figura

39. Estas curvas refletem o comportamento de um transistor, com maior destaque
para a regio normal de operao, na qual o transistor atua como amplificador.

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Figura 39 - Caracterstica v x i de um transistor de uso geral.
A caracterstica v x i de um transistor de potncia NPN tpico mostrada na

figura 40. Com o transistor conduzindo (IB > 0) e operando na regio ativa, o limite
de tenso VCE VSUS, o qual, se atingido, leva o dispositivo a um fenmeno
chamado de primeira ruptura. Este processo ocorre quando, ao se elevar a tenso
VCE, provoca-se um fenmeno de avalanche em JBC.
A regio de ruptura secundria deve tambm ser evitada, pois provoca alta
dissipao de potncia em pontos localizados no semicondutor. Com o transistor
desligado (IB = 0) a tenso que provoca a ruptura da juno JBC maior,
elevando-se ainda mais quando a corrente de base for negativa.
Os transistores bipolares apresentam uma regio de operao chamada de

quase-saturao, gerada pela presena da camada N-, do coletor. Na regio ativa,
JBC est reversamente polarizada e ocorre uma acumulao de eltrons na
regio da base (estocagem de carga). Quando se aproxima da saturao, JBC fica
diretamente polarizada, atraindo lacunas da base para o coletor.

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Tais lacunas associam-se a eltrons vindos do emissor e que esto
migrando pelo componente, criando uma carga espacial que penetra a regio N-,
isto representa um alargamento da regio da base, implicando a reduo do
ganho do transistor. Tal situao caracteriza a chamada quase-saturao.
Quando esta distribuio de carga espacial ocupa toda a regio N-, chega-
se saturao plena.
Figura 40 - Caracterstica v x i de um transistor de potncia.
A figura 41 mostra a distribuio de carga esttica no interior do transistor,

para as diferentes regies de operao.

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Figura 41 - Distribuio da carga esttica acumulada no transistor bipolar.
3.4 CARACTERSTICA DE CHAVEAMENTO
As caractersticas de chaveamento so importantes, pois definem a

velocidade de mudana de estado e ainda determinam as perdas no dispositivo,
relativas s comutaes, que so dominantes nos conversores de alta freqncia.
Definem-se diversos intervalos, considerando a operao com carga

resistiva ou indutiva. O sinal de base, para o desligamento, geralmente negativo,
a fim de acelerar o bloqueio do transistor. A figura 42 ilustra um circuito com carga
indutiva.
O circuito externo determina a corrente de coletor do transistor. Este valor

de corrente e as recombinaes no transistor, particularmente na regio de
arrasto, determinam a mnima carga que deve ser armazenada no transistor, para
que este permanea em conduo.
O ganho de corrente do transistor estabelece a mnima corrente de base

para manter a distribuio de carga no dispositivo. Valores de corrente superiores
a este mnimo levaro mais rapidamente o transistor conduo, reduzindo o
tempo de transio do estado desligado para ligado.

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Figura 42 - Circuito para anlise de chaveamento do transistor bipolar.
A tenso aplicada ao circuito de base, a corrente de coletor e outras
tenses e correntes de interesse no transistor em funo do tempo so mostradas
na figura 43.

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Figura 43 - Formas de onda de um transistor de potncia durante a conduo.
Durante o perodo inicial de tempo, chamado tempo de retardo, td(on), no

h armazenamento de carga, devido carga espacial negativa na juno B-E, que
deve ser removida para que a juno fique polarizada positivamente e a injeo de
portadores possa se iniciar. Durante este intervalo, apenas a corrente de base
circula e a tenso base-emissor cresce.
Aps td (on) a corrente de coletor aumenta rapidamente alcanando seu

valor final num tempo ts. A tenso de coletor VCE no se altera neste intervalo,
porque o diodo em paralelo com a carga ainda est conduzindo. O transistor est
na regio ativa.
Depois de ts a tenso de coletor cai rapidamente durante tf1, pois o diodo

pra de conduzir.
Durante tf2 o transistor est na regio de quase saturao, que faz com que
a reduo de tenso de coletor seja mais lenta. Aps tf2 a saturao completa se
inicia, quando os portadores majoritrios esto em bastante quantidade na regio
de arrasto.
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Bloquear um transistor requer a remoo de toda a carga armazenada nas
junes. Isto pode ser feito reduzindo a corrente de base a zero ou tornando-a
negativa para acelerar o processo. O processo iniciado em t=0, na figura 44,
onde as tenses e correntes de interesse so mostradas.
Figura 44 - Formas de onda de um transistor de potncia durante o bloqueio.
Durante o intervalo de tempo ts a corrente de coletor permanece em seu

valor de conduo, at que toda carga em excesso ao mnimo requerido seja
retirada.
Aps ts o transistor deixa a regio de saturao e passa quase-saturada
quando a tenso de coletor comea aumentar vagarosamente.
Aps a reduo a zero dos portadores em excesso na regio de arrasto, fim
da regio quase-saturada e de tf2, o transistor entra na regio ativa, tf1 e a tenso
de coletor (coletor emissor) cresce rapidamente j que a corrente de coletor, ainda
em seu valor mximo, ajuda a formao da capacitncia na juno C-B. Ento, a
corrente no coletor reduz-se devido ao bloqueio da juno e a corrente de carga
passa a circular pelo diodo D.

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3.5 CONEXO DARLINGTON
Os transistores de sinal (de pequena potncia) apresentam ganho de

corrente razoavelmente elevados, (de 100 a 200). Por outro lado, as grandes
dimenses da regio de base dos transistores de potncia implicam ganhos de
corrente baixos (de 15 a 30).
Assim, dependendo da corrente de coletor, podem ser necessrias

correntes de base de grande intensidade. Para contornar esta caracterstica
indesejvel, usualmente utilizada a conexo Darlington, mostrada na figura 45,
que apresenta como principais caractersticas:
Ganho de corrente $= $2($1 + 1) + $1;
T2 no satura, pois sua juno base-coletor est sempre reversamente

polarizada;
Tanto o disparo quanto o desligamento so seqenciais. No disparo, T1 liga

primeiro, fornecendo corrente de base para T2. No desligamento, T1 comuta
antes, interrompendo a corrente de base de T2.
Figura 45 - Conexo Darlington.

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3.6 APLICAES
A forma mais simples de se usar um transistor como uma chave, ou seja,

colocando-o apenas nas regies de saturao ou corte da reta de carga. Quando
o transistor est saturado, pode ser aproximado por uma chave fechada do coletor
para o emissor e, quando cortado, por uma chave aberta. A corrente de base
controla a posio da chave.
A figura 46 mostra um circuito de chaveamento, com um transistor acionado

por uma tenso em degrau. Se IB for zero, a corrente de coletor prxima de zero
e o transistor est em corte. Se IB for maior ou igual a IB(SAT), a corrente de
coletor mxima e o transistor satura.
Quando a tenso de entrada for zero, o transistor est em corte. Neste

caso, comporta-se como uma chave aberta. Sem corrente pelo resistor de coletor,
a tenso de sada iguala-se a +5V. Quando a tenso de entrada for de +5V, o
transistor satura. Neste caso, o transistor comporta-se como uma chave fechada e
a tenso de sada vo a zero.
Assim, uma tenso de entrada de 0V produz uma sada de 5V e uma

tenso de entrada de 5V, uma sada de 0V. Em circuitos digitais este circuito
chamado de porta inversora e seu smbolo tambm mostrado na figura 46.
Figura 46 - Circuito de chaveamento, formas de onda e smbolo da porta

inversora.

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4 OPTOELETRNICA FOTODIODO FOTOTRANSISTOR E
OPTOACOPLADOR
O diodo emissor de luz (LED) um diodo que quando polarizado

diretamente emite luz visvel (amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou
infravermelha. A luz emitida proporcional ao nmero de recombinaes entre os
portadores minoritrios em difuso e os portadores majoritrios e, portanto,
corrente direta no diodo. A eficincia do processo de gerao de luz aumenta com
a corrente injetada e com a diminuio da temperatura. A gerao de luz est
concentrada perto da juno, pois a maior parte dos portadores se recombinam
nas vizinhanas da mesma.
Ao contrrio dos diodos comuns, o LED no feito de silcio, que um

material opaco, e sim, de elementos como glio, arsnico e fsforo. amplamente
usado, devido sua longa vida, baixa tenso de acionamento e boa resposta em
circuitos de chaveamento. Os diodos emissores de luz so representados por um
diodo normal mais duas pequenas setas para fora, que indicam a emisso da luz,
como ilustra a figura 47.
Figura 47 - Simbologia e estrutura interna do diodo emissor de luz LED.
Os fotodiodos so formados por uma juno p-n, em geral de arseniato de

glio, recoberta por um plstico transparente ou por um encapsulamento com
janela transparente.
Num diodo polarizado reversamente circulam somente os portadores minoritrios.

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Estes portadores existem porque a energia trmica suficiente para
quebrar algumas ligaes covalentes, gerando eltrons livres e lacunas, formando,
assim, a corrente reversa. Quando a energia luminosa incide na juno pn,
fornece mais energia aos eltrons de valncia e, com isto, gera mais portadores
livres, aumentando a corrente reversa. Quanto mais intensa for a luz na juno,
maior ser a corrente reversa num diodo.
Por sua vez, nos fototransistores a incidncia de luz na juno base-

emissor provoca o surgimento de lacunas na vizinhana da juno, provocando o
surgimento de uma corrente de base. Esta corrente de base gerada pela energia
luminosa ser multiplicada pelo ganho em corrente do transistor, resultando numa
corrente de coletor de intensidade IC = $IB.
Em relao ao fotodiodo, o fototransistor tem maior sensibilidade, porm
possui menor velocidade.
Alm de fotodiodos fototransistores, h uma grande variedade de

componentes fotossensveis. A figura 48 mostra a simbologia e alguns tipos de
encapsulamento disponveis para fotodiodos e fototransistores.
Figura 48 - Simbologia e encapsulamentos de fototransistores e fotodiodos.
Os optoacopladores consistem de um LED e um fototransistor,

encapsulados num mesmo invlucro. Qualquer variao na corrente do LED
corresponde a uma variao de seu fluxo luminoso. Como a luz do LED incide no
fototransistor, haver uma variao correspondente da corrente do fototransistor.
Assim, um sinal aplicado ao LED repetido pelo fototransistor, porm, com
isolamento galvnico entre os circuitos de entrada e de sada. Esta isolao
galvnica entre a entrada e a sada do optoacoplador facilita o projeto e
construo de circuitos de disparo de semicondutores de potncia.
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A figura 49 mostra a simbologia e alguns encapsulamentos de
optoacopladores, inclusive dois modelos de fenda, onde o feixe luminoso pode ser
interrompido por objetos (rodas dentadas ou chapas, por exemplo).
Figura 49 - Simbologia e encapsulamentos de optoacopladores.

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5 MOSFET
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COM PORTA ISOLADA

(METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR)
5.1 INTRODUO
O smbolo eltrico de um transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor

Field Effect Transistor) tipo enriquecimento de canal N apresentado na figura 50,
onde tambm so ilustrados alguns encapsulamentos para transistores MOSFET.
Estes transistores possuem seu terminal de controle (gate) isolado do

semicondutor por um filme de xido de silcio (SiO2). Esta camada torna os
MOSFETs sensveis a descargas eletrostticas. Portanto, seu manuseio deve ser
feito com as cautelas recomendadas pelos fabricantes (tais como o uso de
pulseiras antiestticas aterradas). Este problema particularmente srio no caso
de descargas eletrostticas que danificam parcialmente a camada isolante,
fazendo com que a vida til do componente seja diminuda e, portanto, reduzindo
a confiabilidade do equipamento onde este componente esteja montado.
Figura 50 - Smbolo de MOSFET tipo enriquecimento de canal N e encapsulamentos.
5.2 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO (MOSFET TIPO ENRIQUECIMENTO

DE CANAL N)
A figura 51 mostra a estrutura bsica de um transistor MOSFET tipo

enriquecimento de canal N.
Pode-se observar que, nesta situao, sem polarizao na porta, o

transistor pode ser representado por dois diodos, conectados por seus anodos.

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Assim, para quaisquer valores de tenso entre Dreno e Fonte, no haver
corrente, at que haja a ruptura da juno que estiver polarizada reversamente.
Quando uma tenso VGS positiva e de pequena intensidade aplicada, o

potencial positivo no gate repele as lacunas na regio P, deixando uma carga
negativa, mas sem portadores livres. Quando esta tenso atinge um certo limiar
(Vth), eltrons livres da regio P so atrados e formam um canal N dentro da
regio P, pelo qual torna-se possvel a passagem de corrente entre D e S, como
mostra a figura 52.
Figura 51 - Transistor MOSFET sem polarizao e circuito equivalente.

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Figura 52 - Transistor MOSFET com tenso de porta positiva.
Observa-se que IG = 0, em regime esttico. Como a resistncia de entrada

da ordem de 1012S, apenas no caso de sinais variveis surge uma corrente, de
baixssimo valor, devido capacitncia entre o eletrodo da porta e o substrato.
Assim, pode-se assumir que ID = IS.
Aplicando-se uma tenso entre dreno e fonte de pequeno valor, observa-se
que a corrente ID proporcional a VDS. O aumento de VGS provoca o
alargamento do canal, reduzindo sua resistncia e, portanto, aumentando ID
proporcionalmente. Este comportamento caracteriza a chamada regio resistiva,
pois a corrente proporcional tanto a VDS quanto a VGS e mostrado na figura
53.

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Figura 53 - Transistor MOSFET na regio resistiva
Para grandes valores de VDS, a passagem de Id pelo canal produz uma

queda de tenso que leva ao seu afunilamento, ou seja, o canal mais largo na
fronteira com a fonte do que nas proximidades do dreno, como mostra a figura 54.
Um aumento de ID leva a uma maior queda de tenso no canal e a um
maior afunilamento, tendendo a um ponto de equilbrio, no qual a corrente ID se
mantm constante para qualquer VDS, caracterizando a regio ativa do MOSFET.

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Figura 54 - Transistor MOSFET na regio ativa
5.3 CURVA CARACTERSTICA
A figura 55 mostra a caracterstica esttica do MOSFET. Estes transistores,

em geral, so de canal N por apresentarem menores perdas e maior velocidade
de comutao, devido maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas. A
mxima tenso Vds determinada pela ruptura do diodo reverso.
Os MOSFETs no apresentam segunda ruptura, uma vez que a resistncia
do canal aumenta com o crescimento de ID, o que facilita a associao em
paralelo destes componentes. A tenso VGS limitada a algumas dezenas de
Volts, devido da capacidade de isolao da camada de SiO2.

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Figura 55 - Caracterstica esttica do MOSFET
5.4 CARACTERSTICAS DE CHAVEAMENTO
O MOSFET apresenta capacitncias parasitas e sua caracterstica de

chaveamento depender das constantes de tempo relativas a estes elementos
capacitivos. A figura 56 mostra as capacitncias parasitas do dispositivo.
Figura 56 - Capacitncias parasitas

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A figura 57 ilustra o circuito empregado para analisar a caracterstica de
chaveamento e as formas de onda durante o estado de conduo. Ao ser aplicada
a tenso de acionamento (VGG), a capacitncia de entrada comea a se carregar,
com a corrente limitada por Rg. Quando se atinge a tenso limiar de conduo
(VTH), aps td, comea a crescer a corrente de dreno.
Enquanto ID < IO, DF se mantm em conduo e VDS = VDD. Quando ID =
IO, DF desliga e VDS cai. Durante a reduo de VDS ocorre um aparente
aumento da capacitncia de entrada (CiSS) do transistor (efeito Miller), fazendo
com que a variao de VGS se torne muito mais lenta. Isto se mantm at que
VDS caia, quando, ento, a tenso VGS volta a aumentar, at atingir VGG.
Figura 57 - Formas de onda na entrada em conduo de MOSFET com carga

indutiva.
Enquanto VDS se mantm elevado, a capacitncia que drena a corrente do

circuito de acionamento apenas CGS. Quando VDS diminui, a capacitncia
dentre dreno e source se descarregam, o mesmo ocorrendo com a capacitncia
entre gate e dreno. A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a
corrente do circuito de acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga
de CGS, o que ocorre at que CGD esteja descarregado.
O processo de desligamento semelhante ao apresentado na conduo,
mas na ordem inversa. O uso de uma tenso VGG negativa apressa o
desligamento, pois acelera a descarga da capacitncia de entrada. Como os
MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de
armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os transistores bipolares.

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6 IGBT
TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA (INSULATED
GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
6.1 INTRODUO
O transistor bipolar de porta isolada (IGBT Insulate Gate Bipolar

Transistor) um dispositivo que combina as caractersticas de atuao rpida e de
alta capacidade de potncia de transistores bipolares com as caractersticas de
controle de tenso pelos MOSFETs.
Os IGBTs so prprios para tarefas que envolvem alta tenso e baixas

perdas de conduo. Os circuitos de acionamento so relativamente simples e
suportam velocidades de chaveamento relativamente altas. Os limites atuais de
tenso e corrente em dispositivos nicos esto em torno de 2kV e 1000A e podem
ser utilizados, quando associados em srie ou em paralelo, em aplicaes de
potncias maiores. A figura 58 mostra o smbolo e alguns encapsulamentos de
IGBTs.
Figura 58 - Smbolo e encapsulamentos de IGBTs.
A figura 59 apresenta a estrutura tpica de um IGBT. A estrutura do IGBT

similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+ que forma o coletor
do IGBT.

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O IGBT , em geral, utilizado como uma chave, alternando os estados de
conduo (On-state) e corte (Off-state), controlados pela tenso de comando
aplicada porta. Aplicando uma pequena tenso positiva no coletor, em relao
ao emissor, a juno J1 ficar reversamente polarizada e nenhuma corrente ir
circular atravs dessa juno.
Enquanto no houver o acmulo de eltrons livres na regio abaixo dos

terminais de porta e, conseqentemente, a formao de um canal N nesta regio,
no haver conduo de corrente entre o emissor e o coletor, pois a juno J2
estar reversamente polarizada, bloqueando a corrente.
Figura 59 - Estrutura bsica do IGBT.
No entanto, a aplicao de uma tenso positiva maior no terminal de gate

provoca a atrao de eltrons livres do substrato tipo P para a regio
imediatamente abaixo da porta. Quando a tenso entre a porta e o emissor atinge
um valor limite conhecido como tenso de limiar (threshold voltage - Vth) a regio
imediatamente abaixo da porta acaba por se transformar do tipo p para o tipo n,
devido grande quantidade de eltrons livres atrados pelo campo eltrico,
fenmeno denominado inverso, e a camada que sofreu o processo recebe o
nome de camada de inverso, tambm conhecida como canal.
Com este efeito, temos que a camada p+ conectada ao coletor injeta

lacunas positivamente carregadas na regio de arrastamento n-. Essa injeo de
lacunas da regio de arrastamento causa a modulao da condutividade da regio
de arrastamento onde as densidades de ambos os portadores, eltrons livres e
lacunas, atingem valores muito mais elevados que quela que a regio n-. esta
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modulao de condutividade que d ao IGBT sua baixa tenso de conduo entre
os terminais de coletor e emissor do IGBT por causa da reduzida resistncia da
regio de arrastamento. Isto se deve ao fato de que a condutividade de um
material semicondutor proporcional densidade de portadores deste material.
Assim, o IGBT poder conduzir correntes elevadas com poucas perdas de
potncia.
6.3 CARACTERSTICAS DE CHAVEAMENTO
A entrada em conduo um pouco mais lenta que a queda da tenso

VCE, uma vez que isto depende da chegada dos portadores vindos da regio P+.
Para o desligamento, no entanto, tais portadores devem ser retirados. O IGBT
possui uma camada N+, na qual a taxa de recombinao mais elevada do que
na regio N-. Desta forma, as lacunas presentes em N+ recombinam-se com muita
rapidez, fazendo com que, por difuso, as lacunas existentes na regio N -
refluam, apressando a extino da carga acumulada na regio N-, possibilitando o
restabelecimento da barreira de potencial e o bloqueio do componente.
6.4 CIRCUITO EQUIVALENTE
O IGBT pode ser modelado pelo circuito equivalente da figura 60, que inclui
o transistor parasita NPN, a regio tipo p do corpo do MOSFET e a regio de
arrastamento tipo n-.

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Figura 60 - Circuito equivalente do IGBT.
Neste modelo tambm apresentada a resistncia lateral da regio tipo p

da regio de corpo. Se a corrente fluindo atravs dessa resistncia for elevada,
temse uma queda de tenso que ir polarizar diretamente a juno entre esta
camada semicondutora e a regio n+, ativando o transistor NPN parasita que
forma, juntamente com o transistor PNP principal da estrutura do IGBT, um tiristor
parasita.
Uma vez que este tiristor tenha sido disparado, a tenso de gate no influi
mais na operao do dispositivo e, conseqentemente, o controle da operao do
IGBT ser perdido. Este fenmeno denominado latch-up e, quando ocorre,
geralmente conduz destruio do dispositivo. Geralmente, os fabricantes de
IGBT constroem o molde da superfcie do emissor em forma de uma tira estreita,
evitando assim, o disparo do tiristor parasita existente na estrutura do IGBT.
6.5 - APLICAO
Os IGBTs so usados principalmente como comutadores em conversores

de energia, inversores de freqncia, etc. Nestas aplicaes, normalmente uma
carga indutiva ligada e desligada, podendo com isso aparecer tenses inversas
elevadas, contra as quais o dispositivo deve ser protegido. Essa proteo feita
com o uso de diodos ligados em paralelo com o coletor e o emissor para evitar
que uma elevada tenso reversa seja aplicada ao IGBT.
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6.5.1 CHOPPER
Em muitas aplicaes industriais faz-se necessrio a converso de uma

tenso contnua fixa em uma contnua varivel ou converter uma tenso CC no
regulada numa tenso com valor regulado.
Esta converso feita atravs de estruturas estticas chamadas
conversoras CC/CC ou choppers. O circuito bsico de um chopper mostrado na
figura 61.
Figura 61 - Circuito bsico de um chopper.
Tipos de Conversores CC/ CC
Quanto estrutura, h trs tipos bsicos de conversores CC/CC: abaixador

(Buck); elevador (Boost) e abaixador/elevador (Buck/Boost).
A estrutura do conversor abaixador (Buck), com suas formas de onda,

apresentada na figura 62. A presena do diodo se faz necessria, para prover um
caminho para a corrente do indutor, quando da abertura do transistor. A indutncia
L absorve energia durante o tempo em que o transistor conduz e descarrega esta
energia, durante o tempo em que o transistor est cortado.

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Figura 62 - Conversor DC/DC abaixador (Buck).
Ajustando-se o ciclo de trabalho, a tenso de sada pode assumir qualquer

valor entre 0 e V. importante notar que a dissipao, tanto no transistor quanto
no diodo, so bem inferiores que em reguladores lineares, especialmente para
tenses de sada baixas.
O conversor elevador (Boost) um circuito que eleva uma tenso contnua,

fazendo com que a tenso de sada do chopper seja maior que a de entrada. Este
circuito est ilustrado na figura 63.
Figura 63 - Conversor DC/DC elevador (Boost).

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Figura 64 - Conversor DC/DC abaixador/elevador (Buck/Boost).
Quando o transistor conduz, a corrente i da fonte comea a aumentar e

armazena energia na indutncia L. Aps o transistor deixar de conduzir, a energia
da indutncia transferida para a carga e o capacitor, atravs do diodo, que fica
diretamente polarizado, dada a fora eletromotriz induzida na indutncia. Durante
o intervalo de tempo em que o diodo se encontra bloqueado, a carga suprida
pelo capacitor.
A estrutura de um chopper buck/boost mostrada na figura 64. A operao
do circuito pode ser dividida em duas fases. Durante a fase 1, o transistor conduz,
o diodo est cortado e a energia transferida da fonte para a indutncia L.
Durante a fase 2 o diodo conduz, o transistor est cortado e a energia
armazenada no indutor transferida para a carga.
Neste conversor a tenso sobre a carga pode assumir valores superiores

ou inferiores da fonte, em funo do ciclo de trabalho.
Choppers Reversveis
Os choppers reversveis so compostos de mais de um chopper bsico.

Podem operar como reversveis em corrente (choppers de dois quadrantes) ou
reversveis em corrente e tenso (choppers de quatro quadrantes), de acordo com
o sentido da tenso e corrente na carga.
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O circuito bsico de um chopper de dois quadrantes mostrado na figura
65. A combinao de operao das chaves (diodos e transistores) determinar o
fluxo de energia no chopper. Na figura est mostradas uma carga com uma
resistncia, um indutor e uma fonte de tenso, representando, por exemplo, um
motor de corrente contnua.
Figura 65 - Chopper reversvel de dois quadrantes.
Quando S1 acionado, o chopper atua como abaixador (buck), transferindo

energia da fonte para a carga indutiva. Com S1 conduzindo, a corrente circular
da fonte para a carga, fornecendo energia, que acumulada no indutor. Quando
S1 abre, a corrente de carga, que indutiva, circular pela carga e por D2.
Em ambas as situaes a tenso e a corrente na carga so positivas, isto ,
o chopper opera no primeiro quadrante do plano de tenso x corrente. Este modo
de operao pode ser visto na figura 66.

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Figura 66 - Chopper reversvel como abaixador.
Quando S2 acionado, o chopper atua como elevador (booster),

transferindo energia da carga indutiva para a fonte (deve-se notar que esta
atuao permite, por exemplo, a frenagem regenerativa em motores DC). O
chopper elevador composto pela operao de S2 durante o ciclo de trabalho e
D1 durante o tempo em que S2 permanece aberta.
Neste modo, visto na figura 67, o chopper opera como um conversor

elevador, j mostrado anteriormente. Como as correntes da carga e da fonte
invertem seus sentidos, podemos afirmar que o chopper opera no segundo
quadrante.

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Figura 67 - Chopper reversvel como elevador.
importante notar que o chopper pode transferir operao de um modo

para outro, isto , mudar do primeiro para o segundo quadrante, de maneira suave
e rpida, apenas trocando os sinais de controle entre os transistores S1 e S2, sem
a necessidade de comando mecnico.
Um chopper de quatro quadrantes, isto , reversvel em tenso e corrente
mostrado na figura 68. H seis modos de operao, como mostrado nas figuras
69, 70 e 71.
Figura 68 - Chopper em ponte (quatro quadrantes).

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No modo 1, S1 e S4 esto ligadas, e a tenso positiva aplicada carga
aumentando a corrente de carga no sentido positivo, operando, portanto, no
primeiro quadrante. O modo 4 corresponde ao modo 1 com polaridade invertida,
operando no terceiro quadrante.
Figura 69 - Chopper em ponte operando no modo 1 (a) e no modo 4 (b).
No modo 2, mostrado na figura 70, aps o desligamento de S1 ou S4, D2

ou D1 passam a conduzir, fazendo com que a corrente indutiva circule na mesma
direo positiva, continuando, ainda, no primeiro quadrante. O modo 5
corresponde ao modo 2 com polaridade invertida, operando no terceiro quadrante.
No modo 3, mostrado na figura 71, ambos os transistores esto desligados,
e os dois diodos, D2 e D3 conduzem. A corrente de carga circula para a fonte na
mesma direo positiva regenerando, operando, portanto, no segundo quadrante.
Neste modo 3 a tenso de sada negativa enquanto que a corrente de sada
positiva e decrescente. O modo 6 corresponde ao modo 3 com polaridade
invertida, operando no terceiro quadrante.

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6.5.2 INVERSORES
A figura 72 mostra o circuito bsico de um conversor CC/CA com duas

chaves. Quando S1 est fechada a corrente na carga circula da direita para a
esquerda. Quando S1 desliga e S2 liga, a corrente indutiva da carga continua a
circular na mesma direo, agora atravs de D2, at a corrente cair a zero e
inverter de sentido, quando S2 passa a conduzir.

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A figura 73 mostra o esquema bsico de um conversor CC/CA com 4
chaves. As chaves S1 e S2 so acionadas complementarmente em intervalos de
180. Quando S1 e S4 conduzem a tenso de entrada V aplicada carga.
Quando S2 e S3 conduzem a tenso da fonte com polaridade invertida fica
aplicada carga. O papel dos diodos garantir um caminho para a corrente no
caso da carga apresentar caracterstica indutiva.
Figura 72 - Inversor monofsico com 2 chaves.
Figura 73 - Inversor monofsico com 4 chaves.

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Inversor Trifsico
Figura 74 - Esquema bsico de um inversor trifsico.
A estrutura do inversor trifsico pode ser obtida pelo acrscimo de mais um

ramo ao inversor monofsico em ponte. Os sinais para acionamento das chaves
superiores devem estar defasados de 120 e as chaves do mesmo ramo devem
estar alternadamente ligadas por 180. Atravs da figura 74 pode-se analisar o
princpio de funcionamento do inversor trifsico.
Este circuito possui 8 configuraes possveis de operao, sendo que 6

correspondem a estados ativos e 2 a estado neutros. A tabela 2 mostra estas
configuraes.
No estado neutro a tenso aplicada carga nula. A tenso aplicada

carga em cada estado ativo constitui um sistema trifsico equilibrado cuja
freqncia pode sercontrolada.
Tabela 2 - Configuraes de operao do inversor

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Estes inversores constituem uma das principais aplicaes dos IGBTs em
eletrnica de potncia, com grande utilizao na construo de filtros ativos de
potncia e em sistemas de acionamento de motores de induo. A figura 75 ilustra
o circuito bsico de um inversor de tenso usando IGBTs.
Figura 75 - Inversor de tenso com IGBTs.

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Figura 76 - Formas de onda nos IGBTs e na fase C em relao ao neutro.
As tenses de porta de cada um dos IGBTs so controladas a partir de um

circuito de disparo, que faz o chaveamento de apenas trs IGBTs a cada vez. A
ordem de chaveamento mostrada nos grficos apresentados na figura 76, onde
tem as tenses em cada uma das chaves no tempo e a tenso total entre a fase C
e o neutro da associao em Y na sada do conversor apresentado na figura 75. A
forma de onda VCN formada por seis segmentos idealmente retos. A forma de
onda das fases A e B idntica forma de onda da fase C, com defasagens de
120 em relao outra.
6.5.3 PULSE WIDTH MODULATION PWM
Uma maneira eficiente de obter tenses adequadas para acionamento de

motores de induo atravs da modulao conhecida como modulao por
largura de pulso PWM. Este tipo de modulao obtido comparando-se uma
tenso de referncia com um sinal triangular simtrico, cuja freqncia determina
a freqncia de chaveamento. A freqncia de a onda triangular, chamada de
portadora, deve ser, no mnimo 10 vezes superior mxima freqncia da onda
de referncia, para que se obtenha uma reproduo aceitvel do sinal de
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referncia, agora modulado, para acionamento de cargas (motores), permitindo a
variao da freqncia e tenso na carga.
A largura do pulso de sada do modulador varia de acordo com a amplitude

relativa da referncia em comparao com a portadora (triangular). Tem-se,
assim, uma Modulao por Largura de Pulso, tambm conhecida como Pulse
Width Modulation - PWM. A tenso de sada, que aplicada carga, formada
por uma sucesso de ondas retangulares de amplitude igual tenso de
alimentao CC e durao varivel. A figura 77 mostra a modulao de uma onda
senoidal, produzindo na sada uma tenso com 2 nveis, na freqncia da onda
triangular.
Figura 77 - Sinal PWM.
possvel, ainda, obter uma modulao em 3 nveis (positivo, zero e

negativo). Este tipo de modulao, mostrado na figura 78, apresenta um menor
contedo harmnico. Entretanto, a produo de um sinal de 3 nveis mais
complexa para ser obtida analogicamente. Uma maneira de faz-lo, para um
inversor monofsico, de acordo com a seguinte seqncia:
Durante o semiciclo positivo, T1 permanece sempre ligado.
O sinal PWM enviado a T4 e o mesmo sinal invertido enviado a T2.

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No semiciclo negativo, T3 permanece conduzindo.
O sinal PWM enviado a T2 e o sinal invertido vai para T4
Figura 78 - Formas de onda modulao PWM em 3 nveis.
6.5.4 - ACIONAMENTO DE MOTORES
Acionamento de Motores CC por Meio de Choppers
A figura 79 mostra o arranjo de um circuito de um Chopper simples. Este

circuito pode ser utilizado para acionar um motor CC. A tenso mdia da armadura
do motor e, portanto, a velocidade controlada pela relao entre as duraes do
perodo de conduo e do perodo de corte dos pulsos da tenso da armadura.
O controle pode ser descrito como em um quadrante, porque o

acionamento pode comandar o motor e seu giro em apenas um sentido de
rotao, isto , o torque s pode ser desenvolvido em um sentido de rotao; nem
a tenso do motor nem a corrente podem ser invertidas.

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Figura 79 - Circuito bsico e formas de onda do chopper de um quadrante.
Uma mquina CC controlada por chopper pode operar como gerador com a
utilizao de um dispositivo de chaveamento e um diodo extra, como mostrado na
figura 80.
Assim, a corrente do motor pode ser invertida para permitir frenagem
regenerativa, fornecendo energia de volta fonte de alimentao. A tenso do
motor e o sentido de rotao no podem se inverter; portanto, isso resulta no que
conhecido como controle em dois quadrantes, com velocidade em apenas um
sentido e frenagem ativa.
A relao conduo/corte da tenso do motor, modulada pela largura dos

pulsos determina a velocidade, que pode ser realimentada em malha fechada
automaticamente, ajustando o tempo de conduo para compensar a queda de
tenso devida resistncia da armadura.

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No modo de controle de velocidade, os nveis de corrente de regime
permanente se auto-ajustaro, mas durante a acelerao ou frenagem um sinal de
realimentao de um sensor de corrente no motor, controlar os intervalos de
chaveamento do chopper, para limitar a corrente em um nvel seguro.
Figura 80 - Circuito bsico e formas de onda do chopper de dois quadrantes.

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Para estender o controle, a fim de possibilitar o funcionamento do motor em
ambos sentidos de rotao, como motor e gerador, sem qualquer chaveamento
mecnico, pode ser utilizado o circuito em ponte mostrado na figura 81, conhecido
como controle em quatro quadrantes.
As formas de onda esto representadas em b e em c e so ambas para
operao como motor. Tambm em b o controle d perodos alternados de
operao como motor e gerador, enquanto que em c o controle unidirecional.
Figura 81 - Operao do chopper de quatro quadrantes

a) Circuito bsico;
b) Fonte de corrente bidirecional;
c) Fonte de corrente unidirecional

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Acionamento de Motores CA por Inversores de Corrente
O uso de inversores de corrente se d principalmente no acionamento de

motores de induo ou em nobreaks. Uma estrutura genrica para um sistema
deacionamento de CA mostrada na figura 82. O nvel da corrente CC sobre a
indutncia de alisamento, L, ajustado pelo retificador de entrada. A freqncia
das correntes alternadas na sada do inversor determinada pelo circuito de
comando do inversor.
Esta estrutura permite, pelo ajuste adequado do ngulo de disparo da ponte

retificadora, a regenerao de energia, ou seja, a energia retirada do motor
acionado pode refluir para a rede, bastando que, momentaneamente, a tenso
mdia na sada do retificador seja negativa, ou seja, que a ponte opere como
inversora comutada pela rede.
J o inversor de freqncia opera com comutao forada, caracterizada

pela comutao das suas chaves eletrnicas de potncia (SCRs, GTOs, IGBTs,
etc).
Figura 82 - Estrutura bsica de sistema para acionamento em corrente de

mquina
A figura 83 mostra a topologia de um inversor de corrente trifsico

implementadas com transistores como chaves de potncia. A operao adequada
do conversor exige que exista, a todo instante, pelo menos uma fase de cada
semiponte (superior e inferior) em conduo, para dar passagem corrente.
A seqncia dos sinais de comando das chaves est indicada na figura 84

para um dado sentido de rotao. Mostra-se tambm a forma das correntes no
motor para conexes em estrela e em tringulo.
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Figura 83 - Esquema bsico de um inversor trifsico.
Para analisar o funcionamento deste circuito, consideremos que,

inicialmente, as chaves Q1 e Q2, bem como os diodos D1 e D2, estejam em
conduo. A corrente flui pelas fases A e C. No instante t1, cessa-se de enviar o
sinal de acionamento para Q1 e comanda-se a entrada em conduo de Q3. Para
que Q1 efetivamente desligue, necessrio que sua corrente v a zero, no
entanto a corrente da fase A permanece inalterada e D1 segue conduzindo.
Quando o diodo D3 torna-se diretamente polarizado, D1 desligado.
Se a chave semicondutora permite o desligamento comandado, como o

caso dos transistores e GTOs, pode-se aplicar tcnicas de modulao de largura
de pulso, com isso permitindo a variao dos perodos e largura das formas de
onda de tenso/corrente, possibilitando, assim, a variao de freqncia. Isto
permite o controle de velocidade de mquinas CA (motores de induo ou
mquinas sncronas), que tm suas velocidades como funo da freqncia
aplicada.

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Figura 84 - Formas de onda.

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7 CIRCUITOS DE DISPARO
7.1 TCA 785
A grande utilizao de circuitos tiristorizados e a necessidade de circuitos

de disparo associados deram margem ao aparecimento de circuitos integrados
dedicados. A finalidade desses circuitos facilitar o projeto dos circuitos de
disparo e torn-los mais compacto, com menos componentes e, portanto, mais
confiveis e de menor custo.
O TCA 785 um circuito integrado analgico especial para o disparo de

tiristor, em aplicao, onde se requer preciso de disparo, sincronismo com a rede
de alimentao, simplicidade e confiabilidade. Apresenta como principais
caractersticas:
Largo campo de aplicao, devido possibilidade de controle externo.
Operao em circuitos trifsicos, utilizando-se 3 CIs.
Compatvel com LST, TTL, MOS e CMOS.
Duas sadas com corrente de 55mA e duas sadas complementares.
Durao do pulso de disparo determinado por capacitor externo.
Deteco de passagem de tenso por zero.
Indicado tambm como chave de ponto de zero e conversor tenso

freqncia
Possibilidade de inibio dos pulsos de disparo.
Faixa de tenso de alimentao de 8V a 18V.
Consumo interno de corrente de 5Ma

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O diagrama em blocos da figura 85 mostra as funes essenciais e as

formas de onda tpicas do TCA 785. A tabela 3 mostra a pinagem do mesmo.
Todo circuito de disparo em retificadores controlados deve ser sincronizado

com a rede, para que no ocorra o disparo aleatrio dos tiristores, com os pulsos
de disparo aplicados em instantes no relacionados com a tenso da rede.
Um ponto de referncia para o sincronismo a passagem da rede por zero,

o que ocorre, aproximadamente, a cada 8,3m sem redes de 60Hz. No TCA 785
existe um detector de passagem por zero, que gera um pulso de sincronismo, toda
vez que a tenso da rede passa por zero.
Para permitir a alimentao do TCA 785 com diferentes valores de tenso,

existe internamente uma fonte de alimentao regulada, que fornece
aproximadamente 3,1V aos circuitos internos.
Essa tenso disponvel para uso externo, sendo possvel filtr-la atravs
de C8 aumentando assim a imunidade a rudos do TCA 785.

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Figura 85 - Diagrama interna e formas de onda tpicas do TCA 785.
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Tabela 3 - Descrio dos pinos do TCA 785.
A base para sincronismo do TCA 785 um gerador de rampa, cuja

caracterstica ajustada por R9 e C10 nos pinos 9 e 10 respectivamente.
O capacitor C10 carregado atravs de uma fonte de corrente, cujo valor

controlado pelo resistor RR, gerando uma rampa. O valor da corrente dado por
(com k = 1,1):
Os valores mnimo e mximo de I10, respectivamente 10:A e 1000:A,

devem ser respeitados. Da mesma forma, R9 deve estar entre 3 kW e 300 k SW.
A tenso de rampa de C10 comparada com a tenso de controle V11

aplicado ao pino 11 do TCA 785.

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Quando a tenso de rampa ultrapassa a de controle, a mudana de estado
do comparador de sincronismo indica unidade lgica de formao de pulsos que
um pulso de disparo deve ser enviado a uma das sadas.
O capacitor continua a carregar-se, at que, no prximo cruzamento por

zero, o detector de passagem por zero informa o evento ao registrador de
sincronismo, que gera um pulso que satura o transistor Q1, descarregando
rapidamente o capacitor, dando incio prxima rampa.
A informao de passagem por zero s liberada pelo registrador de

sincronismo, aps a descarga de C11, que monitorada pelo monitor de
descarga.
Com a informao dos circuitos anteriores, a lgica de formao dos pulsos

encarrega-se de colocar nas sadas a forma de pulso selecionada. Com o pino 12
em aberto, so gerados pulsos de curta durao (30:s). A tabela 4 relaciona a
durao dos pulsos em funo do capacitor C12. A lei de formao da tabela
aproximadamente $ = 620:s/nF.
Tabela 4 - Durao dos pulsos em funo de C11
Se o pino 12 estiver curto-circuitado terra, a largura do pulso se estender

at o incio do prximo semiciclo. Com isso, consegue-se um pulso longo, de
durao de 180 - ", que utilizado para garantir o disparo do tiristor em aplicaes
com carga indutiva.
O aterramento do pino 13 resulta em pulsos de longa durao nas sadas

Q2 (barrado) e Q1 (barrado) de modo semelhante ao descrito com o aterramento
do pino 12.
O TCA 785 tem outras opes para os pulsos de sada. Os pinos 2 e 4 so

sadas complementares (com nvel lgico invertido) dos pinos 15 e 14
respectivamente. Estas sadas so em coletor aberto, ou seja, h um transistor
interno, com sinal na base e que s conduz se polarizado corretamente.
Existem ainda duas sadas auxiliares Qu (pino 3) e Qz (pino 7), tambm em

coletor aberto, necessitando de um resistor (R3 e R7) ligado a uma fonte positiva
para que possam ser utilizadas.
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A sada Qu anlogo sada Q1, diferindo pelo fato de em Qu, a durao
do pulso constante e igual a 180 (8,33ms em 60Hz). A sada Qz igual a uma
associao lgica NOR das sadas Q1 e Q2, sendo til no disparo de TRIACS.
Uma opo muito importante no TCA 785 a possibilidade de bloqueio das

sadas. As sadas estaro liberadas apenas se ao pino 6 for aplicada tenso
superior a 4V.
Por outro lado, estar garantindo o bloqueio dos pulsos se a tenso no pino
6 for inferior a 2,5V. Esta liberao das sadas necessria em um conversor em
uma condio de falha.
O bloqueio no pino 6 pode ser efetuado atravs de uma chave de operao

manual, de um contato de rel ou de um transistor NPN.
A figura 86 ilustra um exemplo de circuito de disparo trifsico, com um TCA

785 para cada fase.

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Figura 86 - Exemplo de circuito de disparo com TCA 785.

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7.2 UJT TRANSISTOR UNIJUNO
O transistor unijuno (UJT) um dispositivo semicondutor de trs

terminais, com apenas uma juno PN.
O UJT fundamentalmente um dispositivo de chaveamento com diferentes
propriedades em relao aos demais dispositivos semicondutores.
Dentre essas propriedades pode-se destacar:
Possui uma regio de resistncia bastante estvel, o que permite seu uso
em osciladores e circuitos de disparo;
A tenso de disparo aproximadamente uma frao fixa da tenso de

alimentao, o que permite que um oscilador de relaxao tenha sua
freqncia independente da tenso da fonte;
Permite a construo de circuitos de disparo simples, com reduzido nmero

de componentes;
Quanto desativado possui uma resistncia interna elevada ( _10kW );
Necessita de baixos valores de corrente de disparo;
Tem elevada capacidade de corrente de pulso;
So disponveis sada (B1) tenses de pico relativamente elevadas (3 a

5V), que podem ser usadas no chaveamento de tiristores
O UJT constitudo a partir de uma fatia de material semicondutor tipo N

com dois contatos hmicos nas extremidades os quais do origem a base 1 (B1) e
a base 2 (B2). Nas proximidades da base 2 soldado um terminal de alumnio,
que um dopante aceitador.
No processo de soldagem, a difuso de tomos de alumnio na barra N faz
com que surja uma regio do tipo P, de dopagem elevada, que chamada
emissor (E). Assim, gerada uma juno PN, da qual sai o terminal denominado
emissor (E).

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A figura 87 ilustra a estrutura bsica, o smbolo e o circuito equivalente do
UJT onde RB2 a resistncia da base 2, RB1 a resistncia da base 1, RBB a
resistncia interbase; VBB a tenso interbase e VE a tenso entre emissor e
base.
Figura 87 - Estrutura bsica, smbolo e circuito equivalente do UJT.
Se a tenso de emissor for igual a zero, a tenso no divisor (VRB1) polariza

inversamente o diodo emissor. Aumentando ligeiramente a alimentao do
emissor (VE), at que seja ligeiramente maior que VRB1, o diodo emissor ser
ligado.
Como a regio P fortemente dopada em relao regio N, as lacunas
so injetadas na regio N equivalente a RB1. VE cai rapidamente para um valor
baixo e a corrente de emissor aumenta.
Analisando o circuito equivalente na figura 87, conclui-se que, para o UJT
conduzir necessrio que inicialmente circule uma corrente atravs do emissor.
7.2.2 CIRCUITO DE RELAXAO UTILIZANDO O UJT
O oscilador de relaxao um circuito com UJT, que tem como princpio

bsico a carga de um capacitor at disparar o UJT, gerando pulsos na sada. O
circuito de relaxao e suas formas de onda esto representados na figura 88.
O UJT usado como gerador de pulsos. O capacitor se carrega atravs do

resistor e, quando a tenso no emissor do UJT ultrapassa a tenso de disparo do
UJT, fornecida pela fonte e pelos resistores, o UJT dispara, descarregando o
capacitor e fornecendo um pulso curto a R1.
O valor da tenso de disparo est entre 0.55 e 0.8 vezes a tenso de

alimentao, conforme o modelo do UJT.
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Figura 88 - Oscilador de relaxao a UJT e formas de onda.
Em geral, R2 limitado em 100W podendo ter valores entre 2We 3kW. O

resistor R1 conectado base 2, para compensar uma diminuio de VP devido
ao aumento de temperatura e dar estabilidade trmica ao UJT, em geral
apresentando valores superiores a 100W .
A variao entre a freqncia mxima e mnima de oscilao do circuito
feita atravs do potencimetro P e os valores de R1 e R2 so dados pelas
equaes seguintes, onde 0 (eta) uma razo intrnseca do UJT fornecida pelo
fabricante e tg o tempo de chaveamento:
Os pulsos presentes na base 1 so muito utilizados no disparo de tiristores.
A figura 89 ilustra um exemplo de circuito de disparo com UJT, adequado

para o disparo de dois SCRs em antiparalelo, tal como mostrado na figura 90.

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Figura 89 - Exemplo de circuito de disparo com UJT
Figura 90 - Controlador de fase

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8 BIBLIOGRAFIA
Lander, Cyril W. Eletrnica Industrial Teoria e Aplicaes, 2 ed. So Paulo,

Makron Books, 1996.
Almeida, Jos Luis Antunes de Eletrnica Industrial, 2 ed. So Paulo, rica, 1991.
Folhas de dados de diversos fabricantes de componentes

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ANOTAES
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ELETRNICA DE POTNCIA

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3 - BJT TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNO

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5 - MOSFET TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COM PORTA ISOLADA

6 - IGBT TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA

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Os diodos so componentes eletrnicos formados por semicondutores, tais

O diodo a aplicao mais simples da juno PN (unio de semicondutores

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1.2 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO

A figura 3 mostra a estrutura interna de um diodo. No cristal tipo P h uma

Ao entrar no cristal P, o eltron acaba preenchendo uma lacuna e

No silcio esta tenso de barreira de aproximadamente 0,7V e no

Figura 3 Estrutura bsica de um diodo semicondutor

Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial

Uma polarizao direta leva ao estreitamento da regio de transio e

No estado bloqueado, pode-se analisar a regio de transio como um

A figura 4 ilustra a curva caracterstica v x i. Quando polarizado

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1.4 - CARACTERSTICA DE CHAVEAMENTO

O diodo requer um tempo para mudar do estado de bloqueio ao de

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O transitrio para o incio de conduo acontece durante os tempos t1 e t2.

A carga armazenada na camada de depleo removida pelo aumento da

A tenso pra de crescer e diminui medida que portadores so injetados

O perodo termina quando a tenso anodo catodo cai ao valor de conduo

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Os diodos possuem propriedades retificadoras, isto , s deixam a corrente

1.5.1 RETIFICADOR DE MEIA ONDA

O retificador de meia onda converte a tenso de entrada (USECUNDRIO)

Durante o semiciclo negativo, o diodo est polarizado reversamente e no

O resistor R indicado no circuito representa a carga hmica acoplada ao

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1.5.2 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA

A figura 7 mostra um retificador de onda completa e suas respectivas

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Na figura 8 mostrados um retificador de onda completa em ponte e suas

Durante o semiciclo positivo, o diodo D1 recebe um potencial positivo em

Durante o semiciclo negativo da tenso U2, o diodo D3 recebe um potencial

A corrente I percorre o resistor de carga sempre num mesmo sentido.

Figura 8 Retificador de onda completa e formas de onda para diodos ideais

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1.6.1 DIODO ZENER

Os diodos zener so construdos especialmente para trabalhar na regio de

Para valores de corrente acima da corrente de joelho IZK, a caracterstica i

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Figura 10 Regulagem de tenso com diodo Zener

1.6.1 DIODO SCHOTTKY

Quando feita uma juno entre um terminal metlico e um material

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Um diodo Schottky formado colocando-se um filme metlico em contato

Figura 11 Estrutura de diodo Schottky e formas de onda tpicas no desligamento

O chaveamento muito mais rpido do que o dos diodos bipolares, uma

Na figura 11 tem-se uma forma de onda tpica no desligamento do

A aplicao deste tipo de diodo ocorre principalmente em fontes de baixa

ARMS FIND COMERCIAL DE EQUIPAMENTOS DIDTICOS Ltda.

O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que

Os Retificadores Controlados de Silcio, ou simplesmente SCRs, so

Figura 12 Simbologia e encapsulamentos para SCRs

ARMS FIND COMERCIAL DE EQUIPAMENTOS DIDTICOS Ltda.

O tiristor formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente p-

Figura 13 Funcionamento bsico do tiristor

Se entre anodo e catodo existir uma tenso positiva, as junes J1 e J3