INTERACCIN DEL HAZ DE ELECTRONES CON LA MUESTRA

Fig. Seales obtenidas debido a la interaccin del haz de electrones con la muestra

Si un haz de electrones incide sobre una muestra slida y se analiza la informacin detectada
por el detector y graficamos la intensidad (corriente de electrones) que salen de la muestra vs la
energa del haz incidente tendremos el resultado mostrado en la figura 2. Esta figura es un
ejemplo para un haz de electrones incidentes con una energa de 10 000 eV

Fig. 2 Espectro de energa de los electrones emitidos desde la muestra.

En la figura 2 podemos observar tres picos, el ltimo pico corresponde a los electrones que salieron
reflejados de la muestra, con la misma energa inicial (10 000 eV) y se llama electrones
retrodispersados elsticos. Los picos que estn cerca a los 10 000 eV corresponden a los electrones
que salieron reflejados pero perdiendo cierta cantidad de energa, a estos electrones se les llama
electrones retrodispersados inelsticos. En el MEB se usan estas dos seales para formar imagen
por electrones retrodispersados. El pco que se encuentra a una energa ms baja (< 100 eV)
corresponde a los electrones secundarios y son los utilizados para una imagen normal en el MEB.

Por convencin los electrones que salen con energas mayores a 50 eV (ER > 50 eV) son llamados
electrones retrodispersados (ER) y aquellos con energas menores a 50 eV (EES< 50 Ev) electrones
secundarios (ES). El coeficiente de electrones retrodispersados puede ser medido usando un
dispositivo que colecciona todos los electrones dispersados dentro de todo el hemisferio sobre la
superficie de la muestra con energas ER > 50 eV, si el resultado de la corriente de electrones
retrodispersados es Ir entonces:

Ir
.(4.5)
IP

donde Ip es la corriente del haz incidente.

Anlogamente si la corriente de electrones secundarios es Is, el coeficiente de electrones

secundarios puede ser definido por:
Is
..(4.6)
Ip

Ir Is
El coeficiente total es: ..(4.7)
IP

Si ahora graficamos el coeficiente de electrones secundarios vs la energa del haz incidente

tendremos la figura 4.16.

Fig. 4.16 Coeficiente de electrones secundarios vs energa incidente

Observamos que la curva tiene tres regiones, en la regin I: < 1, esto quiere decir que el nmero
de electrones secundarios es menor que el nmero de electrones primarios. Si no tenemos en cuenta
otros procesos podemos decir que la muestra est absorbiendo cargas negativas y por lo tanto queda
cargada negativamente. En la regin II: > 1, En esta regin se tiene una situacin contraria a la
anterior, la muestra emite ms carga negativas que la que recibe y por lo tanto se cargara
positivamente. Para las energas E1 y E2, = 1, por lo tanto la muestra no se carga y esta
equilibrada.

Esta grfica es muy importante para operar un microscopio electrnico de barrido, en los casos en el
que < 1 y > 1, la muestra debe ir aterrizada para evitar los efectos de carga. Si la muestra es
conductora, la descarga es inmediata, pero si la muestra es no conductora como las muestras
biolgicas se necesita recubrirla con un material conductor.

En el MEB se necesita que los electrones secundarios emitidos sea mximo con la finalidad de
colectar una buena cantidad de estos electrones. Analizando la figura 3 esto se va a dar para
energas donde > 1, es decir energas entre E1 y E2. Para energas mayores a E2 la seal pierde
intensidad pues < 1. En trminos promedio E1 = 1 keV y E2 = 30 keV. Esto significa que los
MEB trabajan a voltajes del orden de 25 kV y nunca a 100 kV como en el caso del MET.

El coeficiente de electrones retrodispersados depende del nmero atmico Z de la muestra y su

cambio es mucho mayor que en el caso del coeficiente de electrones secundarios como se
muestra en la figura 3. Por lo tanto en un microscopio con un detector de electrones
retrodispersados se pueden identificar dos elementos con diferentes nmeros atmicos

Fig. 3 Dependencia de con el nmero atmico Z

Adems este coeficiente de electrones retrodispersados tambin depende de la inclinacin de la

muestra (figura 4). En el microscopio esta inclinacin nos va a ayudar a tener una mayor seal de
estos electrones.
 Fig. 4 Dependencia de con la inclinacin de la muestra

En la figura 5 se muestra la dependencia del coeficiente de electrones retrodispersados con el

nmero atmico para dos energas de los electrones incidentes, podemos notar una pobre
dependencia con esta energa, esto se debe a que los electrones con alta energa que inciden sobre la
muestra penetran ms que los que inciden con menor energa. Cuando los electrones van penetrando
sobre la muestra van perdiendo energa y llega un momento que las dispersiones elsticas son ms
importantes e invierten el sentido de su direccin inicial, cuando esto sucede le queda poca energa
para salir de la muestra.

Fig. 5 Dependencia de n con la energa del haz incidente y el nmero atmico

FORMACION DE IMGENES MEDIANTE ELECTRONES SECUNDARIOS Y

ELECTRONES RETRODISPERSADOS EN UN MEB.

Una importante consideracin es que la imagen formada en un MEB no es necesariamente de la

superficie. Esto es posible, escogiendo la energa del electrn, para controlar la profundidad a la que
los electrones penetran y el tipo de seal emitida usada para formar la imagen (figura 6). Esto da al
usuario un gran control sobre la naturaleza de la imagen final. Sin embargo, esto tambin significa
que el usuario necesita entender como la imagen es formada.
 Fig.6 Resumen, segn la pera de interaccin electrn-slido, de las diferentes zonas desde
donde se emiten las tpicas seales recogidas en microscopa electrnica y tcnicas afines.

Uno o varios sistemas de deteccin que permite captar las seales que se producen durante la
interaccin del haz de electrones con la muestra. Los electrones secundarios (E.S) y
retrodispersados (E.R) productos de la interaccin del haz de electrones con la muestra son los que
nos van a dar informacin sobre la morfologa de la muestra. El detector usado para captar a los ES,
y ER, es el convencional detector scintillador-fotomultiplicador (detector everthar thornley) cuyo
esquema se muestra en la figura 7.
 Fig. 7 Esquema del scintillador-fotomultiplicador (detector everthar thornley)

Este detector consta de:

El Colector: Colocado a un potencial de +300 Voltios, atrae a los electrones secundarios de
baja energa hacia el centellador.
El Centellador: Colocado a un potencial de 12 kV, eleva la energa de los electrones y los atrae
hacia el; al incidir los electrones sobre el centellador este emite fotones en la misma cantidad.
La gua de luz: Es la encargada de conducir a los fotones hacia el fotomultiplicador.
El fotomultiplicador: Es esencialmente un mecanismo capaz de transformar la energa
luminosa en energa elctrica. Los impulsos elctricos que salen del fotomultiplicador son
amplificadas y llevadas al control de emisin del tubo de rayos catdicos. Adems el MEB tiene
un generador de barrido el cual emite seales al mismo tiempo a las bobinas de barrido y al
TRC para hacer corresponder cada punto de la muestra con cada punto del TRC obtenindose
de esta manera la imagen topogrfica de la muestra.

El nivel de gris de cada pixel sobre la pantalla

del tubo de rayos catdicos del MEB es
determinado por el nmero de electrones que
son expulsados de los tomos de la muestra,
mientras stos son iluminados por el haz
electrnico en la columna del MEB. Cuanto
mayor sea el nmero de electrones
expulsados de los tomos de la muestra, ms
brillante ser el nivel de gris de un pixel
(figura 8).
Fig. 8 Pixeles sobre la pantalla del TRC

Si el haz es movido a una depresin en la muestra, los electrones detectados sern pocos y ser
pequeo el voltaje desarrollado en el detector, por lo tanto el resultado ser un rea ms oscura en el
CRT. (figura 9).

Figura 9 Haz de electrones incidiendo en depresiones de la muestra.

El contraste fotogrfico de la muestra depende de la aspereza de la superficie de la muestra. En la

superficie ms spera de la muestra, escapan muchos electrones produciendo pixeles ms brillantes
en el tubo de rayos catdicos (figura 10)

Fig. 10 Contraste topogrfico dependiente de la superficie de la muestra.

La imagen de SEM entonces consiste en miles de reas de intensidad variante que se mostraran en
el CRT que corresponde a la topografa de las muestra. La calidad de imagen que obtengamos va a
depender de varios factores, entre ellos la rapidez con la que hagamos el barrido, es decir, si se hace
muy rpido no se da oportunidad de que haya una buena produccin de electrones secundarios y por
lo tanto la razn de seal es baja, al contrario si se hace lentamente se da tiempo de que haya una
buena seal y se obtiene una imagen de mejor calidad.

BIAS POSITIVO EN EL DETECTOR FOTOMULTIPLICADOR

Cuando el potencial Bias en el fotomultiplicador es positivo la mayora de electrones secundarios

son recolectados, este potencial positivo desva el recorrido de los electrones secundarios y los lleva
hacia el centellador. Los electrones retrodispersados que son emitidos en la direccin del ngulo
slido del detector tambin son detectados (figura 11).

Fig. 11 Potencial Bias positivo en el detector

4.5.2 POTENCIAL BIAS NEGATIVO EN EL DETECTOR FOTOMULTIPLICADOR

Cuando el potencial Bias del detector fotomultiplicador es colocado a un potencial negativo (.50V)
todos los electrones secundarios son rechazados debido a que su energa es menor a 50 eV. Solo los
electrones retrodispersados que salen disparados en la direccin del detector son recolectados
(figura 12)

Fig. 12 Potencial Bias negativo en el detector

Podemos ver entonces que podemos obtener imagen ya sea con electrones retrodispersados y
electrones secundarios, o tambin solo con electrones retrodispersados con el detector
fotomultiplicador. El detector fotomultiplicador es colocado aproximadamente a un ngulo de 30o
de la muestra, considerando que el centellador tiene un dimetro de 1cm y se encuentra
aproximadamente a 4 cm del punto de impacto, su ngulo slido ser de aproximadamente 0,05 sr
lo cual representa una eficiencia geomtrica muy baja (0,8%). Para mejorar esta eficiencia se usa el
detector de estado slido.

DETECTOR DE ESTADO SLIDO

Este detector consta de un material semiconductor (silicio), la interaccin de los electrones

retrodispersados con el semiconductor es una interaccin inelstica. Los electrones retrodispersados
excitan a los electrones de la banda de valencia llevndolos hacia la banda de conduccin, creando
electrones en la banda de conduccin y huecos en la banda de valencia. Un voltaje externo es
aplicado a los extremos del detector (contactos de oro de 20 a 50 nm de espesor) para producir una
corriente de portadores el cual es usado como la seal de video. Estos detectores se colocan debajo
de la ltima pieza polar en el microscopio electrnico de barrido como se muestra en la figura 13

Fig. 13 Esquema del detector de estado slido en el MEB