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Contenido
1. INTRODUCCIN ..................................................................................................2
2. PROCEDIMIENTOS .............................................................................................3
3. RESULTADOS Y DISCUSIN..............................................................................5
4. RECOMENDACIONES ....................................................................................... 15
5. OBSERVACIONES ............................................................................................. 15
6. CONCLUSIONES ............................................................................................... 16
7. REFERENCIAS................................................................................................... 16
ANEXOS ................................................................................................................. 18
1. INTRODUCCIN
1.1 Objetivos
Observar y analizar en forma experimental las caractersticas de carga y
descarga de un circuito R-C y R-L-C.
2. PROCEDIMIENTOS
Parte I
Parte II
Materiales utilizados
Figura 2.4
Multmetro digital.
(True-rms multimeter
87V Ex de Fluke)
Osciloscopio digital de
dos canales (GW Instek
Memory Prime GDS-
1152A-U)
Generador de funciones
(GW Instek AFG-2225)
3. RESULTADOS Y DISCUSIN
Parte 1
Vpp exp
f (Hz) ter (ms)
(V) (ms)
30 100 2.1 2.978
C1 R1 60 92 2.8 2.978
Circuito 1: 120 65.6 3.2 2.978
Integrador 30 92 5.12 5.934
C2 R2 60 64 4.36 5.934
120 37.6 5.78 5.934
Parte 2
Mn () 18
Datos del potencimetro
Mx (k) 7.82
T osc. f gen.
R potencimetro Ln(X1/X2)
(ms) (Hz)
Subamortiguado 3.2 20 65 1.31567679
R1
Sin oscilaciones 20 10 k
T osc. f gen.
R potencimetro Ln(X1/X2)
(ms) (Hz)
Subamortiguado 3.2 20 48 1.60943791
R2
Sin oscilaciones 20 7.82 k
3.2 Formulario
Ecuacin 3.1
=
Ley de Ohm
Ecuacin 3.2
= Clculo de voltaje para
capacitor
Ecuacin 3.3
= Calculo de voltaje para
resistencia
. Ecuacin 3.5
= | | Error absoluto
.
| | Ecuacin 3.6
=
Error relativo porcentual
%
Ecuacin 3.7
=
Decremento logartmico
Parte 1
Vpp exp
f (Hz) ter (ms)
(V) (ms)
30 100 2.1 2.978
C1 R1 60 92 2.8 2.978
Circuito 1: 120 65.6 3.2 2.978
Integrador 30 92 5.12 5.934
C2 R2 60 64 4.36 5.934
120 37.6 5.78 5.934
Entonces:
Circuito Integrador:
, Circuito derivador
, Circuito integrador
Para la seal de entrada se tiene una simetra de cuarto de onda impar, con lo cual
el valor de la constante an=0
Calculamos bn:
4
= sin()
Resolviendo:
2 1 1
= ( )
Se tiene:
2 1 1
1() = [( ) sin()] ; = 1,3,5,7
=1
Seal de salida:
4
= s()
Resolviendo:
(1) 1
= ( )
2 2
Se tiene:
(1) 1
1() = + 2 [( ) cos()] ; = 0,1,2,3
2
=1
Parte II
2 + + = 0
2 4
=
2
2
2
= ( ) ( ) ( )
2 2
0
1 = +2 02
2 = 2 02
Caso de sobre-amortiguamiento
= 1 . 1 + 2 . 2
= 1 . + 2 .
Caso de sub-amortiguamiento
= (1 () + 2 ())
Con el paso cuatro se consigue desaparecer las oscilaciones lo cual significa llevarlo
a un sobre amortiguado lo cual se consigue con valores altos del potencimetro para
el primer circuito con 10 k y para el segundo circuito con 7.82 k.
En
4. RECOMENDACIONES
5. OBSERVACIONES
6. CONCLUSIONES
7. REFERENCIAS
[2] Sinchi, F., Tarazona, B. (s.f.). Gua de laboratorio de circuitos elctricos (ML-
121). Facultad de Ingeniera Mecnica, Universidad Nacional de Ingeniera,
Per: Laboratorio de electricidad y electrnica de potencia.
HOJA DE DATOS
ANEXOS
CIRCUITOS UTILIZADOS