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TRANSISTOR DE UNIN

BIPOLAR
BJT
1. Introduccin

2. Estructura del dispositivo y operacin fsica

3. Smbolos del transistor, modelo Ebers Moll

4. Curva caracterstica corriente voltaje

5. Anlisis circuitos con transistores con


voltajes D.C.
INTRODUCCIN
Bipolar Junction Transistor

1904

1906
Dispositivo de tres terminales
Aplicaciones:
Amplificacin de seales
Diseo lgico digital (TTL)
Circuitos de memoria
Su principio de operacin: La corriente en la
malla de salida es controlada por la tensin de
entrada
Trabajo en condiciones ambientales extremas,
muy alta frecuencia, lgica digital de alta
velocidad, combinacin con el MOSFET.
Polarizacin Polarizacin
MODO Unin Unin Aplicaciones
Base - emisor Base - colector

Activo Directa Inversa Amplificador

Corte Inversa Inversa Conmutacin

Saturacin Directa Directa Conmutacin

Activo Inversa Directa


inverso
Los tres terminales del transistor pueden ser
usados para poner la entrada, salida y el terminal
comn (de in y out).

Dependiendo de cmo se configure el circuito se


encuentran:
Emisor comn (CE)
Base comn (CB)
Colector comn (CC)
Unin BE en directo, Unin base colector en inverso
IE suma de electrones desde emisor hacia la base y
huecos desde la base hacia el emisor.
La primera componente es mayor que la segunda
debida al dopado de los materiales. (Emisor altamente dopado )
Qu ocurre con los electrones que llegan desde el
emisor a la base?
Los es inyectados en la base sern
portadores minoritarios, siendo
mayor su concentracin hacia la
unin BE y casi cero hacia la unin
BC.

Debido a la base delgada la


concentracin de portadores
minoritarios a medida que se aleja de
la unin BE es LINEAL y no
EXPONENCIAL. (Recordar secondclass)
npo Concentracin de es en la base (material tipo

n p ( x 0) n p 0 e VBE / VT P) en equilibrio trmico, unin polarizada en directo


VBE Voltaje polarizacin Base Emisor
VT Voltaje trmico
dnp ( x)
J n qDn
dx In Corriente debida a portadores minoritarios (es)

n p (0) AE rea seccin transversal unin base emisor


I n A E qDn
q Carga del electrn
W
Dn Constante de difusin de los electrones en la base
W Ancho de la base (distancia)
La concentracin de es (portadores
minoritarios) llega a CERO al lado del
colector debido a la fuente VCB.

Los electrones inyectados desde


el emisor hacia la base, alcanzan
la regin del colector.

Debido al:
Perfil lineal** y no exponencial, por
la delgadez de la base, muchos
electrones estn ms cerca de la
unin BC.
**Bajo dopado de huecos de la base
(construccin) hace que pocos
electrones tomen el camino hacia el
terminal de la base (recombinacin).
El terminal de colector es ms
positivo que el terminal de base, por
lo tanto atrae con mayor fuerza a los
electrones.
Corriente de colector:
n p ( 0)
I n I C A E qDn
W
n p (0) n p 0eVBE / VT

IC I se VBE / VT

2 2
A qD n n
IS E n i n p0 i
N AW NA

La magnitud de IC es INDEPENDIENTE de VCB.


IS depende de W y AE (construccin fsica del transistor)
y de ni2 (de la temperatura de trabajo), por lo tanto IC
depende de la construccin del transistor y de la
temperatura.
No fue considerada la corriente de portadores
minoritarios en el colector (ICO)
Corriente de base: (1 componente)
2 VBE
AE qDp ni
I B1 e VT

N D Lp
Dp Constante de difusin de los huecos en el emisor
AE rea seccin transversal unin base emisor
q Carga del electrn
Lp Longitud de difusin de los huecos en el emisor
ND Concentracin de dopado en el emisor

IB1es
la corriente de huecos que inyecta la fuente de
base hacia el emisor (unin polarizada en directo).
Recordar corriente de difusin de huecos en la regin N
(emisor) para obtener su expresin. (Second class)

Depende de Lp (longitud de difusin de huecos en N) ya


que la concentracin de portadores minoritarios (huecos
en el emisor) es exponencial y NO lineal.
Corriente de base: (2 componente)
Qn
I B2
b
Qn Total carga de portadores minoritarios en la base
b Tiempo de vida de portadores minoritarios en la base
antes de recombinarse con los huecos de la base

IB2
es la corriente de huecos que inyecta la fuente de
base para mantener la cantidad de huecos en la base
que se pierden por la recombinacin.
Recordar tiempo de vida de portadores minoritarios para
obtener su expresin. (Second class)
1 2 VBE
AE q * n p (0)W 1 AE qWni VT
I B2 2 I B2 e
2 bNA
b
Corriente de base TOTAL

I B I B1 I B 2
AE qDp ni 2 1 AE qWni 2 VVBE
IB e T
N D Lp 2 N
b A
Sabiendo que:
N A Dp W 1 W 2 VVBE
A E qDn ni
2
IB IS e T
IS N D L 2 D
N AW D n p b n

IC
I C I s eVBE /VT IB

1
N A Dp W 1 W 2
en transistores comerciales
N D L 2 D
D n p b n entre 50 y 300
Corriente de base TOTAL:
El factor depende del ancho de la base, del dopaje
relativo (NA/ND) entre la base y el emisor.
Dos transistores de la misma referencia pueden
tener diferentes.
Los fabricantes especifican en un rango.
Corriente de emisor:
I E IC I B
1
IE IC

I C I E

I C I B 1 1
Fsicamente IB es << que IC, por lo tanto 1
, llamado ganancia de corriente en base comn.
(Porcentaje de electrones enviados desde el emisor
que alcanzan el colector).
, llamado ganancia de corriente en emisor comn.
Pequeas variaciones de , grandes variaciones de .
En modo activo:
C ICdepende de VBE, en
IC una relacin que es
exponencial e
I C I s eVBE /VT independiente de VCB
(Debe ser >0).
IB
B
El colector es una
FUENTE DE CORRIENTE
CONSTANTE controlada
VBE +
- D1
DIODE
por una tensin.

IE IB es IC/
E IE= IB+ IC
IBes << que IC, por lo
tanto IEIC
Variable Modelo matemtico

Corriente de Colector IC I se VBE / VT

IC Is
IB IB eVBE /VT
Corriente de Base
IC I s V /V
IE IE e BE T

Corriente de Emisor


Constantes 1 1
k *T
VT
Voltaje Trmico q
Q2 VEB IE E
NPN
VCB IC B
C
Q1
B PNP

IB
Q3 IB VBC
C
PNP VBE
IE E IC

Smbolos circuitales para el BJT, tanto NPN como


PNP, con funcin descriptiva de su funcionamiento
Se muestran los sentidos de las corrientes
trabajando en modo activo
ANLISIS DE CIRCUITOS EN
D.C. CON TRANSISTORES BJT
Curva caracterstica de
entrada:

Relacin de la malla de
entrada del circuito.

Grfica del comportamiento


de la corriente de entrada (IE
o IB) en funcin del voltaje de
entrada (VBE) a VCE constante.

Agrega, adems, la recta de


carga DEL CIRCUITO y punto
de trabajo Q.
Curva caracterstica de salida:

Relacin de la malla de
salida del circuito.

Grfica del comportamiento


de la corriente de salida (IC)
en funcin del voltaje de
salida (VCB o VCE) a IB
constante.

Agrega, adems, la recta de


carga y punto de trabajo Q.
ZONA DE
CARACTERSTICAS
TRABAJO

Parte horizontal de la curva.


Unin BE en directo y unin
BC en inverso (El VCE no
ZONA ACTIVA
influye en la IC). Se ubica el
punto Q en esta zona para
AMPLIFICACIN.

ZONA DE Se presenta cuando se supera


RUPTURA el VCE mximo del transistor.

Se presenta cuando IB=0 y por


ZONA DE
lo tanto IC=0 aun cuando VCE
CORTE
exista. Aplicaciones LGICAS.

La unin BC NO est
polarizada en inverso. Ocurre
ZONA DE cuando VCE=0 debido a
SATURACIN condiciones de diseo del
circuito. Aplicaciones
LGICAS.
ANLISIS:
Su objetivo es alimentar con
voltaje de DC las uniones base- Malla de entrada:
colector (polarizar en inverso) y VBB VBE I E * RE
base-emisor (polarizar en VBB VBE
directo) con el fin de ubicar el IE
RE
punto de trabajo Q. IC
IE
1
VBB VBE
RC IC
1 RE
Malla de salida:
Q1
NPN VCC I C * RC VCE I E * RE
VCC
1
VCC I C RC 1 RE VCE
VBB
RE
1

VCE VCC I C RC 1 RE

Punto de trabajo del BJT:


Q VCE , I C
Se traza aumentando el voltaje
VBB (incremento de VBE) Vs. la
corriente de entrada IE, para
niveles distintos de VCB o VCE.

Comportamiento:
Exponencial I C I s eVBE / VT

Si VCB es mayor, la curva IE


tiene mayor valor para el
mismo valor de voltaje de
umbral de la unin BE en
directo (VBE). 2
A E qDn ni
IS
N AW
Ancho efectivo de la base W es
menor, al aumentar VCB.
tambin cambia debido a W,
pero en este circuito se
compensa. (ver IC, diapositiva anterior)
Se traza aumentando el
voltaje VCE (incremento de
VCB) Vs. la corriente de salida
IC, para niveles distintos de
IE, fijados por VBB y RE.

Comportamiento: V V
Plano IC BB BE
1 RE
Si IE es mayor, la IC es
mayor para el mismo valor
de (VCB).
I C I E
cambia debido a que el
incremento de VCB hace
cambiar W, pero en este
circuito se compensa.
es denominada ganancia
de corriente en base comn.
Ejercicio:
Para el siguiente circuito determine el punto de trabajo

=100 RC
1k

Q1 VCC
NPN

15V

VBB
RE
5.0V 2.2k

Solucin: Q (8.76 V, 1,93 mA)


Ejercicio:
Cul es la corriente IB en el primer transistor?
10V

5V
B=100
NPN

B=50
NPN

R1
100
Su objetivo es alimentar con ANLISIS:
voltaje de DC las uniones base-
colector (polarizar en inverso) y Malla de entrada:
base-emisor (polarizar en VBB I B * RB VBE
directo) con el fin de ubicar el
punto de trabajo Q. VBB VBE
IB
Diagrama circuital RB
Malla de salida:
I C I B
RC

VBB VBE
IC
RB Q1 VCC
RB
VCC I C * RC VCE
NPN

VCE VCC I C * RC
VBB

Punto de trabajo del BJT:


Q VCE , I C
Se traza aumentando el voltaje VBB
(incremento de VBE) Vs. la
corriente de entrada IB, para
niveles distintos de VCE.

Comportamiento: IC
Exponencial IC I seVBE / VT I

B

Si VCE es menor, la curva IB tiene


mayor valor para la misma tensin
de umbral de la unin BE en
directo (VBE).
2 1
A E qDn ni
IS N A Dp W 1 W 2

N AW N D L
D n p 2 b Dn
Ancho efectivo de la base W es
mayor, al disminuir VCB, por lo
que IS y son menores pero en
mayor proporcin, por lo cual IB
ser mayor.
Se traza aumentando el
voltaje VCE Vs. la corriente de
salida IC, para niveles distintos
de IB, fijados por VBB y RB.

Comportamiento: VBB VBE


Plano I C
RB
Si IB es mayor, la IC es mayor
para el mismo valor de (VCE).
I C I B
aumenta ya que el
incremento de VCB disminuye
W, por lo tanto IC tiene
pendiente positiva para un
mismo valor de IB.
es denominada ganancia de
corriente en emisor comn.
RECTA DE CARGA
Punto de saturacin:
I CMX
VCE 0

VCC VCE I C * RC
VCC
I C MAX
RC
Punto de corte:
VCE MX I C 0
VCE MAX VCC
Punto de trabajo:
Q VCE , I C
Ejercicio:
Para el siguiente circuito determine el punto de trabajo y
la recta de carga.
=100
RC
3k

RB Q1 VCC
NPN

500k 15V
VBB
15V

Solucin: Q (6.42 V, 2.86 mA), ICMX=5 mA, VCEMX=15 V


Ejercicio:
1. En el circuito anterior qu ocurre si =50 si
=150 ?
2. En el circuito anterior qu ocurre si RB=1M si
RB=300 k con =100 ?

RC
3k

RB Q1 VCC
NPN

500k 15V
VBB
15V
Ejercicio:
1. El siguiente transistor en el circuito se encuentra
saturado ? Por qu?

=50
RC
10k

RB Q1 VCC
NPN

100k 20V
VBB
10V

Solucin: forced=21.5
Aplicacin especial del
transistor en la configuracin
de emisor comn.

Su caracterstica es que el
punto de trabajo Q, en un
instante se encuentra en la
zona de saturacin, y en otro
instante en la zona de corte.

Su objetivo es generar 1 y
0, a partir de una seal de
entrada 0 y 1,
respectivamente.
Anlisis:
VIN VBE IC
VIN VBE
IB
RB RB
RC
VOUT VCC I C * RC
Vout

Diseo RB Q1
NPN
VCC

Saturacin:
VIN
VCC VCE SAT I C SAT
I C SAT I B SAT
RC
VIN I B SAT * RB VBE
Corte:
VIN 0V
Combinaciones o arreglos especiales de los anteriores
dos casos analizados (polarizacin de base comn y
de emisor comn).

Se analizarn rpidamente:
Polarizacin por divisor de tensin (base comn)
Polarizacin con realimentacin de emisor
Polarizacin con realimentacin de colector

Polarizacin con realimentacin de colector y emisor


Usa una sola fuente de
alimentacin para las mallas de
entrada y salida.
Anlisis
Malla de entrada: RB1
RC
RB1 * RB 2 RB 2
RB VBB VCC
RB1 RB 2 RB1 RB 2 Vout

VBB I B * RB VBE I E * RE
Q1 VCC
NPN

VBB VBE
IE RB2
RB RE
RE
1
Malla de salida:
VCC I C * RC VCE I E * RE
1
VCE VCC I C RC 1 RE

Ejercicio:
Determine el punto de trabajo para el siguiente
circuito con BJT.

RC
RB1 3.6k
10k
Vout
Q1 VCC
NPN

10V

RB2
2.2k RE
1k
Anlisis
Malla de entrada: (Realimentacin
NEGATIVA debida a RE) Vcc
VCC I B RB VBE I E RE
VCC VBE RC
IB
RB ( 1) RE RB
Vout
Malla de salida:
VCC VBE Q
IC
( 1)
NPN
1
RB RE

VCC I C RC VCE I E RE RE
1
VCE VCC I C RC RE

Anlisis
Malla de entrada: (Realimentacin
Grfica circuital
NEGATIVA debida a RC)
Vcc
VCC I E RC I B RB VBE
VCC VBE RC
IB
( 1) RC RB

Malla de salida:
VCC VBE RB
IC
1 R Q
RC B NPN


VCC I E RC VCE
VCE VCC I E RC
Anlisis Grfica circuital
Malla de entrada: (Realimentacin
NEGATIVA debida a RE y RC) Vcc

VCC I E RC I B RB VBE I E RE
RC
VCC VBE
IB
( 1)( RC RE ) RB
Malla de salida: RB
VCC VBE
IC
Q

( 1)
NPN
RB
( RC RE )

VCC I E RC VCE I E RE RE

VCE VCC I E RC RE