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Prctica de Microscopa electrnica de barrido (SEM)

Objetivo: Observacin por microscopa electrnica de barrido y realizacin de


microanlisis de rayos X en muestras de distintos materiales
1. Introduccin
Generalmente, la composicin de la superficie de un slido difiere, a menudo
significativamente, de la del interior del mismo. En ciertas reas de la ciencia y la
ingeniera, la composicin de una capa de la superficie de un slido que tiene de unos
pocos angstrons a unas pocas decenas de angstrons de grosor es mucho ms importante
que la composicin en el seno del material. Los campos en que las propiedades de la
superficie son de especial importancia incluyen la catlisis heterognea, la tecnologa de
pelculas delgadas de semiconductor, los estudios de corrosin y de adhesin, la
actividad de superficies de metales, las caractersticas de dureza y los estudios sobre el
comportamiento y las funciones de membranas biolgicas. Los haces de electrones se
adaptan perfectamente a tales estudios ya que en muchas ocasiones, los electrones slo
pueden penetrar, o escapar, de las capas ms externas del slido.
2.- Microscopio electrnico de barrido
2.1.- Instrumentacin
La figura 1 muestra el esquema de un instrumento combinado que es a la vez un
microscopio de electrones y una microsonda de barrido de electrones. Obsrvese que se
utiliza una fuente y un sistema de focalizacin de electrones comn pero que el
microscopio utiliza un detector de electrones, mientras que la microsonda utiliza un
detector de rayos X como el que se describir ms adelante.
FUENTES DE ELECTRONES
Los electrones se generan mediante un can de electrones; un esquema del tipo
ms comn se muestra en la figura 2 y consiste en un filamento caliente de tungsteno,
que tiene normalmente un dimetro de 0.1 mm y est doblado en forma de horquilla con
un extremo en forma de V. El filamento catdico se mantiene a un potencial de 1 a 50
kV respecto al nodo colocado en el can. Rodeando el filamento hay una cpsula, o
cilindro de Wehnelt, que est cargada negativamente respecto al filamento. El efecto del
campo elctrico en el can es el de provocar que los electrones emitidos converjan
sobre un punto minsculo llamado la zona de paso que tiene un dimetro d0.
PTICA PARA LOS ELECTRONES
Los sistemas de lentes magnticas, condensadoras y de enfoque, que se muestra
en la figura 1 sirven para reducir la imagen en la zona de paso (d0 = 10 50 m) a un
tamao final sobre la muestra de 5 a 200 nm. El sistema de lentes condensador, que
puede constar de una o ms lentes, es el responsable de que el haz de electrones llegue a
las lentes de enfoque y stas son las responsables del tamao del haz de electrones que
incide en la superficie de la muestra.
DETECTORES
El tipo ms comn de detector de electrones utilizado en los microscopios de
barrido de electrones es el detector de centelleo. Este detector consiste en un vidrio
dopado o una placa de plstico que emite una cascada de fotones visibles cuando es
alcanzado por un electrn. Los fotones son conducidos por un tubo de luz a un
fotomultiplicador que est situado fuera de la regin de alto vaco del instrumento. Las
ganancias tpicas con detectores de centelleo son de 105 a 106.
Los detectores de semiconductor, que estn formados por obleas planas de
semiconductor, se utilizan tambin en microscopa de electrones. Cuando un electrn de
alta energa alcanza el detector, se producen unos pares agujero-electrn que dan lugar a
un aumento de la conductividad. Las ganancias de corriente con los detectores de
semiconductor son de 103 a 104, ahora bien, este tipo de detector es tan pequeo que se
puede situar junto a la muestra, lo que permite obtener una elevada eficacia. Adems,
estos detectores son fciles de utilizar y son menos caros que los detectores de centelleo.
En muchos casos, estas ventajas compensan con creces la baja ganancia del detector de
semiconductor.
Los rayos X producidos en el microscopio de barrido de electrones son
normalmente detectados y medidos con un sistema dispersivo de energas. Los sistemas
dispersivos de longitudes de onda tambin se han utilizado en anlisis con microsonda
de electrones.
3.- Interacciones de los haces de electrones con los slidos
La versatilidad del microscopio electrnico de barrido para el estudio de slidos
proviene de la amplia variedad de seales que se generan cuando el haz de electrones
interacciona con el slido. Las interacciones de un slido con un haz de electrones se
pueden dividir en dos categoras: interacciones elsticas que afectan a las trayectorias
de los electrones en el haz sin que se alteren significativamente sus energas e
interacciones inelsticas, que resultan de transferir al slido una parte o toda la energa
de los electrones. El slido excitado emite entonces electrones secundarios, electrones
Auger, rayos X y a veces fotones de longitud de onda larga (catodoluminiscencia).

DISPERSIN ELSTICA
En la dispersin elstica, la colisin de un electrn con un tomo provoca un
cambio en la componente de direccin del electrn pero deja virtualmente intacta la
velocidad del mismo; por tanto la energa cintica del electrn permanece prcticamente
constante. El ngulo de desviacin de una colisin es aleatorio y puede variar desde 0
hasta 180 . Una simulacin obtenida con un ordenador del comportamiento aleatorio de
5 y 100 electrones cuando entran en un slido perpendicularmente a su superficie con
una energa del haz de 20 keV, valor relativamente corriente indica que los electrones
penetran hasta una profundidad de 1.5 m o ms. Algunos de los electrones pierden su
energa; sin embargo, la mayora experimenta numerosas colisiones y como resultado,
acaban saliendo de la superficie como electrones retrodispersados. Es importante
sealar que el haz de electrones retrodispersado tiene un dimetro mucho mayor que el
haz incidente; por ejemplo, para un haz incidente de 5 nm, el haz retrodispersado puede
tener un dimetro de varios micrmetros. El dimetro del haz retrodispersado es uno de
los factores que limitan la resolucin de los microscopios de electrones.