Defectos Cristalinos

UNIVERSIDAD NACIONAL DE LA PLATA
FACULTAD DE INGENIERA
Ctedra Fundamentos del Comportamiento de Materiales I M0610

Dr. Ing. Alfredo Gonzalez algonza@ing.unlp.edu.ar
DEFECTOS CRISTALINOS
Las estructuras cristalinas han sido descriptas como una formacin ordenada y repetitiva de
tomos en el espacio tridimensional.
La estructura cristalina es perfecta?

Se ha demostrado que no lo es y que el grado de imperfecciones determina en gran medida las
propiedades de metales y aleaciones reales.
El concepto de red perfecta es til para explicar aquellas propiedades insensibles a la

estructura.
Cuando se consideran aquellas propiedades sensibles a la estructura se hace necesario

comprender cierto tipo de defectos cristalinos.

Propiedades Insensibles Sensibles
Mecnicas Densidad Resistencia a la rotura
Mdulos elsticos Lmite elstico
Resistencia a la termofluencia
Trmicas Expansin Trmica

Punto de Fusin
Conductividad Trmica
Calor Especfico
Emisividad
Elctricas Potencial Electroqumico Conductividad elctrica

Propiedades Termoelctricas Propiedad de semiconductores
Magnticas Propiedades para y Propiedades ferromagnticas
diamagnticas
pticas Reflectividad
Nucleares Absorcin de la radiacin

Conductividad elctrica
En los metales sta es debida a los electrones libres (electrones de valencia) que pueden
migrar a travs del cristal.
Simplificando (sin considerar la teora cuntica) se puede suponer la nube de electrones con un
movimiento al azar de alta velocidad.
Cuando se aplica un campo elctrico los electrones orientan su velocidad de traslacin en
direccin opuesta al campo elctrico esto da origen a la corriente elctrica.
La magnitud de la corriente para un dado campo elctrico depende del nmero de choques
entre los electrones de conduccin y los tomos.
La teora cuntica predice que el nmero de choques ser mayor cuanto mas alejado de sus
posiciones reticulares se encuentren los tomos.

La teora cuntica predice que el nmero de choques ser mayor cuanto mas alejados de sus
posiciones reticulares se encuentren los tomos.
Temp. Amplitud de vibracin de los tomos
La resistividad elctrica
La teora cuntica predice que a muy bajas temp.
1 T5 (1)
La teora cuntica predice que a altas temp.
1 T (2)
En la practica existe otra componente de la resistividad que es independiente de la
temperatura:
= 1 + 2
: Resistividad total.
2: la otra componente de la resistividad, que es predominante a bajas temp. Depende del
contenido de impurezas, deformacin plstica, temple y bombardeo de partculas. Todas Estas
condiciones introducen DEFECTOS CRISTALINOS en la red que provocan la dispersin de los
electrones.

Clasificacin de los defectos cristalinos

DEFECTOS DE PUNTO
Son debido a la ausencia de un tomo en la matriz o a la presencia de un tomo de impureza.
La eliminacin o el agregado de tomos extraos trae efectos tales como: distorsin del
retculo y cambios locales de la carga elctrica (por ejemplo: CINa).

Mecanismos de formacin de lugares vacantes
Defectos de Schottky: Defecto de Frenkel:
Son creados por el movimiento de los tomos Se produce cuando un tomo abandona su posicin
desde las posiciones del interior del cristal a reticular dando origen a una vacancia y se ubica en
posiciones sobre la superficie del mismo. una posicin intersticial.
Del punto de vista del aumento de energa que se produce en un cristal por la presencia de uno u otro
defecto. Los defectos de Schottky son mas probable que se formen que los de Frenkel

Determinacin del nmero de lugares vacantes
Si w es el trabajo necesario para crear un defecto de Schottky. Un cristal conteniendo nv lugares vacantes,
tendr un aumento de energa interna igual a nv.w.
El aumento de la energa libre de Helmholtz, debido a la presencia de lugares vacantes:
Fv=Ev-T.Sv=w. nv-T.Sv
El aumento de la entropa del cristal por la presencia de lugares vacantes tiene dos razones:
1. Entropa vibracional.
2. Entropa de mezclado
Esta ultima para una mezcla de gases ideales A y B esta dada por:
Sm=- K.n[C.ln(C)+(1-C).ln(1-C)] (2)
Aplicando esta ecuacin a un cristal con n lugares atmicos, n0 tomos y nv lugares vacantes (n= n0 +nv).
C=Cv= nv /(n0 +nv) (3) Concentracin de lugares vacantes
1-C=C0= n0 /(n0 +nv) (4) Concentracin de tomos.
Reemplazando en (2) nos queda:

Simplificando nos queda:
La energa libre debe ser un mnimo si el cristal esta en equilibrio. El nmero de vacantes ser
tal que Fv tenga un valor mnimo:
nve: nmero de vacancias en equilibrio.
Multiplicando numerador y denominador del exponente por N

(Nmero de Avogadro: 6x1023).
Qf: calor de activacin para formar un mol de lugares

vacantes en cal./mol.
R2 cal./mol.K

Ejemplo de nmero de lugares vacantes en funcin de la temperatura: Caso Cu
Valor de Qf = 20.000 cal/mol
A 300 K (27C) nV = no .4,45.10 -15 (una vacancia aproximadamente cada 1000

billones de tomos)
A 1350 K (1077C) nV = no .6,1.10 -4 (una vacancia aproximadamente cada 10000

tomos)

Movimiento de lugares vacantes
El movimiento de los lugares vacantes implica el salto de un tomo dentro de un lugar vacante.
q0: es la barrera de energa que el tomo debe superar.
La probabilidad de que un tomo posea una energa mayor es

dada por la ecuacin Boltzman-Maxwell:
P= constante.exp. - q0/K.T
Como la probabilidad de salto es proporcional a esta funcin.
La ecuacin anterior la podemos escribir:
rv=A. exp. - q0/K.T
rv: es el nmero de saltos de un tomo por seg. Dentro de un lugar vacante.
A: es una constante de proporcionalidad.
q0: es la energa de activacin por tomo.

Multiplicando numerador y denominador por N (Numero de Avogadro):
rv=A. exp. - Qm/R.T
Qm: es la energa de activacin para el movimiento de un mol de lugares vacantes.
A: es una constante que depende del nmero de tomos que rodean el agujero y la
frecuencia de vibracin.
Ejemplo:
Qm (cobre)= 29.000 cal./mol.
A 300K rv = 10-4 saltos/seg.
A 1350K rv = 3.1010 saltos/seg.
Esto indica que a 1350K un lugar vacante en el cobre se mueve 30.000 Millones de veces en
tanto que a temp. ambiente es un salto cada 11 das.

DISLOCACIONES
Existe una diferencia importante entre el limite de fluencia terico y el experimental.
Si se considera un cristal simple de Mg cuyo plano basal esta formado 45 con la direccin del
esfuerzo de traccin, su curva tensin-deformacin ser:
Este valor de 100 lb/pulg2 a la que comienza el

flujo plstico es sumamente pequeo cuando
se lo compara con la resistencia al corte de un
cristal perfecto.
El clculo de la resistencia terica de un cristal
perfecto, en trminos de fuerza cohesivas entre
tomos es:
Ss=1/2.2,5.106 lb/pulg2

Esto demuestra que la relacin entre el esfuerzo
terico para comenzar el corte del cristal y el
observado en un cristal real es:
1.000.000/100= 10.000 veces
La explicacin a esta diferencia radica en que los

cristales reales presentan defectos cristalinos en
este caso las llamadas DISLOCACIONES son las
responsables.
De borde o de lnea
DISLOCACIONES
(Defectos de lneas)
Helicoidales o de hlice

Dislocaciones de borde o de lnea
Una representacin esquemtica de una dislocacin borde es la siguiente:

Movimiento de una dislocacin bajo un esfuerzo de corte Ss
Cada paso en el
movimiento de una
dislocacin requiere una
ligera redisposicin de los
tomos en la cercana del
plano extra.

Dislocaciones helicoidales o de tornillo
Una representacin esquemtica de una dislocacin helicoidal es la siguiente:
La lnea DC: representa la lnea de

dislocacin.
El plano ABCD: representa el plano de
deslizamiento.

Representacin de una dislocacin
Cmo se indica una dislocacin?
positiva
Dislocacin de borde
negativa
Helicoidal izquierda.
Dislocacin helicoidal
Helicoidal derecha.

Movimiento de una dislocacin
En la figura se representa como se mueve los

cuatro tipo de dislocaciones cuando se aplica el
mismo esfuerzo de corte.

Todos los ejemplos analizados se supuso que las lneas de dislocaciones corren como recta a
travs del cristal. Veamos algunos ejemplos en que la lnea de dislocacin no cruza en su
totalidad el cristal.
Una dislocacin de lnea no cruza en su
totalidad el cristal.
Combinacin entre una dislocacin de
borde y una dislocacin helicoidal.

Una dislocacin no necesariamente debe ser puramente helicoidal o de borde, puede ser una
combinacin de ambas y de esta manera se obtiene un anillo de dislocaciones.
El rea dentro del rectngulo abcd esta cizallada

una distancia atmica, esto es la red que queda
sobre el plano de deslizamiento (ABCD) ha
deslizado un distancia atmica a la izquierda en
relacin de la red que esta por debajo del plano de
deslizamiento.
La direccin de este corte o cizallamiento es
indicada por el vector cuya longitud es una
distancia atmica.
Este vector es conocido por el nombre de VECTOR
DE BURGERS.

Determinacin del vector de Burgers
Dislocacin de borde
Caracterstica del vector de Burgers de una

dislocacin de borde:
1. El vector Burgers es perpendicular a la lnea

de dislocacin.
2. El movimiento de dislocacin, en su plano de

deslizamiento, es en la direccin del vector
Burgers.
PLANO DE DESLIZAMIENTO: es aquel que contiene al vector de Burgers y a la lnea de dislocacin.

Dislocacin helicoidal
Caracterstica del vector Burgers de una

dislocacin helicoidal:
1. El vector de Burgers es paralelo a la
lnea de dislocacin.
2. El movimiento de la dislocacin, en
su plano de deslizamiento, es en la
direccin perpendicular del vector de
Burgers.
Para una dislocacin de borde el plano de deslizamiento es nico, porque la lnea de

dislocacin y son perpendiculares.
En una dislocacin helicoidal los planos de deslizamientos son infinitos, porque la lnea de
dislocacin y son paralelos.

Multiplicacin de las dislocaciones
Densidad de dislocaciones: se define como el numero de lneas de dislocaciones que penetran
en una seccin escogida al azar (lneas/cm2).
Para materiales policristalinos recocidos, la densidad tpica es alrededor de 107 108
(lneas/cm2) mientras que el mismo material con una fuerte deformacin plstica contiene 1011
-1012 (lneas/cm2).
107 108 lneas/cm2 1011 -1012 lneas/cm2
Existe un mecanismo para producir dislocaciones cuando un esfuerzo es aplicado.
Foco de Frank-Read
El siguiente esquema muestra un cristal

que contiene una dislocacin de borde
con un codo en la mitad del plano. No es
necesario que la dislocacin sea de esta
clase para tener una fuente de Frank-
Read.

El esfuerzo necesario para que una fuente sea activa depende de la distancia de los puntos de
fijacin de la dislocacin.
.l= 2.G.b.sen
De acuerdo a la ecuacin el esfuerzo es creciente para producir el arqueamiento de la lnea de

dislocacin, el mximo esfuerzo ocurre cuando =90.
Si los anillos formados por esta fuente comienzan a apilarse frente a algn obstculo, se
requiere un esfuerzo mayor para continuar con la deformacin. Este aumento del esfuerzo
permite que otras fuentes diferentes de menor tamao (l mas pequeo) comienzan a
activarse.

Nucleacin de dislocaciones
Homognea (red perfecta)
Nucleacin Heterognea (se forman con la ayuda

de algn defecto en el cristal)
El esfuerzo necesario para formar una dislocacin por

nucleacin homognea es:
1/30 G (mdulo de corte en un metal 106 a 107 lb./pulg.2 en un

cristal perfecto) 105 lb./pulg.2
Los cristales metlicos deslizan con un esfuerzo de corte de

100 lb./pulg.2 .

Propiedades elsticas de las dislocaciones
Estos campos de tensiones juegan

un importante rol en la interaccin
entre dislocaciones:
Si los campos de tensiones entre

dos dislocaciones se refuerzan estos
se rechazan.
Si los campos de tensiones entre
dos dislocaciones se cancelan se
atraen.

La fuerza por una unidad de longitud entre dos dislocaciones puede ser expresada en
coordenadas polares de la siguiente manera:

La energa de un cristal que contiene dislocaciones de borde de un mismo signo disminuye si
estas se ordenan formando paredes
Estas paredes se llaman limite de grano de ngulo

pequeo.
El ngulo de desorientacin a travs del limite es:
Seno b/d (donde d es la distancia entre

dislocaciones).
cuando el numero de dislocaciones entonces d .

Interaccin entre dislocaciones
La interaccin de un par de Otro tipo de codo diferente de los anteriores son
dislocaciones no paralelas aquellos que estn contenidos en el plano del
produce un codo o escaln en deslizamiento, llamados CODO DEL PLANO DE
una o en ambas lneas de DESLIZAMIENTO.
dislocacin.
La presencia de los codos disminuye la movilidad de las

dislocaciones.

Interaccin entre dislocaciones y lugares vacantes
Este tipo de interaccin esta asociado con dislocaciones de borde y lugares vacantes.
Ascenso positivo Ascenso negativo
Un esfuerzo de compresin promueve el ascenso positivo.

Un esfuerzo de traccin promueve el ascenso negativo.
Este mecanismo es fuertemente dependiente de la temperatura, porqu?.

Reacciones entre dislocaciones
Dado que la energa de una dislocacin es proporcional a b2 .
Dos dislocaciones de borde paralelas se pueden unir para dar una dislocacin si:
b12 + b22 b32

Una dislocacin se puede dividir en dos dislocaciones si:
b12 b22 + b32
La direccin cristalogrfica y la magnitud del vector de Burgers

estn relacionadas con la distancia entre posiciones atmicas.
En el sistema cbico:
La direccin se expresa por: [hkl] (ndice de Miller).
La magnitud por : ca(h2+k2+l2)1/2 (donde c es una fraccin
cualquiera y a es el parmetro de la red).
Normalmente se usa una notacin simplificada:
ca [hkl] por ejemplo: a/2 [011]
En los cristales cbicos de caras centradas (ccc) el desplazamiento
se produce sobre los planos {111}.

Haciendo calculo de energa tenemos:
b1= a02/4 21/2 b2 +b3 = a02/18 21/2
a02/4 21/2 a02/18 21/2 b1 b2 +b3
Esto se crea un defecto de apilamiento, llamado falla de apilamiento ABCA/CABC.
Las dislocaciones de este tipo son llamadas

dislocaciones parciales de Shockley o
dislocacin extendida y estn confinadas a
moverse nicamente en el plano compacto
que la contiene.

Atmosferas de dislocaciones
Estas son formadas por la interaccin entre dislocaciones y tomo de soluto.
De acuerdo al tamao de los tomos de soluto estos se ubicaran por encima o por debajo del
plano de deslizamiento.
Tamao mayor por debajo
del plano de deslizamiento.
Soluto sustitucional
Tamao menor por encima
del plano de deslizamiento.
Siempre se ubican por

Soluto intersticial
debajo del plano de
deslizamiento.

DEFECTOS DE SUPERFICIE
Limites de granos.
Defectos de superficie Falla de apilamiento.
Interfaz entre fases.
Limites de granos
En muchos de los estudios realizados
hasta aqu hemos hablado de cristales
simples estos son un herramienta de
laboratorio. Sin embargo los objetos
comerciales consisten de muchos miles
de pequeos cristales metlicos
microscpicos.

Cada grano tiene una orientacin espacial cristalina diferente. El desajuste es del orden de los
grados o decenas de grados. Este genera la formacin de lmites de grano.
(b) Nucleacin y
(a) Nucleacin
crecimiento
(c) Nucleacin y (d) Solidificacin

crecimiento completa
Formacin de limites de grano durante al solidificacin de un metal liquido

Formacin del contraste Formacin de una
entre granos de un latn imagen de lmites de
policristalino. grano.

Formacin de limites por redisposicin de dislocaciones
Las dislocaciones de borde se pueden disponer unas sobre otras, de manera tal que cancelan
parcial o totalmente sus campos de tensiones.
Si dos granos difieren ligeramente en su orientacin relativa es fcil interpretar un limite como
un conjunto de dislocaciones.
Esta disposicin de las dislocaciones forma un LIMITE DE GRANO DE ANGULO PEQUEO O
SUBGRANO.
Para limites de grano la desorientacin

entre cristales vecinos es mayor y por lo
tanto es necesario un mayor numero de
dislocaciones y mas juntas entre si. Esto
hace una zona desordenada de la red de
algunos dimetros atmicos.

Los lmites de granos y las propiedades mecnica
Los limites de grano Temperatura.
afectan las propiedades Velocidad de deformacin
mecnicas en funcin de: Pureza.
Temp los metales puros fallan por fisuras que pasan a travs de los cristales, no por lmites.
Este tipo de fractura se denomina TRANSCRISTALINA.
Temp los lmites de grano pierden resistencia con mayor rapidez que los cristales. La fractura
corre a lo largo de los lmites. Este tipo de fractura se denomina INTERCRISTALINA.
Temp. Velocidad de deformacin Fractura transcristalina
Temp. Velocidad de deformacin Fractura intercristalina

Los lmites de grano introducen restricciones al movimiento de las dislocaciones. El
impedimento al movimiento depende del tamao de grano y se expresa por la ecuacin de
Hall-Petch
= + .
y : es la tensin de fluencia.
i : es la tensin de friccin que se opone al movimiento de las dislocaciones.
Ky : es una medida del apilamiento de las dislocaciones frente a las barreras.
D : Es el dimetro del grano.

El tamao de grano puede ser evaluado de acuerdo a nmeros ASTM (Norma ASTM E112)

Energa de limite de grano
La presencia de dislocaciones en los limites de grano provoca un aumento de la energa del
cristal como consecuencia del apartamiento de posiciones reticulares de aquellos tomos
adyacentes a las dislocaciones.
Debido a la naturaleza bidimensional del limite de grano esta energa se expresa en ergios/cm2
y su valor puede alcanzar 600 ergios/cm2.
Razn por la cual son lugares preferentes para reacciones en estado solido como:
Difusin
Transformaciones de fases
Reacciones de precipitacin
Read y Shockley desarrollaron una

expresin terica, de acuerdo al
modelo de dislocaciones, para la
energa de limites de ngulo pequeo
en funcin del ngulo de
desorientacin.

Tensin superficial del limite de grano
La energa superficial = ergios/cm2 o dinas.cm/cm2 = dinas/cm (tensin superficial)
La tensin superficial aumenta hasta los 20 de desorientacin y luego permanece

aproximadamente constante para ngulos mayores.
Representando los lmites de tres granos por lneas que se unen en el punto o se tiene:
Si los tres vectores de fuerzas estn en

equilibrio esttico aplicando el teorema del
seno:

= =

donde ,, son los ngulos diedros entre
lmites.
Temperatura.
Velocidad de movimiento
Energa de los
de los lmites de grano
lmites.

Interfaz entre fases
Una fase se define como un cuerpo de materia homognea y fsicamente distinto.
Gaseosa
En los metales puro existe una sola fase Lquida
Slida
Cuando se presentan cambios alotrpicos hay mas de las tres fases.
Soluciones slida totalmente soluble se comportan como los metales puros.
Soluciones solidas parcialmente soluble forman fases separadas.
Metales puros y soluciones solidas (monofsicas) se comportan de igual manera, en equilibrio
forman un ngulo diedro de 120.
Lmites entre
Cuando se presentan
fases iguales.
dos fases los lmites
Lmites entre
pueden ser
fases distintas.

El equilibrio de tensiones superficiales ser:
11 : Tensin superficial en el limite de la fases simple.

11 =212cos = 12 :Tensin superficial en el limite entre la fase 1 y 2.
2
: Es el ngulo diedro entre los dos limites que
separan las fases 1 y 2.
Segn se aproxima a cero, la 2 fase tiende a

formar una pelcula delgada entre los cristales
de la 1 fase.
12 0.5 entonces 0 la segunda fase
penetra en los lmites de la fase simple produce
una red continua.

Ej.: Bi-Cu la tensin superficial Bi-Cu es tan
baja que
= 0 y la 2 fase es continua en los lmites
de grano aun para Bi 0.05%
Cuando < 60 y la 2 fase slida

presente en cantidades no muy
pequeas, forman una red continua
(Fe-C con 1,4% C, 8% de Cm).
Cuando 60 y la 2 fase slida,
presente en pequeas cantidades, no
forma una malla continua sino
glbulos (SFe por debajo de los
1000C).

Para un ngulo de 60 el valor de la
relacin de tensiones superficiales es
0,582, en este caso una aleacin de Fe-
C (1,4%), tiene un % de cementita del
8% forma una red continua. Cuando el
ngulo es mayor de 60 la segunda
fase se dispone en forma globular
Segundas fases que se encuentran en estado lquido a temperaturas muy por debajo del
punto de solidificacin de la fase principal si:
Energa interfacial alta Forman glbulos

Energa interfacial baja Forman una pelcula continua (S en aceros)

Fallas de apilamiento

DEFECTOS CRISTALINOS DE VOLUMEN
Maclas
El maclado mecnico se produce sin cambio en la estructura cristalina solamente con una
reorientacin de la red.
El maclado al igual que en el deslizamiento la red

cristalina es cizallada, sin embargo se diferencian
en:
El deslizamiento ocurre en planos reticulares

individuales y el corte puede ser varias veces el
espaciado atmico, depende del nmero de
dislocaciones.
En el maclado el corte est distribuido sobre un
volumen y cada tomo se mueve en una fraccin
del espaciado atmico.

Lmites de maclas
Incoherentes
Coherentes


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El concepto de red perfecta es til para explicar aquellas propiedades insensibles a la

Cuando se consideran aquellas propiedades sensibles a la estructura se hace necesario

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Temp. Amplitud de vibracin de los tomos

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Reemplazando en (2) nos queda:

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nve: nmero de vacancias en equilibrio.

Multiplicando numerador y denominador del exponente por N

Qf: calor de activacin para formar un mol de lugares

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Valor de Qf = 20.000 cal/mol

A 300 K (27C) nV = no .4,45.10 -15 (una vacancia aproximadamente cada 1000

A 1350 K (1077C) nV = no .6,1.10 -4 (una vacancia aproximadamente cada 10000

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q0: es la barrera de energa que el tomo debe superar.

La probabilidad de que un tomo posea una energa mayor es

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rv=A. exp. - Qm/R.T

Qm: es la energa de activacin para el movimiento de un mol de lugares vacantes.

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Este valor de 100 lb/pulg2 a la que comienza el

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1.000.000/100= 10.000 veces

La explicacin a esta diferencia radica en que los

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La lnea DC: representa la lnea de

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En la figura se representa como se mueve los

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El rea dentro del rectngulo abcd esta cizallada

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Caracterstica del vector de Burgers de una

1. El vector Burgers es perpendicular a la lnea

2. El movimiento de dislocacin, en su plano de

PLANO DE DESLIZAMIENTO: es aquel que contiene al vector de Burgers y a la lnea de dislocacin.

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Caracterstica del vector Burgers de una

Para una dislocacin de borde el plano de deslizamiento es nico, porque la lnea de

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El siguiente esquema muestra un cristal

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De acuerdo a la ecuacin el esfuerzo es creciente para producir el arqueamiento de la lnea de

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Homognea (red perfecta)

Nucleacin Heterognea (se forman con la ayuda

El esfuerzo necesario para formar una dislocacin por

1/30 G (mdulo de corte en un metal 106 a 107 lb./pulg.2 en un

Los cristales metlicos deslizan con un esfuerzo de corte de