CONVOCATORIA 1PARCIAL Julio-2015.

DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
GRADO INGENIERO ELECTRNICA INDUSTRIAL: ELECTRNICA DE POTENCIA
Tiempo estimado ( 2h) 4 puede compensar

1.- Contesta si es verdadero o falso ( las incorrectas restan)

N V F CONSTESTA MARCANDO CON UNA CRUZ SI ES VERDADERO O FALSO
1. Para un funcionamiento peridico en rgimen permanente, la potencia media absorbida por el condensador
es cero
2. La potencia aparente es VRMS * IRMS
3. Cuando la carga es no lineal el factor de potencia coincide con el factor de desplazamiento
4. La multiplicacin de dos seales sinusoidales de igual frecuencia da una seal de valor medio nulo
5. La intensidad que circula por el neutro en un sistema trifsico equilibrado puede llegar a ser raz tres veces
intensidad que circula por fase
6. Una onda cuadrada solo est formada por armnicos de orden par
7. A mayor VRRM que sea capaz de bloquear un diodo mayor cada de tensin en directo en conduccin
8. Un IGBT es un dispositivo con tecnologa solo mosfet
9. La resistencia trmica del contenedor a colocar interesa que sea mayor o igual que la calculada
10. En un transistor bipolar no existe segunda ruptura
11. Un UJT es un dispositivo de gran potencia que se utiliza para el control
12. La potencia media que disipa un diodo solo depende del factor de forma de la corriente
13. Una seal peridica con simetra media onda solo contienen armnicos de orden par
14. El triac es un dispositivo unidireccional que solo se utiliza en control de pequeas potencias
15. La VCEmax que puede soportar un transistor depende solamente de cmo este polarizado la BE
16. Un SCR puede dispararse con corrientes de puerta solo positivas
17. El GTO tiene una ganancia en corriente anodo-puerta muy baja
18. VRRM es la mxima tensin inversa que es capaz de bloquear el semiconductor
19. IDRM es la mxima intensidad que puede circular por el scr
20. trr de un diodo es el tiempo que tarda en pasar a conduccin

Test (2 puntos)

1.- Que son las grfica presentadas, a que elementos semiconductores pertenecen cada una de ellas?, Comentalas,
seala los puntos y zonas ms importante( 1 puntos)

1
2.- Excitamos a un transistor con una fuente de entrada pulsante con V=0-50 voltios, del que se obtienen las formas de
onda asociadas de las figuras 1,2 (total 2 puntos)

a.-) La grfica representa un periodo de la seal. Seala en las grficas los tiempos correspondientes indicando que es cada
uno de ellos(0.5p). b.-) Calcula la disipacin de potencia media en el transistor y grfica la potencia instantnea en el mismo.(1p)
c.- Si se disea un circuito driver para excitar la base del transistor y as reducir los tiempos de conmutacin, con la configuracin
de la figura 3. Disearlo para que tenga un pico de 3 A. Durante la puesta en conduccin y corriente de base en rgimen
permanente de 0.4 A mientras el transistor est activado ( suponer VBE=1 cuando el transistor est en conduccin)( 0.5 punto)

Ilustracin 1

Ilustracin 2

2
3.-Para un SCR

1 puntos

4.- Para el rectificador de la Figura, sabiendo que el contenido armnico de la corriente se muestra en la Tabla
y que el factor de desplazamiento es la unidad, se pide:

Factor de potencia que ve el generador. Potencia entregada a la carga. (1p)

3
5.- Comenta el mtodo de clculo de la temperatura mxima que alcanzar la unin de un semiconductor a partir del
concepto de impedancia trmica y dibuja el modelo utilizado, con las frmulas utilizadas. (1p)

6
.- Comentar el funcionamiento del circuito. Para que se utiliza y porqu? (2 puntos)

Para un valor de P2 de 50K dibuja la

tensin V(3,0),V(4,0),V(6,0) y V(8,0) a
escala indicando los valores
correspondientes

Datos utilizados del UJT : =0,655;

Rbb=7k; Vv=1,77V