Universidade Federal de Santa Maria UFSM 1/3

Departamento de Processamento de Energia Eltrica DPEE

Eletrnica para Automao A DPEE 1039
Prof. Rafael Concatto Beltrame beltrame@mail.ufsm.br

Lista de Exerccios 01 Diodos de Juno

1. Diodo ideal

1.1. Descreva as caractersticas do diodo ideal e como elas determinam os estados ligado e desligado do
dispositivo. Isto , descreva porque o curto-circuito e o circuito-aberto equivalente so adequados na mo-
delagem do dispositivo.

2. Materiais semicondutores

2.1. Defina: (i) semicondutor; (ii) resistividade; e (iii) resistncia.

2.2. Usando os dados constantes na Tabela 1, determine:

(a) A resistncia de uma amostra de silcio apresentando uma rea de 1 cm2 e um comprimento
de 3 cm.
(b) Repita a letra (a) para um comprimento de 1 cm uma rea de 4 cm2.
(c) Repita a letra (a) para um comprimento de 8 cm e uma rea de 5 mm2.

Tabela 1 Valores tpicos de resistividade.

Material Resistividade
Condutor 106 -cm (cobre)
50 -cm (germnio)
Semicondutor
50 103 -cm (silcio)
Isolante 1012 -cm (mica)

2.3. Defina: (i) material intrnseco; (ii) material extrnseco; (iii) coeficiente de temperatura negativo; e
(iv) ligao covalente.

3. Materiais extrnsecos

3.1. Descreva a diferena entre os materiais semicondutores tipo n e tipo p.

3.2. Descreva a diferena entre as impurezas doadoras e aceitadoras de eltrons.

3.3. Descreva a diferena entre portadores majoritrios e minoritrios.

3.4. Esboce a estrutura atmica do silcio e insira uma impureza composta de arsnio.

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3.5. Esboce a estrutura atmica do silcio e insira uma impureza composta de ndio.

4. Diodo semicondutor

4.1. Descreva as situaes estabelecidas pelas condies de polarizao direta e reversa do diodo de jun-
o p-n e como estas afetam a corrente pelo dispositivo.

4.2. Usando a equao que modela a corrente pelo diodo iD I S e kvD Tk 1 , determine a corrente

atravs de um diodo de silcio sob polarizao direta, a 20 C e com IS = 50 nA.

4.3. Repita a questo 4.2 para T = 100 C. Assuma que IS aumentou para 5 A.

5. Nveis de resistncia

5.1. Calcule a resistncia ac e dc para uma corrente de 10 mA para o diodo cuja curva est representada
na Figura 1 e compare os resultados.

5.2. Determine a resistncia ac mdia para a regio entre 0,6 e 0,9 V para o diodo cuja curva est repre-
sentada na Figura 1.

iD (mA)

30
25
20
15
10
5
2 vD (V)
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
Figura 1 Curva caracterstica do diodo.

6. Circuitos equivalentes de diodo

6.1. Encontre o circuito equivalente linear para o diodo cuja curva est representada na Figura 1. Use um
segmento de reta que intercepte o eixo horizontal em 0,7 V e que melhor aproxime a curva para a regio
acima de 0,7 V.

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7. Folha de especificaes do diodo

7.1. Considere o diodo BAY80 (Vishay Semiconductors).
(a) Realize o download de sua folha de especificaes (datasheet). Bases sugeridas para a pesquisa:
http://www.alldatasheet.com
http://www.datasheetcatalog.com
(b) Qual a sua tenso de bloqueio? Qual a sua mxima corrente direta? Qual a sua queda em con-
duo (para 10 e 100 mA)?
(c) A corrente de saturao reversa varia significativamente para esse diodo para potenciais de
polarizao reversos na faixa de 25 a 100 V?
(d) Com base na curva fornecida no datasheet, determine a resistncia ac (dinmica) mxima pa-
ra uma corrente direta de 0,1 mA, 1,5 mA e 20 mA. Compare os nveis e comente os resultados.

8. Diodos zener

8.1. As seguintes caractersticas so especificadas para um diodo zener: VZ = 29 V, VR = 16,8 V,

IZT = 10 mA, IR = 20 A e IZM = 40 mA. Esboce a sua curva caracterstica.

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