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INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR

“GUAYAQUIL”

CARRERA DE ELECTRÓNICA
INFORME 01
Tema:
REALIMENTACION DE COLECTOR DEL BJT

Asignatura:

ELECTRONICA ANALOGICA

Profesor:

ING. DIEGO VASCONEZ

Integrantes:

Jonathan Tamayo-César Caiza

Fecha de presentación:

12/12/2017

Ambato –Ecuador

2017
INDICE

Contenido

1. INTRODUCCIÓN ........................................................................................................... 3
2. OBJETIVOS .................................................................................................................... 3
3. FUNDAMENTO TEÓRICO ........................................................................................... 3
4. MATERIALES, EQUIPOS E INSTRUMENTOS ........................................................ 3
5. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL ......................................................................... 3
6. ANÁLISIS Y RESULTADOS......................................................................................... 6
7. CONCLUSIONES........................................................................................................... 6
8. BIBLIOGRAFÍA ............................................................................................................... 6
9. CUESTIONARIO ............................................................................................................ 6
10. ANEXOS........................................................................... Error! Bookmark not defined.
1. INTRODUCCIÓN

2. OBJETIVOS

objetivo genereal:

Conocer en este laboratorio la teoría, como se usa y sus aplicaciones de los transistores bipolares.

objetivo especifico:

Comprobar mediante la práctica de laboratorio el reconocimiento de los transistores

3. FUNDAMENTO TEÓRICO

4. MATERIALES, EQUIPOS E INSTRUMENTOS

Multitester analógico o digital.


Protoboard
Transistores: 2N2222, , A 1015,
Resistores: 150 k ohm, 1.5 K ohm , 100k
Cables de conexión.

5. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

1. RECUERDE que este circuito trabaja de la siguiente manera:


Si B aumenta, entonces Ic aumenta, provocando que VCE disminuya, esto a su vez produce un decremento
en la tensión de RB.
Como el voltaje de RB disminuye, la corriente de base se hace más pequeña que le calor inicial, esto
compensa el incremento en la corriente de colector.
Una propiedad interesante de este tipo de polarización es que el transistor nunca se satura aun cuando RB
sea igual a cero. A medida que RB va disminuyendo el punto de operación Q se desplaza hacia saturación,
pero sin llegar a ella, ya que VCE nunca puede ser menor a 0.7V. La base y el colector es un mismo punto
cuando RB=0 y el transistor funciona en este caso como un diodo.

2. El siguiente circuito corresponde a una polarización fija del BJT. Arme el circuito de la figura Nro. 1 en
el protoboard y en el simulador. Β= 150
Figura Nro. 01

3. Determine IC, VCE en el circuito haciendo uso del análisis teórico del circuito dado en la clase, trace
el punto Q, y llene la tabla Nro. 01.

VB= VBE (Porque en este caso no hay resistencia en el emisor del transistor)
NOTA: Recuerde que el Vce Sat = 0.2 voltios.

4. Mida los voltajes de: VCE, VB, tal como se indica en el circuito Nro. 02. (Utilice el voltímetro en DC) y
además efectué la medida de la corriente de emisor IE= IC, para ello utilice el amperímetro y
conecte tal como se indica en el circuito de la figura 3.
Tabla Nro. 01 Anotar los valores calculados y medidos con el multitester y en forma virtual (simulador).
5. En el circuito diga que sucede con: VCE, y la IE si la resistencia de base disminuye a 100K. Explique
porque. (Experiméntelo cambiando el valor de RB de 150 K por otra de 100K)

El VCE DISMINUYE MIENTRAS QUE LA IE AUMENTA

(TAREA PARA LA CASA) Cambie el transistor 2N2222 por el otro transistor solicitado 2SA1015 y mida el VCE y
el VB, y la IE.
Cual es la función de RB en los circuitos del presente laboratorio.

6. ANÁLISIS Y RESULTADOS

7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

Como ya hemos podido ver en este proyecto hemos conocido su respectiva utilización.
También hemos visto la forma de utilizar, medir y conocer las aplicaciones de los transistores como
por ejemplo los instrumentos para la toma de lecturas y ver si es o no que varía su resultado..
Aprendimos a ver la polaridad del transistor NPN o PNP y asi afirmar a qué electrodo corresponde
cada patilla si es BASE, COLECTOR o EMISOR.
También darnos cuenta si los valores medidos son relativos a los del transistor por fabricación o ya
sea calculando aparte.

Usar mandil
Tener en cuenta del uso correcto de las fuentes de alimentación
Escuchar al profesor encargado

8. BIBLIOGRAFÍA

9. CUESTIONARio

Determine el VCE, VB, VE, VC y la IE en el siguiente circuito

Calcule los valores de las resistencias RB, RC, si se tienen los siguientes datos: VCC= 9V, IC = 2 mA, TR=
2N2222, VCE = 4.5 V, Beta 150
10. ANEXOS