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UM5 ENSET RABAT DUT GE ‘Convertisseurs DC/DC’ contrôle final Durée 1h30

Nom :………………………………………………... Prénom :……………………………………………………………………..

Contrôles Finaux de la Session Normale


Année Universitaire: 2015-2016
Filière : DUT GE Option : Semestre : S3
Module : Convertisseurs de Elément de Module : Conversion DC/DC Durée de l’Epreuve : 1h30
puissance
Professeurs Responsables : Documents et Matériels Autorisés :
Pr. ANBAR Aucun

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UM5 ENSET RABAT DUT GE ‘Convertisseurs DC/DC’ contrôle final Durée 1h30
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Le montage à étudier est représenté à la figure 1. Il s’agit d’un montage dévolteur. La cellule de
commutation est constituée d’un transistor (exemple : IGBT, MOS) qui est à amorçage et blocage
commandé et d’une diode qui est à amorçage spontané et blocage spontané.
On note que l’inductance L en série avec le condensateur Cs et la résistance Rs constitue bien une
source de courant d’un point de vue électronique de puissance. La règle de connexion de sources de
nature différente est alors respectée.
Les hypothèses faites pour faire l’étude de ce montage sont les suivantes :
- On ne considère que le fonctionnement en régime périodique.
- On ne considère que le régime de conduction continu (iL > 0).
- La composante alternative de vs(t) notée vsalt , est négligeable devant la valeur moyenne de vs(t),
notée <Vs> :
Vs (t) = <Vs > + vsalt (t)  <Vs>  Vs
- L est une inductance pure et Cs un condensateur parfait.
- Les interrupteurs T et D sont idéaux (temps de commutation nul, résistance statique et dynamique
nulles).

Figure 1

- On donne les valeurs numériques suivantes : E = 100 V, fd = 20 kHz et Rs = 5 Ω.

Phases de fonctionnement :
La période de découpage est notée Td. On distingue 2 phases de fonctionnement :
- Phase 1 : t Є [0 , tf ] , le transistor T est passant et la diode D est bloquée.
- Phase 2 : t Є [tf , Td] , le transistor T est bloqué et la diode D est passante.

1. (1.5 points) Tracer, sur le document réponse REP1, pour une période de découpage Td et pour =
tf
0,4 les allures de vL(t) et iL(t). Justifier le tracé de iL(t). On note   , le rapport cyclique.
Td
Justification :………………………………………………………………………………………………
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2. (2.5 points) Ecrire l’expression de vL(t) en fonction de vD(t) et Vs. Montrer que <VL > , valeur
moyenne de vL(t), s’écrit alors  VL   αE - Vs .

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3. (2 points) En déduire les expressions analytiques de Vs et Is, tension et courant de charge.


Application numérique : Déterminer la valeur de pour obtenir Vs = 40 V.

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4. (2 points) Déterminer, en fonction de E, Td , L et , l’expression de l’ondulation crête à crête iL de


iL(t).Pour = 0,4, calculer la valeur de L pour obtenir iL max = 1 A .

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5. (2 points) Déterminer la valeur du rapport cyclique pour laquelle l’ondulation du courant est
maximum. Préciser l’expression de cette ondulation maximale.

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6. (3 points) Déterminer l’expression analytique de <IL> , valeur moyenne de iL(t), en fonction de ,


E et Rs. Calculer <IL> pour = 0,4. En déduire les valeurs numériques de ILmax et ILmin.
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7. (2 points) Tracer, sur le document réponse REP1 pour = 0,4 et pour une période de découpage
Td, les graphes de vT(t) et iT(t),tension et courant du transistor T et vD(t) et iD(t), tension et courant de
la diode D.

8. (2 points) Tracer, sur le document réponse REP1 pour = 0,4 ; iC(t) le courant dans le
condensateur Cs.

9. (3 points) Jusqu’ici nous avons négligé l’ondulation de tension vs alt qui bien que faible, existe
cependant. Dans le cas où le condensateur est considéré comme parfait, déterminer l’expression
analytique de l’ondulation de tension vs alt en fonction de i L , fd et Cs. On pourra s’aider du tracé de
vs alt et de celui de iC(t).

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Document réponse REP1