Electrónica I

Módulo 1
Actividad 1 Semiconductores

Encontrar las respuestas de las incógnitas en los siguientes

Objetivo de Aprendizaje
problemas.
Modalidad Presencial, guiada por el profesor, individual

Tiempo estimado 30 minutos

Semiconductores Intrínsecos

1. Calcula la concentración intrínseca de portadores en arseniuro de galio y germanio a

T=300K

Semiconductores Extrínsecos

2. Calcula las concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios en el silicio a

T=300K si:
17 -3
a. Na=10 cm
15 -3
b. Nd=5x10 cm

Exceso de Portadores
2 2
3. Considera silicio a T=300K. Asume que n=1350 cm /V-s y p=480 cm /V-s. Determina la
conductividad si:
16 -3
a. Nd=5x10 cm
16 -3
b. Na=5x10 cm

La junta pn en equilibrio

4. Determina Vbi para una unión pn de silicio a temperatura ambiente para:

15 -3 17 -3
a. Na=10 cm , Nd=10 cm
17 -3
b. Na=Nd=10 cm .

La junta pn polarizada inversamente

5. Calcula la capacitancia de la junta pn. Considera que se tiene una junta de silicio a 300K,
16 -3 15 -3
con concentraciones de dopado de Na=10 cm , Nd=10 cm . Asume Cjo=0.5pF. Calcula
la capacitancia de la junta cuando:
a. VR=1V
b. VR=5V

Relación ideal Corriente-Voltaje

-14
6. Una junta pn de silicio a T=300K tiene una corriente de saturación inversa de IS=10 A.
a. Determina la corriente de polarización directa para:
i. vD=0.5V
ii. vD=0.6V
iii. vD=0.7V
b. Encuentra la corriente de polarización inversa para:
i. vD=-0.5V
ii. vD=-0.6V
iii. vD=-2V

José Gómez Quiñones 1