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Diodos semicondutores,

estrutura e aplicações

Profa. Angélica dos Anjos Ayala


angelica.anjos@fatecsp.br

1º Semestre 2017
DS - Profa. Angélica dos Anjos Ayala

Objetivos
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Estudo da estrutura do diodo (junção PN);
Estudo da polarização do diodo;
Curva característica do diodo;
Aplicações dos diodos;
Exercícios.
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Motivação
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Portadores dos Materiais Tipo N e Tipo P


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Tipo N: íons fixos (doadores) resultam em sinal positivo após o quinto elétron deixar
o átomo de origem. O átomo adquire uma carga líquida positiva;
Tipo P: íons fixos (aceitadores) resultam em sinal negativo após a lacuna ou buraco
receber um elétron de um outro átomo, adquirindo uma carga líquida negativa.
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Estrutura dos diodos semicondutores


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Junção PN
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Os materiais dos tipos P e N representam os blocos de construção básicos dos
dispositivos semicondutores;
Através de uma junção PN podemos construir diodos;
Algumas aplicações dos diodos: circuitos retificadores, LEDs, diodo zener;
Também podemos construir transistores e capacitores com as junções PN;
Iniciaremos com os diodos.
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Junção PN: Diodo


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A figura abaixo ilustra uma junção de dois materiais semicondutores, um do tipo
P e o outro do tipo N e o símbolo de um diodo;
O semicondutor tipo P está conectado no terminal chamado anodo e o
semicondutor tipo N no catodo;
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Região de Depleção
8 Os elétrons livres da região N (majoritários) se repelem e se difundem por todo o
material, inclusive para a região P (minoritários);
Ao chegarem na região P, eles se recombinam (íons fixos negativos);
Cada par de íon positivo e negativo na junção é um dipolo;
A geração de um dipolo significa que um elétron e uma lacuna saíram de circulação;
Próximo da junção tem-se uma região sem portadores, com muitos dipolos é a
Região de Depleção.
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Barreira de Potencial
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Cada dipolo possui um campo elétrico entre o íon positivo e o íon negativo;
Quando um elétron livre entre na região de depleção, o campo elétrico o “empurra”
de volta para a região N;
Por um momento, podemos dizer que o campo elétrico interrompe a difusão do
elétron por meio da junção;
O campo elétrico entre os íons é equivalente a uma diferença de potencial chamado
de Barreira de Potencial ou Potencial de Contato (Vo, Vbi);
À temperatura de 25ºC, a barreira de potencial é aproximadamente 0,7 V para o
diodos de Si e 0,3 V para o Ge.
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Diagrama de Energia da Junção PN


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Os níveis de Fermi dos matérias se igualam;


Vo tem valores aproximadamente de 0,6 a 0,8V.
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Diagrama de Energia da Junção PN Após o Contato

Energia do
elétron

∅𝐹𝑃

∅𝐹𝑁
Potencial
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Polarização da Junção PN
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Podemos polarizar a junção PN de três maneiras:
Sem polarização;
Polarização reversa;
Polarização direta.
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Polarização da Junção PN
13 Sem polarização: VD = 0V

 Sentido da corrente:
 cargas positivas
(lacunas)
 V+ → V-;
 Sentido dos elétrons:
 contrário ao da
corrente
 N → P.

Região de depleção: formada pelo esgotamento dos portadores livres na região,


após a formação dos dipolos.
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Polarização da Junção PN
14 Polarização reversa: VD < 0V

Região de depleção: maior


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Polarização da Junção PN
15 Polarização reversa: VD < 0V
O número de íons positivos na região de depleção do material tipo N aumentará,
devido ao grande número de elétrons livres arrastados para o potencial positivo da
tensão aplicada (sentido contrário ao desejado);
O número de íons negativos na região de depleção do material tipo P aumentará,
da mesma forma;
Isto leva a uma região de depleção maior;
Este aumento induz a uma barreira de potencial grande para os portadores
majoritários, o que levará o fluxo desses portadores a zero;
Só terá corrente reversa (ou de fuga) a corrente ID é desprezível;
Is é de aproximadamente alguns pA ou fA.
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Polarização da Junção PN
16 Polarização direta: VD > 0V

Região de depleção: menor


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Polarização da Junção PN
17 Polarização direta: VD > 0V
A polarização direta força os elétrons do material tipo N e as lacunas do
material tipo P a recombinarem-se com os íons próximos da fronteira;
Isto reduz a largura da região de depleção;
Os portadores majoritários vêem uma barreira reduzida na junção devido à
região de depleção reduzida;
À medida que a polarização aumenta (em amplitude), a região de depleção
diminui até que o fluxo de elétrons consiga atravessar a junção, resultando em
um aumento exponencial da corrente (não linear).
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Polarização da Junção PN
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Curva Característica do Diodo de Silício (I-V)


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Curva I-V dos Diodos de Si e Ge

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Influência da Temperatura na Curva I-V do diodo


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 Quanto maior a temperatura, maior


será a condutividade elétrica e menor
será a tensão de polarização do diodo.
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Corrente do Diodo
22 K = 1,38x10-23 J/K;
T = 273 + temperatura em oC;
q = 1,6x10-19C;
VT ≈ 26 mV;
n: fator de idealidade (função das
condições de operação e construção
física);
Is = corrente dos minoritários;
Is tem valores muito pequenos (pA
ou fA);
ex faz com que a curva exponencial
aumente muito rapidamente para
valores crescentes de x.
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Tensão Térmica
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Mecanismos de Condução: após o contato


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Mecanismos de Condução: após o contato


25 
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Correntes de Difusão e Deriva


26 
IPdif, INdif: correntes de difusão de lacunas e
elétrons;
q: carga do elétron;
Dp, Dn: coeficiente de difusão de lacunas e
elétrons (Dp=12cm2/s e Dn=34cm2/s).

IPder, INder: correntes de deriva de lacunas e


elétrons;
p, n: concentração de lacunas e elétrons;
µp, µn : mobilidade de lacunas e elétrons
(µp=480cm2/Vs e µn=1350cm2/Vs).
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Correntes de Difusão e Deriva


27 Deriva:

σ: Condutividade
ρ: Resistividade

Corrente total
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Concentração de Cargas
28 Relação de Einstein:

Dp, Dn: coeficiente de difusão de lacunas e elétrons;


µp, µn : mobilidade de lacunas e elétrons.
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Concentração Intrínseca
29 

B: Constante dependente do material (Bsi=5,4.1031);


T: Temperatura;
Eg: Energia mínima necessária para quebrar uma ligação
covalente (Si=1,12 eV);
K: Constante de Boltzmann (K=8,62.10-5 eV/Kelvin)
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Região de Depleção: Largura, Densidade de


Cargas e Campo Elétrico
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Largura da Região de Depleção


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É comum fazer um lado da junção muito mais fortemente dopado que o outro;
A região de depleção existe quase totalmente em apenas um dos lados (o mais
levemente dopado).
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Região de Depleção: Neutralidade e Largura

32 

εsi: Permissividade elétrica do Si: (11,7 . 8,85.10-14 = 1,04.10-12F/cm).


W está na faixa de 0,1 a 1µm.
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Características Gerais
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Barreira de potencial:
Diminui em polarização direta;
Aumenta em polarização reversa;
Campo elétrico:
Diminui em polarização direta;
Aumenta em polarização reversa;
Largura da depleção:
Diminui em polarização direta;
Aumenta em polarização reversa;
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Características Gerais
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Corrente de deriva:
Praticamente não varia com a polarização;
Corrente de difusão:
Aumenta em polarização direta;
Diminui em polarização reversa, tornando-se praticamente nula;
Corrente total:
Aumenta em polarização direta;
Praticamente constante em polarização reversa (muito pequena).
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Ruptura por Polarização Reversa (Breakdown)


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A ruptura ocorre quando um campo elétrico suficientemente alto é aplicado à junção
PN, levando-a a conduzir uma grande quantidade de corrente (tensão reversa);
Três mecanismos são responsáveis pela ruptura:
Instabilidade térmica;
Efeito avalanche;
Efeito zener (tunelamento).

Região Zener
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Ruptura por Polarização Reversa (Breakdown)


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Para junções com tensões de ruptura menores que 4V (Eg/q) o mecanismo mais
importante na ruptura é o zener;
Para tensões de ruptura superior a 6 V (Eg/q) o mecanismo mais importante é o
avalanche;
Para tensões de ruptura entre 4 e 6 V (Eg/q) ambos efeitos estão presentes;
Alguns livros utilizam valores de 5 e 7 V.
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Instabilidade Térmica
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Devido à elevada dissipação causada pela corrente reversa;
Com a alta polarização reversa, a temperatura da junção aumenta;
Esta elevação da temperatura provoca a elevação da corrente reversa;
Pela elevada dissipação em altas polarizações reversas, a curva característica
apresenta uma resistência diferencial negativa;
Este efeito é chamado de instabilidade térmica;
É mais relevante em temperatura ambiente, e menos importante em temperaturas
mais baixas.
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Avalanche ou Ionização por Impacto


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Este é o mecanismo mais importante na ruptura da junção;
Ele quem impõe um limite superior à polarização da maioria dos diodos;
Os portadores minoritários são fortemente acelerados e ganham energia cinética no
interior da região de depleção devido à elevação da tensão reversa,;
Ao atravessarem a região de depleção esses portadores minoritários adquirem
velocidade, chocam-se e liberam elétron de valência dos átomos, gerando os elétrons
livres;
Esses elétrons colidem com outros átomos;
Este fenômeno é chamado de ionização por impacto;
Os elétrons gerados por impacto e acelerados darão origem a outros pares elétron-
lacuna, e assim sucessivamente, o que é conhecido como avalanche.
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Efeito Zener
39 O campo elétrico na camada de depleção aumenta até um ponto capaz de quebrar
uma ligação covalente de gerar um par elétron-lacuna, que também é acelerado
pelo campo elétrico;
Os elétrons gerados desta forma são acelerados para dentro do material N e as
lacunas para o material P;
Esses portadores acelerados constituem uma corrente inversa, que se soma.
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Curva do Diodo: Reta de Carga e Ponto de Operação


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Característica I x V

LKT

Reta de carga:
𝑉𝐷𝐷
Saturação: para VD = 0 𝐼𝐷 =
𝑅
Corte: para VD = VDD 𝐼𝐷 = 0
Ponto de operação Q:
A Intersecção da reta de carga e a curva do
diodo (ID, VD).
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Diodo Ideal
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Reversa Direta
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Aplicações de Diodos
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Aplicações de Junções PN
43 Diodo Zener:
Funciona polarizado diretamente ou inversamente;
Quando está polarizado diretamente, funciona como outro diodo qualquer;
Quando está polarizado inversamente opera na região de ruptura;
Utilizado em reguladores de tensão.
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Aplicações de Junções PN
LED (Diodo Emissor de Luz):
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É um diodo semicondutor (junção P-N) que quando é energizado
emite luz visível por isso LED (Diodo Emissor de Luz);
A luz não é monocromática (como em um laser), mas consiste de
uma banda espectral relativamente estreita e é produzida pelas
interações energéticas do elétron;
O processo de emissão de luz pela aplicação de uma fonte elétrica
de energia é chamado eletroluminescência.
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Aplicações de Junções PN
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Diodos retificadores:
Consiste na polarização de uma junção PN com tensão alternada ou contínua;
Existem dois tipos:
Retificadores de meia onda;
Retificadores de onda completa.
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Aplicações de Junções PN
46 Retificador de meia onda:
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Aplicações de Junções PN
47 Retificador de onda completa: derivação central
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Aplicações de Junções PN
48 Retificador de onda completa: ponte de diodos