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l OOW Transistor-Linear on l .

3GHz
(Transistorisierte Leistungsendstufe lOOW fur dos 23 cm Band)

Konrad Hupfer, DJ1EE

Kurzbeschreibung: Nach Einfiihrung des DAB-


Bereichs von 1.4 his I ,6GHz halicm namhafk Ht:r-
Einfuhrung
stellt!r (MNCOM, MOTOROLA und ERICS- In den k1z1en Jahren erschienen eine Rdhe in1er-
SON) leistungst1ihige Lineanransistoren fiir die- essan1er Leis1ungsbauelementt' fiir l.5GHz auf
st!n Frequenzbt!reich herausgehracht. Ein dami1 dem Markt. Motorola, Philips, MA/COM und
konstruiene PA fiir I ,3GHz liefon ca. IOOW Aus- Ericson hie1e.n wrschiedene Leistungstransistmcon
gangsleis1ung bei !L.9dB Verstiirkung und ersl- mi1 maximalen Ausgangsleistungt:n his zu 120W
kla~siger Lineariiat (-30dBc /MD3). fiir zukiinftige DAB-Sender an (Digiwl Audio
Abstract: After the introduction of linear power Broadcasung). Diese Halbleitc:relemente wt:isl·n
1ransis1ors for the DAB band of 1.4 10 l.6GHz eine hohe Line:iri1a1 auf. wit: sie ja fiir dns n.:ue
several manufactu rers (MNCOM, MOTOROLA Obertragung.werfahren DAB (Viellriigeranwen-
and ERICSSON) have introduced low cost linear dung) no1wendig isl.
transistors for an mnput Power of IOOW. A PA for
the I .3GHz amateur hand delivers about lOOW Mit diesen Verstiirkaelemt:nten (der.:n z.Zt. noch
output power with 8 ...9dB of gain and good effi- etwas hohe Prt:ise hald fa llen wc:rdt:n) !assen s1ch
ciency as well as linearity (-30dBc IMD3). im Amateurfunkbere.ich hd l ,3GHz nun wirklich
lincarc SSB Vcrs1iirkcr eNellcn. die di<' hishc:r im
grolkn Umfang l">cni:itztcn "mc:ch;inischt>n" Roh-
rnnver..liirkc:r erselzen kiinnc:n.

Table l : Linear Power Transistors for DAB (l .4 ..l .6GHz)

Mo nu- Type Output IW)@ Typ. effic. Goin [dB] Voltage


foe lurer 1dB Compression In[%] VJ
MA/COM PH1516-100 110 40 9 25
Motorola MRF15090 90 36 8 26
Ericsson PTB20176 90 ?? 8 26

5 DUBUS 4/1996
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Kon rod Hupfer, DJ 1EE: 1OOW Transistor-Linear on 1.3GHz
Ziel dieses Artikels isl es, einen Leistungsverstiir- in an experimental construction. A following
kerautbau zu beschreiben, den nun wirklich jeder part 2 by Dieter Briggmann, DC6GC in issue
mil UKW-Schaltung.stechnik vertraute Amateur 1/1997 will introduce a ready made PCB, which is
auch ohne dem Kauf einer vorbereiteten Platine based on this circuit.
he11itellen kann. In eincm zweiten Teil in Heft
J/ 1997 wird Dieter Briggmann. DC6GC, eine Pia- All types of the transistors shown in table J are of
tine vorstellen, die auf dieser Schallung basiert. the push-pull variety in a GEMINI package usable
for stripline construction.
Alie Typen sind Gegentakt-Transistoren und in
einem Zwillingsgehiiuse (GEM IN I) fiir Streifen-
lt:itungsaufbauten untcrgchracht. Die notwendi-
Schaltungsbeschreibung
gen Ruhestrome fi.ir den Linearbetrieb liegen bei Abb. I zeigt Gesamtschaltung, aus der auch die
I 50mA/Transistor. Gleichstromversorgung u.a. SchaJtungseinzelhei-
len Abblockung usw. hervorgehen. Diezur Ermill-
Die Kurzdaten der verwendharen Transistoren ist lung der Netzwerke erforderlichen lmpedanzen
aus Tahellc I crsichtlich. Ren (sym. komplexer Eingangswiderstand, wirk-
sam zwischen deren Basen) und Rec (an den
Introduction beiden Kollektoren wirkender symmetrischer
The introduction of the new DAB band around komplexer Lastwiderstand) werden von den Her-
I .5Gl-lz gave rise to the availability of high power stellem speziell im DAB-Freqeuenzbereich bei
linear transistors. The major manufacture!1i I,45GHz angegeben (siehe Abb. 2).
(MA/COM. MOTOROIJ\ and ERICSSON) pro-
vide push-pull transistors with up to JIOW linear Durch "iiberlegtes" Fortsetzen der Kurven fi.ir
output p\lwcr, high gain and good linearity at mod- Res und Rec auf l,3GHz !assen sich folgende
t:raie pnces. With these transitors it's possible to grobe We rte fiirden Motorola Transistorennilleln:
devdnp linear amplifiers for I .3GHz SSB which
are ahlt: 10 make those tube amplilie11i with a 2C39 • RBB @ 1,3GHz =2,8Q + j"7,5Q (Ein-
nhsnlcte. This article describes a power amplifier gangswiderstand)

I Zin ZoL"
{MHz) CO) CO)
Ztn • lnoul lmpecance 15. ~base to

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1450
3.28 • jll.07 • 62 -12.23 base measurement.
385· Jl0.4 4.3$.j::,Ht
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c:oUtclof kl colec1or Into~ h de\l'°9
1500 4_55-..j114 •CS• )3.60 Ol)9ratts a1 age....,, OllU>Ot power, bit•
1!.50 5 4.5. J11.9 380-1378 current. votlage ano fr9Quionc:y.

1600 6.20. j12.2 3.55 • l38A

Fig. 2: Impedances of MRFl 5090

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Konrad Hupfer. DJ 1EE: lOOW Transistor-Linear on 1.3GHz

Fig. 3: Output network

Z1 Z2 C2 Z2
Rg'= o m&•$+1 //. i;ipm-=rrl
Rcc/2= l_ C1 RL'=S0/2=25 Ohm
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Z1 Z2 C2 Z2

• Rec @. J,3GHz = 3.6Q - j"0.8Q (Lastwi- Ubcrgangsymmetrisch • unsymmetrisch. Thcorc-


dcrstand) tisch kann nun diesc Anpas.~ungsaufgahe mi1 einer
Das Eingangsnetzwcrk hat also die Aufgabe. den einfachen UC-Schaltung gcliist werden. Da abt:r
symmc:trischen Eingangswiderstand Rss auf den die Ermittlung des wirklichen Lastwidcrstandes
rcdlen unsymmc:trischen AnschluBwiderstand hochs1 ung.::nau ist. emplichlt sich eine Expen-
von SQQ zu bringen. menticrsdrnltung und auch ein emsprechcnder
Aulbau, um einen moglichst groJ3en Abgle1chbe-
Entsprechend transformic:n das Ausgangsnetz· rcich zu erhalten.
werk den iibhchen unsymmctrischen Lastwider-
Die Zwangssyrnmetnsiemng am Eingang und
stand von SOQ auf den symmetrischen Arbeitswi-
Ausgang erfolgt ehl'nfalls mit aufgdiltl'tl'n '27Q-
derstand Rec des Transistor.;.
Leitungen, die zur Platzerspamis im Musterauthau
Zur Ermiulung der notwendigen Baudemente am Ende "um die Ecke" ;111g.::•1rdnct sind (Ahb. 4).
(Leitungstransformation. Parnllelkapazitiiten, Eine dient dazu jeweils als Triiger fiir den I: I
usw.) kann man die Gegentaktschaltung in 2 Hiilf- BALUN; ein SQQ Kabel. das den Oberg11ng sym-
ten aufieilen. Dies soll am Ausgangsnetzwerk gt!· 111.:trisch • unsymmetrisch schalTt.
zeigt (Abb. 3) werdcn:
Vidleicht nrn.:h ein Wt>n zurs11genann1en Zwangs-
Dieses Tcilnetzwerk bestchend aus ZI. Cl. Z2. C2. symme1risieru ng. be1rachw am Ausgangsne1z-
und Z2 bringt den reel kn Teillastwiders1and von werk:
2SQ auf R~c - 3.6Q - j*0,4Q. Zur Vereinfachung Der BALUN (Semirigid Koax S()Q mit eint:r Liin·

der Schaltung wird nun die Kollektorspcisedrossd g<' von ~ SS - 41111111 I1a1 d'1c Au fga bc. d'1e
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4
groB gegen R~c gcw~hlt (3 Wdg., 3 mm Durch- symmetrisch erst·heinende Ausgangslcistung Po
fiir einen normalen Koaxanschluf.l urnzufom1en.
messer; CuLQ.S mm Durchmesscr) und C2 ist mi1
(Ers1rnals verwendl't von Guanella 1933.
27pF fast als reiner Gleichspannungs-Trennkon-
Schweiz). Der Mantcl diescs Koaxialkabels s1ellt
dcnsawr zu hetrachten. Damit kann der EinfluJ3
nun cine immerhin w1rksame lnduktivitii1 Ue nach
dieser beiden Schaltungselemcn1e auf die Trans-
Lage der Leitung zur Massc-Ebenc:) dar. die den
formati<m vemachliissig1 werden. Dk Ausgiingc
symmctrischen Aus gang einseitig belasten wiirde.
der beiden E1nzelnetzwerke bicten zus;1mmc::n
wic::der SQQ symme1risch. Eine Symmetrieleitung Fiigt man am "Sedenanschlull" des Koaxkabels
mit dem Wellenwidcrstand von SQQ bcsorgt den nun an der symmetrischen Stelle die gldchc in-

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Konrad Hupfer. DJ 1EE. 1OOW Transistor-Linear on l.3GHz

Fig. 4: Construction of Test Circuit

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Konrad Hupfer. DJ l EE: lOOW Transistor-Linear on l 3GHz
duktive Belastungein, so ist die Symmetrie wieder
hergestellt. Diese Llingen miissen bei der Berech-
into R~c - 3,6Q - j*0,4Q. The collector feed
nung der Einzelnetzwerke mit beriicksichtigt wer- chokes have to be chosen for an impedance large
den. (Sehr einfach durchzufiihren bei Anwendung
des Mikro-Wellenprogrammes "SUPER COM- compared to -Rec -. C'> . 1· .
~ iust uncuons as a
DC-
2
PACT PC"; im SMITH-Diagramm zu Ful3 schon block. Boih output networks sum up to 50Q un-
etwas me hr Arbeit !) balanced via a subsequent Guanella balun (Bal-
Die Realisierung der angegebenen Schaltung anced-unbalanced). It is made from a quancrwave
wurde aus den Erfahrungen und Anpal3berechnun- 50Q semirigid cable. Trimmers allow for a suffi-
gen fiir iihnliche Stu fen kleinen:r Lcistung (meist cient tuning range to accommodate different tran-
im Eintalctbetrieb), abgeleitet. Grundsiitzlich sind siston;.
die Anpa13netzwerke mit Hilfo des SMITH-
Some remarks to the balun circ uit used :
Diagrammes oder noch besser durch Anwendung
moderner Syntheseprogramme wie z.B. SUPER-
The BALUN is made from a piece of quanerwave
COMPACT PC zu ermitteln. In alien Fallen miis-
sen jedoch zum Stan fiir die Dimensionierung der ~ - v2.
(4·vE _;;?,l .. 41111111) 50Q semirigid cable. This
Leitungen feste Annahmen. z.B. Z und Lgemacht
werden, da es theoretisch unendlich viele Mog- piece of coax with floating ends on one side per-
lichkeiten zur Gestaltung derTransformationswc- fonns the balanced to unbalanced transformation.
ge gibt. Man darf hier ohne weiteres freimiitig Because the sleew represents a shoning induc-
bekennen. dal3 man eben bci der gegebcnen Unsi- tance to ground this circuit is slightly unbalanced.
cherheit fiir den komplexen L'!Stwiderstand ein To achieve perfect symmetry the symmetric ports
gehorig Mal3 in die praktische Ermi ttlung der op- are terminated with e4ual length striplines and the
timalen Schaltung stecken mul3. center conductor of the: balun is terminated by an
ec.iua l lengih piece of semi rigid or wire. This prin-
ciple has been used by Guanella in 1933 for the
Description fin;t time.
You can see the circuit diagram in Fig. l. Data on
optimum load and input impedances are specified The realisation of the: circuit in Fig. I is a rcsul1
by the manufacturers downto l .4GHz(Fig. 2). For ba~ed on the experic:nc.: of the design t) f many
the MRF15090 for example the values for l.3GHz amplitiers for smaller powers or on different frc-
can be extrapolated by careful thinking: quenci.:s.
=
• Ree @ l,3GHz 2.8Q + j*7,5Q ( Input
Impedance) Praktischer Aufbau der
• Rec @ l.3GHz = 3,6Q - j"0.8Q (Lm1d Schaltung
Impedance)
Der Transis1or wird auf den vorgesehenen Kiihler
montien; direkt daran anschlief3end werden 2 dn-
The input network has to transform the symmetri- fach oder doppeli kaschien.: Eix)xyplatlt:n c:twa
cal input impedance Roe to the unbalanced gen- der Gmlk 70mm x SOmm montien (Abb. 4). Oat'
erator impedance of 50Q. oben li.:genden Kaschierung dient dabci als gc-
meinsame Grundplatteund Ma<;.<;e fiirdit: S1reifen-
In a similar way the output network has to provide
leitungen.
a symmetrical optimum load impedance Rec
from the unbalanced load of 50Q. Als Hochfrequenzverdrahiung dient hier z.B. eine
27Q Leitungt (Material Rogers RT Dun)id 5870,
The get the values for the circui t elements it's
ea~ier to explain, if you divide the symmetric
H = 0,26mm, W = 1,8111111, tr= 2,33). Fiir iihnliche
network into two unbalanced half networks Aulbauten mit aufgelliteten Strcifenleitern emp-
(Fig. 3): fiehlt sich im allgemeinen die Verwendung vorbe-
reiteter 50Q -St reifen, die mit ihrer Masseseite auf
The panial network Zl, Cl, Z2, C2 and Z2 traos- die Grundplatte (Epoxy 1.6 mm) geliitet wird
forms the half of the real load impedance of 25Q (Abb. 4). Sie kann durch Aufl6ien von Blechstrei-

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Konrad Hupfer, DJ 1EE: 1OOW Transistor-Linear on 1.3GHz

Fig. 5: Output vs. Drive Power


Output Power versus Drive Power
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I .:. .·.·.:~.: :. . ·-· ....... 1· .... ·+·· ......,....... ,................. . :. .M~Q~ P.~1.51: :.:.;:;:>
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DJ1EE 7/96
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0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Pin (W)

fen verschiedener Llingen und Breiten (Anderung abhangig von der Belastung (lout < 0,7A) die
von Zo) als Abstimmelement dienen. Spannung am Ausgang UBE konstant halt. Der
Besonderes Augenmerk ist der Stabilitiit des Ar- lnnenwiderstand ist ca. SOmQ. Die Ausgangspan-
beitspunktes zu widmen. Die Basisspannungs- nung fallt, wie gewunscht, mit steigender Gehau-
quelle muB au ch fiir die verwendete Modulations- setemperatur des HF-Transistors. Der Ausgangs -
strom und damit der Basisstrom des HF-Transi-
frequenz niederohmig (R; muB < 0,lQ sein, um
stors wirddurch Rl03aufmax.0,8A begrenzt. Der
geringe lntennodulationsprodukte bei SSB zu er-
Ruhestrom wird mit Pl eingestellt. Eine noch
halten. Es ist selbs1verstandlich, daB die UBE -
mehr ausgeklugelte Schaltung mit noch niedrige-
Spannungserzeugung (UBE ca. 0,6 - 0,8V) mit
rem lnnenwider.;tand, die mit einem ~lA723 be-
Hilfe einer "Temperaturmeldediode", montiert am
stuckt ist, findet sich in (3).
Flansch des Leistungstransistors, mit gesteuert
wird. Entsprecheode Schaltungen si nd in der Ama-
teurliteratur schon oft veroffentlicht worden. Ein Construction
einfacher Vorschlag findet sich in Abb. 1:
The transistor has to be screwed to the cooler. Two
Die Zwei-Transistor Regelschaltung benutzt die PCBs made from double cladded epoxy (Size
Basis-Emitter-Strecke von T!OO, der thermisch an 70x50mm) are mounted o n both sides. These
den HF-Transisto r gekoppelt ist, als Referenz- PCBs serve as a ground plane for the striplines,
spaonung einer Regelschaltung mit TlOl, die un- made from 0,25mm thick DUROID 5870.

Es wvrde hler elne 270hm Lelfvng verwendet, do sle eben ovs onderen Versvchen gerode
vorhonden war.

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Konrad Hupfer. DJ 1EE: lOOW Transistor-Linear on 1.3GHz

In this construction I use 27Q lines for example Fiir den Abgleich der Ausgangsseite gilt wie fiir
(Strips made from Rogers RT DUROID S870 with alle Leistungsstufen: Trim men minels der C's und
0.26mm thickness and J .8mm width). For other der "Abgleich-Bleche" auf maximal Po bei einem
applications you can prepare SOQ strips perhaps Wirkungsgrad von ca. 40%. Bei entsprechender
on a somewhat thicker substrate. Kuhlung (Llifter) kann ohm: weiteres 90W als
Dauerleistung bei voller Kollektorspannung und
The return paths for the input and output baluns is Feinnnachgleich gdahren werdr.!n (Ahb. S).
made from 27Q lines as well (Fig. 4).
Nachsatz:
A few words to the s upply for UBE : Der Autor verwendet flir alle Amateur· und La-
The bias voltage source should have an impedance boraufbauten seit 20 Jahren die "SOQ-Aul16tslrei-
fenmethode" his zu 24GHz.
of less than O.lQ and should hav..: a temperature
coefficient, which has the opposite polarity and the
same magnitude as the coefficient the RF-transis· Initial Operation
tor. Then a stable bias for the RF-transistor is Apply about 20V of supply vol tage from a current
guaranteed. A typical circuit is th..: two transistor limited, regulated powt:r supply. Adjust bias pot to
circuit of Fig. 1. UBE ofTIOO serves as the refer· a bias current l1f around 300mA. Connect exciter
ence voltage and also samples the temperature of with max !SW output via a 3dB PAD. This is for
the RF-transistor. Tl.OI is in a feedback loop with safo ty reasons.
TIOO to deliver a high output current. Increasing
temperature of the RF-transisor causes the output Insert VSWR-metcr into the input line and a power
to decrease and hence compensates the bias current meter in the output line w a SOQ dummy load.
of the RF-transistor. Pl is the bias adjust poi. Tht'
Apply incrt:asing drive power starting from about
internal impedance of the circuit is about SOmQ. lW. adjust CT2 for maximum power output and
Rl03 limits the output current to about 0.8A. A CTI for minimum input VSWR.
more soph isticated circuit based on the ~IA 723 can
be found in the MOTOROLA databook ((3)). If you achieve around SOW. switd1 10th..: higher
supply voltage of :!SY and remove 3dB PAD for
utilizing the full drive power.
lnbetriebnahme und Ab-
gleich Stan with a drivc power of SW and repeat procc·
dure above. Don't exceed a total cum.mt of 10 A .
Es isl zweckmii(\ig, zum Beginn mil einervem1in· Let COl11 down during tuning pauses. Apply a small
derten Uc£ZU arbeiten (VcEca. 20 V). Der Ruhe- axial blower to tht: heat sink.
strom isl auf etwa 300 mA einzustellen, bei ange·
schlossenem SOQ Lastwiden>tand und einem 3dB By tine tuning an output powt:r of 90... IOOW can
Diimpfungsglied zwischen Ansteu..:rquelk (I SW he achieved with an efficiency of 40% (Fig. S).
23 cm Sender) und Eingang der Stufe.

Zurn Abgleich des Eingangsnetzwerkes ist cine


References
Retlektometer dire kt am Eingang einzuschlei fen. [l] Konrad Hupfer, DJlEE, "Endstufon...". Mik·
die Ausgangslcistung mul3 natiirlich auch in irgend wwellentagung in Munchen. 1995, pp. 54ff
einer Form gcmessen werden. Der "Steuersender''
[2] Motorola, " RF Device Data". DLI JOO/REVS,
wird nun langsam aufgedreht unter Beobachtung
pp. 2· 712 ... 2-720
des Kollektorstromes. der Eingangsretlektion und
der bereits entstehenden Ausgangsleistung. [3] He~e 0 . Granberg. Application Rc:port AN-
7S8 "A Two Stage I kW Solid-State Linear Ampli-
Die variablen Cs des Eingang.~netzwerkes werden
fier" in Motorol;1, " RF Device Data", 1984-8055,
nun auf mini male Eingangsrellexion abgeglichen.
pp. 4-154 ...4-ISS
Je nach Transistortype sind auch noch die Breiten
und Uingen der aufgeloteten Blechstreifen zu iin- [4] MA/COM, "RF, Microw;we Semiconduc-
dem. tors". 199S, pp.9-160... 9-161

DUBUS 4/1996 12