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CAPÍTULO

Análisis a pequeña
señal del transistor
bipolar
- ] r-.........................................
L

8.1 INTRODUCCIÓN
Los modelos de transistores que se presentaron en el capítulo 7 se utilizan ahora para llevar a cabo
un análisis en ac a pequeña señal de las configuraciones estándar de redes de transistores. Las redes
analizadas representan la mayoría de aquellas actualmente utilizadas en la práctica. Las
modificaciones a las configuraciones estándar se examinarán con relativa facilidad una vez
que se revise y entienda el contenido de este capítulo.
Debido a que el modelo r, es sensible al punto real de operación, será el modelo primario
para el análisis que se desarrollará. Sin embargo, para cada configuración, se examina el efecto
de la impedancia de salida como es proporcionado por el parámetro hoe del modelo equivalente
híbrido. Para demostrar las similitudes que existen entre los modelos, se dedica una sección al
análisis a pequeña señal de las redes BJT que únicamente utilizan el modelo híbrido equivalente.
El análisis de este capítulo no incluye una resistencia de carga RL o la resistencia de la fuente
R,. Se reserva el efecto de ambos parámetros para un método para sistemas en el capítulo 10.
El análisis por computadora incluye una breve descripción del modelo de transistor
empleado en el paquete de programas PSpice. Este programa demuestra el rango y profundidad
de los sistemas de análisis por computadora, los cuales están disponibles en la actualidad y lo
relativamente fácil que resulta capturar una red compleja e imprimir los resultados deseados.
Se incluye un programa en BASIC para permitir una comparación entre el uso de un paquete
de programas y un lenguaje de computación.

8.2 CONFIGURACIÓN DE EMISOR COMÚN
CON POLARIZACIÓN FIJA
La primera configuración que se analizará con detenimiento es la red de polarización fija de
emisor común de la figura 8. L Se observa que la señal de entrada Vi se aplica a la base del
transistor mientras que la salida VD está en el colector. Además, la corriente de entrada Ii no es
la corriente de la base sino la corriente de la fuente. mientras que la corriente de salida lo
proviene del colector. El análisis a pequeña señal comienza por eliminar los efectos de de de
Vce y reemplazar los capacitares de acoplamiento C l y C, mediante cortos circuitos equivalentes,
lo cual origina la red de la figura 8.2.
En la figura 8.2 se observa que la tierra común de la fuente de y la terminal del emisor del
transistor permite la reubicación tanto de Rs como de Re en paralelo con las secciones de
entrada y de salida del transistor, respectivamente. Nótese además, la colocación de los
parámetros importantes de la red Zi' Zo' Ii e lo en la red que se redibujó. La sustitución del
modelo Te para la configuración de emisor común de la figura 8.2 dará por resultado la red de
la figura 8.3.

346

JL

RB
J,

-
v, o-----}t---+-<>---!
- B
e,
z,
...
Figura 8.1 Configuración de Figura 8.2 Red de la figura 8.1 después
polarización fija de emisor común. de eliminar los efectos de Vco el y e2-

-
1,

l -- h1,

+
-
Z, b e
+

figura 8.3 Sustitución del modelo
re en la red de la figura 8.2.
V,

...
/3r;
~
.¡,
fllb

...
"
Re

--
z,
V,

1-
...

El siguiente paso consiste en calcular /3, re y ro' La magnitud de f3 por lo general se obtiene
mediante una hoja de especificaciones o por medición directa utilizando un trazador de curvas
o mediante un instrumento para probar transistores. Debe determinarse el valor de re a partir de
un análisis en de del sisterna~ por su parte, la magnitud de rose obtiene por lo general mediante
la hoja de especificaciones o de las características. Suponiendo que se hayan determinado f3, r,
y ro_ se obtendrán las siguientes ecuaciones para las características importantes de dos puertos
del sistema.
Z¡: La figura 8.3 revela que

ohms (8.1 )

Para la mayor parte de las situaciones, R B es mayor que f3r, más de 10 veces (se debe
recordar a partir del análisis de los elementos en paralelo que la resistencia total de dos resistores
en paralelo siempre es menor y muy cercana a la más pequeña en caso de que una sea mucho
mayor que la otra), lo cual pennite la siguiente aproximación:

Zi ;:
'------'RB
f3r, I 2= lO/3r,
ohms (8.2)

Zo: Recuérdese que la impedancia de salida Zo se calculó cuando Vi ~ O. Para la figura
8.3, cuando Vi ~ O, li ~ lb ~ O, dando por resultado una equivalencia de circuito abierto para la
fuente de corriente. El resultado es la config~ración de la figura 8.4.

~
Si ro ;?:
I Zo Rc11ro

lORD' con frecuencia se aplica la aproximación Re \\ ro';:: Re y
ohms (8.3)
1 ...

IZ o
"R c I r,,~ !ORe
(8.4) Figura 8.4 Determinación. de Zo
para la red de la figura 8.3.

8.2 Configuración de emisor común con polarización fija 347

,
JL-
Av: Los resistores ro y Re están en paralelo,
y V, = -¡3Ih(RcII rol
V
pero lb;;;:: - ' -
¡3r,.

de manera que

y (8.5)

(8.6)

Se observa la ausencia explícita de ¡3 en las ecuaciones (8.5 y 8.6), aunque se reconoce que ¡3
debe utilizarse para determinar re'
A i : La ganancia de corriente se calcula de la siguiente manera:
Al aplicar la regla del divisor de corriente a los circuitos de entrada y de salida,
(r)(¡3lb) lo r,¡3
1, e =
ro + Re lb ro + Re
(RB)(l) lb RB
con lb = o =
RB + ¡3r, li RB + ¡3r,
El resultado es

=eO~cb~ ~ro +ro¡3Re ~ ~RB R+B¡3r,)
lo
A, =
1, 4 ¡;- =
lo ¡3RB ro
Y Ai = = (8.7)
li (ro + Re)(R B + ¡3r,)

la cual ciertamente es una expresión compleja y difícil de manejar.
Sin embargo, si ro ~ 1ORe y RB ;;::: lOj3re. lo cual sucede a menudo,

lo ¡3RBro •
A, = -
li (r)(R B)

y Ai - ¡3 (8.8)
1" > IORe R, > IOP'.

La complejidad de la ecuación (8.7) sugiere que puede desearse el retorno a una ecuación
como la ecuación (7.10) la cual emplea Ao y Z,. Esto es,

(8.9)

Relación de la fase: El signo negativo para Av en la ecuación obtenida indica que ocurre
un cambio de fase de 1800 entre las señales de entrada y de salida, como se muestra en la figura
8.5.

348 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar

J[
Vee

t Yo
Re I
Re

P-tr.
~,

O t V,
figura 8.5 Demostración del

I
cambio de fase de 1800 entre las
formas de onda de entrada y
salida.

Para la red de la figura 8.6: EJEMPLO 8.1
a) Detenninar r('>
b) Encontrar Z; (cuando re = 00 Q).
e) Calcular Z" (cuando ro = 00 Q).
d) Determinar A, (cuando ro = 00 Q).
e) Encontrar A; (cuando ro = 00 Q).
f) Repetir los incisos e a e incluyendo ro = 50 kQ en todos los cálculos y comparar los
resultados.
r----r--o 12 V

3kQ
470 Iill
~ 1,

-
1;

V; o-----} 1--+-----1
10
(
~F

-
o ~,

-
z,
10 ~F

... Figura 8.6 Ejemplo 8.1 .

Solución

a) Análisis en DC:

eeV BE
- V l2V - 0.7V
¡B = ---""---""- --c~-- = 24.04}lA
470kQ
lE = (/3+ l)lB = (101)(24.04 ¡.LA) = 2.428 mA
26 mV 26mV
r =-- = = 10.71 Q
, lE 2.428 mA
b) {3r, = (100)(10.71 Q) = 1.071 kQ
Z; = RB 11 {3r, = 470 kQ 111.071 kQ = 1.069 kQ
e) Zo = Re '" 3 kQ
3kQ
= -280.11
10.71 Q
e) Dado que RB ~ 10{3r,(470 kQ> 10.71 kQ)
A; ;: f3 = 100

8.2 Configuración de emisor común con polarización fija 349

7. e e Z. -280. Al sustituir el circuito equivalente r.= -264. e {----<o v.][ f) Zo = rJlRe = 50kQII3kQ = 2...:. --- -Zi e. R.7 Configuración de polarización mediante divisor de voltaje.071 kQ) = 94. a la frecuencía (o frecuencias) de operación.11 r. . 8. -(-264. Se observa la ausencia de RE debido al efecto de reducción de baja impedancia del capacitar de desvío. ~ .71 Q B f3R ro (100)(470 kQ)(50 kQ) _----. Re R. 10.16 .24 vs. = = 94.13 vs.... lOO Como verificación: Z.) (50 kQ + 3 kQ)(470 kQ + 1..:. la reactancia del capacitar es tan pequeña en comparación con RE que se maneja como un corto circuito para la señal a través de RE' Cuando Vcc se -- li b 11 1b e ~I h + + • - Zi Vi R. Figura 8.:~-"---.-. ~ Pr. 'o Re V. ~ R' '*' Figura 8. /JI.-_- (ro + Rc)(R8 + f3r.:. o-----} B e.. Considérese que el nombre de la configuración es un resultado de la polarización mediante divisor de voltaje en el lado de la entrada para calcular el nivel en de de VE' Vee V..83kQ vs.:.~-'---''. E RE CE Z..3 POlARIZACIÓN MEDIANTE DIVISOR DE VOLTAJE La siguiente configuracíón que se analizará es la red de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8. -li V. CE' Esto es.8. se obtendrá la red de la figura 8.-. = --.7. 3kQ ro 11 Re 2.-_-'-.=.069 kQ) A..83 kQ A~ = .. R. ~ Rc 3 kQ la cual difiere ligeramente debido sólo a la precisión que se lleva a través de los cálculos. = -A .24)( 1.. 350 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .8 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de ac de la figura 8. - .

(f31b)(R e 11 r. Además. La combinación de R¡ y R 2 está defini- da por medio de (8. Para ro.: " j (Re 11 r.15) A i : Debido a que la red de la figura 8.11 ) Zo: De la figura 8. = .14) Vi r.17) li R' + f3r e ro ~ lOR c 8.13) A.l V. la cual se nota que es una réplica exacta de la ecuación que se obtuvo para la configuración de polarización fija. excepto por el hecho que R' = R. Esto es.3.10) Zi: De la fIgura 8.7)." lOR e (8. ro(R' + f3r. Zo = RJ ro I (8.8.f3(. la ecuación para la ganancia de corriente tendrá el mismo formato que la ecuación (8.. se observa que R¡ y R2 permanecen como parte del circuito de entrada mientras que Re forma parte del circuito de salida.8.: Ya que Re y ro están en paralelo. e lb = f3r. (8.16) lo f3R'r o Ai = - 1.8. (8.= (8.8 es tan similar a la de la figura 8.3 Polarización mediante divisor de voltaje 351 . Va = .) lo f3R' y Ai = . 11 Rz = RB . (8. a O V se obtiene lb = O ilAy f3lb = O mA. como se muestra en la figura 8. de manera que V = .l Va Rellro y A. . Zi = R'II f3r.J L iguala a cero coloca una terminal de Rl y Re a potencial de tierra. cuando se hace V.12) (8.

(cuando ro = O). b) Z. 22 v 56Hl 10 ~F - V.81 V .19) Relación de la fase: El signo negativo de la ecuación (8.6RE > lOR 2 (90)(1.2 kO VE = VB ..0.11 V 352 Capítulo 8 Análisis a peqneña señal del transistor bipolar . f) Los parámetros de los incisos b a e si ro. Solnción a) De: La prueba de . VBE = 2.9. 8.:: 50 kQ Y compare los resultados.18) Como una opción. (8. (8.2 kO)(22 V) Vcc = = 2.5 kQ) > 10(8.14) revela un cambio de fase de 1800 entre V(J y Vi· EJEMPLO 8.J[ y (8.2 kQ Figura 8..2 kO) 135 kO > 82 kO satisfecha Utilizando el método aproximado. -z.2. encuéntrese: a) rlO. e) A¡ (cuando ro = = O). o---}l~-+-----1 /. e) Zo (cuando ro = = O).. d) = A.9 Ejemplo 8. 11 h01' ..81 V 56 kO+ 8.7 V = 2.2 Para la red de la figura 8.

= (56 ka) 11 (8..04 Existió una diferencia considerable en los resultados de Z()..6 kQ no está satisfecha.15 ka Z¡ = R' 11 [3r. en la mayoría de las situaciones se puede ignorar su efecto. = 1.44 Q e) La condición R' 2 10[3r. A.10 aparece la configuración más básica de las que no poseen desvío.._ _ = _ _ _ (9_0)_O_. 11 R.2 ka) = 7..8 kQ 1150 kQ = 5.:[3_R_'r.._15_k_Q_)(_5_0_kQ_)_ _ (r" + Re)(R' + [3r) (50 kQ + 6.41 roA b) R' = R.15 kQ + 1.. no se incluirá en el siguiente análisis.3 VS. Sin desvío En la figura 8.8 kQ d) A... sin embargo..98 ka vs.44Q -lE 1..44 Q La condición: r" 2 lOR e (50 kQ.o.= -368..66 kQ = 1.66 kQ) 64.4 CONFIGURACIÓN DE E-C CON POLARIZACIÓN EN EMISOR Las redes que se examinaron en esta sección incluyen un resistor en emisor que puede tener o no un desvío en el dominio de ac. 6.. 10(6. 73.. 18.44 a) = 7.::: 1ORe- 8.= . y A¡ debido a que no se satisfizo la condición ro.66 kQ f) Z...15 kQ) A¡ := . =..c.11 V lE = ~ = IAlmA RE 1. (7.. J[ V 2..8kQ Re 6. Por tanto.= .= 73. = . = -324.15 kQ + 1.3 VS.15 ka 11 (90)(18.76 18.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 353 . = .98 kQ A. y su efecto se discutirá más adelante en esta sección. = .76 r ..= 18.8 kQ Re 11 ro 5. por tanto.66 kQ) = 16. [3R' (90)(7. pero se observa la ausencia de la resistencia ro' Si se considera el efecto de ro' el análisis será mucho más complicado. 7. -368. El modelo re equivalente se sustituyó en la figura 8. Por tanto.11 dará por resultado o 8.15 ka 111. A\. = .1 S kQ 2 1O( 1. = _ _. Primero se considerará la situación sin derivación y luego se modificarán las ecuaciones obtenidas para la configuración con desvío. = 7.04 R' +[3r.35 ka e) Z" = Re = 6.5 ka 26roV 26roV r.8 kQ) = 68 kQ) No está satisfecha.11..35 ka Zo = Re 11 r" = 6.. La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alIado de la entrada de la figura 8.8 kQ)(7.

- + li b ~r I e + . lb O Y f3lb puede reemplazarse mediante un equivalente de circuito abierto. e ~ 1.21) Fagura 8.23) = Zo: Al hacer Vi cero. + (f3 + I)RE b El resultado como se aprecia en la figura 8.20) y (8.12 indica que la impedancia de entrada de un transistor con un resistor RE sin desvío está determinada por . la ecuación aproximada es la siguiente Zb .= f3r. equivalente de de la figura 8.22) Zi: Regresando a la figura 8. Zb = f3re + (f3 + I )RE Ya que f3 por lo regular es mucho mayor que 1..10. = f3 e (8.Z. R. Zb = -:. Z. Zb • t h . y la impedancia de entrada viendo hacia la red a la derecha de RB es v. = -'i. Vi Re V. lb ~ Zb y Vo = -loRe = -f3l bR e = -f3( .12 Definición de la impedancia de entrada de un Debido a que RE a menudo es mucho mayor que re' la ecuación (8. se tiene (8.11.25) Vi Zb 354 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . El resultado es (8. Z.= (fl+ ¡)lb R/ figura 8.11 Sustitución del circuito equivalente re en la red polarizac}ón de emisor común..) Re R con A.10 Configuración Figura 8.-- : pr. /5l.24) V.: f3r e + f3R E (8.. (8..21) puede reducirse aún transistor con un resistor de más a emisor sin desvío.

el teorema de Thévenin y otros. Sin embargo. las conversiones de las fuentes.26) y para la aproximación Zb.----------.29) Relación de la fase: El signo negativo de la ecuación (8. 'R e (8.25) revela una vez más un cambio de fase de 1800 entre Vo y Vi' Efecto de ro: Las ecuaciones que aparecen abajo revelarán con mayor detalle la complejidad adicional que resulta al incluir ro en el análisis. + RE) da . Cada ecuación puede derivarse mediante la aplicación cuidadosa de las leyes básicas del análisis de circuitos como las leyes de voltaje y de corriente de Kirchhoff. Se incluyeron las ecuaciones para eliminar la molesta pregunta del efecto de ro sobre los parámetros importantes de una configuración de transistores. (8.27) Obsérvese una vez más la ausencia de f3 en la ecuación para Av' A¡: La magnitud de R B a menudo es muy' cercana a Zb para permitir la aproximación lb = l¡. las ecuaciones regresan a la fonna recién derivada.30) 8. Al aplicar la regla mediante la división de corriente al circuito de entrada se obtiene e lb B R . JL La sustitución de Zb = f3(r. lo = f3 l b e de tal forma que y (8. en cada caso se observa que cuando se cumplen ciertas condiciones. La derivación de cada ecuación está más allá de las necesidades de este texto y se deja como un ejercicio para el lector.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 355 .: f3RE' (8. Z¡: (8.= ---"--- li R B + Zb además.28) o " ElJ A = -A-' .

+' .34) Vi 356 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del trausistor bipolar . (f3 + l)R E Zb :.20).~ = .= ---'---1O-:-.32) Sin embargo. la siguiente ecuación resulta excelente para la mayoría de las aplicaciones: (8._ _"'----' Cualquier nivel de r" (8. o' (8. El resultado es un factor de multiplicación para ro mayor que uno.+-r- Av = ~= o o (8. A'v' ~ r ] Re 1+-:.. si ro ..][ Debido a que el cociente Relro es siempre mucho menor que ({3 + 1).33) la cual se obtuvo con anterioridad. = 50 re 1 H 0. -+ f3 RE 100 1000 n y la cual. r" = lO Q Y RE = l kQ: 1 1 -1--"-. por supuesto es Re Por tanto. + (f3 + I)RE la cual puede compararse de manera directa con la ecuación (8. Zo = Re I L-. f3re + ---"---'---=-- l + (Re + RE)/ro Zb:' f3r. ro» re y Zo:' Rcl1ro[' + f3 r ] I + f3 e RE la cual puede escribirse como ZO:'Rcl1ro ['+ . Para {3 = lOO.31 ) Z. En otras palabras..:.02 -+..] l re f3 RE Normalmente tanto 1/f3 como r/RE son menores que uno y suman un total que por lo general es menor que uno.. Debido a que f3 + 1 == {3.? 1O(R c + RE)' se podrán obtener todas las ecuaciones derivadas con anterioridad.

. J[ La relación 1'/1'0 « 1 (3R e Re --.\) a (8.A) = 4.13 Ejemplo 8. e) Aj' 470kQ 10 ¡..F Vi e __ )1-4----1 1.99.-- 2. Por tanto. _ _ _Z.0 4.35) ' -___ V'-.. F'lgura 8.5 ¡. dando por resultado la misma red equivalente que la figura 8..89 ¡. _ _ V.3. = = = 5. Con desvío Si RE de la figura 8. pueden aplicarse las ecuaciones (8.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 357 .3. Re +- ro Para ro '" IOR e (8.56kQ 1ICE 10 ~F .¡.13. el 0.A + ({3 + I)R E 470kfi + (12\)0.34 mA 26mY y r.7Y a) De: lB = = = 35. (8. _ 20 V e) Zo' d) A. Para la red de la figura 8.+- y Av = Vo Z"h__-.ro.9).. el modelo re equivalente completo puede sustituirse.. sin CE (sin desvío)..-h--1r" 2: JURe así como se obtuvo con antes.56 kU RE h = (f3 + l)I. = (121)(46.10 está en desvío mediante un capacitor CE de emisor. Solución Vee-VBE 20Y-O.. A¡: El cálculo de A i será a la ecuación A. calcular: EJEMPLO 8.34 mA 8.3 a) re' b) Z¡.36) utilizando las ecuaciones anteriores.

Zb 67." IOR e está satisfecha. Zb == f3(r.8!l = 119.34 k!l) .28): A.5.2kíl d) A.2kíl d) ro.2k!l = 104.99!l + 560 O) = 67..5 Para la red de la figura 8.2 k!l + 0.6 k!l satisfecha Por tanto.. J[ b) La prueba de la condición ro.. 2.92 k!l = 59.85 cuando se utilizó la ecuación (8..) V.:.99!l) = 470 k!lIl718. -------_. b) RE está "en corto" debido a CE para el análisis ac.92k!l y Z.(2_.2_k:-!l.56 ill) 40 k!l 2: 10(2.14. b) Z. e) A.28 (un incremento significativo) e) A = {3R B (120)(470 ill) . Solucióu a) El análisis del dominio de es el mismo y r. 2.4 Repítase el análisis del ejemplo 8.27): Av '" -R¿R E . = _Vo f3R_c = == __ _-. = RBllzb = RBIIf3r. e) A = -A -Z. 'R c . = 5.:).93 cuando se utilizó la ecuación (8..". = 470 kOII(120)(5.70 íl e) Zo = Rc = 2. encontrar (mediante las aproximaciones adecuadas): a) re.99 Q.99!l = -367.-O_20.82 EJEMPLO 8. = RBllzb = 470 k!l1167." IO(R e + RE)' 40 k!l 2: 10(2.76 k!l) = 27. 358 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . e) Zo' d) A".92 comparado con 104.. RB + Zb 470 k!l + 7l8. Portanto. = _ Re r. Z. A. '" f3R B /(R B + Zb)' EJEMPLO 8.3 cuando CE está en su lugar.8!l == 717.89 comparado con -3.92 k!l = -3.. Por tanto.2k!l = . + RE) = l20(5. = -(-389) (59.34kíl e) Zo = Rc = 2.

9 V le = .14 Ejemplo 8. - '~ + " 2.15 se proporciona el circuito equivalente.47kO 8. e.68k!l • FIgUra 8. = RBIIZb = 9 k!l11142.8 k!l > 100 k!l satisfecha V8 = R2 V .14.2 kil + ~ 10kQ 90kíl 0.V8E = 1.:.8 k!l = 8. IOk!l (16 V) = 1.15 El circuito ac equivalente de la figura 8.68 kQ I 1.90k!l + 10k!l VE = V8 . la configuración que se obtiene es diferente a la de la figura 8. El empleo de las aproximaciones adecuadas dan Zb"" {3R E = 142.: IO(R e + RE) como de ro .324 mA RE 0.2 kO 90kíl o + - e.. V.68 kil) > 10(10 kfi) 142. IOkíl 0. -z.8 k!l Z. . eE T z.7 V = 0.-J '=' Figura 8.6 V . Ahora.64 O r.9 V VE0.11 sólo por el hecho que RB = R' = RdlR2 = 9k!l - z. = 1. Solución (210)(0.= 50 kQ 1.. ][ 16V tI.5.4 Configuración de E-C con polarización en emisor 359 . Las condiciones de prueba tanto de ro .324 mA b) En la figura 8. + R2 ce . = = 1. 2.: IOR e se satisfacen. e • I p =210J.0.68k!l 26mV 26 mV = 19...6 V R.:.

de emisor en desvío en el dominio de ac .0.RE = .---=.2 kil Re 2..12 kO Z¡ = RBllzb = 9 kOIl4. b) Zb = f3r.64 O) == 4.64 n.02)(2.24) 2.RE con RE" en desvío por CE' J -- el V.16 aparece otra variación de una configuración de polarización en emisor. Solución a) El análisis en de es el mismo y r.= -.12 kO = 2..te menor que la señal de entrada. Para el análisis en de la resistencia del emisor es RE + REo' mientras que para el análisis en ac el resistor RE en las ecuaciones anteriores es simplehIente.2kO d) A" = .2kil Re 2.47 EjEMPLO 8.16 Una configuración polarización en emisor con una porción de la resistencia .1 En la figura 8.2 kO = 12.68 kO = -3. = 19. 19. figura 8.24 Z¡ (8. o-}I---"----I -- Zi li - Z.][ e) Zo = Re = 2.2kO d) A~ = . = (210)(19.2 kO = 144..83kil e) Zo = Re = 2.17.--. debido a la caída de la base al emisor.83kO) '~RL 2.= -112.5 CONFIGURACIÓN EMISOR-SEGUIDOR Cuando se toma la salida a partir de la tenninal del emisor del transistor como se muestra en la figura 8.47kO) e) A¡ = -A~ Re = -( -3.64 kO e) A= -A~= _(_112.5 con e E en su lugar.6 Repetir el ejemplo 8. El voltaje de salida siempre es ligeramej'j. se conoce a la red como emisor~seguidor. 8. pero la aproximación 360 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .02 (un crecimiento significativo) r.

Presenta una alta impedancia en la entrada y una impedancia baja en la salida. 0--)1----+-<>--1 el' e. En la figura 8. El efecto de ro se examinará más adelante en la sección. el voltaje está en fase con la señal VI' Esto es.5 Configuración emisor-seguidor 361 . v. + \ 1 1 Figura 8. emisor~seguidor.---!!----o 'é. De hecho. e -- z.17 se obtiene la red de la figura 8. ~ f t 1..17 que tienen la salida en emisor con Vo . donde se acopla una carga con la impedancia de la fuente para obtener una máxima transferencia de potencia a través del sistema.18. -Z. En la parte final de esta sección aparecerán otras variaciones de la figura 8. Z¡: La impedancia de entrada se encuentra determinada de la misma manera que se describió en la sección anterior: (8. Figura 8. en realidad es una configuración de colector-común. B V. debido a que el colector está conectado a tierra para el análisis en ac. Sustitución del circuito equivalente re en la red ac equivalente de ac de la figura 8. Al sustituir el circuito equivalente rl! en la red de la figura 8.17. la cual es directamente opuesta a la configuración de polarización fija estándar. 1. J[ _1.::: V¡- La configuración de emisor-seguidor se utiliza con frecuencia para propósitos de aco- plamiento de impedancia.37) COn Zb = f3r. + (f3 + l)R E (838) 8.17 Configuración -:. tanto Vo corno VI mantendrán sus valores pico positivos y negativos al mismo tiempo. El efecto que se obtiene es muy similar al que se logra con un transformador.18.17 aparece la configuración emisor-seguidor más común. = Ar 1 por lo general es buena. RE E?--. + -. A diferencia del voltaje del colector. El hecho de que Vo "siga" la magnitud de Vi con una relación dentro de fase acredita la terminología emisor-seguidor.

'V RE .4l) re + RE Si ahora se construye la red definida por la ecuación (8. Vi le = (f3 + I)h = (f3 + 1)- Zb Sustituyendo por Z/) se obtiene le = ~-... .19 Definición de la impedancia de salida para la Zo -~ r .] [. se obtiene la configuración de " Vo la figura 8.--l.39) y (8.: RE Y (8. RE es mucho mayor que re' RE + r¡. :-: (8.42) z" -1.41). (8.19 para detenninar la ganancia de voltaje mediante la aplicación de la regla del divisor de voltaje: REVi v= " RE + re Vo RE Y A. Esto es.-)V-. [f3r. ..43) configuración emisor-seguidor. Por lo general RE es mucho mayor que Te' y a menudo se aplica la siguiente aproximación: Figura 8.::.19. A~. + (f3 + l )RE 1 = -:-:--:-::--~ Vi _____~ o . y v.: Se puede utilizar la figura 8.(f3_+.44) V. o (8.-i_ f3r.- (8. + +1.45) 362 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .. RE. + re Con frecuencia.. Para detenninar Zo' se hace cero V:./(f3 + 1)] + RE (f3+l)~f3 pero f3r e f3re ---~--=r y f3+1 f3 < V de manera que le == ----'-'-.40) Zo: La impedancia de salida se describe mejor al escribir la ecuación para la comente lb: Vi lb = - Zb y luego multiplicando por (/3 + 1) para establecer 1".. (8.

J[ A. z.49) Z· o' (8.. Efecto de ro: Z¡: ({3+ I)R E Z" {3r.44) y algunas discu- siones anteriores de esta sección. o 1.REllr. RB + Zh e lo = -í.46) o (8. tanto Vo como VI se encuentran en fase para la configuración emisor-seguidor.18.50) Utilizando í3 + I =' [3. (8.: De la figura 8. + -'----". + ([3 + I)R E la cual es similar a las conclusiones anteriores con (8.47) Relación de la fase: Como se indicó por medio de la ecuación (8.::: 1ORE' Z" = {3r.5 Configuración emisor-seguidor 363 . (8. I (8.=. = -({3 + l)h o -lo = -({3 + 1) lh de tal forma que R =-({3+1) B R B + Zb y debido a que ({3 + 1) "" {3...48) Si se satisface la condición ro.51 ) Cualquier r" 8.

062 mA 26mV r. detenninar: a) re' b) Z¡.20 Ejemplo 8. + RE) de tal fonna que y A.53) ' . = = 2.61 n 364 capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .42 ¡. 25 kQ Ycomparar los resultados. -'--RnE~~ (8.3 kQ Figura 8. 1) Repetir los incisos b a e cuando ro. ro =00 Q li -.7 Para la red emisor-seguidor de la figura 8. = (101)(20.42pA h=({3+ 1)/. e) Zo' d) A".-_ _ _ _ _--' ' •.062 roA = 12. EJEMPLO 8. e) A. . = ---"--- RE re + RE I (8.~I-~--I {3 = 100.][ ({3 + I)RElZb A. 3. Z.52) 1+- r" Si se satisface la condición ro ~ 1ORE Y se utiliza la aproximación {3 + 1 ={J. E {3R Av=-- Zb Pero Zb == {3(r. Solución a) lB = R B + ({3 + I)R E l2V-O. ~IOR.7.20..7V = 220 k!1 + (101)3.3 k!1 = 20.tA) = 2. 12 V f 220 ill -- 10 ~F v.

261 kfl + 333. Portanto.7 kfl A= =-'-----.15 ka VS. 10(3.56 a == r.3 kfl) = 1. 1 +--c ro 25 kfl = 1. Las ecuaciones (8.261 kfi + 294.:.3 kfl d) A.61 fl) + (101)(3.43 kfl = 295. R¡ 1\ R2• La red de la figura 8. = 3.56 O como se obtuvo anteriormente ({3 + I)R E /Z b (lOO + 1)(3. pero incluye un resistor colector Re En este caso RE se reemplaza una vez más por la combinación en paralelo de R 1 YR2 .7 kfl con Z. los resultados para Zo y Av son los mismos y únicamente Z¡ es un poco menor.21 es una variación de la red de la figura 8.17.= -(0. ({3 + I)R E = (100)(12. A = -A .22 también proporciona las características de entrada/salida de un emisor-seguidor. = V. J[ b) Zh {3r. .3 kfi)/295. aunque no se satisface la condición ro . 132.7 kfl = 126.::kfl:=- +.06 . . [1 + RE] [1 + 3.3 kfi1112.61 fl = 0.-=-3. = 3.996 ==1 (100)(220 kfi) = _ 9.-'-'-----'-::-::--- .56 kfl 3 contra Z. La red de la figura 8. = RBI!Zb = 220 kfili334. la cual utiliza una sección de entrada divisor de voltaje para establecer las condiciones de polarización.72 ka e) Z" = REllr. == = 220 kfi + 334.3 kfi RE -=:-3.61 fl = 12. porque Re no se refleja en las redes equivalentes 8.72 kfl) = -40. se tiene 25 kfl .3 kfl) = 33 kfl la cual no se satisface. Vo RE 3.996 == 1 lo cual es igual al resultado anterior. RE 3.::: 10R E.3 kfl + 12.47) se pueden cambiar con sólo reemplazar RB por R'.56 kfl == (3R E Z.56 kfl = 132.67 e) A.61 fl) + (100 + 1)3.72 kfl a la cual se llegó de la manera anterior Zo = REllre = 12. + ({3 + I)R E = = (100)(12.3 kfl f) Al verificar la condición ro 2 lOR E . Los resultados sugieren que para la mayoría de las aplicaciones se puede obtener una buena aproximación de los resultados reales sólo con el hecho de ignorar los efectos de ro para esta configuración. Por tanto.37) a (8. = RBllzh = 220 kfl11295. = RE + r.996) ( 132.".3 kfl lJ r" 25 kfl = 0.5 Configuración emisor-seguidor 365 .3 kfl = 334. La impedancia de entrada Z¡ y la impe- dancia de salida Z() no se afectan entre sí.

23 con el modelo equivalente r".22 Config'. o \) r \ 1-+~---1 -- z Figura 8.21 Configuración emisor. RE E. Sin embargo.------~--~~. (8. . ~.24 Sustitución del circuito equivalente r~ en la red equivalente de ae de la figura 8.24.6 CONFlGURACIÓN DE BASE COMÚN .f.~RL 1. B lé -- z. 8. ~:. La configuración estándar aparece en la figura '8. + e - + V. Figura 8. ~ Z.lfación seguidor con un arreglo polarización emisor-seguidor con un resis!or mediante divisor de voltaje. Z " Figura 8. vi. De hecho.54) (8. el único efecto de Re será al determinar el punto de operación Q.J[ Va 9 v.. I " t al" i R. 1" + -.La configuración de base común se caracteriza por tener uria impedancía de entrada relativamente baja y una impedancia de salida alta y además una ganancia de corriente menor a uno.23.23 Configuración de base común. de base común sustituido en la figura 8. e • ~ tI. la ganancia de voltaje puede ser considerable.55) 366 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . Figura 8.l'-- 1. colector Rc' de la base o el emisor. =Jl" I -- 1. La impedancia de salida ro del transistor no está incluida para la configuración de base común debido a que por lo general se encuentra en el rango de los megaohms y puede ignorarse puesto que se encuentra en paralelo con el resistor Re -.

3 mA b) Z¡ ~ REllr.. lO ~F 1.a".98"" -1 8.3 mA RE 1 kO 1 kO r ~ 26mV ~ 26mV ~ 200 e lE l. calcular: EjEMPLO 8. re 20 O e) A¡ = -0.6 Configuración de base común 367 . ~ 1 kOl120 O = 19. r o = 1 MQ \0.8.61 fi == re e) Zo=R e =5kfi Re 5kO d) A '" . -+- ¡--) h ~ -. V BE 2 V . Efecto de ro: Para la configuración de base común.. ~-' de tal forma que y (8.7 V 1. Relación de la fase: El hecho de que Aves un número positivo indica que tanto V(J como Vi se encuentran en fase para la configuración de base común. = .25.3 V a) lE ~ ~ ~ -... 2v Z" 8V o 1 T o Figura 8.57) con A¡ = = .25 Ejemplo 8.= 250 . Z. ro = l/h oh está por lo general en el rango de los megaohms y es más grande que la resistencia en paralelo Re como para permitir la aproximación ro 11 Re == Re Para la red de la figura 8. - 1..56) A~. 10 ~F e) A. J[ con V I. Ika a= 0.98 5Hl \0.: Al suponer que RE :::p. re se obtiene le = I¡ y lo = -ale = -al¡ 1" (8. -1 1.8 a) re' b) Z¡. ~ 1. Solución V EE . e) Zo' d) A r.0.

lo '" f3l& y Vv = -(f3l blRc = ..f3I¡}1c pero y 368 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .J[ 8.26. l' Vi Z.RF + + h + - J.27 Sustitución del circuito equivalente Te en la red ':' ':' equivalente de ac de la figura 8. No se espera que un nuevo estudiante del tema seleccione la secuencia de los pasos descritos a continuación sin hacer uno o dos pasos de manera errónea. Vi o-----J f--~-<>--I . Los efectos de una resistencia de salida roen el transistor se analizarán más adelante en esta sección. . .26 utiliza una trayectoria de retroalimentación desde el colector a la base para aumentar la estabilidad del sistema como se discutió en la sección 4. Sin embargo. la simple maniobra de conectar un resistor de la base al colector en .Br. 8 Zo e. 8 .27.7 CONFlGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN EN COLECTOR La red con retroalimentación en colector de la figura 8. . Algunos pasos que serán realizados a continuación son el resultado de la experiencia al trabajar con tales configuraciones. ¡Jlb tc~v " Figura 8.-t_J"-. Re r-'V\RFI\r-t--..Vi RF con Vv = -loRe e lo = f3lb + l' Debido a que /3Ib es mucho mayor que r.l2.~ V o e el - J. La sustitucíón del circuito equivalente y el redibujo de la red dará por resultado la configuración de la figura 8. figura 8.lugar de la base a la fuente de dc tiene un impacto significativo sobre el nivel de dificultad que se encuentra al momento de analizar la red.26 Configuración de retroalimentación en colector. J' = Vo .z.

60) V. = (8.28 Definición de Zo para la configuración de retroalimentación en colector. [ I + -Re] = lif3r.- 'li 1+f3r'[I+Rel RF r. Vo Vi t= =---= RF RF El res ultado es V = If3r .28.58) Re -+ 13 RF Zo: Si se hace Vi cero como se requiere para definir Zo' la red aparecerá como se muestra en la figura 8.. se obtiene V. r . I + f3R e RF r o Zi = " (8..27. =O ¡ Figura 8. El efecto de f3rl' se elimina y RF aparece en paralelo con Re y (8. de tal fOnTIa que z= . Iv = f3Ib + r Para los valores nOnTIales. V = -f3-Re o 13r. J[ Por tanto. A.: En el nodo e de la figura 8. = . RF 'e y z = Vi = _ _ _-'-f3::-r-'-. f3I b » r e Iv" f3Ib' VD = -IoRe = -(f3Ib )R e Sustituyendo lb = V/f3r. 8.59) v.7 Configuración con retroalimentación en colector 369 . J Re = Re pero Re es por 10 general mucho mayor que re y 1 + f3r._ _-. Vo Re y A.I [ I + -Re] f3r V 1 1 e RF 'e e 1 o Vi [ I + -f3r.

RF RFre Al reconocer que l/R F ".=. RFr. I. 370 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .--. + (lh .63) -+-+ 1 Rell ro f3r. O Y al aplicar la condición ro '" !ORe pero por lo general RelRF « 1y Zi=--:---- 1 Re -+-- f3r. Relación de la fase: El signo negativo de la ecuación (8.61 ) li RF + f3R e lo y A. + IbRF .JL A i: La aplicación de la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor del lazo exterior de la red genera Vi + VRF ~ Vo = O e Ih f3 r . l¡)R F + (.liRF + (3lbRc = O e Ib(f3r.F. = ~ = f3R F (8.. + RF + f3R c ) = IiRF e I" = -=--~{3"-R-.62) .--I. + R. y comparar con RF y f3R e A. + f3R c Ignorando f3r.60) indica un cambio de fase de 180Q entre V o y Vi' Efecto de ro: Z¡: Un análisis completo sin la aplicación de aproximaciones dará por resultado 1+ Rell ro RF Zi = (8. + RF + (3R c ) = liRF Sustituyendo lb = 1)f3 a partir de lo '" f31" da lo 13({3r. (8.Re = O Utilizando lo '" f3lh' se tiene Ih {3r.--c--- {3r.

64) Re .::: lOR e (8. (8. como se obtuvo anteriormente..Q Y comparar los resultados.. o z. + {3 RF así. mucho menor que uno. la figura 8. detenninar: EJEMPLO 8. e) Zo' d) A. Zo: Al incluir ro en paralelo con Re er.69) Re 1+- RF ' -_ _ _ _ _ _. Para la condición común de RF» Re (8. Para la red de 1a figura 8. JL r .' r.o?: ¡ORe y dado que RelRF es por lo general.7 Configuración con retroalimentación en colector 371 .29.68) Debido a que RF» re' (8.70) corno se obtuvo con anterioridad. e) A¡.28 se obtiene (8. (8.9 a) re' b) Z¡. 8. ~ (8.67) A:.651 Para r" . f) Repetir los incisos b a e cuando ro = 20 k.66) igual como se consiguió antes.

21 U 11.3 + 0. r.006 X 10.015 -+.53 ¡LA I E = «(3 + 1)IB = (201)(11.0.29 Ejemplo 8.= 11.5 U anterionnente 2: o 20 = rollRcllR F = 20 kU112.7 U vs.7 kU = 11.7 kUII180 kU = 2..013 = = 0..02 e) Zo = RcllRF = 2.21 U b) Z.21 U -240. Solución Vce . Z" Figura 8.:: IORc no está satisfecha. -- /.005 + 0.5 n 0. ~ __ Z..21 U) 2.3 + 1..32 mA 26mV 26mV r. = ---'-. = = 11. 2.7 kU) = 50 f) 2¡: La condición ro.. 2.7 kUI120 kU 1+ 180kU 1 + 1 + 2.7 V a) lB = RF + (3R e = 180 kU + (200)2. 32 mA re 11.9./=ooQ .21 U) = 560.7 kQ 180 ill ~/" ~V\II""---<f-'--lf-----o V" V.53 ¡LA) = 2. Por tanto.21 U = 50(11.7 kUII180 kU = 2.18 X 10 3 1. (200)(180 kU) e) A = (3R F . ---'---'--.64 X 10 3 = 617. 560.35 kQ VS.7 kUI120 kU (200)(11.][ 9V ? 1. -+ (3 RF 200 180 kU = 11.66 kn Re 27kU d) Al' = .21) 180kU (l80kU)(I1.38 kU 1 + 180kU 1 + 0.45 X 10.86 r.21 n 2.66 kQ anterionnente 372 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . RF + (3Rc 180 kU + (200)(2.7 kU 0. = --'-'-'':''::''''=-- I Re I 2.VBE 9V . IO~F 10 ~F f3 =200...

38 kí1) 1 + 0. lr- J I • L.C':"') (8.56 VS. 2.74) -+ f3 8..73) 1 A¡"'----. Z. Re ~_'VRVF'V-+t!. (8.30. 1.[~I RF + ~ ] (ro¡¡R~) re .6 . - - z.[5. -240.- R.7-k-:!1- = 47. o---::-¡ f---"-----I C. Figura 8._F_R-.38 k!1 1+~1R 1+ '::"":-'-.86 anteriores A:.92 X 10. 50 anteriores Para la configuración de la figura 8.7 Configuración con retroalimentación en colector 373 . 8.7 !1 = -(-209.l_. = -A" Re 617.74) determinarán las variables de interés..-If----<> v.94 vs. A.72) A' " (8.56 X 10.. 180 k!1 2 .30 Configuración de retroalimentación en colector con un resistor de emisor RE: RE Z¡ '" [-i ------=---- j + _(_R=.71) z· " (8.. las ecuaciones (8. C. - v. Las derivaciones se dejan como un ejercicio al final del capítulo.56)-Z-.38 k!1 11.E_.013 = -209...[ 1 + 180k!1 1 ] 2..)(2. A: I . z.21!1 ( ) A" = --'---r--'¡c-.71) a (8.

. t"-- I + ~'. o-:---ll - z.J[ 8.76) (8. ~ Z.75) z·o' (8. El circuito equivalente de pequeña señal aparecerá entonces como se muestra en la figura 8.. (8.I\ Re y V" = -f3I"R' 374 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . RF . - c. A la frecuencia o frecuencias de operación.32 Sustitución del circuito equivalente Te en la red equivalente de ac de la figura 8. Lu porción de RF que se cambió al lado de entrada o de salida se caiculará mediante los niveles de resistencia de ac deseados de entrada o salida. fJJ. + -- 1.8 CONRGURACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN DE DC EN COLECTOR La red de la figura 8. :::lV' te.31 tiene un resistor para retroalimentación de de con objeto de una mayor estabilidad.31 Configuración de retroalimentación de de en colector. v. v.. 1.3!. Re '" 'é.32. no obstante que el capacitor C~ cambiará porciones de la resistencia de retroalimentación a las secciones de entrada y d~ salida de la red en el dominio ac..77) A' " R' ~ r"ll RF. 1 . el capacitor asumirá un equivalente de corto circuito a tierra debido a su bajo nivel de impedancia respecto a los otrOS elementos de la red. Figura 8. v R' I I "F z" Figura 8. .

V RF..IIR c A.. = .. + f3r . + {3r. . + f3r e == RF I y A.es por lo general mucho mayor que f3re • RF. = lo = lo Jh I Ji Ih Ji R' {3 RF . ][ pero y V = -{3~ Vi R' o {3rl" de tal forma que V rJRF. li RF .) \ .78) Vi r.)(R' + Re) L-_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _--' R' == r" I'R I F 2 Debido a que RF.(r"IIR F . R/ + Re RFr + f3r(' y A = ~ = f3R F . I r" ~ JOR( Ai: Para el lado de entrada Rf/i lh = RF .80) . r.79) V.. (8." =.--= lo i3Rt:(r"IIR.8 Configuración con retroalimentación de dc en colector 375 .:::. In = o RF .82) Relación de la fase: El signo negativo en la ecuación revela un cambio claro de fase de 180' entre los voltajes de entrada y de salida. y para el lado de salida utilizando R' = ro 11 R F .l4'. . 8.R' (8. li (R F .li .. (8. + Re) de tal fonua que (8.- R' + Re 1 La ganancia de corriente A.IIRc A.. =o. R' {3lh lo = R + Re o = -::-:'R'{3 -'-. + {3r.81) o (8.

.62 mA b) {3re = (140)(9... Zo '" RclIRF . Figura 8. Z¡ = RF .=30kQ -- IOmF z. Por tanto.34.OlmF 1. =nI. ~ - 1.62mA 26mV re = 26mV = 9.. Solución Vcc .tA) = 2. Vi o----}f-<--.. . e) Probando la condición ro ~ !ORe' se encuentra 30 kQ ~ 10(3 kQ) = 30 kQ la cual. 1 . se satisface mediante el signo de igual en la condición.39 kf1 La red equivalente aparece en la figura 8. 120 kO 68 kQ .92 f1) = 1..33..10 Para la red de la figura 8.10.920 2.6 ¡. 30kíl V. e) A. 120kU f3r.VBE a) oC: lB = RF + {3R c 12 V . ..3 V = 608 kf1 = 18.33 Ejemplo 8.tA lE = ({3 +I)IB = (141)(18. O.IIf3re = 120 kf1II1.33.J[ ---------------------------------------------------- EJEMPLO 8.... lo r-"NV---r-'VV\r---+'-'-l (---<> V" lOmF -. Figura 8.0.87kO 376 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . 1. z. = 3 kf1¡¡68 kf1 = 2.6 ¡.395 k.7 V =~~~~~~--~ (120 kf1 + 68 kf1) + (140)3 kf1 11. z.34 Sustitución del circuito equivalente re en la red equivalente de ac de la figura 8. r.Q 140 lb r" 68 kU lkU V.39 kf1 '" 1.37kO + -- 1.------l /3= 140. r. determinar: a) re' 11 v b) Zi' e) Zu' Ha d) A. + -- /JI.

9 CIRCUITO EQUIVALENTE HÍBRIDO APROXIMADO El análisis de la configuración de emisor común de la figura 8. debe tenerse en cuenta que los parámetros híbridos y los componentes del modelo re están relacionados mediante las siguientes ecuaciones tal como se discutió a detalle en el capítulo 7: hle = f3r e. jhe = 13. I .87 kO =:::. RF. = 9. Configuración de polarización fija Para la configuración de polarización fija de la figura 8. utilizando el modelo equivalente híbrido aproximado para 8. J[ d) ro ~ lOR c por tanto.» [3r" se satisface.35 y de la base común de la figura 8.920 2.- 9.35 Circuito equivalente .920 '" -289. >h¡~ t h"lb •• h~ e Figura 8.=- r. cuando se presenta el problema. hfe • h ib .8 8.3 e) Debido a que la condición R F .36 mediante el empleo del circuito equivalente híbrido aproximado es muy parecido al realizado en el modelo re. y así sucesivamente.36 Circuito equivalente híbrido de base común ~--4----4---~-~h aproximado.\!R c 68 k!1113 W A\. Aunque el tiempo y las prioridades no permiten realizar un análisis detallado de todas las configuraciones tratadas hasta ahora. se especifican. A¡ '" _---'--f3__ 140 140 140 3 kO --::----= 1 + 0. 30kOl168W '" 122.14 Re 1 +--.14 1. en esta sección se incluirá un breve repaso de algunas de las más importantes para demostrar las similitudes en los métodos y en las ecuaciones que se obtienen. hfb =-a y h·¡b = re (obsérvese el apéndice A).9 Circuito equivalente híbrido aproximado 377 . hoe = llro .• l.38. Varios de los parámetros del modelo híbrido están especificados en una hoja de datos o mediante el análisis experimental. r------r----~c Figura 8. Sin embargo.37 aparecerá la red equivalente en pequeña señal en la figura 8. 1 + -----:c-c--::- r"IIR F. El análisis en de asociado con el uso del modelo re 00 es una parte integral del empleo de los parámetros híbridos. los parámetros tales como h ie . h -. En otras palabras. híbrido de emisor común aproximado.

+ 0-)1---+----1 h" hje Z" + e. V" v.38 Sustitución del circuito equivalente híbrido aproximado en la red equivalente de ac de la figura 8.(R c Illlho. = ~ = _ h¡.83) Zo: A partir de la figura 8.:.: Utilizando R' = l/h)1 Re Vo = -loR' = -lcR' = -h¡e1b R' y Ib=~ h ie con Vo = -h.37 Configuración de polarización fija.l (8.3 y el análisis del modelo Las semejanzas sugieren que el análisis será muy similar y los resultados de uno pueden 1. - Figura 8. .38. Z.-' v .eh. (8. emisor común.: A partir de la figura 8. C.85) Vi h ie (8.84) A. Z" (8. J~ Re ~ 1" ( - o 1.> hOl? V • .37.38. relacionarse directamente con el otro.. + z. + V. Ro: 1 : Re - h" h¡J.l -h 1. R' " de tal forma que A.86) 378 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . Figura 8. I z. -- 1. T. Compárense las similitudes aparentes con la figura 8.

ii:=-SO:.40. 1.. (8..:. i v.34 e) A.(2:.:.----r-.56 k!l '" Re hae h¡e(Rclll1hae) ". z. = hie 1. = 1. k:::l1::..38. • ll--+----i el . la red equivalente en pequeña señal obtenida tendrá la misma apariencia que la figura 8.. ' -:F..l1..---o 8 v e) Al'. = 120 h".38 con RB = K'.40 Configuración de polarización mediante divisor de voltaje.k.7:. ) = _ 262.::.11 a) Z¡- b) Z".87) 2Q: De la figura 8.39..'=: 20 !lA/V figura 8. ~ /" d) A¡.88) 8.39 Ejemplo 8. calcule: EJEMPLO 8.7 W = 2.175 kl1 '" h¡e = 1. = = 50kí} " hae 20 JLAN 1 2a = -IIRe = 50 kl1112.:. ~R /. z" figura 8. = 330 WII1. ha. a) Z¡ = RBllh¡. Z¡: A partir de la figura 8.::2""0)-. ~ :l.38 reemplazando a R B por R' = R ]11 R2 . JL ---------------------------------------------------- Para la red de la figura 8. o -z.:.11.(I:.171 k!l ! 1 b) r =. .171 kl1 d) A¡ '" h¡e = 120 Configuración de divisor de voltaje Para la configuración de polarización mediante divisor de voltaje de la figura 8.9 Circuito equivalente híbrido aproximado 379 .175k!2 Z" 0 - V" Solución .7kQ ~ 330 k!2 ¿_)f-I_+---_---1 ( +---11--- h¡. Z¡ = R'II h¡e (8.

93) y ~ (8.94) ~ (8. el modelo de pequeña señal será el mismo que para la figura 8. de la misma manera Con V.89) hie (8.92) Z.J[ A' " (8.41 Configuración de polarización en emisor sin desvío.95) 380 Capitulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .: (8.11..· El análisis será entonces. figura 8.41. mediante hit' y {3If¡ por ht//.90) Configuración de polarización en emisor sin derivación Para la configuración de emisor común con polarización en emisor sin derivación de la figura 8. -- z. (8.91) y (8. o • )1-------1 1. reemplazando /3r.

por tanto.97) (8.42 el modelo de pequeña señal igualará la figura 8.. ][ o -A . h f{'· Las ecuaciones obtenidas serán.96) Configuración emisor-seguidor Para el emisor-seguidor de la figura 8. v.43.¡ I l o Figura 8. e - ---. l¡: (8. lt.99) 1<' h" 1 . h¡e VV\¡ o ¡'e - + + I Z" v.. Al revisar el desarrollo de las ecuaciones en la sección 8. (8.18 con f3r" . Figura 8.5 y Z" ...98) 1. lQ: Para Z() la red de salida definida por las ecuaciones obtenidas aparecerá como se muestra en la fígura 8. '\.9 Circuito equivalente híbrido aproximado 381 .43 de la siguiente manera: 8. RE II~ h (8... h ie y f3. similares.43 Definición de Zo para la configuración de emisor-seguidor.) z. A~: Para la ganancia de voltaje se puede aplicar la regla del divisor de voltaje a la figura 8.42 Configuración de emisor-seguidor.

RE -..44 Configuración de base común..101 ) RB + Zb Z.24.. (8.J[ pero ya que I + "fe'" h1. = . = -A .45 Sustitución del circuito equivalente híbrido aproximado en la red equivalente de ac de la figura 8.. + -- J. (8.104) 382 Capitulo 8 Auálisis a pequeña señal del transistor bipolar .44.' -. - ---"-'-h-:. Vu RE A. + -J.45. Al sustituir el modelo equivalente híbrido aproximado de base común se obtiene la red de la figura 8. A partir de la figura 8. (8. RE + h¡/hft hfc R8 A.45. I 00) V. -- f.. v" z. Z. I 02) r RE Configuración de base común La última configuración que se examinará con el circuito equivalente híbrido aproximado será el amplificador de base común de la figura 8. -- z. = (8. o A.44..103) . L + V. . t Figura 8. '--1 z.8. la cual es muy similar a la figura 8. VEE T Re V cc Vo - Zo Figura 8. h i/¡· hfl.

3 kO hob ) =.5 ¡.3 il = 14.3.99 hin =: 14.10 Modelo equivalente híbrido completo 383 .0.12 a) Zi' b) Zo' e) A. hjbRe = (-0. En esta sección se utiliza el circuito equi- valente completo para mostrar el impacto de h r y para definir en términos más específicos el 8.1 a 8. determine: EJEMPLO 8.LA/V l.21 il == hib 1 b) ro =.106) 1. y e h ib de tal forma que (8. o I lr--~--~. Zo = -IIRe == Re = 3.2 kili I14.3 kQ IOV .12. Para la red de la figura 8. 3.99)(3. por tanto. cualquier dificultad real cuando se analicen !as redes restantes de las secciones previas. h". 8.105) lo A.21 =.46.10 MODELO EQUIVALENTE HÍBRIDO COMPLETO El análisis de la sección 8. -- + z. h 14. = . = (8.Z" Figura 8. = = 2 Mil hob 0. J[ con Vi 1 =. d) Ai' 1. Solución a) Zi = REllh ib = 2.9 se limitó al circuito equivalente híbrido aproximado además de alguna discusión acerca de la impedancia de salida..3 k!l) 22991 eA . ib d) Ai == hfb = -1 Las configuraciones restantes de las secciones 8.Q h"b= 0.5 ~N .8 que no se analizaron en esta sección se dejan como un ejercicio para la sección de problemas de este capítulo. Se supone que el análisis anterior revela las similitudes en el método utilizando los modelos re O el híbrido equivalente aproximado y eliminando.46 Ejemplo 8.

. + =¡tI" ~I + =.-¡ 1" - h. Z" RL V. -. para tu configuración de base común. e 384 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . se tiene lo + hoRLl.48 Sustitución del circuito equivalente híbrido completo en el sistema de dos puertos de la figura 8. I\¡ -1 I Figura 8.V" "v t h. - 1. la ganancia de corriente Al se determinará en primer lugar porque las ecuaciones que se desarrollaron para precisar los otros parámetros.J[ impacto de h{J' Es importante entender que debido a que el modelo híbrido equivalente tiene la misma apariencia para las configuraciones de base común. 1" -- 1. Se debe recordar que el apéndice A permite hacer una conversión de un conjunto de parámetros al otro si se proporciona alguno y se requiere algún otro. C>-- Transistor v" Z" RL Figura 8. de emisor común y de colector común. v.48 empleando parámetros que no especifican el tipo de configuración de que se trata. . + I\¡ -¡ - Z. se emplean para una con- figuración de emisor común h(('. En otras palabras. Aí = la/lí Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al circuito de salida 'e obtiene Sustituyendo V(J = -loRL se obtiene Al escribir la ecuación anterior. Considérese la configuración general de la figura 8. Y as(sucesivamente. hi('. + - R. + + V.47.47 con los parámetros de dos puertos de interés particular. Sólo es necesario insertar los parámetros defmidos para cada configuración. = h¡l. se utilizan hth' h¡h Yasí sucesivamente..l" l/f¡ " ~. El modelo equivalente híbrido completo se sustituye más adelante en la figura 8. + Z V. h r • h¡ Y ho' A diferencia del análisis de las secciones previas de este capítulo. las soluciones estarán en ténninos de h¡. Esto es. R.47 Sistema de dos puertos. h. se pueden aplicar a cada configuración las ecuaciones desarrolladas en esta sección. Ganancia de corriente.

hrRLA¡l¡ Al resolver la relación Vi/. 8. . = = (8.Il¡ Para el circuito de entrada Vi = h¡l¡ + hrVo Sustituyendo V. J[ 1. Ganancia de voltaje. se obtiene y sustituyendo h¡ A¡ = -:I-+-h"-.-.107) e lo = -V. La forma familiar de Z¡ = h¡ se obtendrá cuando el segundo factor sea lo suficientemente menor que el primero. se obtiene Z¡ (8.hrRLlo lo Dado que A=- I li lo = A¡l¡ de manera que la ecuación anterior se convierte en Vi = hJi .108) En este caso se obtendrá la forma familiar de Al'::: -hrRL/h¡ en caso de que el factor (h/l()- h¡hr)R L sea 10 suficientemente pequeño comparado con h i.107) l¡ Se observa que la ganancia de corriente reducirá el resultado deA i ::: hfen caso de que el factor hoRL sea suficientemente pequeño comparado con uno. se obtiene Al resolver la relación ~/Vi se obtiene (8. Impedancia de entrada./RL de arriba. . A.R=-L- V. .10 Modelo equivalente hibrido completo 385 . Z¡ = V. de manera que A.. = Vo/V¡ Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada se consigue Sustituyendo l¡ = (l + h"RJI)h¡de la ecuación (8.109) 1. = -I"R L se tiene VI = h¡l¡ .

Para el circuito de entrada..110) En este caso la impedancia de salida se reducirá a la fonna familiar de Zo = 1/h o para el transistor cuando el segundo factor del denominador es suficientemente más pequeño que el primero. +f v./1. Zo = Vo/lo La impedancia de salida de un amplificador está definida como el cociente del voltaje de salida a la comente de salida cuando la señal Vs se iguala a cero. = 20v Figura 8. Se obtendrá un circuito Thévenin equivalente para la sección de entrada de la figura 8. Q . el orden en que se calculan es arbitrario.J[ Impedancia de salida.13.6kQ. calcule los siguientes parámetros empleando el modelo equivalente híbrido completo y compare los resultados obtenidos por medio del modelo aproximado.50.13 Para lared de la figura 8.. Sin embargo.}(. (incluido Re)' 18 v >470Hl 4.49 Ejemplo 8. = I kQ (un resultado debido a que R B = 470 kQ es mucho mayor que R. EJEMPLO 8.. El circuito equivalente híbrido de emisor común completo se sustituyó y se volvió a dibujar la red como se muestra en la figura 8. está definida como la 386 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar ..50 en el equivalente de entrada de la figura 8.49.h" "" 2x 1O-4. a) Z¡ y Z. '\¡ 1Hl _ z'. 1= -h.. a menudo es una cantidad útil la impedancia de entrada y por tanto se celculará de manera inicial. Solución Ahora que están derivadas las ecuaciones básicas para cada cantidad.. v. = O. b) A.Vo I Rs + h¡ Sustituyendo esta relación en la siguiente ecuación que se obtuvo a partir del circuito de salida se tiene y (8..51 debido a que ETh" V. e) A I =1// o I yA'=nr I () I d) Zo (dentro de Re) y Z. -Z¡ -1L-______~--------~~~------~------< pA 1. = 1 kQ). En este ejemplo RL = Re e 1.7 kQ • R'~: + -- J. Y RTh" R. cuando V..

" -h{. -1 I Théwnin t:i.h.7 kn v. La impedancia de salida 20 que está definida mediante la ecuación (8..6 k!1 + (0. = 470 k!1IIZ.t0 e<:'¡\i\valente híbúdo c.7 k!1 -517 )( 103 !1 = 1.ut.!.022)4.(110)(2 X 10 4»)4.- ¡¡ Z.--( 9 Z/ :: + 1. + + V.6 k!1)(20 ¡.51 k!l contra 1.--. h " I -- z.7 k!1) = 1. I~ z" hr~ v" hQi' =50kO: ~ hIló v.52 !1 = 1.R L b) La ecuación (8.= ---. = tV.7 kD.48 y pueden aplicarse las ecuaciones derivadas anteriormente. a) La ecuación (8.6k!1 + 47!1 = -313. "v 2x 1()-4 v" llorb h"" =20pS 4.) 1 + (20 ¡.032 .--""==. 1 -.. ~ + ~ R. '" z..51 k!l V -h¡.'¡u\'lalente de ac de la figura 8.)RL -(lIO)(4.LS) .125 al utilizar A.51 es una réplica exacta de la red definida en la figura 8. = 1. -1 .51 Reemplazo de la seccióñ de entrada de la figura 8.1\\ ~l<> "'luiv"". h" + (h"h". Z L6kn =i)l" ~l -.49.t\tudón del drc.gun.)(4.7ko. 8.: + . = h" hfehreRL 1 + ho.6 kQ utilizando sólo h ic ' z.h¡..ui. 108): Ac = ---".110) es sólo para las terminales de salida del transistor. -517 X 10 3 !1 1..7 kD. S.6 kD. hibrld<> <:<>Ulpleto 387 .LS)(4.---- V.::.6 kí1 _ (110)(2 X 10..9 contra -323.109): Z....6 k!1 .S(} Sus.offi?letQ en la red e<. Z.50 mediante un circuito equivalente Thévenin. No incluye los efectos de Re Z~ simplemente es la combinación en paralelo de Zo y Re La configuración que se obtiene en la figura 8. z. 470'k12 "v 2xIQ-lV" ~ 110lb 50kQ 4. corriente Re igual que en los ejemplos anteriores de este capítulo. Iko. + [(1.. "v -1 -1 Figura 8. . .~ "v :l V.R L 4 1.0.94.RJh". - RJlkQ .h!1) 1. J[ -. .

La hoja de especifIcaciones de un transistor en particular proporciona los parámetros de emisor común. . El valor alto de Zu sólo contribuyó a la conclusión an- terior que Z() a menudo es tan alto que puede ignorarse comparado con la ca. Zo z. b) A.14.-.52 Ejemplo 8. aún A¡ se diferenció por menos del 10%.I.55 también. 110 c) La ecuación (8.. Vo z.rga aplicada. EJEMPLO 8.' el A.28.:.-- J~ -.7 kQ utilizando sólo Re A partir de los resultados anteriores se observa que las soluciones aproximadas para Al y Z¡ son muy cercanas a las calculadas con el modelo equivalente completo.)] 1 =~--------~~--------- 20 ¡J-S . d) Zo y Z~.= J" y A.. Sin embargo. 1. y Z. z.52.' = 50 kQ. De hecho.=20).55 J + 0. El siguiente ejemplo utílizará los mismos parámetros de transistor que aparecen en la figura 8...66 kfi el cual es mayor que el valor detenninado mediante l/ho.::.l..094 contra 110 mediante el simple empleo de IzV Ya que 470 kQ »Z. a) Z.7 k!11186.110): Z =~ = -~--~~-- o lo ho .. 6V l2V Figura 8.54 ¡J-S = 86. Z~ = RcllZo = 4.S lo -.h"J(h" + R..46 kfi contra 4.[(110)(2 X 10 4)/( 1.= 100.107): 1 + (20 ". I\¡ r V. calcúlese los siguientes parámetros empleando el modelo híbrido equivalente completo y compárese con los resultados obtenidos utilizando el modelo aproximado.] L. se debe considerar que cuando existe la necesidad de determinar el impacto de hrl' y de huI" debe utilizarse el modelo equivalente como se describió arriba. - 3kíl V.66 ka = 4.:. -1 e T 388 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .= 1.14 Para el amplificador de base común de la figura 8. h".= 100. t"~~ + 1. [h¡. tal como se observó en la figura 7.yA.6 ka + 1 k!1) J = ------'---- J 1.6kQ h/ r == J 10 hr l'=2x 10-:' h. Vo d) La ecuación (8..49 con una configuración pnp de base común para presentar e1 procedimiento de conversión de parámetros y enfatizar el hecho de que el modelo equivalente híbrido mantiene la misma distribución.S)(4.7 kü) 110 = _.

.53.. J[ Solución Los parámetros híbridos de base común están derivados de los parámetros de emisor común empleando las ecuaciones aproximadas del apéndice A..18 ¡. Ii 1 + hobRL -0. La red Thévenin para el circuito de entrada dará RTh = 3 kQ 111 kQ = 0.60 n contra 14.2 kn) = 14..18 I'-S)(2.b ! .55 n 110 (1.-- ¡.tS)(2.L:/b.. .52.-=.53 Equivalente a pequeña señal para la red de la figura 8.2 kn) = 14.19 n = 14.-:- ~ -1 - Zo =7)/0 Z·o o + + ]kQ V. 1 ~ 1 kll -.41 n .2 kQ Vo V. -110 hfb == = = -0.:: lo / 1. se tendrá la red equivalente de pequeña señal de la figura 8..tS) .-. = 3 Wllzi ~ Zi ~ 14.75 kQ para R.883 x 104 VI) hrb Ve "v t -0. 1. 0. 1. ú.60 n b) La ecuación (8.41 n 1 + h".883 x 10.991 = hfb Debido a que 3 ka »Zi' 1(= f¡ y A. 8. en la ecuación para Zo' R.6 kn = 14..107): A = lo = __h. ~+ h. z.0.52.2 W) = -0.4 )(2. o +1. _ = h'b '" _h:c..tS hob == = = 0. h ob =O.= -1 también...2 X 10. 1 + 110 Sustituyendo el circuito híbrido equivalente de base común de la figura 8. I\¡ i - Thévenin b b Figura 8._- 1 + (0.= 14.6 kn)(20 ¡.991 1 + hf .991)(0..18IlS ~ 2.41 n . ~ Vi = hib _ hfbh'bRL Ii 1 + hobRL (-0.. z.41 Q al utilizar Z..:. 1 + 110 ho ... 20 ¡.18 p5 1 + h(.10 Modelo equivalente híbrido completo 389 .-'--'-'-'-'-'-------'-'----'- 1 + (0.6kn -'-----.: h'b' Z.109): Z.991 le hfb 1.--_ .4 1 + 110 -h r. a) La ecuación (8.. 1 + 110 Se observa lo cercano que están las magnitudes con los valo::-es detenninados por medio de 1.:.991 = ----.

883 x 10 4)/(14.12 SOLUCIÓN DE PROBLEMAS Aunque la tenninología de solución de problemas sugiere que los procedimientos que se describirán están diseñados sólo para aislar una función mal realizada. Si la impedancia de entrada de una configuración de base común se encuentra en el rango de Jos kilohms.1. Por otro lado. Debe quedar absolutamente claro que los valores que se listan son sólo valores típicos con objeto de establecer una base de comparación. verificar o aislar requieren de un entendimiento de 10 que debe esperarse en varios lugares de la red tanto en los dominios de 390 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar .110): Zo = h -[h h /(h R )] ob fbrb ¡b+ s 0. los niveles que se adquieren en un análisis real son diferentes y seguramente no son iguales entre una configuración y otra.18 ¡J. existe un buen motivo para volver a verificar el análisis.2 kO) ~ ""1-:-4. La función de cada componente de un diseño se hará cada vez más familiar cuando los hechos generales tales como los anteriores se conviertan en parte de la experiencia personal.0:::--)(0c-. Una ventaja obvia de recordar las propiedades generales como las anteriores consiste en la capacidad de verificar los resultados de un análisis matemático.tS = 3. esto permitirá realizar el estudio de una red o sistema sin involucrarse en la parte matemática. Poder repetir la mayoría de la información en la tabla constituye un importante primer paso para familiarizarse con la materia tratada. En cualquier caso. baja impedancia de salida y una ganancia de voltaje ligeramente menor a uno.4c-I. Para el futuro. se pueden resumir sus características generales en la tabla 8.75 kO)] 0. Por lo general.[(-0.11 TABLA RESUMEN Una vez expuestas las configuraciones más comunes de los amplificadores de pequeña señal a transistor. No debe existir una gran variedad de cálculos para recordar los hechos sobresalientes como los anteriores.39 MO = 2.::C8:-83=--X--=¡::C0::-4<:-)]:-:2--:.39 Mil contra 5.-=-'¡S:-¡.2 kn113.56 MQ utilizando Z(/ == l/hobo Para Z: como se definió mediante la figura 8. lOS): -( -0.199 kil contra 2.25 d) La ecuación (8. 8. un resultado de 22 Q sugiere que el análisis puede estar correcto. es importante observar que pueden aplicarse las mismas técnicas para asegurar que un sistema está operando de manera apropiada.991 )(2.9:-9=-'1-:-)(::CO.2--:k~0 ~ 149. == Re 8. los procedimientos para probar.-:-4-1-=0-+--""-[(:-:-14c-.991)(0.410 + 0.J[ e) La ecuación (S. el lector debe ser capaz de establecer con cierta seguridad que la configuración emisor-seguidor casi siempre tiene una impedancia de entrada alta.53: Z~ = Rcllzo ~ 2.2 kQ utilizando Z.S .t-"S=-)----'-'-(--0::-. Por ejemplo.295 ¡.

A \ Polarización fJja: Medio (1 kQ) Medio (2kQ) Alto (-200) Alto (lOO) \ \l cc RB Re ~ hll~" I I ~ Re ll . + /3"...IIR.... 11 R.II~".... 'J Emisor-seguidor Alto (lOO kQ) Bajo (20 Q) Bajo (=. + /3. - (J(R.¡. J[ -------------------------------------------------------------- TABLA 8.1) Alto (-50) \/ec Re ) ~I RBllzb I ~~ ~ G@ RE . [E] ~~ " (r" + Rc1(R¡¡ + f3r. (r..::: \O Re) RH"2 IO/3r) Polarización m\!."210R e ) PolarizaCIón de emisor Sin RBr-Evee Alto (100 kQ) Medio (2 kQ) Bajo (-5) I Alto (50) I ~ RBllz I ~ ~ 1. I ~ 1_ R.: + (RE» r) (RE» 10 r.-1 11 I ~ ¡3R B r" f-o ..)'" " ('.. /3(r.. - [iB . f-o ~I R. \/cc Medio (1 kQ) Medio (2 kQ) A\to (-200) Alto (50) diante divisor Re .. =.12 Solución de problemas 391 .Br.. + Re)(R.. 11 R.+REl (cualquier )" nivel de rol =IRe ll /3RE I - R¡. + RE) =\3] Ro + Zb f-o = IR B II/3R E I (R lc » r) =[0 RE + (RE » r) Base común Bajo (20 Q) Medio (2 k.) .) R.::: ¡ORe) =t=J " RF + f3Re /3 (r" ~ tOR e ) RE (r" ~ ¡ORe RF »Re) =[E I 8. (ro. base común y colector común... t'" ~~ R.. '. 11 R. I I = Re ll " I = 1_ Re ll . RE nCE (ro "2 lORe ) ~[}] .2: 10 Re) ~[}] ~0 (r" 2: 1ORe V.) ~ ~ =[iJ " I Retroalimentación Medio (1 kQ) Medio (2kQ) Alto (-200) Alto (50) en colector V ec RF Re .l . Z¡...r.. de voltaje· R.¡.::: 10 Re) . 1 ~ {J(R....1 Niveles relativos para los parámetros importantes de los amplificadores de emisor común... " =hIIRF\ = /3RF ~ 1 Re -+-. Z¡) == f3(r..:eRc-1 ~ derivación: b ~ \ I rn RlJ + ZI. (r.. Configuración Z.l (r. (R¡¡"2lO. 11 R.Q) Alto (200) I Bajo (-1) =8] °1 o ¡ RE Vu U1 • i~ee Io ~ (RE ~ =GJ » r. Zo A.

Los canales verticales están en el modo ac para eliminar cualquier componente de dc asociado con el voltaje en un punto en particular. Desde luego. Si se desea.. puede haber más de un área con problema en el mismo sistema. En la mayoría de los casos. no hay nada misterioso acerca del proceso general de solución de problemas.54.J[ dc como ac. El hecho que 'l/o se mida en volts y vi en milivolts sugiere una ganancia grande del amplificador.VCE Y V E con objeto de revisar si caen en el rango esperado. Figura 8. Sin embargo. Si la respuesta para la red de la figura 8. definiendo entonces la región que debe investigarse más a detalle. la red tiene un problema y probablemente se trata del área del emisor. No es necesario decir que una respuesta pobre en ac puede deberse a una variedad de motivos. No existe una respuesta en ac en la terminal del emisor debido a las características de corto circuito del capacitar en la frecuencia establecida.. No se espera respuesta a través del 392 Capítulo 8 Análisis a pequeña señal del transistor bipolar . una red que pro- porciona la respuesta de ac esperada está polarizada como se planeó.54 Utilización del osciloscopio para medir y observar varios voltajes de un amplificador BJT. con lo cual se obtienen los patrones que aparecen en la figura 8. Conexión a tierra . En general. !---U(-~' '\ o C.. En una instalación de laboratorio se aplican tanto las fuentes de como ac y se verifica la respuesta de ac en varios puntos de la red mediante un osciloscopio como se muestra en la figura 8. Además. una red que se encuentra operando correctamente en el modo dc también se comportará adecuadamente en el dominio ac. Se observa la diferencia en las escalas verticales para los dos voltajes. vcc C. v. puede utilizarse el multímetro en el modo dc para verificar VBE y los niveles de Va. La pequeña señal de ac aplicada a la base se amplifica al nivel que aparece del colector a la tierra.54 es como aparece en la figure 8. ~(mv~ O~t (Selector AC-GND-DC en AC) . afortunadamente con el tiempo y la experiencia puede predecirse la probabilidad de problemas en algunas áreas. aparece que la red se encuentra operando de forma adecuada. La forma de la onda que se obtiene en el osciloscopio ayudará con toda seguridad 1" definición de los posibles problemas con el sistema. De hecho. Por lo general.55. Si se decide seguir la respuesta en ac. resulta ser un buen procedimiento el comenzar con la señal aplicada y avanzar a través del sistema hacia la verificación de cargas en los puntos críticos a lo largo de la trayectoria.54. Se observa que la punta negra (tierra) del osciloscopio está conectada directamente a tierra y la punta roja se mueve de un punto a otro dentro de la red. de modo que una persona experimentada puede aislar las áreas problemáticas con cierta rapidez.. ei osciloscopio también puede utilizarse para comparar los niveles de de tan sólo con cambiar al modo de dc para cada canal. Una respuesta inesperada en algún punto supone que la red se encuentra bien hasta dicha área.

la lista de PSpice es lo suficientemente extensa para la mayoría de las investigaciones. En este caso una verificación de los niveles de de probablemente no aislarán el área del problema debido a que el capacitor tiene un equivalente de "circuito abierto" para de. 8. mientras que PSpice está limitado a una lista específica de cantidades de salida. PSpice (versión para DOS) La lista de los parámetros que pueden especificarse para el modelo PSpice es tan extensa (40 en total) que se limitará la atención a aquellos parámetros requeridos para llevar a cabo el tipo 8. Figura 8. La respuesta que se obtiene sugiere que REno está en desvío por el capacitor y las conexiones tennínales del capacitor y el mismo capacitor deben ser verificados. En realidad la dirección general de un programa en BASIC utilizaría la misma secuencia de pasos que se necesitan para analizar la red de manera manual (con la ayuda de una calculadora). En general. I( + i 0:-0 V! V. PSpice (versión para DOS y Windows) está bien equipado para analizar las redes de transistores y utiliza un modelo Gummel-Poon mejorado. emisor y la ganancia del sistema que está definida mediante vI) es mucho menor. La utilización de un lenguaje como el BASIC requiere que las diversas ecuaciones que se desarrollaron en el libro se apliquen en un orden específico para obtener las incógnitas deseadas. El análisis primero se describirá utilizando PSpice seguido después por el lenguaje BASre.13 Análisis por computadora 393 . '\. en general. J[ c. el empleo de BASIC ofrece al usuario la oportunidad de definir el objetivo y el tipo de salida para un análisis. la experiencia.13 ANÁLISIS POR COMPUTADORA El análisis a una pequeña señal de un amplificador a BJT puede llevarse a cabo utilizando un paquete de programas tal como PSpice o mediante un lenguaje como el BASIC. Ambos serán necesarios en el análisis de la misma configuración de polarización mediante un divisor de voltaje para permitir una comparación de los métodos. son los factores que contribuyen al desarrollo de un método efectivo en el arte de la solución de problemas.55 • Formas de onda obten!das a partir de un problema en el área del emisor. Desde luego. un conocimiento previo sobre qué esperar. Se recuerda que para esta configuración la ganancia es mucho mayor en caso de que RE se desvíe.. Sin embargo. lo más importante. una familiaridad con la instrumentación y. mismo que se describe con detalle en los manuales de PSpice.