Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la

electricidad solo en un sentido.

La flecha del símbolo del diodo muestra la dirección en la cual puede fluir la
corriente. Los diodos son la versión eléctrica de la válvula
o tubo de vacío y al principio los diodos fueron llamados realmente
válvulas.

En la actualidad la conversión de potencia de corriente alterna en corriente

continua principalmente se realiza por medio de diodos construidos con
semiconductores de silicio, que se caracterizan por ser dispositivos
unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conducción.
Características
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción,
deben ser capaces de soportar una alta intensidad (corriente), con una
pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar
una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los
diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones:
•Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido
contrario al de conducción.
•El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.

Vγ: tensión de codo

VBD: tensión de ruptura
Para manejar las altas intensidades y tensiones que requiere la rectificación de
potencia, es habitual que deba recurrirse a la refrigeración forzada de los
diodos y que se dispongan numerosas ramas en paralelo, conteniendo cada
una varios elementos rectificadores conectados en serie.
Generalmente, a los efectos de mantener la continuidad del servicio, se debe
sobredimensionar la instalación, de manera que ante la falla de 1, 2 y a veces
más elementos, el rectificador averiado se separe del circuito y el equipo
conversor prosiga con su operación hasta que el personal de mantenimiento
reponga los elementos averiados.
También debe considerarse que los semiconductores presentan una dispersión
de sus características internas, que originan conmutaciones no simultáneas y
una distribución despareja de las tensiones y corrientes aplicadas sobre los
distintos elementos.
1) Características estáticas
 Parámetros en conducción
La conducción de corriente en sentido directo determina la mayor parte
de las pérdidas de potencia en el diodo, que asimismo contribuyen a su
calentamiento. Por lo tanto, esta característica resulta fundamental para
la mayoría de los regímenes de máxima corriente, que también
dependen de la temperatura.
Además, en los diodos de silicio normalmente se produce una caída de
tensión en la barrera de la juntura que oscila entre los 0,6 y los 0,8 V
dependiendo de la temperatura y de la concentración de impurezas en la
unión.
 Parámetros en bloqueo: Cuando se aplica una tensión inversa
"moderada" a un rectificador de silicio, a través del mismo fluye una
pequeña corriente de fuga. A medida que la tensión inversa se va
incrementando la corriente de fuga crece lentamente, hasta que en
determinado valor se produce un aumento muy brusco de la corriente de
fuga, que en los diodos de potencia da lugar a un embalamiento térmico
que puede destruir al semiconductor. A esta tensión se la llama tensión
de ruptura, de avalancha o de Zener.
 Modelos estáticos del diodo: Los distintos modelos del diodo son:
Modelo ideal: resistencia cero en el sentido directo e infinita en el sentido
inverso (diodo ideal).
Modelo ideal con fuente de tensión: diodo ideal en serie con una fuente
de tensión de valor igual a la tensión de barrera de la unión o juntura.
Modelo ideal con fuente de tensión y resistencia: diodo ideal en serie
con una fuente de tensión de valor igual a la tensión de barrera y con
una resistencia igual a la del diodo en conducción.
Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos
escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que
necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para cálculos simples, reservando
modelos más complejos para programas de simulación como PSPICE y
similares. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e
incluso pueden venir ya en las librerías del programa.
2) Características dinámicas:
 Tiempo de recuperación inverso
El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se
efectúa instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una
intensidad IF, la zona central de la unión P-N está saturada de
portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de éstos cuanto
mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos
la anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que
después del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el
diodo conduzca en sentido contrario durante un instante, dando lugar a
una pequeña corriente inversa de recuperación. La tensión inversa entre
ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo ta llamado
tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a
escasear y aparece en la unión la zona de carga espacial. La intensidad
todavía tarda un tiempo tb (llamado tiempo de caída) en pasar de un
 valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van
desapareciendo el exceso de portadores.
Entonces:
 Tiempo de almacenamiento (ta): es el tiempo que transcurre desde el
paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
 Tiempo de caída (tb): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la
capacidad de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele
medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de
éste.
 Tiempo de recuperación inverso (trr): es la suma de ta y tb.
La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".
 Influencia del trr en la conmutación
Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable:
Se limita la frecuencia de funcionamiento, pues a altas frecuencias
disminuye abruptamente el rendimiento de la rectificación.
Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación
inversa, que puede llegar a producir sobrecalentamiento y destrucción
del diodo.
Para altas frecuencias, por lo tanto, debemos usar diodos de
recuperación rápida.
 Tiempo de recuperación directo
El tiempo de recuperación directo (tfr): es el tiempo que transcurre entre
el instante en que la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante
en que dicha tensión se estabiliza en el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no
suele producir pérdidas de potencia apreciables.
3) Potencias
 Potencia máxima disipable (Pmáx)
Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no
debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el
funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo.
 Potencia media disipada (PAV)
Es la disipación de potencia resultante cuando el dispositivo se
encuentra en estado de conducción, si se desprecia la potencia disipada
debida a la corriente de fugas.
Generalmente el fabricante incluye tablas en las hojas de características,
que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad
conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante son las curvas que relacionan la
potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el
factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad
media).
 Potencia inversa de pico repetitivo (PRRM)
Es la máxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de
bloqueo.
 Potencia inversa de pico no repetitivo (PRSM)
Similar a la anterior, pero dada para un pulso único.
4) Características térmicas
 Temperatura de la unión (Tjmáx)
 Es el límite superior de temperatura que nunca debemos hacer
sobrepasar a la unión o juntura del dispositivo si queremos evitar su
inmediata destrucción.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la
"operating temperature range" (margen de temperatura de
funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para
funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos
valores, uno mínimo y otro máximo.
 Temperatura de almacenamiento (Tstg)
Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le
aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores
para esta temperatura.
 Resistencia térmica unión-contenedor (Rthjc)
Es la resistencia entre la unión del semiconductor y el encapsulado del
dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante, se puede calcular
mediante la fórmula:
Rthjc = (Tjmáx - Tc) / Pmáx
Donde Tc es la temperatura del contenedor y Pmáx la potencia máxima
disipable.
 Resistencia térmica contenedor-disipador (Rthcd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el
disipador (aleta refrigerante). Se supone que la propagación se efectúa
directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc).
5) Características mecánicas
Las mismas comprenden diversas instrucciones particulares de
instalación, entre las que por ejemplo, se puede citar la cupla de montaje
de las tuercas de fijación.
6) Protección contra sobre intensidades
La causa principal de sobre intensidad es, naturalmente, la presencia de
un cortocircuito en la carga, debido a diversas causas.
Sin embargo, también pueden aparecer picos de corriente en el caso de
arranque de motores, conexión de capacitores, utilización en régimen de
soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una considerable elevación de temperatura
en la unión, que si no es capaz de evacuar el calor generado, pasa de forma
casi instantánea al estado de cortocircuito (avalancha térmica).
Por ello los diodos presentan un límite de la sobrecarga que pueden soportar,
expresado como un valor I²t que pueden admitir, expresado habitualmente para
una duración de 10 mseg.
Los dispositivos de protección que aseguran una eficacia elevada o total son
pocos y por eso los más empleados actualmente siguen siendo los fusibles.
Habitualmente la protección se realiza por medio de un fusible del tipo
"ultrarrápido" que se monta directamente en serie con cada elemento
rectificador para proveer un seccionamiento selectivo y garantizar la
continuidad del servicio citada anteriormente.
Los fusibles, como su nombre indica, actúan por la fusión del metal de que
están compuestos y tienen sus características indicadas en función de la
potencia que pueden manejar; por esto el fusible no sólo se especifica por su
valor eficaz de corriente, sino también con su I²t y su tensión.
El parámetro I²t de un fusible depende de la característica de fusión del
cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en
Amper.
Debemos escoger un fusible de valor I²t inferior al del diodo, ya que así será el
fusible el que se destruya y no el diodo. Es necesario que exista una
coordinación total entre la característica de corte del fusible y la característica
límite del rectificador, considerando la dispersión de esta última.
Estos fusibles deben operar en tiempos muy inferiores a los de los fusibles de
uso normal, de manera de la corriente de cortocircuito se interrumpa en su fase
inicial para no sobrepasar la limitada carga térmica que el semiconductor
soporta.
Finalmente los fusibles ultrarrápidos Sica para protección de semiconductores
se fabrican siguiendo la curva aR de la norma IEC 269, para 500 V y con un
poder de interrupción de 50 kA, abarcando una gama de intensidades
nominales comprendidas entre 2 y 60 A y además toleran una sobrecarga sin
fundirse del 5 % sobre su intensidad nominal.

Hoja de datos:
Descripción externa y enfatizada de las características más interesantes del
elemento. Ambas se efectúan de una forma general y sin incorporar medidas o
parámetros específicos. Adicionalmente puede darse el patillaje del elemento.

Valores límites: se corresponden con las características del elemento.

Normalmente el fabricante agrupará las características por grupos (térmicas,
dinámicas, estáticas, etc...), indicando en todo momento las condiciones en que
se han realizado las medidas para obtener los valores dados. Los valores se
suelen dar indicando los extremos máximos y mínimos admisibles, también
puede darse el valor típico o medio en algunos fabricantes.
A continuación se presentarán las curvas características más apropiadas al tipo
de diodo que tratemos. Normalmente habrá una serie de curvas que
aparecerán en todas las hojas sea cual sea el tipo de diodo y otras que sólo las
dará el fabricante si son necesarias para poder trabajar con el elemento.
También es posible que se adjunte la definición de algún parámetro para
comprender mejor los datos proporcionados.

Adicionalmente el fabricante puede proporcionar los circuitos empleados para

efectuar las medidas de una o todas las características, además de la
explicación de algún parámetro importante.
Finalmente se añaden las características mecánicas del elemento, que
proporcionan las medidas del mismo para su correcta situación y montaje.

Hay que resaltar el hecho de que cada fabricante puede alterar según su
conveniencia el orden de la estructura dada, anular alguna parte, o añadir
información adicional (como tablas de conversión, referencia rápida de la
familia, etc.).
A continuación vamos a mostrar hojas de características reales tomadas
directamente de las páginas web de los fabricantes. Para este caso, diodos de
potencia, se han empleado en su mayoría las de
Philips Semiconductors, ya que son las más completas y por tanto las más
adecuadas para iniciar nuestro estudio.