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AMPLIFICADOR BÁSICO A TRANSISTOR

OBJETIVOS

 Construir y operar un circuito amplificador básico a transistor mediante
un simulador (software).
 Reconocer los tipos de transistores, aplicaciones, así como determinar
su punto de operación y componentes.
 Fortalecer el conocimiento, utilidad y función del transistor, su trabajo en
DC y AC

FUNDAMENTO TEORICO

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para
entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada.
Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.1
El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer
resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra
prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos
integrados.

El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas
con materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos
uniones bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los

condensadores e inductores que son elementos pasivos. Potencia Máxima. a diferencia de los resistores. De manera simplificada. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor. JFET. la corriente que circula por el colector es función amplificada de la que se inyecta en el emisor. pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo. tensión Colector Emisor. el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. se denomina Beta del transistor. modula el paso de dichos portadores (base). Modelos posteriores al transistor descrito. por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente. Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala disponible hoy en día. de Colector Base. CMOS. VMOS. para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados. El factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base. y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra estrangulado. colector común y base común. disipación de calor. de manera análoga al funcionamiento del triodo. si desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector. MOSFET. corriente de Emisor. sino la tensión presente en el terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. de Base Emisor. que está intercalada entre las dos primeras. De este modo.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para modular la corriente de emisor o colector. según el tipo de circuito que se utilice. etc. el transistor bipolar (transistores FET. tensión Base Emisor. etc. Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común. A diferencia de las válvulas. la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la tensión presente entre la compuerta y la fuente. recibe o recolecta y la tercera. es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas. . frecuencia de trabajo. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo.

dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. cuyas cualidades son intermedias entre las de un conductor eléctrico y las de un aislante. dando lugar a dos uniones PN. N-P-N o P- N-P. Transistor de unión bipolar El transistor de unión bipolar (o BJT. por sus siglas del inglés bipolar junction transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el germanio. el silicio o el arseniuro de galio. inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. poco conocidos en su día. Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen contaminando el sustrato con átomos de elementos donantes de electrones. mientras que las zonas P (donde se generan . de ahí el nombre de transfer resistor. como el arsénico o el fósforo. En la actualidad ha desaparecido. sobre la que se apoyan. muy juntas. Consta de una base de germanio. semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. Se basa en efectos de superficie. Sin embargo convivió con el transistor de unión debido a su mayor ancho de banda.Transistor de contacto puntual Llamado también "transistor de punta de contacto". Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas. fue el primer transistor capaz de obtener ganancia. frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano). La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector.

Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí. solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:  Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común). Un fototransistor es. en esencia. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación). tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. como el indio. se producirá una puerta.portadores de carga Positiva o «huecos») se logran contaminando con átomos aceptadores de electrones. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. el aluminio o el galio. fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. . a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento. Transistor de efecto de campo El transistor de efecto de campo de unión (JFET). cesa la conducción en el canal. estableceremos una corriente. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor. Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible. lo mismo que un transistor normal.  Como fototransistor. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico.

Circuito 1 Realizando el segundo circuito con ayuda del Proteus v8. Medimos con el voltímetro la tensión en las resistencias.31V  IB = 8.55V  R1 = 1KΩ  R2 = 1MΩ  VR1 = 2.SIMULACIÓN DE LOS CIRCUITOS A TRABAJAR ANALISIS EN DC – PUNTO DE OPERACIÓN Realizando el primer circuito con ayuda del Proteus v8.5.65V  Vbe = 0.72mA  IE =1.59 uA  hFE = 261 Figura 2. Circuito 2 .69V  IC =1.17V  VR2 = 8. VALORES TEÓRICOS:  Vcc = 9V  Vce = 4. VALORES TEÓRICOS:  Vcc = 9V  Vce = 4.39 uA  IC = 2.73mA  IB = 6.5.17 mA  hFE = 259 Figura 1.