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PRÁCTICA 7: CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BJT

OBJETIVOS:
1. Identificar los terminales de un transistor BJT (Transistor de unión bipolar)
tipo NPN o PNP, por medio del manual de reemplazo y de la prueba
estática.
2. Identificar las tres regiones de trabajo de un transistor.

EQUIPO Y MATERIALES: 1 Transistores PNP


1 Transistor NTE123 AP (NPN)
2 Fuente DC
1 Multímetro
1 Miliamperímetro
1 Micro amperímetro
1 Manual NTE.
1 Breadboard
1 Potenciómetro de 10KΩ
1 Motor DC de 6V.
1 Transistor NTE 152.

INTRODUCCION:
El transistor BJT (bipolar junction transistor) es un dispositivo semiconductor de
tres capas o secciones, fabricado con dos capas de un mismo material a los
extremos y una tercera capa de un material diferente, al centro.
Para el caso de un transistor NPN el centro es de material tipo P, el cual
corresponde a la base, y los extremos son de material tipo N, siendo estos el
emisor y el colector. Así como también existe el transistor PNP, que sería el caso
contrario de las posiciones de los materiales del transistor NPN.
Todos los transistores y otros dispositivos semiconductores exigen el
abastecimiento de un determinado tipo de polarización. La unión colector base del
transistor, debe ser polarizada en dirección inversa, o sea que entre el colector y la
base no debe fluir corriente. La corriente que pueda existir a través de la unión
colector base, será en sí corriente fuga, o ruptura de la unión. La posibilidad de
ruptura de las uniones se descarta en el armado correcto del circuito.
Las fugas son en sí efectos no deseados (pero casi siempre existen) y es
necesario tomarlas en cuenta en el proceso de proyectos de circuitos. La unión
base emisor del transistor debe ser polarizada en directa. Al tener polarizada de
esta forma cada unión (EB: directa, BC: inversa) nos asegura que el transistor se
encuentra trabajando en la región activa o lineal.

PROCEDIMIENTO:
PARTE I
1. IDENTIFICACION DEL TIPO DE TRANSISTOR Y SUS TERMINALES

Se puede considerar un transistor, como 2 diodos conectados de la siguiente


forma:

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TRANSISTOR NPN TRANSISTOR PNP

FIGURA 1
(PRUEBA ESTATICA)
a) IDENTIFICACION DE LA BASE DEL TRANSISTOR POR MEDIO DEL
OHMETRO
Coloque el selector del óhmetro en el rango de x100, luego se ubica una
de las puntas del óhmetro en cualquier terminal del BJT y con la otra punta se
tocan, separadamente, las dos terminales restantes, si obtenemos lecturas
iguales o muy parecidas, la primer terminal escogida es la base. de lo contrario
se deberá cambiar la punta a otra terminal y repetir el procedimiento anterior
hasta obtener lecturas similares, en ese momento habrá identificado la base
del BJT.

b) TRANSISTOR NPN O PNP


La polaridad del óhmetro le permitirá identificar el tipo de BJT. de modo que si
la punta que ha quedado en la base es la positiva, ese transistor es del tipo
NPN, lo que implica que la base es de material tipo P, de lo contrario, si es la
punta negativa del óhmetro es un transistor tipo PNP ( la base es de material
tipo N).

c) IDENTIFICACIÓN DE LOS TERMINALES : COLECTOR Y EMISOR


Una vez identificada la base, se revisa la medición entre ésta y las dos
terminales restantes, teniendo presente que el valor óhmico de base-emisor
siempre será mayor que el valor óhmico de base-colector. Se requiere de una
medición muy precisa, ya que la diferencia de resistencias entre base-emisor y
base-colector es pequeña.
Para los transistores dados, complete la tabla No. 1
En la columna rotulada TERMINALES, colocar la polaridad de cada pin,
determinando, el tipo de transistor, luego con la polaridad del óhmetro adecuada
en la base (positiva en la base P y negativa en la base N) mida la resistencia entre
la base y el emisor, la base y el colector y la resistencia entre el colector y el
emisor.

2. Invierta la polaridad (cambiando la punta del óhmetro) y repita las mediciones


anteriores. Con los datos obtenidos, llene la parte correspondiente de la tabla.

3. En la columna ENCAPSULADO indique el tipo de encapsulado del transistor.

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UNIO
UNION N BASE TERMINALES
BASE EMISOR COLECTOR COLECTOR - EMISOR ESTADO
TRANSISTOR
POLARIZACION POLARIZACION POLARIZACION
CODIGO TIPO
DIRECTA INVERSA DIRECTA INVERSA DIRECTA INVERSA

TABLA No. 1
4. Buscar en el manual de reemplazo la descripción del transistor NTE 123 AP
Llenar los siguientes datos:

ICmax: __________ BVcbo: ___________ BVceo: _______

BVebo: ____________ PDmax: __________ hfe: _________

5. Buscar en el manual de reemplazo la descripción del transistor NTE 152. Llenar


los siguientes datos:

ICmax: __________ BVcbo: ___________ BVceo: _______

BVebo: ____________ PDmax: __________ hfe: _________

Dibujar el transistor NTE 123 AP y 152 indicando cada una de sus terminales e
indicar el tipo de encapsulado.

PARTE II:
1. Implementar el siguiente circuito utilizando el NTE152.

FIGURA 2
2. Solicite revisión al instructor.
3. Ajuste la resistencia del potenciómetro a su valor intermedio (50K).

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4. Variando el valor del voltaje de la fuente Vbb, mida la resistencia entre
colector y emisor. Apuntes los datos en la tabla siguiente.

Vbb IB Rce Región de trabajo


0V
2V
4V
6V
8V
10V
12V

5. ¿Cómo se comporta el transistor cuando la fuente de voltaje es cero


voltios? ____________________________________________

6. ¿Cómo se comporta el transistor cuando la fuente de voltaje es de 6


voltios? ___________________________________________________

7. Ajuste la fuente de voltaje a 12V.

8. Varíe la resistencia del potenciómetro desde su valor mínimo hasta el


máximo, y anote que los resultados.

Potenciómetro al mínimo. RCE = _______ Región de trabajo. = ____


Potenciómetro al máximo. RCE = _______ Región de trabajo. = ____

9. ¿Cuáles son los dos métodos para llevar un transistor a corte o saturación?
________________________________________________

10. Arme el siguiente circuito.


Conectar el micro amperímetro para medir la corriente de base.
Conectar el miliamperímetro para medir la corriente de colector.
11. Ajustar el voltaje de la fuente Vbb a 5 voltios.
12. Ajustar el reóstato de 5K.
13. Ajustar el valor de Vcc a 6 voltios.

FIGURA 3

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10. Solicitar revisión al instructor.
11. Encender simultáneamente ambas fuentes, y por medio del reóstato, regular
la corriente de la base hasta obtener una lectura de 0 µA, luego, leer la corriente
en el colector.
12. Variar el valor del potenciómetro y tomar nota de la corriente en el colector.
13. ¿Qué sucede con el motor?________________________________
14. ¿En que región de trabajo se encuentra el transistor?__________________

CONTESTE:
1. ¿Por qué se afirma que el terminal seleccionado del transistor es la base,
cuando las lecturas del óhmetro entre dicho terminal y las dos restantes son muy
similares?

2. ¿Por qué se afirma que el transistor es NPN o PNP si el terminal del óhmetro
en la base del transistor es positivo o negativo, respectivamente, cuando las
lecturas del óhmetro entre dicho terminal y las dos restantes del transistor son
similares?

3. ¿Es la resistencia entre la base y el emisor de un transistor mayor que la


resistencia entre la base y el colector?
4. ¿Cómo se polariza la unión base-emisor con un transistor NPN para que
funcione en la región activa? ¿Y en un transistor PNP?

5. ¿Cómo se polariza la unión base-colector con un transistor NPN para que


funcione en la región activa? ¿Y en un transistor PNP?

6. ¿de qué depende la potencia disipada en un transistor?

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