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Universidade do Estado do Amazonas – UEA

Escola Superior de Tecnologia - EST


Curso: Engenharia Elétrica
Disciplina: Laboratório de Eletrônica Analógica II
Professor: Raimundo Claudio Souza Gomes

LAB. ELETRÔNICA
ANALÓGICA II
EXP1 – P1/2018
Procedimentos de Ensaio e Teste em Bancada das características básicas
funcionais de um Transistor de Junção Bipolar operando na Região Ativa.
SUMÁRIO

Sumário
Referencial Teorico _______________________________________________________________________________________________ 1
Descriçao do Experimento _______________________________________________________________________________________ 3
Procedimentos de Teste __________________________________________________________________________________________ 5
Conclusoes ________________________________________________________________________________________________________ 7
Informaçoes de Contato __________________________________________________________________________________________ 8
REFERENCIAL TEÓRICO

Referencial Teorico
INTRODUÇÃO
Uma das características operacionais mais relevantes do BJT e o Efeito Transistor, o qual deu origem ao
proprio nome do dispositivo. Antes de tudo, o efeito transistor e a caracterizaçao de um dos Modos de
Operaçao do BJT, designado como o Modo Ativo.

Em nossos estudos teoricos, verificamos que o Efeito Transistor ocorre quando polarizamos as duas
junçoes PN do BJT de forma bem peculiar, ou seja, a Junçao Base-Emissor (JBE) polarizada diretamente e
Junçao Coletor-Base (JCB) inversamente.

Vale lembrar que o BJT possui características construtivas tambem muito peculiares; no caso, uma Regiao
de Emissor fortemente dopada e uma Regiao de Base que, alem de mais fracamente dopada, e
extremamente estreita. Assim, quando o BJT e submetido a condiçao de polarizaçao descritas no
paragrafo anterior, estabelece-se um fenomeno em que uma intensa difusao de portadores majoritarios
parte do Emissor em direçao a Base; porem, devido as características ja descritas da Base, poucos desses
portadores conseguem se recombinar nesta regiao. Alem disso, o forte potencial do Coletor atrai a maior
parte destes portadores para o terminal da fonte DC nesta regiao.

Em nossos estudos teoricos sobre o Modo Ativo do BJT, chegamos a deduçao de uma expressao descritiva
deste fenomeno, que demonstra a relaçao direta de dependencia existente entre a corrente no Coletor do
transistor com a tensao aplicada a JBE; ao mesmo tempo que essa corrente em quase nada e influenciada
pela tensao aplicada a JCB. Estes sao aspectos que bem caracterizam o BJT, operando no Modo Ativo – uma
Fonte de Corrente Controlada por Tensao. Neste trabalho, verificaremos experimentalmente esta
propriedade.

FUN ÇÃO DE TRANSFERÊNCIA DO BJT NO MODO ATIVO


Sabe-se que o BJT e um dispositivo de tres terminais, no qual se pode tratar os terminais de Base e Emissor
como entrada e os terminais de Coletor e Emissor ou Coletor e Base como saída (ver a ilustraçao dada a
seguir). Em qualquer destas opçoes, aplicando-se as condiçoes do Modo Ativo, teremos a ocorrencia do
Efeito Transistor descrito pela equaçao abaixo.

𝑉𝐵𝐸
⁄𝑉
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝑆 (𝑒 𝑇 − 1)

Onde, 𝐼𝑆 e 𝑉𝑇 sao consideradas constantes.


Entretanto, sabemos que a primeira e
levemente afetada por 𝑉𝐶𝐸 (fenomeno
descrito como Efeito Early), enquanto a
segunda e fortemente afetada pela
temperatura (a primeira, tambem).

Aumentamos a exatidao dos resultados de ensaio se considerarmos o Efeito Early, tambem, denominado
Efeito de Modulaçao da Base. A Funçao de Transferencia, nesse caso, assume a forma de

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REFERENCIAL TEÓRICO

𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐵𝐸⁄𝑉
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝑆 (1 + )𝑒 𝑇
𝑉𝐴
Onde 𝑉𝐴 corresponde a tensao de Early considerada uma constante que tipicamente assume valores entre
50 a 100 Volts e 𝐼𝑆 , valores na faixa de unidades de 10-12 a 10-16. Caso esses dados nao sejam encontrados
na folha de especificaçao do transistor em uso, deve-se pesquisar na internet o SPICE Model do
componente.

Ex.: Abaixo, o Spice Model dado na folha de especificaçao Fairchild do Transistor NPN 2N3904. Nele, 𝐼𝑆 =
6,734 × 10−15 𝐴 e 𝑉𝐴 = 𝑉𝑎𝑓 = 74,03𝑉.

LIMITES DE OPERAÇÃO DO MODO ATIVO


E importante lembra sempre que o BJT tem o comportamento de uma Fonte Dependente de Corrente, em
que a corrente de saída e controlada pela tensao de entrada, somente enquanto e mantido operando no
Modo Ativo. Os limites desta regiao (Modo de Operaçao), correspondem, respectivamente, ao Corte e a
Saturaçao. O reconhecimento de quando o transistor entra em cada um desses modos e de suma
importancia, visto que, em cada um desses casos, o dispositivo apresentara características funcionais
distintas e peculiares.

APLICAÇÕES
O Efeito Transistor modelado na Funçao de Transferencia apresentada anteriormente, ainda, esta longe
de indicar a possibilidade deste dispositivo ser aproveitado em aplicaçoes lineares, ou seja, na maior parte
das implementaçoes da chamada Eletronica Analogica. Nesse tipo de aplicaçao, e exigido que haja uma
relaçao linear entre os sinais de entrada e saída de um dispositivo ou circuito; enquanto, no caso presente,
a relaçao entre entrada e saída e dada por uma exponencial. Porem, no avanço de nossos estudos
demonstraremos que, havera condiçoes de contorno propícias a uma operaçao linear do BJT, dadas
exatamente pelo Modo Ativo. Este e o caso das implementaçoes de circuitos Reguladores, Amplificadores,
Osciladores Senoidais, Filtros Ativos e de Fontes Controladas.

Elaborado por Raimundo Claudio Souza Gomes


Professor Mestre do Curso de Engenharia Eletrica da EST/UEA
em 18 de março de 2018

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DESCRIÇÃO DO EXPERIMENTO

Descriçao do Experimento
O presente experimento sera divido em duas etapas gerais. Na primeira, diferentes valores constantes de
tensao deverao ser aplicados entre a Base e o Emissor de um BJT de características conhecidas, tal que,
em cada caso, seja realizada a mediçao da corrente de coletor respectiva. A segunda etapa consiste na
manutençao de uma tensao, de valor conhecido e constante, aplicada entre a Base e o Emissor do mesmo
transistor, e diferentes valores de resistencia sejam inseridos no seu Coletor, tal que, os limites do Modo
Ativo de operaçao do transistor possam ser claramente identificados. Em todas estas etapas, devera ser
verificada a validade do Modelo Matematico apresentado.

REPRESENTAÇÃO ESQUEMÁTICA
A figura abaixo da a representaçao esquematica do circuito de teste a ser usado para realizaçao dos
ensaios do presente Experimento.

MATERIAL UTILIZADO
• Resistores de Precisao (Tolerancia de 1%) – 11 un.
• Transistor de Junçao Bipolar do tipo NPN – 01 un.
• Fonte de Alimentaçao DC de dois canais e uma saída TTL – 01 un.
• Multímetro Digital – 01 un.
• Proto Board pequeno – 01 un.
• Acessorios de Montagem: Alicate de bico, alicate de corte, fios jumpers, cabos de conexao, etc.

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DESCRIÇÃO DO EXPERIMENTO

OBJETIVOS GERAIS E ESPECÍFICOS


• Verificar experimentalmente a validade do modelo matematico proposto como descritivo do Efeito
Transistor;
• Fixar os conceitos teoricos relativos a operaçao do BJT no Modo Ativo e como ele pode ser
estabelecido atraves de ramos e malhas resistivas conectadas ao dispositivo;
• Estimular o desenvolvimento das habilidades basicas necessarias a analise e projeto de circuitos
analogicos usando o BJT.

ETAPAS BÁSICAS DE DESENVOLVIMENTO

ETAPA 1 - PREPARAÇÃO: Nesta etapa a equipe devera efetuar a escolha do transistor que sera
ensaiado; levantar suas especificaçoes em folhas de dados de fornecedores e realizar o
dimensionamento basico do Circuito de Ajuste da Tensao de 𝑉𝐵𝐸 , a fim de viabilizar a realizaçao
das etapas subsequentes.

ETAPA 2 - DIMENSIONAMENTO DO CIRCUITO DE TESTE: Nesta etapa, a equipe devera proceder


o dimensionamento da Faixa de Valores de R2 (nesse caso, RC deve ser posto em curto) para teste
dos valores obtidos para IC, em funçao da variaçao de V BE (que depende apenas da malha R de
entrada). Para a segunda fase do experimento, 𝑉𝐵𝐸 devera estar polarizado (diretamente) em um
valor conhecido, e a Faixa de Valores de RC, que definem a Regiao Ativa do transistor, devera ser
calculada.

ETAPA 3 - SIMULAÇÂO E PRÉ-TESTE: Nesta etapa, a equipe, com o auxílio de um software de


simulaçao a seu gosto, devera realizar a analise e o Pre-Teste do Circuito de Ensaio; portanto, o
Pre-Teste deve ser realizado integralmente em ambiente virtual (simulaçao). O objetivo dessa
etapa e verificar a validade do Circuito de Ensaio para as condiçoes de teste estabelecidas. Vale
ressaltar que, em todos os casos, ha de se fazer a analise comparativa entre resultados teoricos e
os obtidos por simulaçao.

ETAPA 4 - ENSAIO EXPERIMENTAL EFETIVO: Nesta etapa, a equipe devera realizar os ensaios de
verificaçao experimental do circuito, em consonancia com o que foi realizado na Etapa 3. Os
resultados deverao ser registrados para comparaçao com os resultados da simulaçao e da analise
teorica. Nesta etapa, visa-se verificar, experimentalmente, a independencia da corrente de coletor
com relaçao ao valor da carga (Rc) na saída e, ao mesmo tempo, sua dependencia com respeito
ao valor da tensao VBE. Em todo ensaio, estara sendo verificada a validade e o nível de exatidao
da Funçao de Transferencia apresentada no Referencial Teorico.

ETAPA 5 - APRESENTAÇÃO E DEFESA: Nesta etapa, a equipe devera concluir e entregar o relatorio
do experimento realizado, bem como, dos slides de apresentaçao de seus procedimentos
realizados, resultados e conhecimentos obtidos.

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PROCEDIMENTOS DE TESTE

Procedimentos de Teste
ETAPA 1 - PREPARAÇÃO
1. Levantar a disponibilidade de transistores (BJTs) de pequenos sinais no estoque de componentes
do NSE e da EST;
2. Escolher o transistor para o experimento;
3. Pesquisar na Internet a Folha de Dados (Datasheet) com as especificaçoes tecnicas do transistor
escolhido (ℎ0𝑒 , 𝑉𝐴 , 𝐼𝑆 , ℎ𝐹𝐸 𝑒 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 );

ETAPA 2 – DIMENSIONAMENTO
1. Relativo ao 1º Ensaio – Elaborar o projeto basico do Circuito (dado na figura abaixo): Calculo de
R1 e do R2, tal que, R2 assuma valores que possibilitem obter Vbe(s) na faixa entre 0,5V a 0,8V;

𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐵𝐸
⁄𝑉
2. Usando-se a formula: 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝑆 (1 + )𝑒 𝑇, calcular os valores correspondentes de Ic
𝑉𝐴
relativos aos diferentes e respectivos valores de Vbe. Anotar os resultados em uma tabela.
3. Relativo ao 2º Ensaio – Elaborar o projeto basico do Circuito (dado abaixo): Calculo de R1 e R2
para um Vbe fixo, com valor no meio da faixa entre 0,5V a 0,8V;

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PROCEDIMENTOS DE TESTE

𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐵𝐸
⁄𝑉
4. Usando-se a formula: 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝑆 (1 + )𝑒 𝑇, calcular o respectivo valor Ic;
𝑉𝐴
5. Calcular a faixa de valores de Rc que definem os limites da regiao ativa de operaçao do circuito;
6. Estando Vbe e Ic fixos, variar Rc, desde de seu valor maximo ao mínimo, e calcular os respectivos
valores de Vce.

ETAPA 3 – SIMULAÇÃO E PRÉ-TESTE


1. Realizar a simulaçao do circuito dimensionado nos procedimentos 1 e 2, verificando a correlaçao
entre os resultados obtidos por calculo e por simulaçao.
2. Registrar todos os valores em planilas.

ETAPA 4 – ENSAIO EXPERIMENTAL EFETIVO


1. Montar em Proto-Board cada um dos circuitos tratados nos procedimentos anteriores;
2. Ensaia e Testar os circuitos;
3. Verificar os resultados praticos obtidos e compara-los com os resultados previsto teoricamente.

ETAPA 5 - APRESENTAÇÃO E DEFESA


1. Elaborar o Relatorio do Experimento e a Apresentaçao (slides) da Defesa Oral;
2. Efetuar a Defesa Oral do Trabalho em 30 min.;
3. Entregar o Relatorio do Experimento;
4. Repassar copia em mídia de uma pasta, devidamente nomeada, contendo os arquivos da
Apresentaçao, do Relatorio e das Simulaçoes;
5. Apresentar o Experimento em Bancada com a reproduçao dos ensaios realizados.

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CONCLUSÕES

Conclusoes
❖ Com respeito ao ensaio haver ou nao cumprido os objetivos previamente estabelecidos.
Comentar a respeito.
❖ Sobre os resultados de comparaçao entre valores calculados (ou previstos na teoria), simulados
e medidos nos ensaios. Comentar a respeito.
❖ Sugestoes para aperfeiçoamento da Rotina de Procedimentos apresentada no presente
documento ou mesmo do ensaio proposto.

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INFORMAÇÕES DE CONTATO

Informaçoes de Contato
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ANEXOS

Anexos
TÍTULO DA TABELA

DESCRIÇÃO VARIÁVEL A VARIÁVEL B OUTROS

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