2.

2 Cuantificación en sistemas de heterouniones

En el transporte en nanoestructuras sobre todo a los estados de las bandas de conducción del
sistema de GaAs/AlGaAs, consideramos la forma de los estados electrónicos en un sistema de
heterouniones en capa.
Los estados electrónicos en los sistemas de GaAs/AlGaAs son los descritos más fácilmente dentro
de la aproximación de masa efectiva (EMA). Siempre y cuando los asociamos con estados de la
misma simetría a través de la heterounion tal como r electrones del valle en GaAs y AlxGa1-xAs (x
menos de 0.44 por el comportamiento de Gap directo) el movimiento de partículas en relación con
el borde de la banda se encuentra resolviendo la ecuación de sobre función;

Dónde: m(z) es la masa efectiva perpendicular a la heterointerfase, mII es la masa paralela a la

interfaz donde r es el vector de posición paralela a la interfaz y z es la dirección perpendicular a la
interfaz.
La validez de la EMA requiere la función ¥(𝑟, 𝑧) varíe lentamente bajo dimensiones comparables a
la celda de la unidad del cristal.

Dónde: EC(z) es la discontinuidad de la banda de conducción de heterounion

Veff es la energía potencial eficaz normal a la interfaz
VD(z) es el potencial electrostático debido a los donantes y aceptes ionizados
Vee(z) is the one electron self-consistent Hartree and exchange -correlation potentials due to free
carriers within the local density approximation.

Puesto que para el sistema de heterounion la variación potencial está solamente en la dirección z,
la solucion es separable como:

Correspondiente al movimiento del electrón libre en el plano paralelo a la interfaz donde k es el

vector onda en el plano paralelo a la interfaz, A el factor de normalización, es el área lateral del
sistema y n los estados propios en la dirección normal.

La energía total relativa a la banda mínima (máxima) es pues:

Asumiendo bandas parabólicas para la simplicidad. La continuidad requiere que la ecuación en
función de (z) sea continuo. Para variaciones abruptas en el material, la conservación de la corriente
de la probabilidad requiere que sea continuo.

2.2.1. Los pozos cuánticos y los sistemas de cuasi-bidimensionales.

La diferencia de bandgap se distribuye entre

las bandas de Valencia y de conducción de tal
manera que tanto los electrones como los
agujeros se confinan a la capa GaAs con
bandgap más pequeña. Tal heterounión es
referido como un sistema de tipo I.

Las mediciones basadas en estudios

fotoluminicencia de sistemas de huecos
cuanticos encuentran que aproximadamente
el 65% de la diferencia bandgap aparece
como la discontinuidad de la banda de
conducción.

Ilustración 1.Esquema de huecos cuánticos tipo I