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AMPLIFICADOR MULTIETAPAS

INTRODUCCIÓN

El objetivo principal de este proyecto es construir un amplificador el cual podra aumentar la amplitud, de
una señal,este amplificador tendrá 2 etapas:

1ª etapa del FET, debido a sus características optimas para obtener ganancia.

2ª etapa del BJT la cual permitirá aumentar la ganancia.

Estas dos etapas serán retroalimentadas para darle estabilidad con la temperatura y mejorar la relación señal
con el ruido.

SIMBOLOGIA UTILIZADA EN LA PRIMERA ETAPA - FET

D Colector Hfe Ganancia del Transistor


G Emisor Vin Voltaje de entrada de Señal
S Base Cs Condensador Source Condensador Source
Vout Voltaje de Colector - Emisor Ca1 Condensador de Acople 1
Vin Voltaje de Base - Colector Ca2 Condensador de Acople 2
Vgs Voltaje de Base - Emisor Vgg Voltaje de Polarización Gate
Vds Corriente de Colector Vdd Voltaje de Polarización Drain
Vdg Corriente de Base Bvgs Voltaje de Ruptura Gate – Source
Vgs,off Voltaje de Gate – Source off Rd Resistencia de Drain
Idss Corriente de Drain – De saturacion Rg Resistencia de Gate
Id Corriente de Drain Rs Resistencia de Source
Gfs Ganancia de Especificaciones G=A Ganancia
Vds,Q Voltaje Drain – De polarización del FET Vgsq Voltaje Gate – Source del Transistor JFET
Ids,Q Corriente Drain – De polarizaciondel FET

SIMBOLOGIA UTILIZADA EN LA SEGUNDA ETAPA - BJT

C Colector Ie Corriente de emisor


E Emisor Vcc Volteje de polarización colector
B Base Vbb Voltaje de polarización de base
Vce Voltaje de Colector – Emisor BVce Voltajede ruptura del transistor colector – emisor
Vbc Voltaje de Base – Colector Rc Resistencia de colector
Vbe Voltaje de Base – Emisor Re Resistencia de emisor
Ic Corriente de Colector Rb1 Resistencia de base 1
Ib Corriente de Base Rb2 Resistencia de base 2

SIMBOLOGIA UTILIZADA EN LA TERCERA ETAPA - RETROALIMENTACION

C Colector Ie Corriente de emisor


E Emisor Vcc Volteje de polarización colector
CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA A Vd,s DE 10V – 2SK330

1.6
1.4
Id,s (corriente drain-source)
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-1.6 -1.4 -1.2 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0
Vgs (tension gate-source)
Curva de transconductancia del transistor FET

CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA A Vd,s DE 15V - 2SK330

1.6

1.4
Id,s (corriente drain-source)

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0
-1.6 -1.4 -1.2 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0
Vgs (tension gate-source)
Curva de transconductancia del transistor FET
CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA A Vd,s DE 20V – 2SK330

Id,s (corriente drain-source)

Vgs (tension gate-source)


Curva de transconductancia del transistor FET

CURVA DE TRANSCONDUCTANCIA A Vd,s DE 25V – 2SK330

1.6

1.4
Id,s (corriente drain-source)

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0
-1.6 -1.4 -1.2 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0
Vgs (tension gate-source)
Curva de transconductancia del transistor FET
TOMA DE DATOS – 2SK330

Vg,s(v) id,s(mA) Vd,s Vg,s(v) id,s(mA) Vd,s Vg,s(v) id,s(mA) Vd,s Vg,s(v) id,s(mA) Vd,s
0 1,36 9V 0 1,33 15v 0 1,46 20v 0 1,5 25v
-0,12 1,15 -0,16 1,1 -0,07 1,37 -0,13 1,3
-0,18 1,05 -0,21 1,02 -0,12 1,26 -0,2 1,17
-0,23 0,99 -0,26 0,95 -0,15 1,21 -0,33 0,97
-0,31 0,85 -0,34 0,85 -0,16 1,19 -0,4 0,87
-0,36 0,79 -0,47 0,66 -0,18 1,17 -0,47 0,75
-0,41 0,73 -0,51 0,62 -0,19 1,14 -0,52 0,67
-0,47 0,63 -0,54 0,58 -0,21 1,11 -0,59 0,58
-0,56 0,52 -0,61 0,49 -0,24 1,06 -0,65 0,5
-0,61 0,47 -0,66 0,43 -0,27 1,03 -0,7 0,45
-0,67 0,4 -0,71 0,38 -0,38 0,87 -0,73 0,41
-0,72 0,34 -0,78 0,31 -0,46 0,75 -0,81 0,33
-0,75 0,31 -0,85 0,25 -0,68 0,45 -0,89 0,24
-0,83 0,24 -0,93 0,18 -0,73 0,39 -1 0,15
-0,91 0,18 -1,02 0,12 -0,86 0,26 -1,11 0,08
-0,95 0,15 -1,11 0,07 -0,98 0,16 -1,16 0,06
-1,01 0,11 -1,17 0,04 -1,04 0,12 -1,25 0,03
-1,06 0,082 -1,24 0,02 -1,07 0,1 -1,35 0,006
-1,11 0,058 -1,35 0,0037 -1,1 0,08 -1,46 0,005
-1,16 0,041 -1,39 0,0015 -1,12 0,07 -1,53 0,001
-1,18 0,033 -1,45 0,0003 -1,15 0,06 -1,54 0
-1,2 0,025 -1,48 0,0001 -1,26 0,02
-1,24 0,016 -1,54 0 -1,34 0,006
-1,26 0,012 -1,48 0,002
-1,32 0,004 -1,5 0,001
-1,33 0,003 -1,52 0
-1,37 0,001
-1,4 0,0004
-1,43 0,0002
-1,48 0

De la curva obtenemos los siguientes datos buscando la parte lineal para el punto Q
encontrándose en un 50 % de VP y a 25 % de IDSS y es este punto donde vamos a trabajar.