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Parcial final

AMPLIFICADORES DE EFECTO DE CAMPO


FET (FIELD EFECT TRANSISTOR)
Javier Ceballos; Johana Medina Nañez

en la región óhmica y cómo podemos polarizar este


Resumen— En este trabajo se implementaron circuitos de dispositivo y podemos realizar simulaciones para
polarización y transistores MOSFET JFET, para conocer analizar el comportamiento del circuito
las curvas características (Id vs Vds) y entrada (Id vs. implementado.
Vgs). Observamos el comportamiento de los transistores
que operan en algunas regiones.

Abstract-- In this work, polarization circuits and JFET II. MARCO CONCEPTUAL
MOSFET transistors were implemented to know the
characteristic curves (Id vs Vds) and input (Id vs. Vgs). We Un transistor de efecto de campo de unión (JFET) es
observe the behavior of transistors that operate in some el tipo más simple de transistor semiconductor de
regions. tres terminales. Los JFET se emplean ampliamente
como interruptores controlados electrónicamente,
Palabras clave: Polarización, corriente, transistor, bjt,
resistencias controladas por voltaje y amplificadores.
FET, CMOS. Voltaje, Id, Vds, Vgs.

El material semiconductor en un JFET está


I. INTRODUCCIÓN positivamente y negativamente dopado y dispuesto
para formar un canal para el funcionamiento efectivo
Los amplificadores de efecto de campo o FET (Field del dispositivo. De dicha actividad. La redacción
Electric Transistor) se utilizan como semiconductores debe ser de manera continua y en caso de requerir de
controlados por la tensión entre el drenaje y la fuente textos extraídos de otros autores, estos deben ser
(Source) VDS, y también por la tensión entre la debidamente referenciados.
puerta (Gate) y la fuente (VGS). Son transistores que
de efecto de campo se comportan de dos maneras Los transistores FET son dispositivos controlados por
dependiendo de su voltaje VDS, cuando este voltaje voltaje, por lo que se usan en un amplio rango, por
es menor al voltaje de estrangulamiento (para los ejemplo, una mayor estabilidad a altas temperaturas
JFET es llamado VP, y para los MOSFET es llamado y también tienen una alta impedancia a la entrada
VTH. Este voltaje nos lo da el fabricante del del circuito.
dispositivo), se dice que el transistor se encuentra en
una región de resistencia (Se comporta como un El transistor tiene semejanzas a otro dispositivo
resistor) a su vez la corriente es muy pequeña. [1] como es el transistor BJT ya que cuenta con una recta
de carga, entre otros tiene los siguientes parámetros
En su voltaje VDS, es mayor a este voltaje de tal como se indica en las siguientes figuras:
estrangulamiento se dice que el transistor se va a
saturación y la corriente Id, solo va a depender del
voltaje VGS.

II. OBJETIVOS
Aplicar los conceptos de los amplificadores del efecto
de campo. Como es su comportamiento cuando está
y en este caso en particular nos permite modelar el
comportamiento del transistor de efecto de campo
mediante su ecuación que es

Grafica de la ecuación de shockley

ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el


transistor se comporta como una resistencia variable III. DESARROLLO Y PROCEDIMIENTOS
dependiente del valor de VGS. Un parámetro que
aporta el fabricante es la resistencia que presenta el En el diseño tenemos un voltaje VDD=20V, Vp=-8V
dispositivo para VDS=0, y distintos valores de VGS. RL=20KΩ, Ren=100KΩ, IDSS=16mA, Av=-5.

ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el Los resultados


transistor amplifica y se comporta como una fuente 𝑰𝑫𝑸 = 𝟖𝒎𝑨 de la Ecuación (1)
de corriente gobernada por VGS [3] 𝑽𝑮𝑺𝑸 = −𝟐, 𝟒𝑽 de la Ecuación (2)
𝑽𝑫𝑺𝑸 = 𝟏𝟎𝑽 de la Ecuación (3)
La ecuación de Shockley permite aproximar el 𝒈𝒎 = 𝟐, 𝟖𝒎𝑺 de la Ecuación (4)
comportamiento del diodo en la mayoría de los casos Ω = 𝟑𝟓𝟕Ω de la Ecuación (5)
Se implementó el circuito de polarización para
encontrar el punto Q con las Ecuaciones (1), (2), (3),
(4), (5).

FIG2. Circuito del 2n5459 Tipo N

𝑅𝐷 = 1,2𝐾Ω − 𝑅𝑆 Entonces 𝑹𝑫 = 𝟏, 𝟐𝒌Ω − 𝟑𝟎𝟎Ω =


𝟗𝟎𝟎Ω, y una 𝑨𝒊 = −𝟏𝟒, 𝟑𝟓 de la Ecuación (10).

E igual que el circuito de la FIG2 se hizo un cambio


al circuito de la FIG3 se le implemento los
condensadores y se obtuvieron los resultados en la
Grafica2.

FIG1. Circuito de Polarización del 2n5453 Tipo N

Los resultados
Se inició con la malla de salida de la Ecuación (6), se
llegó a 𝑹𝑫 + 𝑹𝑺 = 𝟏, 𝟐𝑲Ω la Ecuación (7) con la
Ecuación (8) despejamos y quedamos con
𝑹𝑺 = 𝟑𝟎𝟎Ω de la Ecuación (9).
FIG3. Circuito con Condensador del 2n5459[4]
Se implementó el circuito sin Condensadores para
observar el funcionamiento de la señal a 100mV con
una F=1KHz y se obtuvieron los resultados en la
GRF1.
FIG4. Ajuste del sistema para obtener Av=-5. GRF2. Resultado del 2n5459 con Condensador

V. RESULTADOS Se cambió la resistencia RS=300Ω a una RS=100Ω, y


se aumentó los capacitores de entrada y salida por
Se obtuvo la siguiente grafica sin condensador de la unos de C=10µF, el Capacitor de RS es el mismo de
FIG2, tiene una ganancia de 2, es decir, la señal de 1µF como se muestra en la FIG4.
entrada es de 100mV entonces la señal de salida es de
200mV (se duplicó la señal).

GRF3. Resultado del Ajuste para una Av=-5.

GRF1. Resultado del 2n5459 Tipo N VI. CONCLUSIONES

Se obtuvo la siguiente grafica con condensador de la Sabiendo físicamente la distribución de los pines del
FIG3, tiene una ganancia de -4, es decir, la señal de transistor, así como sus características eléctricas
entrada es de 100mV entonces la señal de salida es hacen que el trabajo se realice en un tiempo más
de 400mV, y también sale un poco desfasada. corto, sabiendo las ventajas y fortalezas de este tipo
de transistor de efecto hace que la aplicación sea muy
variada desde la conmutación hasta la amplificación
de señales, Se puede decir que el transistor de efecto
de campo es uno de los pilares de la electrónica
analógica y homólogo del transistor Mosfet, que es la
base de la familia CMOS.

En los JFET, la corriente de dreno ID((mA), es


proporcional a la diferencia entre Vgs y Vp. Cuando
sea mayor Vgs - Vp, mayor será la la corriente
resultante.

En los amplificadores FET tipo N la corriente


aumenta de proporcional al voltaje VDS. A pesar de
este incremento no depende de VDS cuando se llega
a voltaje de saturación. En seguida, se trabaja en la
región de saturación en la que las transiciones de ID
únicamente dependerán de VGS.

Los amplificadores tipo FET son muy sensibles,


como cualquier dispositivo electrónico debemos
tener cuidado en polarización y uso.

Las curva características resultante representa el


comportamiento de acuerdo a la teoría consultada,
los datos se muestran de acuerdo a los rangos de los
GRF3. Curva de salida.
parámetros especificados en el datasheet.

VIII. RECOMENDACIONES ÚTILES


A. Figuras y Tablas

TABLA1.
VDS(V) ID(mA)
0 16,00
-0,5 14,06
-1 12,25
-1,5 10,56 GRF4. Curva de Transferencia.
-2 9,00
-2,5 7,56
-3 6,25
-3,5 5,06
-4 4,00
-4,5 3,06
-5 2,25
-5,5 1,56
-6 1,00
-6,5 0,56
-7 0,25
-7,5 0,06
-8 0,00
B. Ecuaciones

𝑰𝑫𝑸 = 𝟎, 𝟓 ∗ 𝑰𝑫𝑺𝑺 (1)

𝑽𝑮𝑺𝑸 = 𝟎, 𝟑 ∗ 𝑽𝒑 (2)

𝑽𝑫𝑫
𝑽𝑫𝑺𝑸 = 𝟐
(3)

𝟏,𝟒∗𝑰𝑫𝑺𝑺
𝒈𝒎 = |𝑽𝒑|
(4)

𝟏
Ω=𝒈 (5)
𝒎

𝑽𝑫𝑫 = 𝑽𝑫𝑺𝑸 + 𝑰𝑫𝑸 ∗ (𝑹𝑫 + 𝑹𝑺) (6)

𝑽𝑫𝑫 −𝑽𝑫𝑺𝑸
𝑹𝑫 + 𝑹𝑺 = (7)
𝑰𝑫𝑸

𝑽𝑮𝑮 = 𝑽𝑮𝑺𝑸 + 𝑰𝑫𝑸 ∗ 𝑹𝑺 (8)

𝑽𝑮𝑺𝑸
𝑹𝑺 = 𝑰𝑫𝑸
(9)

𝑹𝑫∗𝒈𝒎 ∗𝑹𝑬𝑵
𝑨𝒊 = − (𝑹𝑫+𝑹𝑳)
(10)

REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

[1] Albert Paul Malvino (1989).Principios de


electrónica, tercera edición, Páginas 55-131

[2] Millman J., Halkias C., (2001). Dispositivos y


Circuitos Electrónicos, Madrid: Pirámide.

[3] Boylestad. (2011). “Introducción al análisis de


circuitos", 12° Ed.

[4] Datasheet 2n5459


http://www.mit.edu/~6.301/2N5459.pdf

[5] MOLINA MARTICORENA, JOS´ E LUIS LOS


TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO En la
web: http://www.profesormolina.com.ar/
tutoriales/trans campo.htm.