You are on page 1of 128

Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

LỜI CAM ĐOAN

Em xin cam đoan luận văn tốt nghiệp: "Nghiên cứu bộ nguồn phân tán" do
em tự thiết kế dưới sự hướng dẫn của thầy giáo TS. Trần Trọng Minh. Các số liệu
và kết quả là hoàn toàn đúng với thực tế.
Để hoàn thành luận văn này em chỉ sử dụng những tài liệu được ghi trong
danh mục tài liệu tham khảo và không sao chép hay sử dụng bất kỳ tài liệu nào
khác. Nếu phát hiện có sự sao chép em xin chịu hoàn toàn trách nhiệm.

Hà Nội, ngày 30 tháng 03 năm 2012

Học viên

Trần Minh Đức

 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

MỤC LỤC

LỜI CAM ĐOAN


MỤC LỤC
DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT
DANH MỤC HÌNH VẼ
LỜI NÓI ĐẦU.....................................................................................................1
CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ NGUỒN PHÂN TÁN..................................2
1.1. Tổng quan về nguồn phân tán ....................................................................2
1.2. Cấu trúc của nguồn phân tán dùng cho hệ máy tính chủ ...........................3
1.3. Cấu trúc của nguồn phân tán dùng trong hệ thống xử lý, truyền thông tin
và viễn thông .............................................................................................4
1.4. Cấu trúc chung của DSP ............................................................................6
1.5. Phương hướng phát triển nguồn DSP ........................................................7
1.6. Các yêu cầu về mặt kỹ thuật cho nguồn DSP ...........................................8
1.7. Điều kiện chuyển mạch mềm ZVS và ZCS ...............................................8
1.7.1. Chuyển mạch dòng điện bằng không ( ZCS) .....................................9
1.7.2 . Chuyển mạch điện áp bằng không (ZVS). .......................................10
CHƯƠNG 2: PHÂN TÍCH MẠCH ĐIỀU CHỈNH HỆ SỐ CÔNG SUẤT
(POWER FACTOR CORRECTION – PFC ) ......................12
2.1. Các mạch PFC thường dùng để điều chỉnh hệ số công suất ...................12
2.2. Ý nghĩa của việc điều chỉnh hệ số công suất. ..........................................12
2.2.1. Điều chỉnh PFC tuyến tính ................................................................12
2.2.2. Điều chỉnh PFC phi tuyến tính .........................................................14
2.2.3. Điều chỉnh hệ số công suất thụ động – Passive PFC ........................14
2.2.4. Điều chỉnh hệ số công suất tích cực – Active PFC ..........................14
2.2.5. Tầm quan trọng của việc điều chỉnh hệ số công suất trong việc
truyền tải điện năng ........................................................................15
2.3. Phân tích mạch điều khiển hệ số công suất - boost PFC .......................16
2.4. Tính toán mạch boost – converter ...........................................................18

 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

2.5. Mô hình hóa mô phỏng mạch điều khiển Boost PFC ............................19
2.6. Mạch điều khiển PFC dùng IC LM4821 .................................................21
.....................................................23
2.7. Mộ phỏng mạch điều khiển Bost PFC
..............................................23
2.7.1. Mạch điều khiển PFC có cuộn cảm L
.....................................24
2.7.2 Mạch điều khiển PFC không có cuộn cảm L
CHƯƠNG 3: PHÂN TÍCH BỘ CHUYỂN ĐỔI DC-DC ..............................26
3.1.Các bộ nghịch lưu cộng hưởng tần số cao ................................................26
3.1.1. Bộ nghịch lưu cộng hưởng nối tiếp...................................................26
3.1.2. Bộ nghịch lưu cộng hưởng song song...............................................29
3.1.3. Bộ nghịch lưu cộng hưởng LLC .......................................................30
3.2. Xét ảnh hưởng của biến áp đến bộ biến đổi half- bridge LLC ..............35
3.3. Phân tích các chế độ xác lập dùng phương pháp gần đúng sóng hài bậc nhất39
3.3.1. Phân tích sơ đồ mạch biến đổi DC-AC lý tưởng ..............................39
3.3.2. Phân tích bộ chỉnh lưu và mạch lọc một chiều .................................41
3.3.3. Phân tích mạng mạch cộng hưởng ....................................................42
3.3.4. Hệ số biến đổi điện áp đầu ra, đầu vào M=Uo/Ug .............................43
3.4. Sơ đồ cộng hưởng nối tiếp.......................................................................44
3.5. Sơ đồ cộng hưởng song song...................................................................46
3.6. Phân tích chuyển mạch mềm ZVS, ZCS .................................................50
3.7. Tính toán mạch DC-DC cộng hưởng LLC ..............................................54
CHƯƠNG 4: PHÂN TÍCH CÁC CHẾ ĐỘ HOẠT ĐỘNG CỦA BỘ CỘNG
HƯỞNG LLC ...........................................................................62
4.1. Dạng sóng dòng điện, điện áp ứng với ba chế độ làm việc ZVS, ZCS và
vùng hoạt động cộng hưởng ở tần số cao f0 = 1/sqrt( LrCr) ...................62
4.2. Xây dựng hệ thống tự động điều chỉnh điện áp ra bằng phương pháp
điều khiển tần số .....................................................................................67
4.2.1. Nguyên lý điều khiển vòng lặp điện áp.............................................67
4.2.2. Nguyên lý điều khiển vòng lặp dòng điện ........................................68
4.2.3. Nguyên lý điều khiển vòng lặp dòng điện trung bình .......................68

 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

4.3. Phân tích bộ bù lead – lag .......................................................................70


4.3.1. Phân tích mạch bù sớm pha - lead ...................................................71
4.3.2. Phân tích mạch bù trể pha – lag ........................................................73
4.3.3. Mạch bù sớm-chậm pha lead – lag ..................................................75
4.4. Xây dựng hệ thống tự động điều chỉnh điện áp bằng phương pháp thay
đổi tần số .................................................................................................75
4.5. Phân tích đặc tính động và phương pháp thiết kế bộ điều chỉnh điện áp
với ngõ vào rộng và tải thay đổi. ............................................................77
4.5.1. Cấu hình bộ chuyển đổi cộng hưởng LLC nối tiếp...........................77
4.5.2. Các chế độ hoạt động và vùng hoạt động ........................................78
4.5.3. Thiết kế và phân tích mô hình tín hiệu nhỏ .....................................80
4.5.4. Thiết kế bộ bù phản hồi.....................................................................84
4.5.5. Kết quả thực hiện vòng lặp kín .........................................................89
4.5.6. Tính toán mạch bù phản hồi điện áp ...............................................91
4.6. Phân tích bộ điều khiển vòng lặp khóa pha .............................................93
4.7. Sơ đồ chi tiết mạch điều khiển LLC DC/DC bằng PLL ..........................94
CHƯƠNG 5: THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG BỘ CHUYỂN ĐỔI CỘNG
HƯỞNG LLC ...........................................................................97
5.1. Thiết Kế Bộ Chuyển Đổi Cộng Hưởng LLC với các thông ban đầu như sau ......97
5.1.1. Xác định các thông số của biến áp ....................................................97
5.1.2. Xác định đặc tính của hệ thống .........................................................98
5.1.3. Thiết kế mạng cộng hưởng................................................................99
5.1.4. Tính chọn mạch chỉnh lưu...............................................................103
5.2. Mô Phỏng bộ chuyển đổi cộng hưởng LLC ..........................................104
5.2.1. Mô phỏng mạch điều khiển vòng hở...............................................104
5.2.2. Mô phỏng mạch điều khiển vòng kín..............................................111
KẾT LUẬN .....................................................................................................117
TÀI LIỆU THAM KHẢO..............................................................................118

 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

DANH MỤC TỪ VIẾT TẮT

DPS Distribute Power Supply Nguồn phân tán

PEC Power Factor Correction Hiệu chỉnh hệ số công suất và lọc sóng hài

DC Direct Current Dòng điện một chiều

ZVS Zero Voltage Switching Chuyển mạch điện áp không

ZCS Zero Current Switching Chuyển mạch dòng điện không

SRC Series Resonant Converter Bộ biến đổi cộng hưởng nối tiếp

PRC Paratel Resonant Converter Bộ biến đổi cộng hưởng song song

CCO Current Controlled Oscillator Bộ tạo dao động dòng kiểm

CTR Current Transfer Ratio Tỷ số truyền dòng điện

POL Point of Load Điểm tải

 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

DANH MỤC HÌNH VẼ

Hình 1.1: Cấu trúc bộ nguồn phân tán dạng bus .........................................................3
Hình 1.2: Cấu trúc nguồn phân tán dùng cho hệ thống máy tính chủ.........................3
Hình 1.3: DSP dùng trong hệ thống xử lý, truyền thông tin và viễn thông ................5
Hình 1.4: Sơ đồ cấu trúc chung của DSP ....................................................................6
Hình 1.5: So sánh tổn hao của chuyển mạch cứng và chuyển mạch cộng hưởng. .....9
Hình 1.6: Sơ đồ minh họa cho điều kiện chuyển mạch mềm. ....................................9
Hình 1.7 : Mô tả chuyển mạch dòng điện bằng không .............................................10
Hình 1.8: Dạng sóng minh họa chuyển mạch ZCS ...................................................10
Hình 1.9. Mạch mô tả điện áp bằng không – ZVS....................................................11
Hình 1.10: Dạng sóng chuyển mạch điện áp bằng không – ZVS .............................11
Hình 2.1: Một số mạch PFC cơ bản ..........................................................................12
Hình 2.2: Mạch ổn áp tăng áp boost – PFC ..............................................................16
Hình 2.3: Dạng xung dòng điện, điện áp của các phần tử trên sơ đồ DC-DC song
song ( boost converter ) ............................................................................17
Hình 2.4 : Mạch điều khiễn Boost PFC ....................................................................19
Hình 2.5: Mô hình hóa đơn giản của mạch Boost PFC ............................................20
Hình 2.6: Điều khiển giá trị dòng trung bình PFC ( ML 4821) ................................21
Hình 2.7: Điều chế sườn lên để xác định chu kỳ PWM ............................................22
Hình 2.8 : Dạng sóng chế độ điêu khiển dòng điện trung bình ................................23
Hình 2.9: Mạch điều khiển PFC khi có cuộn cảm L .................................................23
Hình 2.10: Kết quả mô phỏng mạch điều khiển PFC ...............................................24
Hình 2.11: Mạch điều khiển PFC không có cuộn cảm L ..........................................24
Hình 2.12: Kết quả mô phỏng mạch điều khiển PFC ..............................................25
Hình 2.13: Đồ thị mô tả thời gian holdup của PFC ..................................................25
Hình 3.1: Cấu trúc của bộ ngịch lưu cộng hưởng nối tiếp ........................................26
Hình 3.2: Đồ thị dạng sóng dòng điện và điện áp của bộ nghịch lưu cộng
hưởng nối tiếp .........................................................................................27
Hình 3.3: Mạch điện thay thế của khối cộng hưởng .................................................28

 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.4: Đặc tính DC của bộ nghịch lưu cộng hưởng nối tiếp ..............................28
Hình 3.5: Cấu trúc của bộ nghịch lưu cộng hưởng song song .................................29
Hình 3.6: Đặc đính DC của bộ cộng hưởng song song .............................................30
Hình 3.7: Sơ đồ cấu trúc bộ biến đổi LLC ................................................................31
Hình 3.8: Dạng sóng dòng điện và điện áp của bộ chuyển đổi half – bridge LLC..32
Hình 3.9: Điện trở tải tương đương...........................................................................33
Hình 3.10: mạch điện tương đương của bộ biến đổi half – bridge LLC.................34
Hình 3.11: Mạch điện tương đương của máy biến thực tế........................................35
Hình 3.12: Mạch điện đơn giản của biến áp xung thực tế ........................................36
Hình 3.13: Sơ đồ cấu trúc xét đến thành phần của điện cảm của máy biến áp .......36
Hình 3.14: Mạch điện tương đương đơn giản hóa của bộ cộng hưởng điện cảm
biến áp.....................................................................................................37
Hình 3.15: Đặc tuyến khuếch đại của bộ cộng hưởng LLC......................................38
Hình 3.16: Đặc tính của hệ số khuếch đại đỉnh Q.....................................................38
Hình 3.17: Sơ đồ mạch DC-AC lý tưởng..................................................................39
Hình 3.18: Dạng xung điện áp đầu ra bộ biến đổi DC-AC lý tưởng ........................39
Hình 3.19: Dạng dòng một chiều đầu vào bộ biến đổi DC-AC ................................40
Hình 3.20: Mạch chỉnh lưu và lọc một chiều đầu ra .................................................41
Hình 3.21: Dạng xung điện áp, dòng điện của bộ chỉnh lưu, lọc lý tưởng ...............41
Hình 3.22: Mạng mạch cộng hưởng tuyến tính ........................................................42
Hình 3.23: Ghép nối các khâu trong mô hình gần đúng bộ biến đổi DC-DC
cộng hưởng ............................................................................................43
Hình 3.24: Cấu trúc của bộ biến đổi DC-DC cộng hưởng nối tiếp...........................44
Hình 3.25: Mạch tương đương gần đúng sơ đồ cộng hưởng nối tiếp .......................44
Hình 3.26: Biểu đồ Bode của trở kháng vào mạch cộng hưởng nối tiếp và module
hàm truyền H(s) ......................................................................................46
Hình 3.27: Sơ đồ tương đương bộ biến đổi cộng hưởng song song ........................46
Hình 3.28: Dạng xung điện áp, dòng điện của bộ chỉnh lưu, lọc lý tưởng trong sơ
đồ cộng hưởng song song.......................................................................47
Hình 3.29: Mạch tương đương gần đúng của sơ đồ cộng hưởng song song ............48

 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.30: Biểu đồ Bode của trở kháng và module H(s) của sơ đồ cộng hưởng
song song ..............................................................................................48
Hình 3.31: Sơ đồ cộng hưởng nối tiếp cầu một pha .................................................50
Hình 3.32: Dạng điện áp, dòng điện trên sơ đồ cộng hưởng nối tiếp khi tải ............51
Hình 3.33: Chuyển mạch nặng (Hard switching) khi van mở ra ..............................52
Hình 3.34: Chuyển mạch mềm, van vào dẫn dòng khi điện áp trên van bằng không (ZVS) ..53
Hình 3.35: Dạng điện áp trên van MOSFET trong chế độ chuyển mạch ZVS........54
Hình 3.36: Sơ đồ bộ biến đổi cộng hưởng LLC có biến áp cách ly.........................55
Hình 3.37: Các cấu trúc bộ biến đổi khác nhau cho bộ biến đổi LLC ......................55
Hình 3.38: Sơ đồ mạch điện biến đổi máy biến áp tương đương cho bộ biến đổi LLC ....56
Hình 3.39: Hệ số biến đổi điện áp M phụ thuộc tần số làm việc .............................58
Hình 3.40. Hệ số M phụ thuộc λ = Lr/Lm. ...............................................................58
Hình 3.41: Hệ số biến đổi M phụ thuộc tải (qua hệ số chất lượng Q là tham số).....59
Hình 3.42: Trở kháng tổng Zin phụ thuộc tần số .......................................................60
Hình 3.43: Vùng làm việc có thể lựa chọn cho LLC ................................................61
Hình 4.1: Đặc tính DC của bộ cộng hưởng LLC ......................................................62
Hình 4.2: Ba vùng hoạt động của bộ cộng hưởng half – bridge LLC .....................63
Hình 4.3: Hoạt động của bộ cộng hưởng half – bridge LLC ở vùng 1 ...................64
Hình 4.4: Hoạt động của bộ cộng hưởng half – bridge LLC ở vùng 2 ...................64
Hình 4.5: Hoạt động half – bridge LLC trong chế độ 1 vùng 2 ................................65
Hình 4.6: Hoạt động half – bridge LLC trong chế độ 2, vùng 2 ...............................65
Hình 4.7: Hoạt động half – bridge LLC trong chế độ 2, vùng 3 ...............................66
Hình 4.8: Sơ đồ nguyên lý điều khiển điện áp ..........................................................67
Hình 4.9: Nguyên lý điều chế độ rộng xung PWM ..................................................67
Hình 4.10: Nguyên lý điều khiển dòng điện .............................................................68
Hình 4.11: Sơ đồ nguyên lý điều khiển dòng điện trung bình ..................................68
Hình 4.12: Thành phần khối chính của bộ bù dòng điện trung bình ........................69
Hình 4.13: Mạch điều khiển dòng điện trung bình ...................................................70
Hình 4.14: Mạch bù sớm pha – lead .........................................................................71
Hình 4.15: Đồ thị Bode của mạch bù sớm pha – lead...............................................72

 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 4.16: Mạch bù trễ pha Lag ...............................................................................73


Hình 4.17: Đồ thị Bode bù trễ pha - lag ....................................................................74
Hình 4.18: Sơ đồ cấu trúc vòng phản hối của bộ biến đổi LLC ..............................76
Hình 4.19: Bộ cộng hưởng LLC điều khiển cách ly .................................................77
Hình 4.20: Các chế độ hoạt động của bộ cộng hưởng LLC ......................................78
Hình 4.21: Vùng hoạt động của bộ chuyển đổi cộng hưởng LLC ...........................79
Hình 4.22: Mô tả trạng thái động – quỹ đạo điểm cực và điểm zero của hàm truyền
GVf (s) từ B đến A ...................................................................................82

Hình 4.23: Mô tả trạng thái động – quỹ đạo điểm cực và điểm zero của hàm truyền
điều khiển từ GVf (s) từ A đến B ............................................................83

Hình 4.24: Mạch bù ba điểm cực hai điểm không ....................................................84


Hình 4.25: Thiết kế bộ bù và độ khuếch đại vòng lặp. (a): thiết kế bộ bù tại điểm A.
(b) thiết kế bộ bù tại điểm B. Tm độ khuếch đại vòng lặp ......................85
Hình 4.26: Thiết kế bộ bù tại điểm A .......................................................................87
Hình 4.27: thiết kế bộ bù tại điểm B .........................................................................89
Hình 4.28: độ khuếch đại vòng lặp ...........................................................................89
Hình 4.29: Đáp ứng của tải .......................................................................................90
Hình 4.30: Mạch bù phản hồi điện áp .......................................................................91
Hình 4.31: Sơ đồ điều khiển vòng lặp khóa pha .......................................................93
Hình 4.32: Sơ đồ khối của IC CD4046 PLL .............................................................94
Hình 4.33: Mô hình mạch điểu khiển tín hiệu nhỏ vòng lặp kín PLL ......................95
Hình 4.34: Cấu trúc của bộ bù LLC DC/DC và dải độ lợi của bộ bù .....................96
Hình 5.1: Cấu trúc PFC và DC - DC.........................................................................97
Hình 5.2: Đường cong thể hiện khoảng giá trị của hệ số khuếch đại điện áp ..........99
Hình 5.3: Đặc tính độ lợi theo Q với các giá trị K khác nhau ...............................100
Hình 5.4: Đường cong hệ số khuếch đại .................................................................101
Hình 5.5: Sơ đồ mạch điều khiển vòng hở ..............................................................104
Hình 5.6: Dòng điện cộng hưởng khi Khi Uđm = 400V và tải 50% ........................105
Hình 5.7: Điện áp ngõ ra của tải khi Uđm = 400V và tải 50% ................................105

 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 5.8: Dòng điện cộng hưởng khi Uđm = 400V và tải 100%. ...........................106
Hình 5.9: Điện áp ngõ ra của tải khi Uđm = 400V và tải 100%..............................106
Hình 5.10: Dòng điện cộng hưởng khi Uđm = 400V và tải 100% ..........................107
Hình 5.11: Điện áp ngõ ra của tải khi Uđm = 400V và tải 100% ..........................107
Hình 5.12: Điện áp cộng hưởng khi Uđm = 360V và tải 50%. ..............................108
Hình 5.13: Điện áp ngõ ra của tải Uđm = 360V và tải 50%. ..................................108
Hình 5.14: Dòng điện cộng hưởng khi Uđm = 410V và tải 50%. ..........................109
Hình 5.15: Điện áp ngõ ra của tải khi Uđm = 410V và tải 50%. ............................109
Hình 5.16: Dòng điện cộng hưởng khi Uđm = 410V và tải 100%. .........................110
Hình 5.17: Điện áp ngõ ra của tải Uđm = 410V và tải 100%. .................................110
Hình 5.18: Sơ đồ mô phỏng mạch điều khiển vòng kín..........................................111

 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

LỜI NÓI ĐẦU

Hệ thống điện tử công suất đang ngày càng sử dụng rộng rãi để cung cấp công
suất xử lý cho nhiều ứng dụng khác nhau như: tính toán, công nghệ truyền thông, điện
tử y học, truyền tải công suất cao…Sự kết hợp giữa các mức điện áp khác nhau từ vài
miliwat đến vài megawatt. Đặc điểm của những hệ thống này là đưa ra các mạch đóng
ngắt còn gọi là “ switching” để truyền công suất. các linh kiện được sử dụng trong
vấn đề truyền công suất này là: transistror, thyrirstor, Mosftet, IGBT.. Trong đó có
kèm theo các linh kiện phụ trợ đi kèm trong suốt quá trình chuyển đổi như tụ điện,
diode, cuộn dây, điện trở, các mạch tích hợp để điều khiển. việc phân tích, thiết kế hay
mô phỏng trong điện tử công suất đã giúp người thiết kế hiểu được nguyên lý hoạt
động của mạch và cho phép chọn các cấu hình, các linh kiện thích hợp để hoàn thành
thiết kế. Ngày nay có rất nhiều các mô hình chuyển đổi để tăng hiệu suất, giảm kích
thước của bộ nguồn. trong luận văn này đề cập đến một mộ hình chuyển đổi LLC. Để
hiểu rõ về vấn đề chuyển đổi DC- DC tôi đã chọn nghiên cứu về đề tài “Nghiên cứu
bộ nguồn phân tán”. Bố cục của luận văn này gồm có 5 chương.
Chương 1: Tổng quan về nguồn phân tán,
Chương 2: Phân tích tác dụng của bộ điều chỉnh công suất -
(Power factor correction – PFC)
Chương 3: Phân tích bộ chuyển đổi DC-DC
Chương 4: Phân tích chế độ động của bộ biến đổi cộng hưởng LLC.
Chương 5: Thiết kế thử nghiệm và Mô phỏng bộ điều khiển mạch LLC
Trong quá trình thực hiện bài luận văn, mặc dù gặp rất nhiều khó khăn về vấn đề
chuyên môn. Nhờ sự giúp đỡ tận tình chỉ bảo hướng dẫn của thầy giáo TS. Trần Trọng
Minh đã giúp em hoàn hoàn thành luận văn với kết quả mong muốn đạt được. Tôi xin gửi
lời cảm ơn chân thành tới thầy giáo TS. Trần Trọng Minh cùng tập thể các thầy cô giáo
cùng bộ môn Tự Động Hóa Xí Nghiệp Công Nghiệp, Trường Đại Học Bách Khoa HN.
Hà Nội, ngày 4 tháng 3 năm 2012
Học viên

Trần Minh Đức

1
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

CHƯƠNG 1
TỔNG QUAN VỀ NGUỒN PHÂN TÁN

1.1. Tổng quan về nguồn phân tán


Trong các hệ thống điện tử công nghiệp ngày nay, các vi mạch vi xử lý sử
dụng điện áp thấp (3V, 5v, 12, 48V…) nhưng chúng đòi hỏi một nguồn dòng đủ
lớn có thể lên đến hàng trăm ampe với mức điện áp nhỏ hơn 1.3V và có kích thước
nhỏ gọn, công suất lớn, hiệu suất cao, dễ dàng lắp đặt sửa chữa, bảo trì và đáp ứng
được độ tin cậy của hệ thống đang là một nhu cầu ngày càng tăng. Chính những
nhu cầu trên mà hệ thống nguồn phân tán ra đời. Tuy không đáp ứng hoàn toàn
nhưng nhu cầu mà các nhà sử dụng cần nhưng một mặt hệ thống nguồn phân tán
đã đáp ứng được các tiêu chuẩn cơ bản về mặt kỹ thuật như: hiệu suất cao, độ tin
cậy. Chính vì vậy, mà hệ thống nguồn phân tán được sử dụng trong lĩnh vực quan
trọng như:
Cung cấp nguồn trong các hệ thống máy chủ.
Các hệ thống xử lý và truyền thông tin
Các hệ thống viễn thông.
Đối với nguồn tập trung do tất cả các IC được tích hợp trên một vi mạch, hoạt
động của các chip tăng lên khi ở tần số cao và sinh nhiệt. Vấn đề tản nhiệt để nâng
cao hiệu suất gặp nhiều khó khăn và làm tăng kích thước bộ nguồn, khó thay đổi
và quản lý nguồn. Vì thế nguồn phân tán đã đáp ứng được những nhược điểm của
nguồn tập trung.
Trong ngành công nghiệp ngày nay, nguồn phân tán (DSP) đang được đưa
vào ứng dụng trong hai lĩnh vực qua trong : Hệ thống lưu trữ thông tin truyền số
liệu của mạng máy chủ (server PC) và hệ thống viễn thông. Trong các hệ thống
máy chủ nguồn DSP được sử dụng để cấp vào các mạch xử lý tín hiệu, mạch
mạch điều khiển, ổ cứng của máy tính. Trong lĩnh vực viễn thông, nguồn phân tán
được sử dụng trong các trạm thu, phát hay các bộ chuyển kênh.
Nhờ những tính năng vượt trội này mà DSP đang ngày càng ứng dụng rộng rãi
trong ngành công nghiệp và đặc biệt là trong lĩnh vực quốc phòng. Người ta đã tạo ra

2
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

các brick để nâng cao tính linh động chuyển đổi giữa các cấp điện áp khác nhau mà
không ảnh hưởng đến quá trình vận hành toàn bộ hệ thống và dễ dàng lắp đặt.

 
Hình 1.1: Cấu trúc bộ nguồn phân tán dạng bus
1.2. Cấu trúc của nguồn phân tán dùng cho hệ máy tính chủ
Sơ đồ cấu trúc nguồn phân tán dùng cho hệ thống máy tính chủ.

Hình 1.2: Cấu trúc nguồn phân tán dùng cho hệ thống máy tính chủ

3
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Trong các hệ thống máy tính chủ nguồn DSP được chia là 3 phần chính.
Khối chuyển đổi bên ngoài được gọi là mạch boost PFC. Mạch này có chức
năng chuyển đổi từ điện lưới một pha 220V-AC sang điện áp một chiều từ
(300VDC - 400VDC. Để tăng hiệu suất chuyển đổi, khối này thường sử dụng là
mạch tăng áp có ổn áp và điều chỉnh hệ số công suất ngõ ra nhờ tích hợp một cuộn
cảm LPF bên trong mạch. Điện áp 400VDC này được cung cấp vào hệ thống Bus
đầu tiên (Bus 400VDC).
Khối biến đổi điện áp DC/DC: Khối này dùng để hạ áp từ 400VDC xuống
12VDC để cung cấp vào hệ thống bus thứ hai (Bus 12V). Khối phía sau hệ thống
bus thứ 2 chính là các điểm tải (POL: point of load), hay là các mạch chuyển đổi hạ
áp cung cấp trực tiếp cho tải và thường sử dụng là mạch buck converter tạo ra điện
áp một chiều như: 3V, 2,5V; 1.8V; 1.5V; 1.3V hay cũng có thể cung cấp trực tiếp
12V đến các hệ thống ổ cứng hay các hệ thống quạt tản nhiệt trong bo mạch chủ.
Nhằm nâng cao hiệu suất và công suất của bộ chuyển đổi, các linh kiện sử
dụng trong hệ thống này chủ yếu là Mosfet, IGBT và các bộ băm xung PWM.
1.3. Cấu trúc của nguồn phân tán dùng trong hệ thống xử lý, truyền thông tin
và viễn thông
Ở trong sơ đồ khối của các hệ thống nguồn viễn thông có sự khác biệt hơn so
với hệ thống nguồn cung cấp cho hệ thống máy tính chủ là phía sau hệ thống Bus
48VDC không phải là mạch buck converter mà đó là các brick converter. Các
brick converter này chính là các mạch chỉnh lưu đồng bộ cách ly thông qua biến áp
xung. Phía sơ cấp của biến áp xung này có thể là các bộ chỉnh lưu đồng bộ Full –
bridge hay flyback – converter. Phía thứ cấp của biến áp xung chính là các mạch
chỉnh lưu đồng bộ hai nửa chu kỳ tăng gấp đôi dòng điện để tăng công suất cấp đủ
dòng cho các POL

4
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 1.3: DSP dùng trong hệ thống xử lý, truyền thông tin và viễn thông
Từ sơ đồ hình 1.3, ta thấy có sự khác biệt về mặt cấu trúc DSP dùng trong hệ
thống máy tính chủ. Đây là một dạng của hệ thống nguồn DC/DC cách ly dùng để
biến đổi từ hệ thống bus 48V DC sang hệ thống bus 12V và bus 5VDC, 3.3VDC.
Phía sau biến áp xung là bộ chỉnh lưu đồng bộ cung cấp cho hệ thống bus 12v và
bus 3V,5v. Từ hệ thống bus 12VDC,3DC,5VDC mới cung cấp đến các POL thông
qua bộ chuyển đổi hạ áp buck converter.
Ý nghĩa của bộ chuyển chuyển đổi này là để cách ly độc lập giữa hệ thống
lưới điện với hệ thống tải tiêu thụ phía sau nhằm nâng cao tính an toàn và độ tin cậy
cho hệ thống trạm thu phát tín hiệu, tránh ảnh hưởng của sóng hài lên lưới và
ngược lại.

5
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

1.4. Cấu trúc chung của DSP


Mặc dù giữa hai cấu trúc DSP cho hệ thống máy tính chủ và DSP cho hệ
thống thông tin và viễn thông có sự khác nhau về mặt cấu trúc. Nhưng nhìn chung
hai cấu trúc này có những điểm tương quan cơ bản về mặt cấu trúc như hình 1.4.

Hình 1.4: Sơ đồ cấu trúc chung của DSP


Từ cấu trúc hình 1.4 , ta thấy cáu trúc DSP như sau:
DSP= PFC + (DC+AC+DC = DC-DC : có cách ly + DC-DC ( point of load)
Khối PFC: Có nhiệm vụ điều chỉnh hệ số công suất sao cho dòng điện đồng
pha với điện áp và đồng thời tăng áp. nó chuyển đổi từ điện thế xoay chiều
220VAC sang điện thế một chiều vào khoảng 400Vdc. Mạch Boost – PFC có ổn áp
nhờ vào tụ điện lắp song song với tải và điều chỉnh hệ số công suất ngõ ra. Điên
thế một chiều này được đưa vào hệ thống Bus đầu tiên. Việc điều chỉnh để có hệ số
công suất cos mong muốn bằng cách thêm vào hay bớt ra cuộn dây hay tụ điện

cho tải tiêu thụ. Như động cơ mang tính cảm kháng có thể điều chỉnh PFC bằng
cách đấu thêm tụ song song với cuộn dây nhằm triệt tiêu công suất phản kháng,
giảm công suất biểu kiến, và tăng hệ số công suất. Thiết bị điều chỉnh hệ số công
suất không những được áp dụng trong ngành công nghiệp mà còn có thể sử dụng
cho mỗi hộ gia đình nhằm giảm tổn hao trên đường truyền và ổn định điện áp cho
tải tiêu thụ.

6
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Khối DC – DC = DC- AC- DC: gồm hai khối: DC-AC và AC-DC. Trong đó
khối DC – AC là khối nghịch lưu cộng hưởng tần số cao có cách ly. Mạch nghịch
lưu sử dụng sử dụng trong luận văn này là bộ cộng hưởng LLC do số van phải điều
khiển ít, tần số và hiệu suất cao kích thức nhỏ gọn. Khối AC – DC là mạch chỉnh
lưu đồng bộ full bridge hay half – bridge.
Bộ nghịch lưu DC-AC sử dụng mạch dao động L-C tạo điều kiện chuyển
mạch mềm cho các van sử dụng các điều kiện chuyển mạch dòng điện bằng không
(ZCS) hay chuyển mạch điện áp bằng không (ZVS). Điện áp một chiều cấp vào
mạch nghịch lưu tần số cao cho ra điện áp xoay chiều dạng xung vuông. Xung
vuông này được đưa vào khối cộng hưởng tạo điều kiện chuyển mạch mềm và tạo
ra dòng điện sin đưa vào biến áp xung. Điện áp xoay chiều này được chỉnh lưu
đồng bộ tạo điện áp một chiều 48VDC.
Ngoài ra ta còn một hệ thống chuyển đổi từ 48VDC xuống 12VDC thông qua
các bộ chuyển đổi brick converter cung cấp đến hệ thống bus 12V, 3V hay 5V. Từ
hệ thống điện bus này ta cung cấp vào mạch chuyển đổi buck nhằm tạo ra các điện
thế : 1.8V, 1.3V, hay 1v… để cung cấp cho bộ nhớ, hay chip vi xử lý. Mạch sử
dụng phổ biến nhất chính là mạch Buck converter đến nhiều điểm của tải ( POL=
poin of load – điểm của tải ).
Ngoài ra DSP còn là một cấu trúc mở. Khi tải được mở rộng hoặc giảm bớt đi
sẽ không ảnh hưởng nhiều đến toàn hệ thống.
1.5. Phương hướng phát triển nguồn DSP
Vào những năm 1970, khái niệm về nguồn DSP đã tồn tại và đã được ứng
dụng nhiều trong lĩnh vực viễn thông. Trước đó, thường phải có hai bộ nguồn giống
nhau cho hệ thống viễn thông và đã làm tăng chi phí. Sự ra đời của nguồn DSP
giảm được chi phí nên đã được sử dụng rộng rãi. Đặc điểm của bộ DSP này là tách
tải thành từng nhóm và cấp nguồn đơn cho mỗi POL độc lập, giảm tác động lỗi của
thiết bị riêng lẻ lên toàn hệ thống con.
Ngày nay, nguồn DSP không chỉ sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực viễn thông
mà còn được sử dụng rộng rãi trong rất nhiều hệ thống mạch điện tử để cấp nguồn
cho máy tính, các mạch xử lý tín hiệu hay các mạch điều khiển. Trong các hệ thống

7
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

có yêu cầu phải làm việc độc lập với lưới điện hay trong các hệ thống có bộ phận
tích trữ năng lượng như acqui, trên tàu hỏa, ô tô, máy bay hay các trạm vệ tinh nhân
tạo. Bên cạnh độ an toàn cao, và ưu điểm là tiết kiệm năng lượng, tăng hiệu suất,
đảm bảo kinh tế . xu hướng tương lai nguồn DSP sẽ là thay thế nguồn tập trung
truyền thống vì tính năng mở rộng, áp dụng cho nhiều ứng dụng khác nhau.
1.6. Các yêu cầu về mặt kỹ thuật cho nguồn DSP
DSP làm việc chủ yếu đối với các thiết bị điện tử là hệ thống đầu não để xử lý
thông tin nên yêu cầu về mặt kỹ thuật đặt ra đối với DSP như sau.
• Đảm bảo được hiệu suất cao để tăng khả năng sử dụng năng lượng của bộ
nguồn. Trong quá trình làm việc yêu cầu hạn chế phát nhiệt tránh hỏng thiết bị
và tăng độ bền cho bộ biến đổi.
• DSP phải làm việc ở tần số cao ( từ vài chục KHZ đến 300khz và thậm chí
lên đến 1MHZ ) để giảm kích thước của bộ biến đổi.
• DSP cần có đặc tính động tốt vì là bộ nguồn cung cấp cho bộ phận điều khiển
hay bộ xử lý thông tin cao để đảm bảo hoạt động của hệ thống.
• Đảm bảo yêu cầu về mặt cách ly chống nhiễu lan truyền trên nguồn lưới,
chống sét và an toàn khi sảy ra chạm chập. vì vậy biến áp xung được sử dụng
để giảm kích thước, đảm bảo cách ly, hoạt động ở tần số cao.
• Nhằm nâng cao hiệu suất truyền tải trên lưới và giảm tổn thất thi DSP phải
đảm bảo được hệ số cos 1.

1.7. Điều kiện chuyển mạch mềm ZVS và ZCS


Yêu cầu đối với các bộ biến đổi công suất nói chung và các bộ biến đổi front
–end DC-DC nói riêng là có kích thước nhỏ, trọng lượng nhỏ và hiệu suất cao.
Trong một bộ biến đổi công suất thì thành phần từ tính và bộ phận tản nhiệt chiếm
thể tích lớn nhất có thể chiếm tới 80%. Nếu giảm được kích thước các thành phần
trên sẽ tăng mật độ công suất lên rất nhiều. Do đó, các bộ biến đổi tuyến tính sử
dụng biến áp xung thay thế bởi các bộ biến đổi “ hard - switching”. Để giải quyết
vấn đề này, các mạch phụ trợ được sử dụng . Tuy nhiên, phương pháp này vẫn bị
hạn chế do tổn thất chuyển mạch tỉ lệ với tổn hao chuyển mạch nên khi tần số
chuyển mạch tăng cao thì tổn thất chuyển mạch là rất lớn.

8
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Những bộ biến đổi cộng hưởng sử dụng dao động mạch L-C là một giải pháp để
giảm tổn thất chuyển mạch bằng cách tạo ra điều kiện chuyển mạch mềm cho các van.
Các van sẽ được đóng mở khi dòng qua van hoặc điện áp rơi trên van bằng 0.

Hình 1.5: So sánh tổn hao của chuyển mạch cứng và chuyển mạch cộng hưởng.
Tùy theo dòng điện đặt vào khối cộng hưởng sớm hay trễ pha so với xung
vuông điện áp đặt vào mạch cộng hưởng mà ta có được các điều kiện chuyển
mạch điện áp bằng không (ZVS) hay chuyển mạch dòng điện bằng không (ZCS).

Hình 1.6: Sơ đồ minh họa cho điều kiện chuyển mạch mềm.
1.7.1. Chuyển mạch dòng điện bằng không ( ZCS)
Chuyển mạch dòng điện bằng không chỉ sảy ra khi dòng điện qua khối cộng
hưởng sớm pha hơn xung điện áp đặt vào khối cộng hưởng hay chính điện áp Uds.
Dạng sóng minh họa cho quá trình chuyển mạch ZCS được mô tả như sau.

9
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

 
Hình 1.7 : Mô tả chuyển mạch dòng điện bằng không

Hình 1.8: Dạng sóng minh họa chuyển mạch ZCS


1.7.2 . Chuyển mạch điện áp bằng không (ZVS).
Chuyển mạch điện áp bằng không sảy ra khi dòng điện chạy qua khối cộng
hưởng trễ pha hơn xung điện áp đặt vào khối cộng hưởng hay chính điện áp Uds.
Dạng sóng minh họa cho qua trình chuyển mạch ZVS như sau.

10
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 1.9. Mạch mô tả điện áp bằng không – ZVS

 
Hình 1.10: Dạng sóng chuyển mạch điện áp bằng không – ZVS
Từ hai kết quả mô phỏng ZVS và ZCS ta thấy rằng
• Ở ZCS: Do khi phát xung điều khiển mở van thì dòng tích lũy ở diode ngược
và tụ ký sinh song song và được giải phóng qua van nên dòng điện qua van
khi mở sẽ có xung đỉnh lớn gây nhiễu điện từ và tổn hao khi mở van
• Ở chế độ ZVS: Mosfet phải chịu tổn hao khi khóa van do dòng điện lúc này
chưa về bằng không. Nhưng dòng lúc này đã nhỏ và chuyển sang nạp cho tụ
ký sinh song song của van. Khi diode ngược của van dẫn dòng thì điện áp trên
tụ sẻ giải phóng trước khi mosfet thông. Do đó, không có tổn hao khi mở van
và loại trừ được tổn hao do sự nạp xả diode ngược và tụ ký sinh song song.
• Vì vậy, trong thực tế người thiết kế thường chọn mạch làm việc ở tần số cộng
hưởng để đạt được điều kiện chuyển mạch ZVS.

11
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

CHƯƠNG 2
PHÂN TÍCH MẠCH ĐIỀU CHỈNH HỆ SỐ CÔNG SUẤT
( POWER FACTOR CORRECTION – PFC )

2.1. Các mạch PFC thường dùng để điều chỉnh hệ số công suất

 
Hình 2.1: Một số mạch PFC cơ bản
2.2. Ý nghĩa của việc điều chỉnh hệ số công suất.
Việc điều chỉnh hệ số công suất được chia làm hai phần: điều chỉnh PFC
tuyến tính và điều chỉnh PFC phi tuyến.
2.2.1. Điều chỉnh PFC tuyến tính
Điều chỉnh PFC tuyến tính áp dụng cho các thiết bị tiêu thụ trực tiếp điện áp
lưới. Việc điều chỉnh có thể đạt được bằng việc thêm vào hay bớt ra các cuộn dây
hay tụ điện cho thiết bị. Như động cơ mang tính cảm kháng có thể điều chỉnh PFC
bằng việc đấu thêm một tụ song song cuộn dây vận hành nhằm giúp triệt tiêu công
suất phản kháng, làm giảm công suất biểu kiến và tăng hệ số PF. Thiết bị điều
chỉnh hệ số công suất không những được áp dụng trong ngành công nghiệp điện mà

12
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

nó còn có thể sử dụng với người dùng cá nhân khi muốn làm giảm tổn hao trên
đường truyền và ổn định điện áp cho tải.
Thiết bị điều chỉnh hệ số công suất thực chất là một thiết bị cung cấp một
công suất phản kháng tương ứng và đối nghịch lại với công suất phản kháng được
tạo ra của thiết bị. Thêm tụ điện hay cuộn dây vào quá trình để huỷ bỏ đi hiệu ứng
cảm ứng hay điện dung tương ứng được tạo ra. Động cơ có tính cảm ứng có thể
được bù bằng các tụ lọc, lò hồ quang điện có tính điện dung có thể bù bằng các
cuộn dây.
Khi thêm vào hay lấy ra các thiết bị bù công suất phản kháng có thể tạo ra sự
biến động điện áp hay tạo ra các méo hài, trong trường hợp xấu nhất các thành phần
bù công suất phản kháng có thể tạo ra hiện tượng cộng hưởng với hệ thống được
bù, làm cho điện áp tăng cao và gây mất ổn định cho hệ thống. Do vậy việc điều
chỉnh hệ số PFC không thể đơn giản là việc thêm hay bớt các thành phần, mà nó
cần được tính toán kỹ phù hợp với từng mức công suất tải trên thiết bị.
Để tránh trường hợp trên, ứng dụng việc bù hệ số công suất PFC bằng các
thiết bị bù tự động. Thiết bị này bao gồm nhiều tụ điện được đóng hay ngắt ra khỏi
thiết bị được bù công suất phản kháng bằng các công tắt. Các công tắt này lại được
điều khiển bằng một thiết bị điều khiển trung tâm có khả năng đo hệ số công suất
bằng việc đo dòng tải và điện áp của thiết bị qua các cảm biến dòng được gắn trên
đường truyền dẫn điện năng, trước khi vào thiết bị. Tuỳ thuộc vào tải và hệ số công
suất của thiết bị, bộ điều khiển sẽ đấu nối tuần tự các tụ bù vào mạch sao cho giá trị
hệ số công suất luôn ở trên giá trị được chọn.
Một cách khác để điều chỉnh hệ số công suất là dùng động cơ đồng bộ, động
cơ đồng bộ cung cấp một công suất phản kháng có chiều nghịch với chiều công
suất phản kháng của thiết bị, tính chất tiêu thụ công suất phản kháng của động cơ
đồng bộ được xem là một tính chất đặt biệt của loại động cơ này, nó được xem
tương đương như một tụ đồng bộ. Ngoài ra trong ngành công nghiệp điện còn có
nhiều phương pháp để điều chỉnh hệ số công suất khác như bằng các thiết bị điện tử
sử dụng Thyristor chẳng hạn.

13
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

2.2.2. Điều chỉnh PFC phi tuyến tính


Tải phi tuyến thường là dạng tải chỉnh lưu, không sử dụng trực tiếp từ điện
xoay chiều mà nắn lại thành dạng điện một chiều như các bộ nguồn máy tính
(PSU), adaptor,…hay các thiết bị sử dụng năng lượng gián đoạn-liên tục như máy
hàn, bóng đèn huỳnh quanh,..Các thiết bị này trong quá trình tiêu thụ năng lượng
còn tạo ra các dạng sóng hài có tần số là bội số của tần số điện lưới, chèn vào tần số
điện lưới. Các thành phần linh kiện tuyến tính như cuộn dây và tụ điện không thể
loại bỏ được các dải tần số mới được tạo ra này, vì vậy nó phải dùng các bộ lọc hay
bộ điều chỉnh hệ số công suất có thể làm phẳng dòng điện ra trên mỗi chu kỳ nhằm
giảm dòng hài.
Trong các loại tải phi tuyến tính đó thì PSU được sử dụng nhiều nhất, với thiết
kế chuyển đổi năng lượng theo kiểu đóng/cắt (switching). Trước đây các bộ nguồn
này chỉ đơn giản được thiết kế với một cầu nắn điện chỉnh lưu toàn sóng nạp một
mức điện áp dưới mức chịu đựng được của tụ điện. Điều này sẽ tạo ra một dòng
điện nạp ban đầu rất cao, hệ số công suất rất thấp, đồng thời tạo ra các sóng hài
không có lợi.
2.2.3. Điều chỉnh hệ số công suất thụ động – Passive PFC
Phương pháp Passive PFC đơn giản chỉ là sử dụng một bộ lọc, bộ lọc này chỉ
cho qua dòng điện có tần số bằng với tần số điện lưới (50Hz hoặc 60Hz) và chặn
không cho các tần số sóng hài đi qua. Lúc này tải phi tuyến tính có thể xem như
một tải tuyến tính, hệ số công suất đã được nâng cao hơn.
Tuy nhiên yêu cầu cần phải có cuộn cảm có giá trị cảm kháng lớn đã làm cho
bộ lọc cồng kềnh và có giá thành cao, nhưng thực tế với mạch Passive PFC có cuộn
dây tuy lớn hơn cuộn dây của mạch điều chỉnh hệ số công suất tích cực Active PFC
nhưng giá thành chung lại rẻ hơn. Đây là một phương pháp đơn giản và rẻ tiền để
điều chỉnh hệ số công suất và làm giảm sóng hài tuy nhiên nó lại không hiệu quả
bằng phương pháp điều chỉnh hệ số công suất tích cực Active PFC.
2.2.4. Điều chỉnh hệ số công suất tích cực – Active PFC
Là một hệ thống điện tử công suất có chức năng kiểm soát năng lượng cung
cấp cho tải, điều chỉnh hệ số công suất ở mức tốt nhất trên mọi mức tải. Trong thiết

14
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

kế thực tế, mạch Active PFC điều khiển dòng nạp cho tải sao cho dạng sóng của
dòng vào cùng pha với dạng sóng ở đầu vào (ở đây là sóng sin). Về cơ bản có 3
dạng mạch Active PFC được sử dụng là; Boost, Buck và Buck-Boost.
Trong PSU, dạng mạch được sử dụng thông dụng nhất là Boost. Một mạch
chuyển đổi được chèn vào giữa cầu nắn điện và tụ lọc chính. Nó tạo một điện áp DC
ổn định ở đầu ra và duy trì dòng điện vào luôn đồng pha với tần số của điện áp vào.
Phương pháp này đòi hỏi phải thêm một số linh kiện chuyển mạch bán dẫn công suất
và mạch điều khiển nhưng bù lại nó có kích thước nhỏ hơn mạch Passive PFC.
Dạng mạch điều chỉnh hệ số công suất Active PFC có thể hoạt động trên một
dải điện áp vào rất rộng, từ 90VAC đến 264VAC, đặt tính này rất được người dùng
chào đón, nó giúp cho họ không cần quan tâm tới mức điện áp phù hợp với PSU tại
khu vực mình đang ở, ngoài ra nó còn giúp PSU hoạt động được ở những khu vực
có điện áp AC không ổn định.
Bảng so sánh hiệu quả của các mạch điều chỉnh công suất phi tuyến tính
Không có PFC PFC thụ động PFC tích cực
Hệ số PF 0.5 0.65 0.7 0.75 > 0.9

90 – 135Vac 90 – 135Vac
Dải điện áp (115Vac) (115Vac)
94- 264Vac
AC vào 180 – 264Vac 180 – 264Vac
(230V-ac) (230V-ac)

2.2.5. Tầm quan trọng của việc điều chỉnh hệ số công suất trong việc truyền
tải điện năng
Thực tế cho thấy công ty cung cấp điện bán cho người dùng dưới hai giá trị là
điện áp và dòng điện nhưng hóa đơn tiền điện được tính bằng Wat. Nếu hệ số công
suất của thiết bị có giá trị thấp hơn 1 thì cần phải có nhiều công suất VA được
truyền đi để có thể đáp ứng được công suất W thật. ngoài ra còn phải tăng chi phí
thực hiện việc truyền dẫn điện
Lưu ý: hiệu suất làm việc của thiết bị sử dụng không phụ thuộc vào thiết bị đó
có PFC hay không.

15
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Sự ảnh hưởng của sóng hài lên chất lượng công suất.
Do dòng điện và điện áp có độ méo dạng nên sinh ra các sóng hài làm ảnh
hưởng chất lượng công suất, tổn thất điện năng, tăng tổn thất lõi thép trong máy biến áp
2.3. Phân tích mạch điều khiển hệ số công suất - boost PFC
Phân tích mạch boost –PFC

 
Hình 2.2: Mạch ổn áp tăng áp boost – PFC
Trong sơ đồ trên, phần tử đóng ngắt chính không làm nhiệm vụ nối tải vào
nguồn mà chỉ nạp năng lượng vào cuộn cảm L. Cuộn cảm L mắc nối tiếp giữa tải
với nguồn. khi V thông, cuộn L nạp năng lượng bằng dòng điện iv đi từ nguồn qua
L, qua van V. Khi van V khóa lại, dòng điện qua cuộn cảm tiếp tục được duy trì
bằng dòng ID qua diode D và phụ tải. Giá trị tụ C có giá trị đủ lớn, mắc song song
với tải để san phẳng điện áp. Vì vậy, có thể giả thiết điện áp trên tải Uo gần như
không thay đổi trong chu kỳ đóng cắt của van V. Như vậy khi V mở do có điện áp
trên tải Uo mà điôt D khoá lại.
Tương tự như đối với sơ đồ nối tiếp, ta có hệ phương trình mô tả mạch điện
có dạng:
diL
Khi V mở: uL = L = Ug . ( 2.1)
dt
diL
Khi V khoá: u L = L = U g −Uo . (2.2)
dt
Với giả thiết Uo=const dòng qua cuộn L có dạng tuyến tính. Trong chế độ xác
lập giá trị trung bình của điện áp trên cuộn cảm trong một chu kỳ đóng cắt T phải
bằng không.
1⎡x ⎤
T t T
1
U L = ∫ uL dt = ⎢ ∫ U g dt + ∫ (U g − U o ) dt ⎥
T0 T ⎢⎣ 0 ⎥⎦
tx             (2.3) 
1⎡
= U g t x + (U g − U o ) (T − t x ) ⎤⎦ = 0
T⎣

16
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Từ phương trình (2.3) ta suy ra


T
Uo = Ug
T − tx                    (2.4) 
Ug
Tại t=tx ta có: I min + t x = I max . Từ đây suy ra độ đập mạch dòng điện bằng:
L
Ug
∆I = I max − I min = t x                  ( 2.5) 
L
T
Vì > 1 nên Uo>Ug. Như vậy sơ đồ làm việc như một bộ biến đổi tăng áp.
T − tx

Về ý nghĩa vật lý từ các hệ phương trình trên cũng có thể thấy rằng mạch chỉ có thể
làm việc trong chế độ xác lập nếu như trong khoảng t=tx ÷ T dòng trong cuộn cảm
U g −Uo
L phải có tốc độ âm (dòng phải giảm), tức là < 0 , hay Uo>Ug.
L

∆I L+
∆I L−

2∆U o

Hình 2.3: Dạng xung dòng điện, điện áp của các phần tử trên sơ đồ DC-DC song
song ( boost converter )

17
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

(a). Dạng xung của van V


(b). Dạng điện áp trên cuộn cảm L
(c). Dạng dòng qua cuộn cảm
(d). Dạng điện áp và dòng điện áp qua tụ.
Khác với Buck Converter dòng trung bình qua cuộn cảm IL trong Boost
Converter không bằng dòng tải Io vì dòng cuộn cảm chạy qua phía tải chỉ trong thời
gian (1 – D)Ts. Có thể xác định dòng IL từ mối quan hệ về công suất giữa đầu ra với
đầu vào. Bỏ qua tổn hao trên các phần tử thì công suất trung bình lấy từ nguồn
phải bằng công suất trên tải, nghĩa là:
U g I L = U o I o . 
Do đó: 

⎛ T − tx ⎞ ⎛ tx ⎞
Io = I L ⎜ ⎟ = ⎜1 − ⎟ I L = (1 − D ) I L ,      (2.6) 
⎝ T ⎠ ⎝ T⎠
tx
Trong đó: D = ;0 < D < 1 , là tham số điều chỉnh. Đối với điện áp ta cũng có
T
mối quan hệ giũa điện áp đầu ra, đầu vào như sau:
T 1
Uo = Ug = U g .                (2.7) 
T − tx 1− D

Hai biểu thức(2.6), ( 2.7) đôi khi gọi là mô hình máy biến áp một chiều của bộ
biến đổi DC-DC tăng áp với hệ số máy biến áp bằng (1 – D). Đồ thị dạng dòng
dòng điện, điện áp của các phần tử trên sơ đồ cho trên hình 2.3.
2.4. Tính toán mạch boost – converter
Dòng trung bình qua cuộn cảm biểu diễn qua dòng tải bằng
1
IL = Io
1− D                      (2.8)  
Độ đập mạch dòng qua cuộn cảm bằng:
Ug
∆I L = DTs
L                    ( 2.9) 
Độ đập mạch của điện áp trên tụ đầu ra được xác định khác hơn so với sơ đồ
Buck Converter . Trong Boost Converter khi van V thông điôt D không thông, khi
đó dòng tải hoàn toàn do tụ C cung cấp. Với giả thiết điện áp trên tụ đập mạch

18
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

không đáng kể có thể coi rằng dòng tải gần như không đổi và bằng giá trị dòng
trung bình Io. Như vậy trong khoảng thời gian tx = DTs điện áp trên tụ bị sụt giảm đi
giá trị bằng ∆UC = ∆Uo, trong đó:
Io
∆U C = ∆U o = DTs
C                  (2.10) 
Sử dụng (2.9) và (2.10), cho trước độ đập mạch dòng qua cuộn cảm cỡ (10%
÷ 30%)IL, độ đập mạch điện áp trên tải cỡ (0,1% ÷ 1%0Uo, có thể xác định được
giá trị L và C.
Dòng đỉnh qua van và điôt bằng:
∆I L 1 U
IV max = I D max = I L + = I L + DTs g
2 2 L              (2.11)   
Dòng trung bình qua van và điôt b ng: 

IV = DTs I L ; I D = (1 − D ) Ts I L
                 ( 2.12) 
2.5. Mô hình hóa mô phỏng mạch điều khiển Boost PFC

 
Hình 2.4 : Mạch điều khiển Boost PFC

19
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Mạch này cung cấp điện áp ổn áp ngõ ra 400VDC. Phạm vi điện áp AC cho
phép thay đổi trong khoảng 85VAC – 246VAC. Chức năng của mạch như sau:
Cuộn dây lọc nhiễu điện từ L1,C1 và L2. Cầu diode chỉnh lưu từ AC sang DC.
Các phần tử cơ bản L3, Q, D1, C5 là thành phần chính trong mạch boost converter.
Tụ C2 dùng để lọc độ gợn tần số switching của điện áp AC. Các phần tử L4, D2, C3,
D3, R1 và C4 phụ trợ cho diode D1 tạo dòng điện phục hồi.
Mạch điều khiển vòng lặp có ổn áp gồm R9, R10, R8, C9, C8, C7 và IC2 phát
hiện điện áp sai lệch từ điện áp phản hồi đưa về. Ngõ ra của IC2 được đưa về mạch
nhân ( mạch tích đạo hàm ) chỉnh lưu điện áp ngõ vào, do đó tạo ra tín hiệu dòng
điện mẫu tại ngõ ra của khối mạch nhân.
Vòng lặp ổn áp dòng điện được thực hiện bởi R2, R3, R4, C6, C5, C7 và IC1
tạo ra tín hiệu sai lệch dòng điện tại ngõ vào dương của IC1đưa vào bộ PWM,
mạch PWM so sánh với tín hiệu răng cưa để tạo ra tín hiệu chi kỳ làm việc dùng
để điều khiển Q.
Mô hình hóa đơn giản của mạch

Hình 2.5: Mô hình hóa đơn giản của mạch Boost PFC

20
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

2.6. Mạch điều khiển PFC dùng IC LM4821


Trọng tâm của bộ điều khiển PFC chính là độ lợi của bộ điều chế. Độ lợi của
bộ điều chế có 2 ngõ vào và một ngõ ra. ( hình 2.6 )

 
Hình 2.6: Điều khiển giá trị dòng trung bình PFC ( ML 4821)
Bên trái ngõ vào của bộ điều chế được gọi là dòng điện mẫu (ISIN). Dòng điện
mẫu này là dòng vào mà tỉ lệ với dạng sóng điện áp chỉnh lưu ngõ vào. Vị trí ngõ
vào khác ở phía dưới bộ điều chế, là bộ khuếch đại độ sai số của điện áp. Bộ
khuếch đại sai số lấy điện áp ngõ ra (dùng một bộ chia áp) ở phía sau diode tăng áp
và so sánh với điện áp mẫu 5V. Bộ khuếch đại sai lệch điện áp sẽ có một băng
thông nhỏ để không để cho bất kỳ thay đổi đột ngột đầu ra hoặc độ gợn thất thường
ảnh hưởng đến đầu ra của bộ khuếch đại.
Ở hình vẽ trên cho thấy rằng phạm vi của các khối ML4821 (bộ điều khiển
PFC chuẩn) để tạo ra hệ số công suất lớn hơn 95%. Các khối này bao gồm:
• Bộ điều khiển vòng lặp điện áp
• Bộ điều khiển vòng lặp dòng điện
• Bộ điều chế độ rộng xung

21
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

• Bộ điều chế độ lợi


Mục đích của bộ điều khiển lặp dòng điện là để dạng sóng dòng điện cùng pha
với dạng sóng điện áp. Để dòng điện cùng pha với điện áp, bộ khuếch đại dòng
điện ở bên trong phải được thiết kế đủ băng thông đủ để giữ lại các sóng hài điện áp
ngõ vào. Dải băng thông này được thiết kế dùng các tụ và điện trở bên ngoài. Băng
thông này được thiết kế trong mọi trường hợp đến một vài Khz ( không bị ảnh
hưởng bởi bất kỳ đột ngột nào), các băng thông này sử dụng thông tin từ bộ điều
chế độ lợi để điều chỉnh độ rộng xung nơi mà Mosfet bị mở hay đóng.
Bộ điều chế độ lợi và bộ điều khiển vòng lặp điện áp làm việc với nhau để lấy
mẫu điện áp và dòng điện ngõ vào tương ứng. hai cách đo này là để so sánh lại với
nhau để xác định. Cách giải quyết này là để so sánh với điện áp mẫu của dòng điện
ngõ ra để xác định chu kỳ của PWM. ( hình 2.7 )

 
Hình 2.7: Điều chế sườn lên để xác định chu kỳ PWM
Điều khiển độ rộng xung sử dụng sườn lên (điều chế sườn lên khi ngõ ra của
switch trạng thái mở khi đó ngõ ra của bộ so sánh qua sườn phía sau của xung răng
cưa đã được chọn. ) các đường thẳng mà đi qua xung răng cưa thì ngõ ra của bộ
khuếch đại vi sai nằm trong phạm vi điều khiển điện áp. Ngõ ra của bộ khuếch đại
vi sai đưa vào RS –FF để điều khiển công suất của Mosfet. Dòng điện trung bình ở
chế độ dang sóng hình 2.8.

22
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

 
Hình 2.8 : Dạng sóng chế độ điêu khiển dòng điện trung bình
2.7. Mộ phỏng mạch điều khiển Bost PFC
2.7.1. Mạch điều khiển PFC có cuộn cảm L

Hình 2.9: Mạch điều khiển PFC khi có cuộn cảm L


Kết quả mô phỏng khi có cuộn cảm L

23
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

 
Hình 2.10: Kết quả mô phỏng mạch điều khiển PFC
2.7.2 Mạch điều khiển PFC không có cuộn cảm L

Hình 2.11: Mạch điều khiển PFC không có cuộn cảm L

24
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Kết quả mô phỏng khi không có cuộn cảm L

Hình 2.12: Kết quả mô phỏng mạch điều khiển PFC


Kết luận:
Từ kết quả mô phỏng ta thấy rằng, vai trò của cuộn cảm L được đưa vào
nhằm giảm bớt độ trễ pha. Làm cho dạng sóng dòng điện cùng pha với điện áp. Tức
là hệ số công suất của mạch tiến gần đến 1. Và làm cho mạch này thuần túy là điện
trở hay công suất biểu kiến bằng công suất tác dụng.
Tụ Cin được thiết kế đủ lớn để cung cấp cho tải khi hệ thống nguồn bị sự cố thoáng
qua trên lưới điện. Thông thường người ta chọn thời gian Tholdup của tụ là 20ms . Do
đó tụ Cin làm nhiệm vụ ổn áp ngỏ ra.

Hình 2.13: Đồ thị mô tả thời gian holdup của PFC

25
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

CHƯƠNG 3
PHÂN TÍCH BỘ CHUYỂN ĐỔI DC-DC

3.1.Các bộ nghịch lưu cộng hưởng tần số cao


Kỹ thuật cộng hưởng được sử dụng để giảm tổn thất switching. Có nhiều mô
hình cộng hưởng như:
• Bộ nghịch lưu cộng hưởng nối tiếp
• Bộ nghịch lưu cộng hưởng song song
• Bộ nghịch lưu cộng hưởng LLC.
Hai mô hình đầu tiên không thể tối ưu hóa cho dải điện áp ngỏ vào rộng và sự
thay đổi tải ở ngõ ra. Bộ chuyển đổi cộng hưởng LLC giảm được tổn thất khi điện
áp ngõ vào thay đổi rộng. Tổn thất turn off được giảm đến mức tối thiểu
3.1.1. Bộ nghịch lưu cộng hưởng nối tiếp

 
Hình 3.1: Cấu trúc của bộ nghịch lưu cộng hưởng nối tiếp
Dạng sóng dòng điện và điện áp của bộ cộng hưởng nối tiếp:

26
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.2: Đồ thị dạng sóng dòng điện và điện áp của bộ nghịch lưu
cộng hưởng nối tiếp

Trong cấu trúc nối tiếp, cuộn L và tụ C được nối tiếp với nhau để tạo nên
mạch cộng hưởng. khối cộng hưởng nối tiếp với tải. Từ hình vẽ ta thấy bộ cộng
hưởng và tải đóng vai trò như là bộ chia áp. Bằng cách thay đổi tần số của điện
áp đầu vào Vd, trở kháng của mạch cộng hưởng sẽ thay đổi. Trở kháng này sẽ
chia điện áp đầu vào với tải. Ở tần số cộng hưởng, trở kháng của khối cộng
hưởng sẽ rất nhỏ. Khí đó, điện áp đặt vào sơ cấp của máy biến áp gồm toàn bộ
điện áp đầu vào. Nếu điện áp giảm, mạch điều khiển sẽ xác định sự giảm xuống
của điện áp và chuyển tần số của bộ biến đổi tới tần số cộng hưởng để tăng điện
áp ra mong muốn. Ngược lại, nếu điện áp ra có xu hướng tăng thì mạch điều
khiển sẽ đưa tần số của bộ biến đổi ra xa tần số cộng hưởng để giảm điện áp.
Khối cộng hưởng đóng vai trò như một nguồn dòng, mạch lọc phía đầu ra chỉ sử
dụng tụ để hòa hợp với trở kháng.
Ưu điểm:
Giảm tổn thất chuyển mạch và nhiễu điện từ thông qua chuyển mạch điện áp
bằng không ( ZVS ) dẫn đến nâng cao hiệu suất, giảm kích thước các phần tử trong
mạch từ nhờ hoạt động ở tần số cao, có thể làm việc khi đầu ra bị ngắn mạch do
tính chất nguồn dòng của khối cộng hưởng và tải giảm thì dòng chạy qua van công

27
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

suất giảm. Điều này làm tổn thất giảm khi tải giảm và hiệu suất vẫn giữ được ở giá
trị cao như làm việc đầy tải.
Ta có mạch thay thế của bộ biến đổi nối tiếp

 
Hình 3.3: Mạch điện thay thế của khối cộng hưởng
Hệ số chất lượng Q là tỉ số giữa tổng trở Z và điện trở tải R. Nó mô tả sự tắt
dần của mạch và dải tần càng hẹp nếu Q càng lớn.
Trong sơ đồ mạch điện thay thế, điện áp Vrsc là thành phần cơ bản của điện
áp vào khối cộng hưởng. R là điện trở tải quy đổi về sơ cấp của biến áp. L vả tụ C
là các thành phần của khối cộng hưởng.
Đặc tính DC của bộ nghịch lưu cộng hưởng LC nối tiếp

Hình 3.4: Đặc tính DC của bộ nghịch lưu cộng hưởng nối tiếp
Từ hình 3.4 ta thấy, khi giảm tải tức là khi Q giảm thì tần số chuyển mạch
tăng lên rất nhiều so với khi Q lớn. Nếu khi tải nhẹ hoặc khi không tải thì tần số
chuyển mạch có thể tăng lên giá trị vô cùng lớn. Do vậy, nhược điểm của bộ biến
đổi cộng hưởng là ở chế độ không tải là bộ biến đổi cộng hưởng không thích hợp
trong các ứng dụng có yêu cầu dòng điện ra lớn và điện áp thấp. Có thể tận dụng

28
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

đặc tính tại một điểm làm việc nhưng không phải với dải điện áp đầu vào rộng và
tải thay đổi.
3.1.2. Bộ nghịch lưu cộng hưởng song song

 
Hình 3.5: Cấu trúc của bộ nghịch lưu cộng hưởng song song
Trong cấu trúc của bộ biến đổi song song, khối cộng hưởng gốm L và tụ C
mắc song song với biến áp. Do đó, khối cộng hưởng có trở kháng thấp với mạch
đầu ra và được coi như là một nguồn áp. Mạch lọc đầu ra gồm cuộn L2 và C2 để
hòa hợp với trở kháng.
Nhược điểm:
Dòng điện chạy qua van công suất và thành phần cộng hưởng tương đối độc
lập với tải. Kết quả là tổn thất qua van và các thành phần cộng hưởng không đổi
khi giảm tải. Do đó, hiệu suất khi giảm tải nhẹ giảm rất mạnh. Hơn nữa, dòng điện
này tăng khi điện áp đầu vào bộ biến đổi này tăng lên. Vi vậy, bộ biến đổi này
không phù hợp cho các tải có yêu cầu điện áp đầu vào thay đổi lớn và yêu cầu có
hiệu suất cao khi non tải. Bộ biến đổi song song chỉ thích hợp với các tải có yêu cầu
điện áp đầu vào gần với công suất cực đại thiết kế.
Do trong bộ biến đổi song song có cuộn dây lọc đầu ra lên bộ biến đổi song
song phù hợp với các ứng dụng có điện áp ra thấp, dòng điện ra lớn. do đó hạn chế
được các dòng gợn đi vào tụ lọc, dòng điện đầu ra tương đối bằng phẳng.
Đặc tinh DC của bộ nghịch lưu cộng hưởng song song

29
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.6: Đặc đính DC của bộ cộng hưởng song song

Từ hình 3.6 ta thấy ngược lại với bộ biến đổi nối tiếp, bộ biến đổi song song
có thể điều khiển điện áp đầu ra ở chế độ không tải bằng cách thay đổi tần số
chuyển mạch trên tần số cộng hưởng.
3.1.3. Bộ nghịch lưu cộng hưởng LLC
Trong những năm gần đầy bộ biến đổi LLC được sử dụng ngày càng tăng. Có
thể sử dụng các thành phần điện cảm của máy biến áp có sẵn để tiết kiện được diện
tích thành phần từ hóa. Do đó, điều kiện chuyển mạch mềm từ không tải đến đầy tải
có thể thực hiện được.
Cấu trúc LLC là cấu trúc của bộ biến đổi nguồn dòng. So với cấu trúc nối
tiếp, cấu trúc bộ biến đổi LLC có thêm thành phần cuộn dây Lm mắc song song
với biến áp trong khối cộng hưởng tạo một mạch vòng điện khi đầu ra biến áp
hở mạch. Vì vậy, miền chuyển mạch ZVS rộng hơn khi giảm tải so với cấu trúc
nối tiếp.

30
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

 
Hình 3.7: Sơ đồ cấu trúc bộ biến đổi LLC

Ưu điểm của bộ biến đổi LLC:

Có thể dể dàng thiết kế với dải điện áp đầu vào rộng, giảm tổn thất chuyển mạch
thông qua độ chuyển mạch ZVS dẫn đến nâng cao hiệu suất, dải tần số thay đổi trong
khoảng hẹp với tải thay đổi rộng, chuyển mạch ZVS với cả chế độ không tải.

Với những ưu điểm đó, bộ biến đổi LLC có thể đáp ứng được những yêu cầu
cho ứng dụng cho bộ biến đổi DC-DC front end.

Nguyên lý hoạt động của bộ biến đổi half – bridge LLC

Dựa trên cấu trúc của bộ biến đổi half – bridge LLC ở tần số chuyển mạch bằng
tần số cộng hưởng gây ra bởi Lr và Cr. Khi đó cuộn dây từ hóa có ảnh hưởng rất nhỏ,
dòng điện Im tồn tại trên vòng dây sơ cấp của biến áp. Dòng điện bên phía sơ cấp Ip là
tổng của dòng điện từ hóa và dòng điện được biến đổi sang phía thứ cấp.

Bộ biến đổi gồm ba thành phần: khối phát xung vuông, khối cộng hưởng và
khối chỉnh lưu ( hay chỉnh lưu đồng bộ)

Khối phát xung vuông tạo ra một điện áp xung vuông có độ lớn Vd bằng cách
phát xung vào hai van Q1 và Q2 với độ rộng xung là 50% trong mỗi chu kỳ. Có
một khoảng thời gian deadtime nhỏ tại điểm chuyển van.

Khối cộng hưởng lọc các thành phần dòng điện dao động tần số cao để
được dòng điện hình sin qua mạch cộng hưởng. Dòng điện Ip trễ pha hơn so

31
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

với điện áp đặt vào khối cộng hưởng ( là thành phần cơ bản của điện áp xung
vuông đưa vào khối cộng hưởng) để cho Mosfet được mở van với chuyển
mạch điện áp bằng không.

 
 
Hình 3.8: Dạng sóng dòng điện và điện áp của bộ chuyển đổi half – bridge LLC

Khối chỉnh lưu tạo ra điện áp một chiều bằng cách chỉnh lưu dòng điện xoay
chiều với bộ chỉnh lưu diode và một tụ lọc đầu ra. Bộ chỉnh lưu sử dụng sơ đồ
chỉnh lưu cầu.
Việc lọc các mạch cộng hưởng cho phép sử dụng các phép xấp xỉ cơ bản để
thu được hệ số khuếch đại điện áp của bộ biến đổi. Giả sử chỉ có thành phần cơ
bản của xung điện áp hình vuông đưa vào khối cộng hưởng tham gia vào việc
truyền công suất tới đầu ra. Vì mạch chỉnh lưu phía thứ cấp làm việc như máy biến
áp điện cảm. Điện trở tải tương đương khác với điện trở tải thực

32
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.9: Điện trở tải tương đương


Hình 3.9 thể hiện sự xuất phát của điện trở tải tương đương. Mạch điện phía
sơ cấp của biến áp này được thay thế bởi nguồn dòng hình sin và nguồn điện áp
dạng xung vuông đặt ở đầu vào của khối chỉnh lưu. Ta có

( 3.1)

( 3.2)

Khi đó điện trở tải tương ứng AC được tính theo công thức

( 3.3)

Quy đổi về phía sơ cấp của biến áp ta có:

(3.4 )

Sử dụng điện trở tải tương đương, mạch điện tương đương AC thu được thể
hiện trên hình 3.9.

33
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.10: mạch điện tương đương của bộ biến đổi half – bridge LLC
Trong đó và là các thành phần cơ bản.

Sử dụng mạch điện tương đương như ở hình 3.10, ta có thể tín được hệ số
khuếch đại điện áp M:

( 3.5)

Trong đó

34
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Từ biểu thức M, ta thấy có hai tần số cộng hưởng: được tạo bởi Lr, Cp.

được tạo bởi Lp và Cr.


3.2. Xét ảnh hưởng của biến áp đến bộ biến đổi half- bridge LLC
Trong sơ đồ cấu trúc half- bridge LLC ta xét trường hợp biến áp lý tưởng.
Trong thực tế thiết kế, người ta sử dụng điện cảm tản sơ cấp và điện cảm tản thứ
cấp của biến áp để tham gia vào mạch cộng hưởng. Do đó có thể tiết kiệm được chi
phí và diện tích bản mạch in.

 
Hình 3.11: Mạch điện tương đương của máy biến thực tế

Trong đó
R1: Điện trở của cuộn sơ cấp của máy biến áp
Ls1: Là điện cảm tản của cuộn sơ cấp
R2: Là điện trở của cuộn dây thứ cấp
Ls2: Là điện cảm tản của cuộn dây thứ cấp
Lm: Điện cảm từ hóa của biến áp.
Rm: là điện trở do dòng Fuco sinh ra
TF: Là mày biến áp lý tưởng có hệ số biến đổi điện áp như mong muốn.
Với máy biến áp xung thì số vòng dây của cuộn dây sơ cấp và thứ cấp rất nhỏ
nên R1 và R2 rất nhỏ (có thể coi bằng 0) còn Rm rất lớn (có thể coi bằng vô cùng
lớn) vì vậy mạch điện tương đương của biến áp xung như sau.

35
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

 
Hình 3.12: Mạch điện đơn giản của biến áp xung thực tế
Từ mạch điện tương đương trên hình 3.12, ta thấy có thể sử dụng phần điện
cảm tản trên cuộn dây sơ cấp và điện cảm từ hóa để tham gia vào bộ cộng hưởng
của bộ biến đổi half – bridge LLC. Ngoài ra, ta cần xét đến thành phần điện cảm
tản của cuộn dây thứ cấp của biến áp. Sơ đồ xét đến thành phần của điện cảm của
máy biến áp được thể hiện như sau:

 
Hình 3.13: Sơ đồ cấu trúc xét đến thành phần của điện cảm của máy biến áp
Giả sử
Lklp = n2Llks ta có hàm truyền của mạch cộng hưởng là

(3.6)

Trong đó:

36
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Nếu biểu diễn Lp và Lr, ta có hàm truyền

( 3.7)

Hình 3.14: Mạch điện tương đương đơn giản hóa của bộ cộng hưởng
điện cảm biến áp
Từ đó ta có đặc tuyến khuếch đại điện áp của bộ cộng hưởng LLC hình 3.14.
Từ trên hình ta thấy bộ biến đổi có hai tần số cộng hưởng f0 và fp.Với tải khác nhau
thì các đường đặc tính đều quy tại một điểm ở tần số cộng hưởng f0. Ở tần số lớn
hơn tần số f0 thì bộ biến đổi làm việc như bộ biến đổi nối tiếp. Ở tần số cộng
hưởng, hệ số khuếch đại điện áp được giữ không đổi với sự thay đổi của tải.

( 3.8)

Tần số khuếch đại đỉnh ( Peak gain frequency – PGF ) tồn tại giữa f0 và fp.
khi Q giảm như khi tải giảm, PGF chuyển tới tần số cộng hưởng fp và hệ số khuếch
đại đỉnh (Peak Gain - PG ) lớn hơn. Ngược lại, khi Q tăng đồng nghĩa với tải tăng,

37
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

PGF chuyển dần tới tần số f0. Và PG giảm đi. Có nghĩa là nếu tải thay đổi trong
một khoảng rất lớn thì sẽ có rất ít sự thay đổi về tần số. Bộ biến đổi LLC có thể
làm việc cả trong điều kiện không tải

Hình 3.15: Đặc tuyến khuếch đại của bộ cộng hưởng LLC

 
Hình 3.16: Đặc tính của hệ số khuếch đại đỉnh Q

38
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

3.3. Phân tích các chế độ xác lập dùng phương pháp gần đúng sóng hài bậc nhất
Thông thường bộ biến đổi gồm các khóa bán dẫn có nhiệm vụ tạo ra điện áp
xoay chiều us(t) có dạng xung chữ nhật từ điện áp một chiều đầu vào Ug, với tần số
fs gần bằng tần số cộng hưởng fo của mạng mạch dao động. Khi đó mạng mạch dao
động sẽ phản ứng với thành phần tần số cơ bản fs và với các thành phần sóng hài
bậc cao nfs, (n = 2, 3, …. ). Do tính chọn lọc của mạng mạch dao động các thành
phần tần số cao sẽ bị suy giảm. Do đó có thể gần đúng chỉ cần tính tới thành phần
điện áp và dòng điện hình sin ở tần số cơ bản fs.
3.3.1. Phân tích sơ đồ mạch biến đổi DC-AC lý tưởng

 
Hình 3.17: Sơ đồ mạch DC-AC lý tưởng
 
Sơ đồ mạch bộ biến đổi DC-AC lý tưởng cho trên hình 3.16. Đầu vào của bộ
biến đổi là điện áp nguồn một chiều Ug, đầu ra là dạng xung chữ nhật với tần số fs,
như biểu diễn trên hình 3.17.

 
 

Hình 3.18: Dạng xung điện áp đầu ra bộ biến đổi DC-AC lý tưởng

39
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

 
Hình 3.19: Dạng dòng một chiều đầu vào bộ biến đổi DC-AC

Điện áp đầu ra us(t) có thể phân tích ra chuỗi Fourier:


4U g
us ( t ) =
π

n =1,3,5,...
sin ( nωst ) (3.9)

Trong đóωs = 2πfs là tần số góc. Thành phần sóng cơ bản của điện áp ra bằng:
4U g
u s1 ( t ) = sin ωst = U s1 sin ωst (3.10)
π
Như vậy sóng cơ bản điện áp ra có biên độ 4Ug/π và đồng pha với điện áp ra
dạng xung chữ nhật, như biểu diễn trên hình 3.14.
Như biểu diễn trên hình 3.15, thông thường dòng đầu ra khâu DC-AC is(t) có
thể gần đúng cho có dạng sin, với biên độ Is nào đó, lệch pha so với điện áp us(t)
một góc ϕs:
is ( t ) = I s sin (ωst − ϕs ) (3.11)

Khi đó dòng đầu vào một chiều có thể coi là dạng chỉnh lưu của dòng đầu ra
như biểu diễn trên hình 3.16. Do đó giá trị trung bình của dòng đầu vào bằng:
Ts /2 π
2 2
Ig = ∫ is dt = ∫I sin (θ − ϕ s ) dθ
Ts 0
π 0
s1
(3.12)
2
= I s1 cos ϕ s
π

40
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

3.3.2. Phân tích bộ chỉnh lưu và mạch lọc một chiều

 
Hình 3.20: Mạch chỉnh lưu và lọc một chiều đầu ra
Mạch chỉnh lưu và lọc một chiều đầu ra DC biểu diễn trên hình 3.19. Để có
điện áp đầu ra DC tương đối bằng phẳng tụ lọc Cf phải có giá trị đủ lớn. Khi đó có
thể coi điện áp đầu ra uo(t) = Uo = const. Dòng ra tải do đó cũng coi gần đúng bằng
i(t) = I. Như vậy bộ chỉnh lưu cầu điôt chỉ làm nhiệm vụ biến một điện áp xoay
chiều có dạng xung chữ nhật đối xứng, biên độ +/- Uo, thành điện áp một chiều Uo,
như biểu diễn trên hình 3.18.a.

Hình 3.21: Dạng xung điện áp, dòng điện của bộ chỉnh lưu, lọc lý tưởng
Giả thiết dòng đầu ra của mạng cộng hưởng có dạng sin với biên độ IR và góc
pha ϕR nào đó:
iR ( t ) = I R sin (ωst − ϕ R ) , (3.13)

Do tụ Cf có giá trị đủ lớn dòng đầu ra chỉnh lưu sẽ chỉ còn là thành phần một chiều:
π +ϕ R
2 2
I= ∫ I R1 sin (θ − ϕ R ) dθ = I R1 (3.14)
π ϕ R
π

41
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Giả sử chỉ tính tới thành phần sóng hài bậc nhất của điện áp đầu ra mạng cộng
hưởng, do điện áp uR(t) có dạng xung chữ nhật biên độ +/-Uo, thành phần bậc nhất
của nó sẽ là:
4U o
u R1 ( t ) = sin (ωst − ϕ R ) (3.15)
π
Các điôt chỉnh lưu sẽ chuyển mạch tại các điểm dòng điện bằng không, do đó
dòng đầu vào chỉnh lưu và điện áp xoay chiều đồng pha nhau, như biểu diễn trên
hình 3.20.a. Các thành phần bậc nhất cũng thỏa mãn điều này, như biểu diễn trên
hình 3.20.b. Điều này nghĩa là bộ chỉnh lưu đối với đầu ra của mạng cộng hưởng là
một tải tương đương thuần trở. Điện trở tương đương này bằng (3.15) chia cho
(3.13), có lưu ý đến (3.14), bằng:
u R1 ( t ) 8 U o
Re = = (3.16).
iR1 ( t ) π 2 I

Nếu điện trở tải là R = Uo/I, thì điện trở tương đương của mạch chỉnh lưu đối với
mạng cộng hưởng bằng:
8
Re = R ≈ 0,8106 R (3.17)
π2
3.3.3. Phân tích mạng mạch cộng hưởng
Ta đã mô hình hóa phần bộ biến đổi gần đúng chỉ tính tới thành phần sóng hài bậc
nhất với điện áp đầu ra là us1(t), phần chỉnh lưu và lọc một chiều tương đương với tải
thuần trở Re, phần mạng mạch cộng hưởng chỉ bao gồm các phần tử thụ động L, C. Vì
vậy có thể dùng lý thuyết mạch tuyến tính để phân tích mạng mạch cộng hưởng.

 
Hình 3.22: Mạng mạch cộng hưởng tuyến tính

42
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Theo mô hình trên hình 3.19 hàm truyền điện áp đầu ra, đầu vào của mạng
cộng hưởng có thể viết là:
U R1 ( s )
= H (s)                   ( 3.18) 
U s1 ( s )

Như vậy nếu biết cấu hình mạng mạch cộng hưởng hoàn toàn có thể xác định
hàm truyền của mạng H(s), từ (3.9) có thể xác định quan hệ giữa biên độ điện áp
đầu vào Us1 với biên độ điện áp đầu ra UR1 từ hàm truyền H(s) nếu thay s = jωs và
lấy môđule:
U R1
= H ( s ) s= jω                   ( 3.19) 
U s1 s

Với tải thuần trở cũng có thể xác định được biên độ của dòng đầu ra mạng
cộng hưởng bằng:
U R1 1
I R1 = = H ( s ) s= jω U s1                 ( 3.20) 
Re Re s

3.3.4. Hệ số biến đổi điện áp đầu ra, đầu vào M=Uo/Ug

 
Hình 3.23: Ghép nối các khâu trong mô hình gần đúng bộ biến đổi DC-DC
cộng hưởng
Từ các phân tích ở các phần trên, ghép lại mô hình tương đương bộ biến đổi
cộng hưởng gần đúng sóng hài bậc nhất gồm các khâu như trên hình 3.23, ta có thể
xác định tỷ số biến đổi điện áp của sơ đồ như sau:
Uo
M= = H ( s ) s= jω (3.21)
Ug s

43
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Biểu thức (3.21) có ý nghĩa đặc biệt, nó nói lên rằng hệ số biến đổi điện áp DC-
DC của sơ đồ cộng hưởng xác định bởi mạng mạch cộng hưởng tại xung quanh tần
số đóng cắt fs mà không phụ thuộc vào những yếu tố khác, ví dụ như hệ số điều
chế D như các bộ biến đổi DC-DC trên đây. Hệ số M cũng không phụ thuộc tải, dĩ
nhiên là trong điều kiện điện trở tương đương Re phải ở trong phạm vi mà mạng
mạch LC còn là mạch dao động. Từ đây với các cấu trúc mạng dao động khác nhau
ta có thể xác định được các thông số của bộ biến đổi DC-DC một cách dễ dàng.
3.4. Sơ đồ cộng hưởng nối tiếp

 
Hình 3.24: Cấu trúc của bộ biến đổi DC-DC cộng hưởng nối tiếp
Mạch tương đương gần đúng sơ đồ cộng hưởng nối tiếp.

Hình 3.25: Mạch tương đương gần đúng sơ đồ cộng hưởng nối tiếp

44
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Sơ đồ cộng hưởng nối tiếp cho trên hình 3.24, trong đó mạch van bán dẫn có
thể là sơ đồ nửa cầu hoặc sơ đồ cầu, tùy theo dải công suất. Mạch tương đương gần
đúng cho trên hình 3.25.
Hàm truyền của mạng cộng hưởng bằng:
Re Re
H (s) = =
Z i ( s ) R + sL + 1
e
sC
s               (3.22) 
Qeωo
= 2
s ⎛ s ⎞
1+ +⎜ ⎟
Qeωo ⎝ ωo ⎠

1 L R
Trong đó  ωo = ; Ro = ; Qe = o   
LC C Re
Tỷ số biến đổi điện áp M bằng:
1
M = H ( s ) s = jω =              ( 3.22) 
2
⎛1 ⎞
s

1 + Qe2 ⎜ − F ⎟
⎝F ⎠

Trong đó F = fs/fo là tỷ số giữa tần số đóng cắt so với tần số cộng hưởng fo
=ωo/2π.  
Trên hình 3.25 thể hiện biểu đồ Bode của trở kháng đầu vào Zi(s) và hàm
truyền H(s) theo (3.22). Từ biểu đồ Bode ở tần số thấp hơn tần số cộng hưởng f < fo
trở kháng có tính dung, ở tần số cao hơn f > fo trở kháng có tính cảm. Tại tần số
cộng hưởng f = fo trở kháng thuần trở Zi = Re. Module hàm truyền cho thấy tỷ số
biến đổi M lớn nhất tại tần số cộng hưởng M = H ( s ) s = jω = Re / Re = 1 . Trên và dưới
o

tần số cộng hưởng do Z i ( s ) > Re ta có M < 1. Nếu điện trở tải giảm xuống làm tăng

hệ số chất lượng Qe của mạng cộng hưởng thì đỉnh của đường cong Z i ( s ) , H ( s ) sẽ

nhọn hơn, nói cách khác là tính chọn lọc tần số của mạng cộng hưởng sẽ cao hơn.
Lưu ý rằng các biểu thức tính toán và đồ thị trên hình 3.24 là gần đúng nên các kết
luận trên đây cũng là gần đúng. Các kết quả này tương đối chính xác với tần số làm
việc fs rất gần với tần số cộng hưởng fo, trên và dưới.

45
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

 
Hình 3.26: Biểu đồ Bode của trở kháng vào mạch cộng hưởng nối tiếp
và module hàm truyền H(s)
3.5. Sơ đồ cộng hưởng song song
Sơ đồ cộng hưởng song song cho trên hình 3.26, trong đó bộ van bán dẫn
cũng có thể là sơ đồ nửa cầu hoặc sơ đồ cầu. Khác với sơ đồ cộng hưởng nối tiếp trong
sơ đồ song song mạng cộng hưởng LC có tụ C song song ở đầu vào chỉnh lưu điôt. Điều
này nghĩa là đối với bộ chỉnh lưu mạng cộng hưởng là nguồn áp. Nếu đầu vào chỉnh lưu
là nguồn áp thì đầu ra không thể là nguồn áp, tức là sau chỉnh lưu không thể là tụ lọc C.
Do đó sau chỉnh lưu, như trên hình 3.26 thể hiện, phải là mạch lọc LfCf. Các tính toán tải
tương đương của chỉnh lưu và lọc một chiều sẽ hơi khác so với sơ đồ nối tiếp. Tuy nhiên
cách làm vẫn tương tự nếu xem xét kỹ đồ thị dòng, áp trên hình 3.27.

 
Hình 3.27: Sơ đồ tương đương bộ biến đổi cộng hưởng song song

46
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

 
Hình 3.28: Dạng xung điện áp, dòng điện của bộ chỉnh lưu, lọc lý tưởng
trong sơ đồ cộng hưởng song song
 

Trong sơ đồ song song nếu coi điện áp đầu vào chỉnh lưu điôt uR(t) có dạng
sin, các điôt sẽ chuyển mạch khi điện áp hình sin qua không như trên đồ thị hình
3.28.a. Nếu điện cảm trong mạch lọc một chiều Lf đủ lớn dòng qua cuộn cảm có
thể coi đập mạch không đáng kể và có giá trị bằng dòng tải iLf(t) = I. Do đó dòng
đầu vào chỉnh lưu sẽ có dạng xung chữ nhật với biên độ +/- I.
Sóng hài bậc nhất điện áp đầu ra mạng cộng hưởng coi là:
uR1 ( t ) = U R1 sin (ωst − ϕ R ) (3.24)

Sóng hài bậc nhất của dòng đầu ra mạng lọc sẽ là:
4I
iR1 ( t ) = sin (ωst − ϕ R ) (3.25)
π
Điện trở tương đương sẽ là:
uR1 ( t ) π U R1
Re = = (3.26)
iR1 ( t ) 4I

Điện áp trung bình một chiều sau chỉnh lưu bằng:


2U R1
Uo = (3.27)
π
Thay ( 3.27) vào (3.26) ta có:
π2
Re = R ≈ 1, 2337 R (3.28)
8

47
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

 
Hình 3.29: Mạch tương đương gần đúng của sơ đồ cộng hưởng song song
Các biểu thức trên đây giúp đưa ra sơ đồ tương đương như trên hình 3.26. Từ
sơ đồ có thể đưa ra được biểu thức hệ số biến đổi điện áp như sau:
Uo 8
M= = 2 H ( s ) s= jω (3.29)
Ug π s

Trong đó hàm truyền của mạng dao động bằng:


Zo ( s )
H ( s) = (3.30)
sL
Trở kháng Zo(s) là trở kháng của của ba thành phần song song với nhau L, C
và điện trở tải tương đương Re:
( 3.31)

Hình 3.30: Biểu đồ Bode của trở kháng và module H(s)


của sơ đồ cộng hưởng song song

48
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Biểu đồ Bode của trở kháng Zo(s) và hàm truyền H(s) cho trên hình 3.30. Giá
trị tiệm cận gần đúng của module trở kháng Z o ( s ) s = jω của ba thành phần song song

bằng giá trị nhỏ nhất của trở kháng thành phần tại một tần số nào đó. Vì vậy tại tần
số thấp hơn tần số cộng hưởng điện cảm có trở kháng nhỏ nhất nên Z o ( s ) s = jω ≈ ω L .

Ở tần số cao hơn tần số cộng hưởng trở kháng tụ trở nên nhỏ nhất nên
Z o ( s ) s = jω ≈ 1 / ω C . Tại tần số cộng hưởng fo trở kháng cảm bằng trở kháng tụ nhưng

ngược pha nhau nên trở kháng Zo bằng điện trở tải tương đương Re.
1
Z o ( s ) s = jω = = Re . (3.32)
1 1
+ jωo +
o

jωo L Re

1
Với ωo L = = Ro
ωoC
Vậy hệ số biến đổi điện áp bằng:

8 Zo ( s ) 8 1
M= = 2
π 2
sL s= jω π ⎛ s ⎞
s
2
s
1+ +⎜ ⎟
Qeωo ⎝ ωo ⎠ s = jωs
(3.33)
8 1
=
π 2
⎛ ⎞
2

(1 − F ) + ⎜ QF ⎟
2

⎝ e⎠

Trong đó F = fs/fo.
Tại tần số cộng hưởng:
8 Re R
M= = (3.34)
π 2 Ro Ro
Như vậy nếu điện trở tải R lớn hơn điện trở đặc tính của mạng dao động Ro bộ
biến đổi cộng hưởng song song có thể cho hệ số truyền áp lớn hơn và nhỏ hơn 1.
Mạch cộng hưởng lý tưởng có thể cho hệ số truyền áp lớn đến vô cùng, tuy nhiên
giá trị này bao giờ cũng bị giới hạn do tổn hao không tránh khỏi trong mạch.

49
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

3.6. Phân tích chuyển mạch mềm ZVS, ZCS

Các sơ đồ cộng hưởng dẫn tới chế độ chuyển mạch mềm, tức là van chuyển
mạch hoặc khi điện áp trên van bằng không (ZVS) hoặc khi dòng điện qua van
bằng không (ZCS). Ta xét hiện tượng này qua ví dụ sơ đồ bộ biến đổi cộng hưởng
cầu một pha nối tiếp, như trên hình 3.30

Giả sử sơ đồ làm việc ở tần số dưới tần số cộng hưởng, fs < fo. Khi đó trở
kháng mạng cộng hưởng Zi(s) mang tính dung kháng do trở kháng của tụ lớn hơn
trở kháng cảm. Điện áp đặt vào mạng dao động có dạng đối xứng chữ nhật, biên độ
+/-Ug. Nếu xét gần đúng với thành phần sóng hài bậc nhất, với trở kháng tổng có
tính dung nên dòng is1(t) sẽ vượt trước điện áp. Tuy nhiên điều này cũng đúng đối
với giá trị tức thời. Đồ thị thời gian dạng dòng điện, điện áp đầu ra nghịch lưu cho
trên hình 3.31.

Xét trong nửa chu kỳ 0 < t < Ts/2, khi Q1, Q4 dẫn dòng, dòng is(t) sẽ về bằng
không trước khi sang nửa chu kỳ sau. Tại thời điểm đó Q1, Q2 sẽ khóa lại. Không
có tổn thất khi van khóa vì dòng bằng 0. Chế độ này gọi là chuyển mạch tại dòng
bằng 0 (ZCS). Tiếp theo dòng đổi chiều, chạy qua điôt ngược D1, D4.

Hình 3.31: Sơ đồ cộng hưởng nối tiếp cầu một pha

50
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.32: Dạng điện áp, dòng điện trên sơ đồ cộng hưởng nối tiếp khi tải
mang tính dung kháng, tần số đóng cắt fs < f0
 

Điều tương tự xảy ra ở nửa chu kỳ sau khi van Q2, Q3 dẫn dòng. Tuy nhiên ta
sẽ thấy rằng khi Q1, Q4 được điều khiển mở, trước đó dòng điện sẽ do điôt D2, D3
dẫn. Khi Q1 được điều khiển mở điện áp trên nó bằng điện áp nguồn Ug, dòng sẽ
chuyển từ D2 sang Q1. Do D2 phải có thời gian phục hồi để phục hồi tính chất
khóa của mình, thời gian để các điện tích trong lớp tiếp giáp p-n di tản hết ra ngoài
và nạp lại điện tích cho tụ ký sinh sinh ra do điôt bị phân cực ngược, sẽ xuất hiện
dòng đâm xuyên giữa Q1 và D2 dưới điện nguồn Ug. Dòng này có thể có giá trị
đỉnh rất lớn vì trong thời gian phục hồi điện trở của điôt vẫn rất nhỏ. Điều này thể
hiện trên đồ thị hình 3.20. Dòng điện đỉnh lớn có thể gây nên các xung động điện từ
trên điện cảm đường dây, phát tán sóng điện từ tần số cao ra chung quanh, ảnh
hưởng đến các linh kiện điện tử khác trong mạch. Nếu Q1 là van MOSFET van mở
ra dưới điện áp cao sẽ có dòng điện do tụ ký sinh CDS, được nạp điện đến Ug trước
đó, phóng qua, gây tổn thất trên điện trở khi dẫn giữa cực máng và cực gốc RDS,on.
Dòng phục hồi của điôt D2 cũng là một thành phần chủ yếu gây nên tổn thất trong
trường hợp này.

51
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.33: Chuyển mạch nặng (Hard switching) khi van mở ra

Như vậy chuyển mạch ZCS trong sơ đồ này không mang lại ý nghĩa nhiều về
giảm tổn hao chuyển mạch vì lại gây ra chuyển mạch nặng khi van mở ra. Đây là
chế độ làm việc cần phải tránh.

Cũng với sơ đồ cộng hưởng nối tiếp, nếu tần số làm việc cao hơn tần số cộng
hưởng, fs > fo, trở kháng mạng dao động sẽ mang tính cảm vì khi đó trở kháng của
điện cảm lớn hơn dung kháng của tụ. Khi đó dòng is(t) sẽ chậm pha so với điện áp
us(t), như thể hiện trên đồ thị dạng sóng hình 3.33

Trong nửa chu kỳ đầu khi Q1, Q4 được điều khiển mở nhưng dòng đang chạy
ngược chiều dẫn của van, nghĩa là phải chạy qua điôt D1, D4. Do điôt ngược song
song với van dẫn điện áp trên van gần bằng không. Đến thời điểm dòng đổi chiều
các điôt D1, D4 sẽ tự khóa lại, không có dòng phục hồi vì các điện tích qua điôt đã
bằng không. Các van Q1, Q4 sẽ tự động vào dẫn dòng từ giá trị bằng không trở đi
vì van đã có tín hiệu điều khiển mở. Như vậy chuyển mạch khi van vào dẫn dòng
khi điện áp trên nó bằng không không gây nên tổn thất nào. Trường hợp này gọi là
chuyển mạch ở điện áp bằng không – ZVS, là chế độ làm việc tốt nhất cho các
nghịch lưu cộng hưởng.

52
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.34: Chuyển mạch mềm, van vào dẫn dòng khi điện áp
trên van bằng không (ZVS)
 

Đến cuối nửa chu kỳ Ts/2, khi các van Q1, Q4 khóa lại, Q2, Q3 mở ra, dòng
điện vẫn đang chạy theo chiều cũ, sẽ chuyển sang các điôt D2, D3. Đây lại là
chuyển mạch nặng vì D2, D3 đang dưới điện áp ngược lớn – Ug. Tuy nhiên sẽ
không có dòng phục hồi, thời gian mở của điôt rất ngắn, thời gian khóa lại của van
MOSFET cũng rất ngắn, nghĩa là quá trình này chiếm một thời gian không đáng kể
trong chu kỳ làm việc. Như vậy chuyển mạch nặng trong trường hợp này không
ảnh hưởng nhiều đến vấn đề gây tổn thất chuyển mạch cho sơ đồ.
Đối với MOSFET do có tụ ký sinh giữa cực máng và cực gốc CDS quá trình
van khóa lại lại diễn ra tốt hơn. Ví dụ khi Q1 khóa lại dòng sẽ chạy qua tụ CDS,Q1
làm tăng điện áp UDS lên đến điện áp nguồn Ug. Do MOSFET khóa lại rất nhanh
dòng is(t) sẽ chuyển hết sang CDS,Q1 trước khi UDS tăng đến Ug, tức là trước khi điôt
D2 mở ra. Điôt D2 sẽ chỉ mở ra khi điện áp trên van Q1, hay điện áp trên tụ CDS,Q1
bằng và lớn hơn Ug. Do hiện tượng này điện áp trên van khóa lại sẽ tăng với một
tốc độ nhất định, không đột biến, không gây nên các dao động phát sinh sóng điện
từ với tần số cao, như minh họa trên hình 3.34. Đây lại là một ưu điểm lớn nữa của
chuyển mạch ZVS.

53
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.35: Dạng điện áp trên van MOSFET trong chế độ chuyển mạch ZVS

Nếu van bán dẫn là IGBT quá trình khóa van sẽ không giống như ở
MOSFET. Tuy nhiên các bộ biến đổi nguồn DC-DC đều hoạt động ở tần số cao
và sử dụng MOSFET là chính nên chuyển mạch ZVS với các ưu điểm của nó là
chế độ hoạt động cần phải lựa chọn, có thể nói là bắt buộc. Với tất cả các bộ
biến đổi cộng hưởng đều có thể lựa chọn vùng tần số làm việc để có chế độ
chuyển mạch cho van là ZVS.
3.7. Tính toán mạch DC-DC cộng hưởng LLC
Bộ biến đổi cộng hưởng LLC, sơ đồ cho trên hình 3.35, ngày càng được quan
tâm vì những ưu điểm cơ bản của nó như có thể đạt được hiệu suất cao, đáp ứng với
đầu vào thay đổi trong dải rộng, có thể làm việc trong chế độ ZVS. Khác với các bộ
biến đổi có cách ly thường dùng máy biến áp được tính toán sao cho có thể bỏ qua
dòng từ hóa, nghĩa là với điện cảm từ hóa LM rất lớn, trong bộ biến đổi LLC điện
cảm từ hóa được thiết kế nhỏ vừa phải vì sẽ được sử dụng như một phần tử của
mạng cộng hưởng. Phần mạng mạch cộng hưởng gồm 3 phần tử, mạch Cr, Lr nối
tiếp và điện cảm song song ở đầu ra của mạng. Đóng vai trò là phần tử song song
chính là điện cảm từ hóa máy biến áp LM. Hơn nữa phần điện cảm nối tiếp Lr
thường được tích hợp ngay trong máy biến áp và chính là điện cảm tản của cuộn
dây sơ cấp. Nhờ những yếu tố này mà kích thước máy biến áp có thể giảm nhỏ
đáng kể.
Việc phân tích chế độ xác lập bằng phương pháp gần đúng sóng hài bậc nhất
cho sơ đồ LLC được tiến hành giống như với các bộ biến đổi cộng hưởng

54
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.36: Sơ đồ bộ biến đổi cộng hưởng LLC có biến áp cách ly


Trước hết phần van bán dẫn có nhiệm vụ biến đổi DC-AC, nếu dùng sơ đồ
van cầu một pha, đưa ra điện áp đầu ra us(t) có dạng chữ nhật đối xứng với biên độ
+/-Ug, tần số fs. Sơ đồ bán dẫn có thể thực hiện theo sơ đồ hai van, sơ đồ cầu một
pha hay sơ đồ nửa cầu, như biểu diễn trên hình 3.35. Thành phần sóng hài bậc nhất
của điện áp ra của khâu DC-AC biểu diễn bởi (3.35)
4U g
u s1 ( t ) = sin (ωst ) (3.35)
π

Hình 3.37: Các cấu trúc bộ biến đổi khác nhau cho bộ biến đổi LLC
Tiếp theo phần mạch chỉnh lưu điôt và lọc một chiều ở đầu ra, với giả thiết tụ
lọc Cf đủ lớn, điện áp một chiều coi là bằng phẳng uo(t) = Uo, có thể coi là điện trở
tương đương đối với đầu ra mạng cộng hưởng, có giá trị:
8
Re = R (3.36)
π2

55
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Điện áp xoay chiều ở đầu vào chỉnh lưu điôt, là đầu ra của mạng cộng hưởng,
có dạng xung chữ nhật đối xứng với biên độ +/-Uo, vì vậy có thành phần bậc nhất là:
4U o
u R1 ( t ) = sin (ωst − ϕ R ) (3.37)
π
Trong đó ϕR là góc lệch pha của điện áp giữa đầu ra với đầu vào mạng cộng hưởng.

 
Hình 3.38: Sơ đồ mạch điện biến đổi máy biến áp tương đương
cho bộ biến đổi LLC
 

Phần mạng mạch cộng hưởng với máy biến áp cách ly tương đối phức tạp
hơn. Máy biến áp xung dùng trong sơ đồ các bộ biến đổi thường có số vòng dây
dưới 200 vòng, nên có thể bỏ qua điện trở dây cuốn. Vì vậy ta đi đến sơ đồ tương
đương của mạng cộng hưởng như thể hiện trên hình 3.38. Trong sơ đồ hình 3.38
các thông số máy biến áp quy đổi về phía sơ cấp nên điện trở tải.
8n2
Rac = n2 Re = R (3.38)
π2
Hàm truyền của mạng cộng hưởng có thể xác định theo các bước sau đây.
Trước hết phần mạch nối tiếp có trở kháng bằng:
1
Zs = + sLr
sCr

56
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Phần mạch song song có trở kháng bằng:

Hàm truyền của mạng cộng hưởng có thể xác định bằng:

1 ( n Re ) sLM
2
Zp
H (s) = = (3.39)
Zs + Z p n Zin

Trong (3.39 hệ số 1/n là tỷ số máy biến áp. Do mạng cộng hưởng là tuyến tính
nên module của hàm truyền |H(s)| chính là tỷ số giữa biên độ điện áp xoay chiều
đầu ra so với biên độ điện áp xoay chiều đầu vào UR1/Us1.
Hệ số biến đổi điện áp M = Uo/Ug là module của hàm truyền đạt mạng cộng
hưởng H(s) tại s = jω, với ω = 2πf là tần số đóng cắt của sơ đồ. Có thể biểu diễn M
theo (3.40)

ω 2 LmCr Rac
M= ( 3.40)
⎛ ω2 ⎞ ⎛ ω2 ⎞
jω ⎜1 − 2 ⎟ Lm + Rac ⎜1 − 2 ⎟
⎜ ωp ⎟
⎝ ωo ⎠ ⎝ ⎠
1 1
Trong đó: ωo = ; ωp = .
Lr Cr ( Lm + Lr ) Cr
Như vậy sơ đồ có hai tần số cộng hưởng, ωp ở tần số thấp do có điện cảm từ
hóa Lm tham gia vào và ωo ở tần số cao do chỉ có mạch cộng hưởng nối tiếp qui
định.
Đặt các tham số sau:

- λ = Lr/Lm là tỷ số giữa điện cảm từ hóa so với điện cảm cộng hưởng nối tiếp;
Lr
- Zo = là trở kháng đặc trưng của mạch cộng hưởng nối tiếp;
Cr

Zo π 2 Zo
- Q= = là hệ số chất lượng của mạng cộng hưởng.
Re 8R
Có thể biểu diễn hệ số biến đổi điện áp là một hàm phụ thuộc các tham số như sau:
M = f ( fs , λ, Q ) (3.41)

57
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Khảo sát có thể thấy được những đặc điểm của hệ số M phụ thuộc các tham số
đã đưa ra. Hệ số M phụ thuộc tần số làm việc fs như trên hình 3.38. Hình 3.38 cho
thấy sơ đồ có một điểm cộng hưởng tại tần số thấp ωp, tại đó M = Mmax. Đặc biệt là
tại tần số cộng hưởng cao ωo, M luôn có giá trị là 1. Như vậy tất cả các đặc tính khi
tải thay đổi đều đi qua điểm M = 1, fs = fo = ωo/2π.

Hình 3.39: Hệ số biến đổi điện áp M phụ thuộc tần số làm việc

Hình 3.40. Hệ số M phụ thuộc λ = Lr/Lm.


Hình 3.40 cho thấy khi λ = Lr/Lm càng lớn thì đặc tính M càng nhọn và có giá trị
Mmax càng lớn. Nghĩa là khi điện cảm cộng hưởng càng nhỏ thì Mmax càng lớn.
Trong thực tế nếu thiết kế máy biến áp với điện cảm từ hóa nhỏ thì dòng từ hóa lớn,

58
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

tổn thất cũng lớn hơn. Vì vậy giá trị thường chọn là λ = 0,1 ÷ 0,2, tức là Lm bằng từ
2 đến 10 lần Lr.
Hình 3.40 cho thấy hệ số M phụ thuộc tải thông qua tham số là hệ số chất
lượng Q của mạng cộng hưởng. Tải tăng thì Q càng lớn, nghĩa là điện trở tải Re
càng nhỏ, thì hệ số Mmax càng giảm, cho đến khi chỉ đạt giá trị max bằng 1. Cùng
với việc tải tăng, Q tăng, thì điểm cộng hưởng tần số thấp Mmax có xu hướng dịch
sang vùng tần số cao, tiến dần đến tần số cộng hưởng của mạch nối tiếp fo. Điều
này hoàn toàn phù hợp, ví dụ khi đầu ra gần ngắn mạch thì trong mạch chỉ còn lại
là mạch cộng hưởng nối tiếp.

Hình 3.41: Hệ số biến đổi M phụ thuộc tải (qua hệ số chất lượng Q là tham số)

Trên hình 3.41 chỉ ra sự phụ thuộc của trở kháng tổng đầu vào mạng cộng
hưởng Zin, với vùng bôi đen cần quan tâm. Trở kháng đầu vào có giá trị thấp nhất ở
tần số cộng hưởng thấp ωp. Vùng bôi đen ở bên phải điểm cộng hưởng này đến
điểm tần số cộng hưởng cao đáng quan tâm vì bên phải tần số cộng hưởng trở
kháng mang tính cảm. Điều này dẫn đến dòng đầu ra bộ biến đổi chậm pha so với
điện áp và các van bán dẫn có thể chuyển mạch tại điện áp bằng không (ZVS). Các
ưu điểm lớn của ZVS đã nói đến ở trên.

59
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.42: Trở kháng tổng Zin phụ thuộc tần số


Tổng hợp lại việc khảo sát các đặc tính ở trên, hình 3.42 đưa ra đặc tính của
bộ biến đổi LLC, chỉ ra vùng làm việc có thể lựa chọn. Trong phạm vi điện áp
nguồn đầu vào thay đổi, từ Ug,min đến Ug,max ta chọn phạm vi thay đổi của hệ số biến
đổi Mmax đến Mmin. Trong phạm vi phụ tải của sơ đồ thay đổi vẽ ra họ các đặc tính như
ở hình 3.40. Vùng làm việc nên lựa chọn đảm bảo chế độ ZVS luôn ở bên phải về phía
tần số cao của điểm cộng hưởng. Nối các đỉnh cao nhất của đặc tính M với nhau đến
tận điểm M = 1 ta được vùng cho phép về phía bên phải. Đặc tính hạn chế kịch ở bên
phải là đặc tính ứng với phụ tải nhỏ nhất (Re lớn nhất), có đỉnh của M ở cao nhất và
gần tần số fo nhất. Tóm lại vùng làm việc là vùng bôi đen trên đồ thị hình 3.41.
Thực chất sự kết hợp của điện cảm từ hóa Lm vào chế độ làm việc của mạch
cộng hưởng nối tiếp chỉ xảy ra ở vùng tần số fs < fo. Từ tần số fo trở đi sơ đồ làm
việc như mạch cộng hưởng nối tiếp thông thường, với hệ số biến đổi M nhỏ hơn 1.
Thực vậy, ở tần số cao trở kháng ωsLm sẽ có giá trị lớn, khi đó dòng từ hóa sẽ nhỏ,
hầu như không ảnh hưởng gì đến sự hoạt động của mạng cộng hưởng. Trong vùng
này trở kháng tổng Zin vẫn mang tính cảm nên chế độ ZVS vẫn được thực hiện.
Trong thực tế sơ đồ có thể được khởi động ban đầu với tần số cao, điện áp ra thấp,
giảm được ảnh hưởng của xung động tải đối với dòng điện qua van bán dẫn, sau đó
giảm dần tần số về vùng LLC thực sự ở phía bên trái của tần số fo.

60
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 3.43: Vùng làm việc có thể lựa chọn cho LLC

61
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

CHƯƠNG 4
PHÂN TÍCH CÁC CHẾ ĐỘ HOẠT ĐỘNG CỦA
BỘ CỘNG HƯỞNG LLC

4.1. Dạng sóng dòng điện, điện áp ứng với ba chế độ làm việc ZVS, ZCS và
vùng hoạt động cộng hưởng ở tần số cao f0 = 1/sqrt( LrCr)

Hình 4.1: Đặc tính DC của bộ cộng hưởng LLC


Trên hình 4.1 là vùng ZVS Và ZCS của bộ biến đổi half- bridge LLC. Bộ
biến đổi half bridge này có hai tần số cộng hưởng. Một tần số được xác định bởi
những thành phần cộng hượng: Lr và Cr. Một tần số khác được xác định bởi Lr,
Cr và Lm. Khi bộ biến đổi này làm việc ở tải nặng tần số cộng hưởng sẽ chuyển
đến tần số cộng hưởng nhỏ hơn. Với đặc điểm này, khi điện áp vào là 400V thì
bộ biến đổi sẽ đưa vào hoạt động ở tần số cộng hưởng f0 là tần số cộng hưởng
của mạch cộng hưởng nối tiếp. nếu điện áp vào giảm xuống thì hệ số khuếch đại
lớn hơn có thể đạt được tần số chuyển mạch thấp hơn. Với việc lựa chọn các
thông số phù hợp cho mạch cộng hưởng bộ biến đổi half - bridge LLC có thể
làm việc trong vùng ZVS.

62
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Từ hình 4.1 ta thấy, ở phía bên phải tần số f0. Tùy thuộc vào tải mà đặc tính
làm việc được quyết định. Khi bộ biến đổi làm việc ở tải nặng thì bộ biến đổi làm
việc như bộ half- bridge nối tiếp. Khi tải nhẹ thì bộ biến đổi làm việc như bộ biến
đổi half- bridge song song. Vì vậy, trong thiết kế chúng ta có thể lựa chọn bộ biến
đổi làm việc ở tần số lớn hơn f0 mà vẫn có thể làm việc trong vùng ZVS.
Từ các thảo luận ở trên, ta có thể chia vùng làm việc của bộ biến đổi half -
bridge LLC ra làm ba vùng khác nhau như sau.

Hình 4.2: Ba vùng hoạt động của bộ cộng hưởng half – bridge LLC
Trong thiết kế ta chỉ sử dụng vùng hoạt động 1 là vùng có tần số chuyển
mạch f > f0 , vùng hoạt động 2 là vùng có tần số chuyển mạch f < f0 và vùng hoạt
động 3 là vùng ZCS mà bộ biến đổi tránh làm việc.
Ở trong vùng 1, bộ biến đổi làm việc tương tự như bộ biến đổi nối tiếp. Trong
vùng này, Lm không tham gia vào cộng hưởng với Cr. Khi đó Lm chi hoạt động
như tải của bộ cộng hưởng nối tiếp. Bộ biến đổi cộng hưởng LLC có thể làm việc
ở chế độ không tải khi tần số chuyển mạch cao và điều kiện ZVS có thể được đảm
bảo với bật kỳ hoạt động nào.

63
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Dạng sóng dòng của điện sơ cấp và thứ cấp và thứ cấp của bộ biến đổi LLC
trong vùng 1 như sau:

Hình 4.3: Hoạt động của bộ cộng hưởng half – bridge LLC ở vùng 1
Ở trong vùng 2, hoạt động của bộ biến đổi LLC phức tạp hơn. Dạng sóng
của bộ biến đổi này như sau:

Hình 4.4: Hoạt động của bộ cộng hưởng half – bridge LLC ở vùng 2

64
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Dạng sóng của vùng 2, hoạt động của bộ biến đổi cộng hưởng LLC được chia
làm hai khoảng thời gian rõ rệt. Trong khoảng thời gian đầu tiên, Lr cộng hưởng
với Cr còn Lm vẫn được giữ bởi điện áp đầu ra. Khi dòng điện cộng hương Lr
bằng dòng điện từ hóa máy biến áp Lm, thì sự cộng hưởng giữa Lr và Cr dừng lại.
Lúc này Lm tham gia vào quá trình cộng hưởng và khoảng thời gian thứ hai được
bắt đầu. Trong khoảng thời gian này thành phần cộng hưởng sẽ thay đổi thành Cr
và Lm nối tiếp Lr. Từ đặc điểm này ta thấy bộ biến đổi LLC là bộ biến đổi đa cộng
hưởng. Ở những khoảng thời gian khác nhau, tần số cộng hưởng là khác nhau. Chế
độ f < f0 cho phép sự chuyển mạch mềm của diode chỉnh lưu. Nguyên lý hoạt động
của của bộ biến đổi LLC trong vùng 2 được chia làm ba chế độ.
Chế độ 1: ( từ t0 đến t1).

Hình 4.5: Hoạt động half – bridge LLC trong chế độ 1 vùng 2
Chế độ này bắt đầu khi Q2 bị ngắt ở thời gia t0. Lúc này dòng điện qua cuộn
dây Lr là âm và nó sẽ chạy qua diode của Q1 tạo điều kiện chuyển mạch ZVS cho
Q1. Tín hiệu của cực cổng của Q1 được đưa vào chế độ này. Khi dòng điện qua
cuộn dây cộng hưởng Lr chạy qua diode của Q1, ILr bắt đầu tăng làm cho diode
bên thứ cấp D1 dẫn và dòng I0 bắt đầu tăng.
Chế độ 2 ( từ t1 đến t2) :

Hình 4.6: Hoạt động half – bridge LLC trong chế độ 2, vùng 2

65
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Trong chế độ này, diode chỉnh lưu đầu ra D1 dẫn. Điện áp trên biến áp được
giữ ở V0. Lm được tích trữ với điện áp đầu ra, vì vậy nó không tham gia vào quá
trình cộng hưởng. trong chế độ này, mạch làm việc như bộ biến đổi nối tiếp SRC.
Chế độ này kết thúc khi dòng điện qua Lr bằng với dòng điện từ hóa Lm. Dòng
điện đầu ra dần tiến đến giá trị không.
Chế độ 3( từ t2 đến t3)

Hình 4.7: Hoạt động half – bridge LLC trong chế độ 2, vùng 3
Ở thời gian t2, dòng điện qua hai cuộn dây bằng nhau. Dòng điện đầu ra bằng
không. Điện áp thứ cấp của biến áp thấp hơn điện áp đầu ra. Do đó, điện áp ra
được chia từ máy biến áp.
Trong quá trình này, điện áp đầu ra được chia từ sơ cấp của biến áp, Lm
tham gia vào quá trình cộng hưởng. Nó sẽ tạo ra một khối cộng hưởng Lm nối tiếp
với Lr và cộng hưởng Cr. Chế độ này kết thúc khi Q1 tắt. Dòng qua Q1 mất ở thời
điểm t3 là nhỏ so với dòng điện đỉnh. Ở chu kỳ tiếp theo sơ đồ hoạt động tương tự.
Từ dạng sóng cho thấy, các khóa Mosfet được mở ra với điều kiện chuyển
mạch ZVS. Điều kiện chuyển mạch ZVS đạt được do dòng tư hóa sinh ra. Không
có quan hệ với dòng tải. Vì vậy, điều kiện ZVS có thể thực hiện thậm chí trong
điều kiện không tải. Dòng từ hóa này còn ngắt dòng điện của Mosfet. Điện cảm từ
hóa được chọn khác nhau có thể điều khiển được. Dòng điện ngắt có thể nhỏ hơn
nhiều dòng điện tải. vì vậy, tổn hao khóa các van có thể được giảm xuống. Dòng
điện bên thứ cấp có thể giảm xuống bằng không. Chính vì thế mà tổn hao khóa van
của bộ biến đổi rất nhỏ.

66
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

4.2. Xây dựng hệ thống tự động điều chỉnh điện áp ra bằng phương pháp điều
khiển tần số
4.2.1. Nguyên lý điều khiển vòng lặp điện áp

 
Hình 4.8: Sơ đồ nguyên lý điều khiển điện áp
Điện áp ngõ ra được ổn áp và phản hồi thông qua cầu chia áp. Tín hiệu điện
áp phản hồi này được đưa về bộ khuếch đại sai lệch để so sánh với điện áp mẫu
phía bên ngoài (Vref). Bộ khuếch đại sai lệch này đưa ra điện áp điều khiển. Điện áp
điều khiển này được đưa vào bộ so sánh để so sánh với tín hiệu sóng răng cưa nhằm
tạo ra tín hiệu có dạng xung chữ nhật PWM.

 
Hình 4.9: Nguyên lý điều chế độ rộng xung PWM
Tỉ lệ tín hiệu của chu kỳ PWM phụ thuộc vào điện áp điều khiển. Tần số của
PWM cùng tần số của tín hiệu song răng cưa.

67
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

4.2.2. Nguyên lý điều khiển vòng lặp dòng điện

 
Hình 4.10: Nguyên lý điều khiển dòng điện
Ở phần sơ đồ điều khiển dòng điện ta thấy tín hiệu sóng răng cưa được thay
thế bằng tín hiệu dòng điện ngõ ra đưa vào bộ so sánh. Sơ đồ này gồm hai vòng:
Vòng bên trong điều khiển dòng điện, vòng bên ngoài điều khiển điện áp. Cách
điều khiển này làm cho tín hiệu dòng điện cùng pha với tín hiệu điện áp. Tín hiệu
dòng điện này hoạt động như là dòng điện mẫu. Điện áp ngõ ra được điều khiển bởi
tín hiệu dòng điện.
Về mặt thuận lợi của mô hình này :
• Đáp ứng được thời gian quá độ khi có sự thay đổi phụ tải hay nhiễu phụ tải.
• Làm dòng điện cùng pha với dạng điện áp do đó loại bỏ được sự trể pha. Cải
thiện tốc độ đáp ứng của hệ thống.
4.2.3. Nguyên lý điều khiển vòng lặp dòng điện trung bình
Sơ đồ khối của chế độ điều khiển dòng điện trung bình

 
Hình 4.11: Sơ đồ nguyên lý điều khiển dòng điện trung bình

68
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

 
Hình 4.12: Thành phần khối chính của bộ bù dòng điện trung bình

Chế độ điều khiển dòng điện trung bình gồm có hai vòng. Vòng bên trong
điều khiển dòng điện, vòng bên ngoài điều khiển điện áp. Phương pháp này sử
dụng trong nhiều ứng dụng có tần số chuyển mạch cao và công suất có thể lên đến
10kw. Và được ứng dụng trong mạch điều khiển PFC.
Thuận lợi:
• Không yêu cầu bộ bù sườn lên gắn ở bên ngoài
• Làm tăng độ lợi dc tại tần số thấp
• Loại trừ được nhiễu
• Sử dụng trong mạch PFC làm tăng độ lợi DC tại tần số thấp
Nguyên lý làm việc:
Dòng điện cảm ứng của bộ chuyển đổi iL từ điện trở RS được so sánh với điện
áp điều khiển VC qua bộ bù. Ngõ ra của bộ so sánh khuếch đại được so sánh với tín
hiệu tam giác PWM Vm. Tại ngõ vào của bộ so sánh phát ra tín hiệu điều khiển cho
bộ chuyển đổi
Hàm truyền của bộ bù được viết như sau:

( 4.1)

Trong đó Kc: Là điểm cực tần số cao, được xác định bởi:

(4.2)

69
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

(4.3)

(4.4)

Điểm cực:
Một bộ lọc được đưa vào để lọc độ gợn và giảm nhiễu.
Mạch điều khiển dòng điện trung bình

 
Hình 4.13: Mạch điều khiển dòng điện trung bình

4.3. Phân tích bộ bù lead – lag


Trong các chương trước, chúng ta đã nghiên cứu các phương pháp nhằm đạt
được hiệu suất mong muốn cho hệ thống bằng cách điều chỉnh một hay nhiều tham
số. Tuy nhiên, chúng ta cũng nhận thấy rằng chỉ điều chỉnh tham số không phải
trong trường hợp nào cũng đủ để có được hiệu suất mong muốn. Vì vậy, có thể cần
phải đưa thêm một khối mới vào trong hệ thống để bù đắp cho những hạn chế của
hệ thống ban đầu. Khối này được gọi là bộ bù. Một số phương pháp thiết kế bù
trong miền tần số cho phép chúng ta đạt được hiệu suất mong muốn cho hệ thống.

70
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Nhiều phương pháp bù khác nhau sẽ được thảo luận để nêu bật được sự hữu ích của
chúng trong việc cải thiện hiệu suất.
Chúng ta cũng đã nhận ra từ các chương trước là việc có được đáp ứng hệ
thống mong muốn không chỉ đơn giản là điều chỉnh các tham số, mà trong nhiều
tình huống đòi hỏi phải xem xét lại cấu trúc và thiết kế lại hệ thống. Điều đó có
nghĩa là, việc thiết kế một hệ thống điều khiển bao gồm việc sắp đặt cấu trúc của hệ
thống và lựa chọn các phần tử và tham số phù hợp. Việc thay đổi hay điều chỉnh
cấu trúc của hệ thống điều khiển để đạt được hiệu suất phù hợp được gọi là bù
(compensation). Bù là việc điều chỉnh cấu trúc hệ thống nhằm sửa chữa những
thiếu sót hay thiếu phù hợp. Mục đích của chương này là xem xét những vấn đề của
thiết kế và bù đối với hệ thống điều khiển.
4.3.1. Phân tích mạch bù sớm pha - lead

Hình 4.14: Mạch bù sớm pha – lead

(4.5)

Thực hiện biến đổi Laplace cho phương trình (4.5 ) với các điều kiện ban đầu
bằng không, chúng ta có được phương trình:

( 4.6)

hay:
( 4.7)

71
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Vì vậy, hàm chuyển của mạch là:

( 4.8)

Hình 4.15: Đồ thị Bode của mạch bù sớm pha – lead


Đặt

Phương trình 4.8 trở thành

(4.9)

Đó chính là hàm chuyển (4.16) với K1 = 1/α. Để loại trừ ảnh hưởng suy giảm
của mạch bù do thành phần 1/α < 1, chúng ta cần dùng thêm một mạch khuyếch đại
có hệ số khuyếch đại α, khi đó chúng ta sẽ có mạch bù với K1 = 1.

72
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

4.3.2. Phân tích mạch bù trể pha – lag


Người ta còn thường sử dụng một mạch bù nối tiếp có đặc tính chậm pha. Một
mạch chậm pha (phase-lag network) được thể hiện trong Hình 4.18. Các phương
trình hiệu điện thế của mạch chậm pha này là:

Hình 4.16: Mạch bù trễ pha Lag

Hay (4.10)

( 4.11)

Thay (4.11) vào (4.10):

( 4.12)

Hay:
(

4.13 )
Hàm chuyển của mạch chậm pha là

( 4.14)

73
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Do đó phương trình (4.14) trở thành

               ( 4.15)

Ở đó z = −1/τ và p = z/α. Hàm chuyển của mạch chậm pha này cũng tương tự
hàm chuyển của mạch sớm pha chúng ta đã xét ở trên, nhưng có |z| > |p|. Vì α > 1,
điểm cực của Gc(s) sẽ nằm gần với gốc của trục tọa độ trong mặt phẳng s. Kiểu
mạch bù như vậy còn được gọi là mạch tích phân (integrator network).
Một dạng của mạch chậm pha được gọi là bộ điều khiển tỷ lệ-tích phân
(proportional-integral controller, hay PI controller), vì phương trình của nó bao
gồm hai thành phần, tỷ lệ và tích phân, có dạng như sau:

Hình 4.17: Đồ thị Bode bù trễ pha - lag

Nhận xét :
• Đặc tính biên độ làm giảm hệ số khuếch đại ở vùng tần số cao
• Gây ra sự chậm pha ở tần số trung bình
Tác dụng hiệu chỉnh
• Có thể tăng hệ số khuếch đại của hệ thống mà không ảnh hưởng đến tần số cắt

74
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

• Tránh sự chậm pha do bộ điều khiển gây ra làm ảnh hưởng đến độ dự trữ về pha.
4.3.3. Mạch bù sớm-chậm pha lead – lag
Trong nhiều trường hợp, chúng ta có thể cần một mạch bù có thể cung cấp cả
góc sớm pha như của một mạch sớm pha và sự suy giảm về độ lớn như của một
mạch 154 chậm pha. Một mạch có đặc tính như vậy được gọi là mạch sớm-chậm
pha (leadlag network). Một mạch sớm-chậm pha sẽ có cả hai thành phần sớm pha
và chậm pha, vì vậy hàm chuyển của mạch sẽ có dạng như sau:

 
Một dạng của mạch sớm-chậm pha được sử dụng rất phổ biến, nhất là trong
các hệ thống điều khiển công nghiệp, là bộ điều khiển tỷ lệ-tích phân-đạo hàm
(proportional-integral-derivative controller hay PID controller), hay còn gọi là bộ
điều khiển ba phương thức (three-mode controller), được biểu diễn bằng phương
trình vi phân có dạng như sau
Nhận xét:
• Bộ bù lead – leg gồm hai bộ bù nối tiếp
• Để phát huy ưu điểm của bộ bù, phần trể pha nên ổ tần số thấp, phần sớm pha
nên ở tần số trung bình hay tần số cao
Tác dụng hiệu chỉnh:
• Chọn các thông số thích hợp để làm tăng độ lợi về pha
• Làm tăng hệ số khuếch đại của hệ thống .
4.4. Xây dựng hệ thống tự động điều chỉnh điện áp bằng phương pháp thay đổi
tần số
Từ đặc tính khuếch đại điện áp của bộ biến đổi half – bridge LLC ta thấy để
điều chỉnh điện áp đầu ra của bộ biến đổi ta thay đổi tần số phát xung vào bộ
nghịch lưu. Khi thiết kế vòng phản hồi điện áp, ta cần nghiên cứu đặc điểm tín hiệu
nhỏ của bộ biến đổi.
Trong sơ đồ cấu trúc vòng phản hồi trên hình 4.18. mạch dao động được sử
dụng được sử dụng để biến đổi điện áp ra của bộ điều chỉnh điện áp thành dạng

75
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

sóng vuông có tần số thay đổi để đưa vào driver để điều khiển hai van Q1 và Q2
trong mạch nghịch lưu. Để thiết kế bộ điều chỉnh điện áp ta cần đưa ra được hàm
truyền của bộ điều chỉnh điện áp vào khối VCO.
Trong các thiết kế bộ điều khiển thông thường, khâu điều khiển PID được đưa
vào làm bộ điều khiển. nhưng thực tế việc xác định ba thông số K p , K I , K d rất khó

khăn. Lên trong luận văn này tôi đã đưa vào một khâu lead – leg như đã trình bày
ở trên. Khâu lead – leg gồm hai bộ bù nối tiếp nhau. Lúc này, thay vì ta phải căn
chỉnh ba thông số K p , K I , K d , thì ta đi điều chỉnh các giá trị R, L, C.

Hình 4.18: Sơ đồ cấu trúc vòng phản hối của bộ biến đổi LLC
Với phương pháp mô tả hàm mở rộng, mô hình tín hiệu nhỏ của bộ biến đổi
có thể lấy được với những bậc của sóng hài điều hòa của tần số chuyển mạch. Khi
sử dụng phương pháp này cho các bộ biến đổi LLC, ta cần xem xét tất cả những
chế độ của bộ biến đổi. Do đó, rất khó có thể xây dựng được mô hình cụ thể cho bộ
biến đổi ở các chế độ khác nhau.

76
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Phương pháp mô phỏng trên miền thời gian, sự mô phỏng được đưa ra với
một tín hiệu đầu vào nhiễu và tín hiệu đầu ra ở tần số nhiễu được xác định và so
sánh với tín hiệu đầu vào. Từ đặc tuyến Bode thu được, ta thu được hàm truyền.
4.5. Phân tích đặc tính động và phương pháp thiết kế bộ điều chỉnh điện áp với
ngõ vào rộng và tải thay đổi.
4.5.1. Cấu hình bộ chuyển đổi cộng hưởng LLC nối tiếp

Hình 4.19: Bộ cộng hưởng LLC điều khiển cách ly


Bộ chuyển đổi cộng hưởng LLC được sử dụng trong linh vực điện tử công
nghiệp và có một số yêu cầu về mặt chất lượng như dải điện áp ngõ vào rộng và
đáp ứng được sự thay đổi của tải nhanh. Việc phân tích mô hình động và thiết kế bộ
điều khiển được xác định bằng hai phương pháp: Mô phỏng bằng máy tính và bằng
kết quả thực nghiệm
Việc phân tích mô hình động tín hiệu nhỏ của bộ cộng hưởng LLC nhằm
minh họa để thiết kế bộ điều khiển. để đo được các thông số của mạch ta sử dụng
linh kiện ghép quang
Cấu trúc của bộ bù phản hồi LLC nhằm cung cấp tính ổn định hệ thống và
nâng cao hiệu suất chuyển đổi.

77
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Từ hình vẽ ta thấy điện áp ngõ vào của bộ LLC nằm trong khoảng ( 340v đến
390V) được lấy từ ngõ ra của PFC và cung cấp điện áp ngõ ra là 24V, dòng tải 6A.
bộ cộng. bộ cộng hưởng LLC gồm có tụ Cr và điện cảm rò Llk , cuộn cảm từ hóa và
Lm và biến áp 3 cuộn dây.
Bộ điều chỉnh điện áp sử dụng tần số điều khiển chuẩn với điện áp phản hồi ngõ ra.
Một bộ ghép quang được ghép nối kiều shunt nhằm khuếch đại sai lệch điện áp
phản hồi ngõ ra. Bộ bù điện áp phản hồi ngõ ra được cung cấp dòng điện điều khiển
(CCO) để phát ra tín hiệu điều khiển để điều khiển các switch. Mạch bù ba điểm
cực hai điểm không để nâng cao hiệu suất chuyển đổi.
4.5.2. Các chế độ hoạt động và vùng hoạt động
Việc phân tích mô hình động tín hiệu nhỏ của bộ chuyển đổi cộng hưởng LLC
cho thấy hai đặc tính khác nhau được xem như là hai chế độ hoạt động được minh
họa như ở hình sau

Hình 4.20: Các chế độ hoạt động của bộ cộng hưởng LLC
Hình minh họa trên cho thấy có một họ điện áp ngõ ra và đường cong độ lợi
được áp dụng cho mỗi loại tải khác nhau. Dựa vào vị trí của điểm trong vùng hoạt
động 2 thì chế độ hoạt động của bộ biến đổi được phân ra làm hai chế độ được ký
hiệu trên sơ đồ: mode 1 và mode 2.

78
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Ở mode 1: bộ biến đổi LLC nằm trong vùng 0 với fs là tần số switching của

bộ biến đổi LLC và 0> là tần số ngằn mạch cực đại của bộ chuyển đổi.

Mode 2: liên quan đến hoạt động của bộ chuyển đổi nằm trong vùng

0 và

Ở chế độ này tần số của bộ cộng hưởng LLC lúc hở mạch và độ lợi điện áp
có độ dốc giảm cùng thời điểm.
Như vậy, trong chế độ 1, đặc tính của bộ chuyển đổi LLC tương tự như bộ
chuyển đổi cộng hưởng LC nối tiếp. ở đó sự cộng hưởng được thực hiện bởi Cr và
Llk do điện cảm Lm lớn hơn rất nhiều so với các thành phần của mạch vì vậy ta có
thể bỏ qua thành phần Lm. Mặt khác, ở mode 2 Lm tham gia vào thành phần cộng
hưởng với Cr và Llk đã tác động đến đặc tính của bộ chuyển đổi và cho kết quả
trong đặc tính động tín hiệu nhỏ và có sự khác biệt rất rõ ràng ở mode 1.
Đối với các đặc tính điện áp ngõ vào và tải thay đổi. vùng hoạt động của bộ
chuyển đổi LLC cũng có thể được xác định trên đặc tính độ lợi đường cong như sau:

Hình 4.21: Vùng hoạt động của bộ chuyển đổi cộng hưởng LLC

79
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Ở trên hình cho thấy từ các vùng hoạt động của bộ LLC ta có thể xác định
vị trí điện áp vào ra của tải. Đường thẳng ngang mô tả sự thay đổi của điện áp ngõ
vào. Đường thẳng cong mô tả dòng điện của tải.
Vùng hoạt động của LLC được đề cập đến bốn điểm hoạt động A,B,C,D
trong đó điểm A và C thuộc mode 2 trong khi điểm B và D thuộc mode 1. Các
điểm vùng hoạt động này thường nằm trên đường cong giữa điểm A và điểm B.
Ví dụ: Vs = 340V đến 390V và I0 = 6A
Theo đó, việc phân tích đặc tính động và thiết kế điều khiển sẽ được tập
trung vào điểm A và điểm B. từ hình trên cho thấy đặc tính LLC so với đặc tính bộ
chuyển đổi nối tiếp LC truyền thống thì bộ LLC có vùng hoạt động kéo dài hơn và
cho kết quả như sau.
• Thứ nhất: tần số Switching thay đổi trong phạm vi từ 50khz đến 150khz.
• Thứ 2: độ dốc của độ lợi đường cong điện áp thay đổi trong vùng hoạt
động. độ dốc này rất dốc tại điểm A trong khi điểm D lại bằng phẳng.
• Thứ 3: các vùng hoạt động kéo dài cả hai chế độ: mode 1 ( B và D) mode
2 ( A,C). đặc biệt điểm D nằm sâu bên trong chế độ 1.
4.5.3. Thiết kế và phân tích mô hình tín hiệu nhỏ
A. Đặc tính tần số của hàm truyền
Từ việc phân tích các chế độ làm việc của bộ biến đổi LLC có thể thấy hàm
truyền đạt tín hiệu nhỏ của quan hệ vào-ra giữa điện áp đầu ra Vo(s) và đầu vào điều
khiển là tần số đóng cắt f(s) có dạng phức tạp. Hàm truyền thể hiện đặc tính tần số
có một Zero do điện trở tương đương nối tiếp Resr của tụ lọc đầu ra, một điểm cực
tại tần số thấp ωpl do mạch lọc RC đầu ra xác định, một số điểm cực tại tần số cao
có thể bỏ qua và một cặp điểm cực, có thể là phức, có thể chuyển thành hai điểm
cực thực, một ở tần số cao, một ở tần số thấp, gần với tần số ωpl. Tóm lại có thể xấp
xỉ hàm truyền bằng một hàm bậc ba như sau:
⎛ s ⎞
K vf ⎜⎜1 + ⎟
V0 ( s ) ⎝ ωesr ⎟⎠
GVf ( s ) = =
f (s) ⎛ s s 2 ⎞⎛ s ⎞
⎜⎜1 + + 2 ⎟⎟⎜1 + ⎟
⎜ ⎟
⎝ Qω0 ω0 ⎠⎝ ω pl ⎠

80
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Trong đó
Kvf: độ khuếch đại tần số thấp tỉ lệ với độ khuếch đại đường cong điện áp ra
tại điểm hoạt động
Hệ số tắt dần Q và điểm cực tần số của hàm bậc hai rất khác nhau ở các

vùng hoạt động, ví dụ ứng với các điểm A, B, C, D trên đường đặc tính tĩnh trên
hình 4.21. Nghiệm bậc hai này có thể là một điểm cực kép hoặc hai điểm cực thực,
do đó nó ảnh hưởng đáng kể đến trạng thái động của mạch vòng điều chỉnh. Khi
các điểm cực kép xuất hiện tần số của nó được xấp xỉ cho bởi:

Tần số của điểm cực kép này được gọi là tần số beat. Điểm cực tần số thấp
là bộ lọc ngõ ra và được di chuyển thay đổi quanh vùng hoạt động. Thông

thường người chọn tụ C có giá trị khoảng : C = 1000uF và điện trở tương đương
nối tiếp (effective series resistant – esr) của tụ C khoảng Resr = ( 10 ÷ 15) mΩ. Sự
xuất hiện của điểm Zero và điểm cực tần số thấp được giải thích nhờ xét mạch tải
tương đương như sau:

 
Trở kháng của mạch tụ là:

Khi đó tổng trở tải tương đương:

Trong đó
: xuất hiện tại tần số cố định

: điểm cực tần số thấp.

81
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

B. Phương pháp mô phỏng trên miền thời gian


Có nhiều phương pháp phân tích được áp dụng đối với các mô hình tín hiệu
nhỏ của bộ chuyển đổi DC- to – DC chẳng hạn như:
Phương pháp phân tích giá trị trung bình
Phương pháp mô tả dạng hàm đơn gian
Nhưng những phương pháp này chỉ phù hợp cho bộ chuyển đổi LC nối tiếp.
tuy nhiên khi áp dụng cho bộ LLC các phương pháp này chỉ mang lại kết quả chỉ là
tính toán mang tính nghiên cứu. để thay thế các phương pháp trên, ngươi ta đã
dung các phương pháp mô phỏng trên miền thời gian với mục đích là để mô hình
hóa bộ chuyển đổi cộng hưởng. trong phương pháp này, việc mô phỏng trên miền
thời gian được thực hiện với tín hiệu đầu vào bị thay đổi và tín hiệu thay đổi này
được so sánh với tín hiệu ra. Tùy thuộc vào tỉ lệ giữa tín hiệu vào và tín hiệu ra ta
đưa ra được đồ thị bode ứng với hàm truyền.
Phương pháp mô phỏng trên miền thời gian được sử dụng để lựa chọn hàm
truyền. Kết quả của hàm truyền này được so sánh với đặc tính động của tín hiệu nhỏ.
C. Phân tích mô hình trạng thái động
Vì vùng hoạt động LLC gồm có hai mode 1 và mode 2. Bộ chuyển đổi LLC
có những thay đổi quan trong trong đặc tính động tín hiệu nhỏ. Sự thay đổi này
được minh họa như ở hình sau.

Hình 4.22: Mô tả trạng thái động – quỹ đạo điểm cực và điểm zero của hàm
truyền GVf (s) từ B đến A

82
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Trong đó điểm cực và điểm zero của quy đạo GVf (s) khi các điểm hoạt động

này di chuyển từ điểm B (tương ứng với mode 1) đến điểm A (tương ứng với mode
2). Tại điểm B hàm truyền này có một cặp điểm cực phức tạp là wbt và là

nghiệm của phương trình bậc hai. Điểm cực tần số thấp wpl được lấy từ bộ lọc ngõ
ra. Hàm truyền này cũng có một cặp điểm cực zero cố định wesr.
Khi các điểm hoạt động này di chuyển từ B đến A. Ở chế độ mode 2 cặp cực
phức biến đổi thành hai cặp cực thực và và điểm cực tần số

thấp này di chuyển đến tần số cao hơn từ đến và đến và được di

chuyển đến tần số cao hơn. Mặt khác, di chuyển hướng xuống tần số thấp

hơn gần đến .

Đồ thị bode của hàm truyền điều khiển ngõ ra như sau:

Hình 4.23: Mô tả trạng thái động – quỹ đạo điểm cực và điểm zero của hàm
truyền điều khiển từ GVf (s) từ A đến B

83
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Ở hình cho thấy đồ thị bode của hàm truyền điều khiển ngõ ra Gvc(s) được tạo
ra bởi hàm truyền ngõ ra Gvf(s) và hàm truyền độ khuếch đại GCCO
sự so sánh Gvc(s) tại điểm B và điểm A. Ở mỗi điểm hoạt động việc đoán để đạt
được kết quả mô phỏng trân miền thời gian. Biểu đồ đổ thị bode biểu hiện mối
tương quan chặt chẽ với các quy đạo điểm cực. Tại điểm B ở mode 1 Gvc(s) cho
thấy hệ thống hoạt động tại tần số thấp . Tuy nhiên tại điểm A ở mode 2 Gvc(s)

giống như một hệ thống động thứ hai nhờ vào sự có mặt của hai điểm cực tần số
thấp gần nhau và . Trong trường hợp đặc biệt Gvc(s) giảm xuống -1500.

Tại tần số giữa từ điểm A cho ta thấy đặc tính động tín hiệu nhỏ xấu nhất vì
thế có thể làm cơ sơ cho việc thiết kế bộ bù tại điểm A. Ở hình 4.23 vị trí điểm cực
tần số thấp được lựa chọn như sau.

4.5.4. Thiết kế bộ bù phản hồi


Xét Gvc(s) tại điểm A là cơ sở cho việc thiết kế phản hồi .ta lựa chọn mạch 3
điểm cực hai điểm không như sau.

Hình 4.24: Mạch bù ba điểm cực hai điểm không

84
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hai điểm zero được sử dụng để bù vào sự trễ pha do có hai điểm cực tần số
thấp. Hai điểm cực này được cung cấp để làm suy giảm tần số cao nhằm nâng cao
độ khuếch đại vòng lặp. Một mạch tích phân được sử dụng để ổn định điện áp DC.

Hình 4.25: Thiết kế bộ bù và độ khuếch đại vòng lặp. (a): thiết kế bộ bù tại điểm
A. (b) thiết kế bộ bù tại điểm B. Tm độ khuếch đại vòng lặp
Ở hình 4.25(a) minh họa bộ bù phản hồi. Tm: độ khuếch đại vòng lặp
4.5.4.1. Lựa chọn tham số cho bộ bù tại điểm A

85
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Trong đó

Bộ bù ( bộ điều chỉnh ) là

Hàm truyền của bộ bù vòng lặp kín là

Chọn và thay vào và đơn giản đi ta có

86
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Ta có mô phỏng minh họa bộ bù tại điểm A như sau

Hình 4.26: Thiết kế bộ bù tại điểm A


Hình vẽ trên mô tả minh họa bộ bù tại điểm A. Bộ bù điểm không ở vị trí tần số thấp

Điểm cực bù đầu tiên được đặt tại điểm không esr

Trong khi điểm cực thứ 2 được bù tại vị trí

87
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Tham số mạch khuếch đại tích phân : Km = 1257

Với các thông số của bộ bù này độ khuếch đại vòng lặp duy trì độ dốc -20db/dec
cho đến khi vượt quá độ lợi vòng lặp tần số và đảm bảo được độ dự trữ về pha.

4.5.4.2. Lựa chọn tham số cho bộ bù tại điểm B

Trong khi bộ bù ba điểm cực hai điểm zero được đưa ra với mong muống đạt
được đặc tính độ khuếch đại vòng lặp ở mode 2 nhưng cũng cần thiết đánh giá tính
hợp lý của bộ bù mode 1.

ở hình vẽ trên cho thấy việc dự đoán độ khuếch đại vòng lặp tại điểm B ở
mode 1 nhờ vào sự thay đổi Gvc(s) về sự chênh lệch từ -20db/ dec ở trước. Sự thay
đổi này không làm thay đổi xấu đi đặc tính độ lợi vòng lặp. đặc biệt độ lợi vòng
lặp này chì thấy một độ lợi phẳng giữa và điều này thực tế cho thấy rõ nét

cải thiện đặc tính pha, biên độ hiệu suất pha được nâng cao vì vậy ta có thể kết luận
rằng việc thiết kế bộ bù cho điểm A ở mode 2 vẫn thỏa mãn hoạt động tại điểm B
ở mode 1.

Lựa chọn tham số cho điểm B

Với

Nên ta có

88
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 4.27: thiết kế bộ bù tại điểm B


4.5.5 . Kết quả thực hiện vòng lặp kín

Hình 4.28: độ khuếch đại vòng lặp


(a): độ khuếch đại vòng lặp tại điểm A
(B): độ khuếch đại vòng lặp tại điểm B
(c): độ khuếch đại vòng lặp tại điểm C
(d): độ khuếch đại vòng lặp tại điểm D

89
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

4.5.5.1. Kết quả thực hiện vòng lặp kín về độ khuếch đại vòng lặp
Từ đặc tính của bộ khuếch đại vòng lặp tại các điểm A,B,C, D. Được so sánh
bằng kết quả thực nghiệm ta thấy độ khuếch đại vòng lặp tại điểm A và điểm C cho
thấy mục tiêu thiết kế là phù hợp hình 4.26.
Tại điểm B cho thấy độ khuếch đại vòng lặp có mối tương quan chặt chẽ với
việc dự đoán phù hợp với hình 4.27.
Tại điểm D cho thấy biên độ của độ lợi vòng lặp giảm một cách đáng kể do
biên độ của độ lợi vòng lặp tỉ lệ với độ dốc đường cong độ khuếch đại điện áp nên
rất nhỏ ngoài ra nó có độ dự trữ pha là nhỏ nhất vì thế mà bộ chuyển đổi thực hiện
hiệu suất thấp nhất.
4.5.5.2. Kết quả thực hiện vòng lặp kín về sự đáp ứng của tải
Hình 4.29 cho thấy đáp ứng thay đổi của tải khi điện áp ngõ vào thay đổi. sự
mô phỏng dòng điện cộng hưởng và dạng song điện áp ra được trình bày song song
với kết quả thực nghiệm.

 
Hình 4.29: Đáp ứng của tải
(a): đáp ứng của tải từ điểm C đến điểm A
(b): đáp ứng của tải từ điểm A đến điểm B

90
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

4.5.6. Tính toán mạch bù phản hồi điện áp

Hình 4.30: Mạch bù phản hồi điện áp


Mạch bù của hệ thống có dạng như sau:
Mạch bù của hệ thống có dạng trên hình 4.30. Trong sơ đồ trên sử dụng cách ly
bằng optocoupler. Có hai thông số quyết định đến đặc tính của optocoupler là tỉ số
truyền đạt dòng điện (CTR) giữa diode phát quang và transphoto và tụ Cj là tụ nối
giữa cực collector của emitter và collector của transistor quang. Khi những thông
số này thay đổi theo chế độ làm việc của bộ biến đổi, những thông số thực tế phải
có liên hệ với nhau về mặt động học.

Với bộ biến đổi LLC, tỉ số truyền dòng điện được chọn vào khoảng :
0.15<CTR<0.42
Ta có:

Trong đó:
Z1(s)= R4, Z3(s) = (R2+ 1/(sC2)|| R1 và Z2(S) = 1/ (sC1)

91
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Khi đó biểu thức trên viết lại.

Mặt khác tỉ số giữa và được đưa ra biểu thức

Bộ bù phản hồi tiếp điệp áp được xác định theo biểu thức.

Mặt khác:

 
Từ đó biểu thức của bộ bù phản hồi tiếp điện ap

Trong đó :

92
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

4.6. Phân tích bộ điều khiển vòng lặp khóa pha


Để khắc phục những hạn chế điều khiển phản hồi điện áp hay dòng điện,
sơ đồ điều khiển vòng lặp khóa pha (PLL) được trình bày như sau:

Hình 4.31: Sơ đồ điều khiển vòng lặp khóa pha

Sơ đồ điều khiển PLL có tần số hoạt động được khóa bởi các pha khác nhau,
bởi các nguyên nhân như; điện áp ngõ vào, dòng điện ngõ vào, điện áp ngõ ra, điện
áp cảm ứng ngõ ra. Với sơ đồ điều khiển PLL, tần số hoạt động của bộ inverter này
một cách liên tục cộng hưởng trong khi các pha khác nhau của bộ inverter tại tần số
cộng hưởng thì luôn cố định. Dựa trên tần số hoạt động thấp nhất, tần số hoạt động
của bộ inverter được thay đổi làm tần số bộ inverter đạt được yêu cầu về độ lợi điện
áp. Tuy nhiên, vì tần số hoạt động sẽ không thấp hơn tần số cộng hưởng LLC, các
switch của bộ inverter được hoạt động ở điều kiện ZVS. Nghĩa là tổn thất chuyển
mạch sẽ không tăng. Chính vì lý do đó mà sơ đồ PLL tốt hơn cả hai sơ đồ điều
khiển phản hồi điện áp và dòng điện.

Như đã trình bày, sơ đồ điều khiển PLL được sử dụng rộng rãi trong xử lý tín
hiệu và các hệ thống số.

Sơ đồi khối của PLL

93
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Hình 4.32: Sơ đồ khối của IC CD4046 PLL

Sơ đồ khối của PLL bao gồm: bộ so sánh pha, bộ lọc thông thấp (LPF), bộ
dao động điều khiển điện áp (VCO). Ba phần này được nối thành hệ thống
điều khiển vòng lặp hệ kín. Khi Ve(t)= 0 (không có tín hiệu vào PLL) thì Vd(t)
= 0. Tại thời điểm này, Vd(t) tác động vào VCO sinh ra tần số f0. Tuy nhiên,
khi tín hiệu ngõ vào tác động vào PLL, bộ so sánh pha sẽ so sánh pha, tần số
của tín hiệu ngỏ vào với tần số VCO và sinh ra tỉ lệ điện áp sai lệch của pha
và các tần số khác nhau của tín hiệu ngõ vào và VCO. Điện áp sai lệch Ve(t)
được lọc bởi bộ lọc thông thấp và được sử dụng như là điện áp điều khiển ngõ
vào VCO. Do đó, Vd(t) được thay đổi trực tiếp tạo ra tần số vì thế mà giảm
được sự khác nhau giữa tần số VCO và tần số của tín hiệu ngõ vào. Khi Vd(t)
thay đổi làm giảm tần số và giảm sự khác biệt về tần số giữa VCO và tần số
của tín hiệu ngõ vào. Khi tần số của ngõ vào đủ đóng tần số VCO thì PLL bị
khóa.do đó, tần số VCO luôn cùng pha với tín hiệu ngỏ vào.

4.7. Sơ đồ chi tiết mạch điều khiển LLC DC/DC bằng PLL

Thuận lợi: tụ cộng hưởng được chia làm hai tụ vì thế mà giảm được độ gợn
dòng điện ngõ vào. Hai diode kẹp song song với tụ cộng hưởng cho phép bảo
vệ quá tài vì thế mà điện áp trên tụ được chọn là điện áp thấp.

94
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Thời gian giữ là 20ms lúc đầy tải khi điện áp AC bị sụt áp. Trong
khoảng thời gian giữ này, năng lượng của tụ sẽ bù vào. Vì thế trong thiết kế
font – end DC/DC phạm vi điện áp ngõ vào thay đổi trong phạm vi từ 300V
đến 400V. khi điện áp ngõ vào rơi xuống 300V, tần số hoạt động của bộ
converter phải được giảm để đạt yêu cầu về độ lợi điện áp do đó mà tần số
được điều khiển làm tăng tổn thất “ turn on switching” vì vậy tần số hoạt động
của bộ converter hoạt động thấp hơn tần số cộng hưởng. Nghĩa là các switch
không hoạt động ở điều kiện ZVS. Vì thế điều khiển LLC DC/DC bằng PLL
khắc phục được hạn chế này.

Sơ đồ điều khiển PLL liên quan đến việc dò tìm hai tín hiệu pha: điện áp
cộng hưởng ngõ vào và điện cảm rò bên trong máy biến áp. Với sơ đồ PLL dòng
điện được điều khiển một cách chính xác bất chấp sự thay đổi của tải.

 
Hình 4.33: Mô hình mạch điểu khiển tín hiệu nhỏ vòng lặp kín PLL

95
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Bộ bù bao gồm: một mạch tích phân, một điểm cực và một điểm không.
Hàm truyền của bộ bù

 
Giả sử rằng C1 >> C2 . các tần số của điểm cực và điểm không là:

   

 
Hình 4.34: Cấu trúc của bộ bù LLC DC/DC và dải độ lợi của bộ bù

96
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

CHƯƠNG 5
THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG BỘ CHUYỂN ĐỔI
CỘNG HƯỞNG LLC

5.1. Thiết kế bộ chuyển đổi cộng hưởng LLC


Các thông ban đầu như sau:
Điện áp ngõ vào 380Vdc ( được lấy từ ngõ ra của khối PFC)
Ngõ ra: 24V/5A
P= 120W
Thời gian giữ yêu cầu 17ms
Tụ điện DC link: 100uF

Tần số:100khz

Hình 5.1: Cấu trúc PFC và DC - DC

5.1.1. Xác định các thông số của biến áp


Máy biến áp sử dụng là biến áp xung có tần số làm việc cao. Chọn lõi biến áp
loại Ferit EER3541D. Từ catalog trong phụ lục, ta có Ae = 107mm2 và B= 0.3T.

Chọn tần số cộng hưởng : f0 = 85KHZ


Giả sử hiệu suất của bộ biến đổi Eff = 95%
Do đó công suất vào của bộ biến đổi

97
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Khoảng điện áp đầu vào của bộ biến đổi DC-DC


Thời gian hold up được xem xét để tính toán giá trị nhỏ nhất của khoảng điện
áp đầu vào:

Giá trị rất lớn của khoảng điện áp đầu vào

Xác định giá trị lớn nhất và giá trị nhỏ nhất của hệ số khuếch đại điện áp
của bộ cộng hưởng . chọn . chọn k =(5 đến 10) khi đó giá trị của hệ số

khuếch đại điện áp là từ 1,1 đến 1,2 tại tần số cộn hưởng f0.
5.1.2. Xác định đặc tính của hệ thống
Ước lượng hiệu suất Eff : giả sử hiệu suất 95%.
Giải điện áp ngõ vào: thời gian hold up được xem như để tính toán giá trị nhỏ
nhất của khoảng điện áp đầu vào.

Xác định độ lợi điện áp cực đại lớn nhất và nhỏ nhất của bộ cộng hưởng.

98
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

chọn . chọn k =(5 đến 10) tại tần số cộn hưởng f0.

Hình 5.2: Đường cong thể hiện khoảng giá trị của hệ số khuếch đại điện áp

Xác định tỉ lệ số vòng dây biến áp:

Tính toán điện trở tải tương đương

5.1.3. Thiết kế mạng cộng hưởng


Trong tính toán ở bước 2, Độ lợi điện áp cực đại( ) khi điện áp ngõ vào

là nhỏ nhất ( ) là 1.14 .

K= 7 ; Mmax = 1.36 ở điểm điện áp vào thấp nhất

với độ dự trữ 10%. Khi đó ta có

99
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Peak gain = 1.36 *110% = 1.5


Tra đồ thị peak gain theo hệ số Q trên hình 5.3 , với k =7, peak gain = 1.5 ta
có Q =0.43.

Hình 5.3: Đặc tính độ lợi theo Q với các giá trị K khác nhau

Khi đó Cr, Lr và Lp là

100
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Tần số chuyển mạch nhỏ nhất được xác định dựa vào đường cong của hệ số
khuếch đại trên hình.

Hình 5.4: Đường cong hệ số khuếch đại


Ta có :

Thay số vào ta có

vòng.

Chọn Ns = 6 vòng. Khi đó Np = 8.6*6= 51.6 vòng >

Chọn Np = 52 vòng.

101
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Từ giá trị Lr = 233.97uH và Lp = 998.25uH, ta chọn giá trị gần nhất của Lp và
Lr trên bảng sau

 
Từ đó ta chọn chiều dài của khe hở không khí là 0.15mm.
Tính toán các thông số của mạch cộng hưởng
Bảng kết quả thiết kế
Thông số Thiết kế ban đầu Thiết kế cuối cùng
Lp 998.25kHZ 850uH
Lr 233.97uH 170uH
Cr 15.1nF 22nF
f0 85Khz 82.3khz
k 7 7
Q 0.43 0.31
M( f= f0) 1.14 1.14
66khz 65.5khz

Ta có

102
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Dòng điện lớn nhất chạy qua tụ Cr khi mạch làm việc bình thường là

Chọn độ dự trử 50%. Khi đó, dòng điện lớn nhất qua tụ là

5.1.4. Tính chọn mạch chỉnh lưu

- Điện áp đặt lên diode mạch chỉnh lưu bằng hai lần điện áp trên đầu ra. Do đó:

VD = 2(V0+Vf) = 2( 24+1.2 ) = 50.4V

Dòng điện chạy qua dide được tính

- Chọn hệ số an toàn Ku = Ki = 2

UD = 2*50.4 = 100.8A

ID = 2* 3.93= 7.86A

- Chọn diode phục hồi nhanh600V/8A

Thành phần cơ bản của dòng điện qua tụ lọc đầu ra được tính theo công thức

Chọn tụ điện phân có Rc = 15mΩ va có C = 2mF

103
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

5.2. Mô Phỏng bộ chuyển đổi cộng hưởng LLC


5.2.1. Mô phỏng mạch điều khiển vòng hở

Hình 5.5: Sơ đồ mạch điều khiển vòng hở

Thời gian mô phỏng thay đổi điện áp đầu vào

[0 10-3 2*10-3 ]

Giá trị điện áp đầu vào thay đổi

[[400 360 400 ]

Thời gian mô phỏng của tải.

[ 0 0,5*10-3 1,5*10-3 2,5*10-3]

Thời gian tương ứng với breaker đóng hay mở

[0 1 0 1]

Kết quả mô phỏng mạch điều khiển vòng hở như sau

104
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

a. Khi Uđm = 400V và tải 50%

Hình 5.6: Dòng điện cộng hưởng khi Khi Uđm = 400V và tải 50%

Hình 5.7: Điện áp ngõ ra của tải khi Uđm = 400V và tải 50%

105
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

b. Khi Uđm = 400V và tải 100%.

Hình 5.8: Dòng điện cộng hưởng khi Uđm = 400V và tải 100%.

Hình 5.9: Điện áp ngõ ra của tải khi Uđm = 400V và tải 100%.

106
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

c. Khi Uđm = 360V và tải 100%.

Hình 5.10: Dòng điện cộng hưởng khi Uđm = 400V và tải 100%

Hình 5.11: Điện áp ngõ ra của tải khi Uđm = 400V và tải 100%

107
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

d. Khi Uđm = 360V và tải 50%.

Hình 5.12: Điện áp cộng hưởng khi Uđm = 360V và tải 50%.

Hình 5.13: Điện áp ngõ ra của tải Uđm = 360V và tải 50%.

108
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

e. Khi Uđm = 410V và tải 50%.

Hình 5.14: Dòng điện cộng hưởng khi Uđm = 410V và tải 50%.

Hình 5.15: Điện áp ngõ ra của tải khi Uđm = 410V và tải 50%.

109
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

f. Khi Uđm = 410V và tải 100%.

Hình 5.16: Dòng điện cộng hưởng khi Uđm = 410V và tải 100%.

Hình 5.17: Điện áp ngõ ra của tải Uđm = 410V và tải 100%.

110
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

5.2.2. Mô phỏng mạch điều khiển vòng kín

Hình 5.18: Sơ đồ mô phỏng mạch điều khiển vòng kín

Thời gian mô phỏng thay đổi điện áp đầu vào


[0 10-3 2*10-3 ]
Giá trị điện áp đầu vào thay đổi
[[400 360 410 ]
Thời gian mô phỏng của tải.
[ 0 0,5*10-3 1,5*10-3 2,5*10-3]
Thời gian tương ứng với breaker đóng hay mở
[0 1 0 1]
Chương trình mô phỏng như sau
Ta có hàm truyền

Bộ bù ( bộ điều chỉnh điện áp

111
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Suy ra

Chọn tham số cho cấu trúc

Đặt

Kvf *Km = K
Khi đó

112
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Khi điện áp nguồn thay đổi UDC =400V tại thời điểm 0ms < t < 1 ms giảm
xuống còn UDC =360V tại thời điểm 1ms < t < 2 ms

113
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

b. Khi điện áp tải thay đổi tăng lên hai lần

114
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

c. Khi tần số đóng cắt thấy từ A đến B Udc= 400v, Rt không đổi chọn tần số
đóng cắt trung tâm của VCO là 85khz

Chọn độ khuếch đại dòng điện: Gain = 0.005


Biên độ tần số điều chỉnh 10V.
Điện áp tải ngõ ra

115
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

Dòng điện cộng hưởng

Nhận xét
Khi điện áp tải giảm thì dòng điện cộng hưởng tăng điện áp ra V0 = 48V
Khi tải tăng thì dòng điện cộng hưởng tăng , V0 = 48V
Khi tần số đóng cắt thay đổi, dòng điện cộng hưởng thay đổi thay đổi lớn ,V0
= 48V.
Trong cả ba trường hợp nói trên, khi thay đổi tần số đóng cắt mạch trở về chế
độ xác lập nhanh.
Đạt được điều kiện chuyển mạch ZVS

116
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

KẾT LUẬN

Từ kết quả mô phỏng trên Matlap trùng khớp với lý thuyết chứng tỏ tính đúng
đắn của lý thuyết về bộ biến đổi cộng hưởng half – bridge LLC. Trong suốt quá trình
làm luận văn, bằng việc giải quyết các vấn đề nảy sinh, em đã tổng hợp rất nhiều kiến
thức. Trong quá trình thực hiện làm luận văn em đã thu được kết quả sau:
- Tìm hiểu về cấu trúc nguồn phân tán, tìm ra được những phương án tối ưu
sử dụng cho bộ biến đổi DC-DC front – end để nâng cao hiệu suất và giảm được
mật độ công suất.
- Phân tích được nguyên lý, đặc tính làm việc của bộ biến đổi cộng hưởng cấu
trúc LLC
- Xây dựng được bộ bù phản hồi tiếp điện áp để điều khiển hai van trong
mạch nghịch lưu half – bridge .
- Tiến hành mô phỏng bằng phần mềm Matlap để kiểm nghiệm sự hoạt động
của bộ biến đổi.
Hướng phát triển:
- Thiết kế mạch thực tế để kiểm nghiệm về nguyên lý điều khiển và cách xây
dựng bộ bù và tiến hành mô hình hóa được vòng phản hồi tiếp điện áp.
- Sử dụng bộ điều khiển số để điều khiển bộ biến đổi
- Nghiên cứu và thiết kế bộ biến đổi PFC tạo ra điện áp từ 300V đến 400V để
đưa vào bộ biến đổi DC-DC front end để tiến hành hoàn thiện bộ nguồn và tiến
đến thương mại hóa sản phẩm.
Em xin chân thành cảm ơn sự giúp đỡ hướng dẫn và chỉ bảo tận tình của thầy
giáo TS. Trần Trọng Minh đã giúp đỡ em hoàn thành luận văn này. Do trình độ
ngoại ngữ còn hạn chế nên trong quá trình đọc các bào báo còn thiếu sót, em rất
mong được sự chỉ dạy của các thầy cô.
Em xin chân thành cảm ơn!
Hà Nội, ngày 30 tháng 3 năm 2012
Học viên

Trần Minh Đức

117
 
Nghiên cứu bộ nguồn phân tán

TÀI LIỆU THAM KHẢO


1. Võ Minh Chính, Phạm Quốc Hải,Trần Trọng Minh: Điện tư công suất – Nhà
xuất bản khoa học kỹ thuật
2. Bo Yang and Fred C.Lee, Alpha J. Zhang and Guisoing Huang: LLC
Reonant converter for End DC/DC conversion .
3. Hangseok Choi, Power conversion Team : Design considerations for an
LLC resonant conversion. Fairchild semiconductor .
4. Juergen Biela, member,IEEE, Uwe Badstuebner ,student member,IEEE, and
Johann W. Kolar, Senior member, IEEE: Impact of Power Density
Maximization on Efficiency Of DC-DC Conversion systems.
5. http://www.eetimes.com
6. Dragan Maksimovic, member, IEEE, Aleksandar M. Stankovic, member,
IEEE, V.Joseph Thottuvelil, member, IEEE, and Geogre C. Verghese,
Fellow, IEEE- Modeling And Simulation of Power Electronic Converter .
7. Antonio Bersaini, Alex Dumais and Sagar Khare, Microchip Technology
Inc: DC/DC LLC Reference Design Using the dsPIC@ DSC, AN1336
8. Mohammad Kamil, Microchip Technology Inc: Switch Mode Power
Supply( SMPS ) Topologies, AN1114
9. http://www.Fairchildsemiconductor.com
10. Jinhaeng Jang, Minjae Joung, Byung choi, and Heung- geun Kim “Dynamic Analysis
and control Design of Optocouple Isolaated LLSeries Resonant Converters with
Wide Input and Load Variation ” school Of Electrical Engineering and Computer
Science Kyungpook National Universty,Taegu,Korea.
11. hangseok choi “Design Consideration for an LLC Resonant Convertion”.
Power Convertion Team, Fairchildsemiconductor.

118
 

You might also like