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INFORME ELECTRONICA

POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BJT

Iván Esteban Gómez Jiménez
Ivane.gomez@correo.usa.edu.co
Laura Sofía Trillos Hernandez
Lauras.hernandez@correo.usa.edu.co

RESUMEN: En el laboratorio realizamos la
práctica de polarización de transistores usando un
modelo 2N2222 para determinar la ganancia que
hay en corriente de emisor común, así mismo
identificamos sus curvas de nivel y hallamos las
caída de voltaje en las diferentes resistencias que
manejamos en nuestro montaje.

PALABRAS CLAVE:
Transistor, Diodo, resistencia, polaridad.
Figura 1. Transistor npn. Tomado de
http://www.electronics-
1 INTRODUCCIÓN tutorials.ws/transistor/tran_2.html

1.1 Marco teórico

El transistor es un dispositivo semiconductor
de tres capas. El material constituyendo cada capa
definirá el tipo de transistor. Existe el transistor
npn (Figura 1), que consta de dos capas de material
tipo n y una de material tipo p. El otro tipo de
transistor es el pnp (Figura 2), que consta de dos
capas de material tipo p y una tipo n. La capa de
emisor suele ser muy dopada, la base ligeramente,
y el colector solo un poco. Las capas externas del
transistor son más gruesas que la capa encontrada Figura 2. Transistor pnp. Tomado de
en la mitad de estas. La capa del centro (la base), http://www.electronics-
tendrá un menor dopado que las capas externas. tutorials.ws/transistor/tran_3.html
Esto para reducir la conductividad, aumentándose
la resistencia del material conformando la base, al
limitar el número de portadores libres.

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Los dispositivos semiconductores de tres = (𝛽 + 1)𝑖𝐵 (3)
terminales como el transistor son empleados en
múltiples aplicaciones como amplificadores de
señales para el diseño de lógica digital y circuitos
de memoria. El transistor maneja como principio el
uso de voltaje entre dos de sus terminales para
controlar la corriente presente en la tercera
terminal. Por lo que se puede usar para generar una
fuente controlada, lo cual es lo básico para el
diseño de un amplificador (electrónica análoga).
En otro caso la señal controlada puede emplearse
para que la corriente en el tercer terminal
incremente desde cero hasta un valor inmenso, des
esta manera el dispositivo actuaría como un switch
(electrónica digital), lo cual es básico para los
circuitos digitales.

Existen dos tipos de dispositivos
semiconductores de tres terminales, el transistor de
unión bipolar (BJT, bipolar junction transistor) y
los FET. En el laboratorio se trabajó con el
transistor BJT.

El transistor BJT consiste en dos uniones pn Figura 3. Resumen características del transistor
(dos diodos). Es altamente usado en circuitos BJT. Tomado de
discretos. Posee tres terminales, cada terminal tiene https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Formula
un nombre que corresponde a su función. El _transistor.png
terminal emisor como su nombre lo indica, lanza
portadores de carga hacia la base. El terminal base TRANSISTOR 2N222
ejercerá control sobre los portadores enviados. Es un transistor tipo npn, de baja potencia.
Finalmente los portadores son recogidos por el
terminal colector. Este tipo de transistor puede
actuar como amplificador o switch. Por lo que tiene
tres tipos de operación. Cuando está en estado
activo, el transistor opera como un amplificador,
IC = Βib .En saturación, el transistor opera como un
switch prendido por lo que IC = I(saturación). En
corte el transistor opera como un switch apagado
por lo que IC = 0.

Fórmulas corrientes, Modo activo BJT
Para el transistor pnp se cambia VBE por VEB

𝑉𝐵𝐸
𝑖𝑐 = 𝐼𝑠 𝑒 𝑉𝑇 (1)
= 𝛼𝑖𝐸 (2) Figura 4. Transistor 2N222, pines conexión.
𝑖𝑐 Tomada de
𝑖𝐵 = (3) http://www.electronicoscaldas.com/transistores-
𝛽 bjt/55-transistor-2n2222a.html
= (1 − 𝛼)𝑖𝐸 (4)
𝑖𝑐
𝑖𝐸 = (5)
𝛼

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CARACTERISTICAS DEL 2N222

Tabla 1. Máximo y mínimo voltaje.
Tomada de
http://www.electronicoscaldas.com/datasheet/PN2222A.pdf
TABLAS Y RESULTADOS

Figura 5. Montaje [1]

[1] Polarice la base de tal forma que tenga un
voltaje sobre Rc igual a 1V

RESULTADO
Vrc=0,94v

[2] Establezca VCC = 12V y registre VCC,
VCE, IC e IB
Tabla 2. Máximo y mínimo de ganancia de corriente dc y
voltaje de saturación
RESULTADO

Vcc=12v

Vce=11,11v

[3] Disminuya VCC 1V y vuelva a realizar
las mediciones hasta que VCC = 1V

Rc= 1K R=100

RESULTADO

3
Tabla 3 12v 100k 9v 3,0v 4,6v
Vcc Vce IB IE Vrc 12v 100k 10v 2,1v 5,1v
12v 11,11v 1v
11v 10,11v 1v
10v 9,1v 1v
9v 8,06v 0,96v
8v 7,1v 0,96v
7v 6,1v 0,95v
6v 5,1v 0,94v
5v 4,1v 0,93v
4v 3,1v 0,92v
3v 2,1v 0,91v
2v 1,2v 0,89v
1v 185mV 0,89v
[4]. Vuelva a establecer VCC = 12V y polarice la
base del transistor de tal forma que obtenga Figura 6. Montaje [2]
una caída de 2V sobre Rc. Repita los pasos 2 y 3.
RESULTADO
Tabla 4
Vcc=12v Vrc=2v Rb=48K Vce=10,04v
11v 2,04v 48K 8,95v
10v 2,03v 48K 8,01v
9v 2,01v 48K 7v
8v 1,99v 48K 6,09v
7v 1,97v 48K 5,02v
6v 1,94v 48K 4,03v
5v 1,93v 48K 2,17v
Figura 7. 1KHz
4v 1,90v 48K 2,08V
3v 1,88v 48K 1,26V
2v 1,85v 48K 310mV
1v 1,03v 48K 78,3mV

[5]. Repita el paso 4, incrementando el voltaje
sobre Rc en 1V. Repita el procedimiento hasta
que sobre Rc tenga una caída de voltaje de 10V
Rc=1K

RESULTADO
Tabla 5
Figura 8. <10Hz
Vcc Rb Vrc Vce Vbb
12v 100k 2v 10v 1,5v
12v 100k 3v 9,1v 1,9v
12v 100k 4v 7,9v 2,4v
12v 100k 5v 7,02v 2,8v
12v 100k 6v 6,1v 3,2v
12v 100k 7v 5,1v 3,6v
12v 100k 8v 3,9v 4,2v

4
2 REFERENCIAS

CONCLUCIONES

Figura 9. 50 Hz

Figura 10. 100Hz

Figura 11. 500KHz

Figura 12. 1MHz

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