TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

(FET)
Transistor bipolar ⇒ controlado por corrente (Ib)
FET ⇒ controlado por tensão (Vgs)

Tipos de FET:

– JFET
– MOSFET:
• Depleção
• Indução (intensificação)
– MESFET
 JFET
• O JFET é um dispositivo controlado por tensão
• O JFET apresenta uma alta impedância de
entrada.
• O JFET são mais estáveis em relação a
mudanças de temperatura.
• Em relação aos Trans. Bipolares, os JFET são
de menor tamanho. (Úteis na construção de
CI)
• Para altas velocidade de comutação ->MESFET
 JFET

Construção do JFET (canal N):

Dreno
(D)
Região de

depleção

Porta
(G)
P n P

Fonte
(S)
• Símbolo:

JFET canal N ⇒ G

D
JFET canal P ⇒ G

S
• Polarização do JFET canal N:

1 - Quando Vgs = 0V, Vds > 0V: Id > 0A

D
Região de
depleção

G
N
P P
VDD
Vds

Vgs = 0V
S

A medida que Vds aumenta, aumenta a largura da região de depleção.

 Id

Idss Vgs = 0V

Canal n estreito -> aumento de resistência

Resistência do canal n

Vp Vds
(Vgsoff)

Vp ⇒ tensão entre dreno e fonte que faz as duas regiões de depleção se

tocarem, mas sem estrangular totalmente o canal.
2 - Quando Vgs < 0V, Vds > 0V:
Id > 0A

D
Região de
depleção

G
P P

VGG VDD

N Vds

Vgs < 0V
S

A região de depleção aumenta quando é aplicada uma tensão negativa

entre porta e fonte, estrangulando mais o canal. A medida que Vds
aumenta, então o canal fica cada vez mais fino (estreito).
 Id

Idss Vgs = 0V

Vgs = -1V

Vgs = -2V

Vgs = -Vp
Vp Vds
(Vgs=0V)

• Característica de transferência:

2
 Vgs 
Id = Idss.1− 
 Vp 

Obs.: para o JFET canal N, Vgs e Vp são negativos.

Para canal P, o Vp é positivo
Idss é a corrente máxima de dreno definida para: Vgs=0 e Vds>|Vp|
 Id

Idss

Vgs -Vp

Vgs = 0V ⇒ Id = Idss
Vgs = -Vp ⇒ Id = 0A
Curvas características do JFET
 MOSFET
• Tipo depleção
• Tipo intensificador
Relações: JFET - TBJ
MOSFET: Transistor de Efeito de Campo Metal
Óxido Semicondutor
MOSFET tipo depleção (canal N)

Construção: Canal N

Contato S G D
Isolante
metálico SiO2

N N N

SS Substrato
Símbolo:

Canal N ⇒ G

Canal P ⇒
G

S
 Operação: Id

D
N

Vds
G SS

Vgs N VD
D
VG S
G
N
P

• O potencial negativo de porta (Vgs) tende a repelir os elétrons do canal N,

diminuindo a corrente Id.
• O potencial positivo de porta tende a atrair os elétrons do substrato para o
canal N, aumentando a corrente Id.
• Curva característica de dreno:

Id
Vgs = +2V

Vgs = +1V

Idss Vgs = 0V

Vgs = -1V

Vgs = -2V

Vgs = -Vp
Vp Vds
(Vgs=0V)
Curva característica de transferência:

2
 Vgs 
Id = Idss. 1 −
 Vp  Id

Idss

Vgs -Vp 0V Vgs

Obs.: Vgs pode ser negativo ou positivo

Vp é sempre negativo
Quando Vgs é positivo a Id aumenta rápido => Verificar não
atingir a IDmax
 MOSFET tipo intensificação

Construção: S D
Contato G
Isolante
metálico
SiO2

N N

SS Substrato

Obs.: não há um canal entre as duas regiões N.

Símbolo:

Canal N ⇒ G

Canal P ⇒ G

S
Operação:
Id

+
D
N
--
-- +
Vds + --
G + -- SS
--
+ --
+ -- +
Vgs -- VDD
+ --
VGG --
S +

N +
P
• Se Vgs = 0V, então não há canal entre dreno e fonte, Id = 0A.

• Se Vgs > 0V, então o potencial positivo de porta irá repelir as

lacunas do material P e atrair os elétrons livres (portadores
minoritários) para a região próxima da porta (entre as duas regiões
N).

• Se Vgs > Vt, então a quantidade de elétrons entre dreno e fonte é

suficiente para estabelecer um canal e permitir uma corrente Id >
0A.

• Aumentando o valor de Vds para um Vgs > Vt, chega um momento

que a corrente de dreno não aumenta mais devido a saturação do
canal.
Curva característica de dreno:

Id

Vgs = +8V

Vgs = +6V

Vgs = +4V

Vgs ≤ Vt

Vds
 Curva característica de transferência:

Id

0V Vt Vgs

• Para Vgs < Vt ⇒ Id = 0A

• Para Vgs > Vt ⇒ Id = K.(Vgs – Vt)2